Researcher Database

Akira Ishibashi
Research Institute for Electronic Science Material and Molecular Sciences
Professor

Researcher Profile and Settings

Affiliation

  • Research Institute for Electronic Science Material and Molecular Sciences

Job Title

  • Professor

Degree

  • Ph. D.(The University of Tokyo)

Research funding number

  • 30360944

J-Global ID

Research Interests

  • 光電変換素子、太陽電池、レーザーパワービーミング   高清浄環境   Nanostructure Physics   Photovolataic Devices   Condensed Matter Physics   

Research Areas

  • Nanotechnology/Materials / Thin-film surfaces and interfaces
  • Nanotechnology/Materials / Nano/micro-systems
  • Nanotechnology/Materials / Nanomaterials

Academic & Professional Experience

  • 2003/04 - Today Hokkaido University
  • 2003/01 - Today Hokkaido University Research Institute for Electronic Science Professor
  • 2003/01 - Today Hokkaido University Research Institute for Electronic Science
  • 1998/04 - 2003/12 Sony Corporation
  • 1999 - 2002 Sony Corporation
  • 1999 - 2002 Sony Corp. Frontier Science Laboratory
  • 1991 - 1998 Sony Corp. Res. Ctr. Physicist
  • 1983 - 1998 Sony Corporation
  • 1998 東北大学学際科学研究所客員教授
  • 1998 Tohoku University, Visiting Professor
  • 1990/09 - 1991/08 Univ. of Illinois at Urbana-Champaign Dept. of Physics, Loomis Lab. Visiting Faculty
  • 1983 - 1990 Sony Corp. Res. Ctr. Physicist
  • 1982/05 - 1983/01 ローレンスバークレー国立研究所リサーチアシスタント
  • 1982 - 1983 Lawrence Berkeley National Laboratory Research

Education

  •        - 1990/01  東京大学大学院
  •        - 1983  東京大学大学院
  •        - 1983  Univesity of Tokyo, Graduate School  Graduate School, Division of Science  Physics
  •        - 1981  The University of Tokyo  Faculty of Science
  •        - 1981  The University of Tokyo  Faculty of Science  Physics

Association Memberships

  • THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN   THE LASER SOCIETY OF JAPAN   IEEE   日本応用物理学会   日本物理学会   IEEE   Japan Appied Physics Society   Physical Society of Japan   

Research Activities

Published Papers

  • A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi, T. Kasa
    Transactions of the Materials Research Society of Japan 44 (5) 187 - 191 2019/09 [Refereed][Not invited]
  • Waveguides with Spatial Asymmetry for Concentrator Solar-Cells
    A. Ishibashi
    Proc. Collaborative Conference on Materials Research 2019 182 - 186 2019/06 [Refereed][Not invited]
  • T. Hsieh, A. Ishibashi, M. Yasutake, S. Liang
    Basic & Clinical Pharmacology & Toxicology 124 (s3) 187 - 188 2019/04 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi, M. Yasutake, T. Hsieh, S. Liang
    Basic & Clinical Pharmacology & Toxicology 124 (S3) 356  2019/04 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi, T. Kasai, N. Sawamura
    Energies 11 3498-1 - 3498-9 2018/12 [Refereed][Not invited]
  • Clean unit system platform (CUSP) based upon 100% feed-back closed-system
    A. Ishibashi, N. Noguchi, T. Etoh, J. Matsuda, Y. Ohashi
    Proc. 35th Annual Tech. Meeting on Air Cleaning and Contamination Control 38 - 41 2018/04 [Refereed][Not invited]
  • New solar cell and clean unit system platform (CUSP) for earth and environmental science
    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake
    IOP Conference Series: Earth and Environmental Science 93 012081 1 - 012081 7 2017/11 [Refereed][Not invited]
  • Akira Ishibashi, Hikaru Kobayashi, Nobuo Sawamura, Kenji Kondo, Tsuyoshi Kasai
    Proceedings of the 2017 IEEE International Conference on Applied System Innovation: Applied System Innovation for Modern Technology, ICASI 2017 1477 - 1479 2017/07/21 [Refereed][Not invited]
     
    Waveguide-coupled orthogonal photon-photocarrier propagation solar cell (MOP3SC) in which the photons propagate in the direction orthogonal to that of the photocarriers'is of potential interest for a high efficiency solar cell. We have studied feasibility of symmetric waveguides for MOP3SC. The symmetric waveguide with refractive index modulation structure would not give a very high efficiency due to the reason originated from the spatial and time-reversal symmetries. To overcome the problem, we propose an asymmetric redirection waveguide consisting of periodic parabola mirrors.
  • Systems development in Atom-Bit-Energy/Environment (ABE2) space for a new solar-cell, medical and safety applications on clean unit system platform (CUSP)
    A. Ishibashi
    Proc. Collaborative Conference on Materials Research 191 - 195 2017 [Refereed][Not invited]
  • Akira Ishibashi, H. Kobayashi, T. Taniguchi, K. Kondo, T. Kasai
    3D Research 7 (4) 33 1 - 5 2092-6731 2016/12/01 [Refereed][Not invited]
     
    We have calculated optical fields for waveguide-coupled orthogonal photon-photocarrier propagation solar cell (MOP3SC)in which the photons propagate in the direction orthogonal to that of the photocarriers’. By exploiting the degree of freedom along the photon propagation and using multi-semiconductor stripes in which the incoming photons first encounter the widest gap semiconductor, and the narrowest at last, we can convert virtually the whole spectrum of solar spectrum into electricity resulting in high conversion efficiency. The waveguide-coupled MOP3SC can not only optimize the absorption of light and the photocarrier collection independently converting virtually the whole spectrum of sunlight into electricity, but also can serve as a highly efficient concentration solar-cell system with low temperature rise thanks to its minimal thermal dissipation and the diffusive-light-convertibility when used with the parabola cross-section structure on top of the waveguide. The waveguide-coupled MOP3SC is also of potential interest as a high reliability system, because the high energy photons that can damage bonding of the materials, being converted into electricity already at upstream, never go into the medium or narrow gap semiconductors, resulting in low degradation of materials used in the MOP3SC.
  • Application of Clean Unit System Platform (CUSP) for sleep diagnostics: evaluation of sleep quality by monitoring airborne particles in an ultraclean space
    M. Yasutake, A. Ishibashi
    JOURNAL OF SLEEP RESEARCH 25 (suppl_1) 254 - 254 0962-1105 2016/09 [Refereed][Not invited]
  • Orthogonal photon-photocarrier-propagation solar cell
    A. Ishibashi
    Energy Device 3 (4) 77 - 83 2016 [Refereed][Not invited]
     
    「フォトンフォトキャリア直交型太陽電池」、 石橋 晃: エネルギーデバイス、技術情報協会、3(4) : 77-83 (2016)
  • Clean Unit System Platform (CUSP) for Medical/Hygienic Applications
    A. Ishibashi, M. Yasutake
    Int. J. Eng. Res. Sci. 2 (3) 92 - 97 2016 [Refereed][Not invited]
  • An approach for uniting bottom-up and top-down systems and its applications
    A. Ishibashi
    Int. J. Eng. Res. Sci. 2 (9) 103 - 114 2016 [Refereed][Not invited]
  • Edge-Illumination Scheme for Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier- Propagation Solar Cells
    A. Ishibashi, S. White, N. Kawaguchi, K. Kondo, T. Kasai
    Int. J. Eng. Tech. Res. 6 (1) 115 - 117 2016 [Refereed][Not invited]
  • Clean Unit System Platform (CUSP) for various frontier experiments and applications”, Int. Journal of Engineering and Technical Research
    A. Ishibashi, M. Yasutake, N. Noguchi, T. Etoh, J. Matsuda, K. Nakaya, T. Ohsawa, Y. Satoh, N. Ohata, M. D. Rahaman, J. Alda, Y. Ohashi
    Int. J. Eng. Tech. Res. 6 (3) 31 - 35 2016 [Refereed][Not invited]
  • Clean Unit System Platform (CUSP)
    A. Ishibashi, Y. Ohashi, J. Matsuda, N. Noguchi, T. Etoh
    Building equipment and plumbing 709 (53) 66 - 73 2015 [Refereed][Not invited]
  • H. Kaiju, Y. Yoshida, S. Watanabe, K. Kondo, A. Ishibashi, K. Yoshimi
    J. Magn. Soc. Jpn. 38 157 - 161 2014 [Not refereed][Not invited]
  • Ultra-high cleanliness of ISO class minus 2 realized by clean-unit system platform for integrating the bottom-upand top-down systems
    M. D. Rahaman, H. Kaiju, A. Ishibashi
    Dhaka Unv. J. Sci. 61 (2) 157 - 160 2013 [Refereed][Not invited]
  • H. Kaiju, K. Kondo, N. Basheer, N. Kawaguchi, S. White, A. Hirata, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, A. Ishibashi
    Jpn. J. Appl. Phys. 51 (55) 065202-1 - 065202-8 2012 [Not refereed][Not invited]
     
    ISBN: 978-81-7895-562-9
  • Clean Unit System Platform (CUSP) as a dental safety system
    K. Nakaya, T. Ohsawa, Y. Satoh, A. Ishibashi, N. Ohata
    Dental Journal 40 (8) 956 - 960 2012 [Refereed][Not invited]
  • Hideo Kaiju, Nubla Basheer, Taro Abe, Kenji Kondo, Akihiko Hirata, Manabu Ishimaru, Yoshihiko Hirotsu, Akira Ishibashi
    Journal of the Vacuum Society of Japan 54 (3) 203 - 206 1882-2398 2011 [Not refereed][Not invited]
     
    We have investigated structural and magnetic properties of Ni and Ni 75Fe25 thin films evaporated on polyethylene naphtalate (PEN) organic substrates, which can be expected as electrodes of our proposed nanoscale junctions utilizing thin-film edges. As a result, there is no diffusion of Ni and Fe atoms into PEN substrates, resulting in clear and smooth formation of the interface. The surface roughness is also as small as 0.28-0.37 nm in the same scanning scale as the film thickness. As for the magnetic properties, the squareness of the hysteresis loop is as small as 0.24 for Ni/PEN, where there is no observation of the anisotropy magnetoresistance (AMR) effect. In contrast, the squareness of the hysteresis loop is as large as 0.95 for Ni75Fe25/PEN, where the AMR effect has been successfully obtained. These experimental results indicate that Ni 75Fe25/PEN is a promising material for use in electrodes of nanoscale junctions from the viewpoint of structural and magnetic properties.
  • Hideo Kaiju, Kenji Kondo, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 (10) 105203-1 - 105203-5 0021-4922 2010 [Not refereed][Not invited]
     
    We have derived a formula for current density-voltage (J-V) characteristics in nanoscale tunnel junctions, consisting of thin insulating barriers sandwiched between two thin metal films whose edges are crossing. As a result of the calculation of J-V characteristics, the current density decreases with decreasing the metal thickness below 30-40nm due to the quantization of the out-of-plane direction in the metal films. Moreover, as a result of the fabrication of Ni/NiO/Ni nanoscale tunnel junctions with a junction area of 24 x 24 nm(2), we have found that experimental J-V characteristics show a good fit to calculation results with a barrier height of 0.8 eV and a barrier thickness of 0.63 nm. These results indicate that the derived formula is useful for the evaluation of the barrier height and the barrier thickness and our fabrication method can be expected as a new technique for the creation of nanoscale tunnel junctions. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics
  • H. Kaiju, K. Kondo, A. Ono, N. Kawaguchi, S. Yuan, A. Hirata, M. Ishimaru, T. Hirotsu, A. Ishibashi
    J. Magn. Soc. Jpn. 33 242 - 246 2009 [Not refereed][Not invited]
  • Clean Unit System Platform (CUSP) line-up for small-footprint productions
    A.Ishibashi, S. Miyatake, Md. D. Rahaman, H. Kaiju, N. Kawaguchi, N. Basheer
    Ecodesign2009 819 - 822 2009 [Refereed][Not invited]
  • Spiral-heterostructure-based new high-efficiency solar cells
    Ishibashi, A, Kawaguchi, N, Kondo, K, Kaiju, H, White, S
    Ecodesign2009 55 - 57 2009 [Refereed][Not invited]
  • Md Dalilur Rahaman, Hideo Kaiju, Nobuyoshi Kawaguchi, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 (7) 5712 - 5716 0021-4922 2008/07 [Refereed][Not invited]
     
    A clean environment ISO class minus 1 free of particular contaminationis realized in clean-unit system platform (CUSP), made of airtight multiply-connected clean-box unit with an air feedback loop, by stepwise reducing particles coming out from the high efficiency particulate air (HEPA) filter and a number of particles coming out through the filter of the particle counter due to the imperfect air filtration. The particles coming out from the HEPA filter to the CUSP environment are minimized by connecting the ultra low penetration air (ULPA) filter just after the HEPA filter. By decoupling the particle counter from the advanced CUSP unit, the contribution of the particle counter for deteriorating the cleanliness is significantly reduced. Experimental results from a double use of HEPA and ULPA filters and the separation of particle counter from the advanced CUSP unit, demonstrate the ultra-high cleanliness of ISO class minus 1, which would be the key factor for increasing the product yield and reliability in the burgeoning cross-disciplinary research.
  • Study of Gold Thin Films Evaporated on Polyethylene Naphthalate Films toward the Fabrication of Quantum Cross Devices
    H. Kaiju, A. Ono, N. Kawaguchi, K. Kondo, A. Ishibashi
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1025 (103) B07011 - B07016 2008 [Not refereed][Not invited]
  • Cleanliness ISO class -1 achieved by Clean Unit System Platform (CUSP)
    Akira Ishibashi
    Clean Technology 18 (5) 63 - 67 2008 [Refereed][Not invited]
  • Md. D. Rahaman, K. Gomita, N. Kawaguchi, H. Kaiju, K. Kondo, A. Ishibashi
    ELECTRONICS LETTERS 43 (24) 1356 - 1357 0013-5194 2007/11 [Refereed][Not invited]
     
    As a platform for nano-science and technology, cleanliness in a compact and local clean environment, i.e. a portable clean-unit-box (CUP), is reported for establishing a large-scale network of an ultra-high clean environment platform towards cross-disciplinary research. Analyses of experimental results indicate that the CUP has cleanliness of ISO class similar to 2, which is one order of magnitude better than the conventional wafer transportation cleanbox.
  • Nobuyoshi Kawaguchi, Dalilur Rahaman, Hideo Kaiju, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 (8A) 6481 - 6483 0021-4922 2006/08 [Not refereed][Not invited]
     
    The time dependence of airborne particle count in connected clean units with a feedback loop in a clean-unit system platform (CUSP) is studied. We have estimated the mutual conductance of air flow in connected CUSP units, and the conductance is confirmed to be irrespective of the sizes of airborne particles. The connected CUSP units can maintain a cleanliness as good as ISO class 1-2 even when they are set in a typical office room. The emission rate of physically adsorbed particles from the inner walls of our CUSP unit is found to be 0.012 m(-2) s(-1) for particles with diameters of 0.3 mu m. The airborne particle count in a deactivated CUSP unit, under the condition that the neighboring CUSP unit is activated, remains only similar to 5 times larger than that in the activated CUSP units even for particles with diameters of 0.1 mu m. The CUSP can serve as a platform for cross-disciplinary fields such as nanostructure physics as well as nanobiotechnologies.
  • For possible "Kilby's patent"-equivalnet in Nano-science &Technology Era
    A. Ishibashi
    R&D Leaders 2 (4) 58 - 66 2006 [Refereed][Not invited]
  • H. Kaiju, N. Kawaguchi, A. Ishibashi
    Rev. Sci. Instrum. 76 (13) 85111 - 85113 2005 [Not refereed][Not invited]
  • A Ishibashi, K Kondo
    ELECTRONICS LETTERS 40 (20) 1268 - 1269 0013-5194 2004/09 [Refereed][Not invited]
     
    By controlling the location of staking faults and adjusting the amount of electron-hole injection in pn-junction, structural connection between a bottom-up structure of dislocations and a top-down structure of diodes can be made in a controlled manner. The possibility of uniting bottom-up structures with top-down system is demonstrate.
  • phys. stat. sol. (b) 229 (2) 943 - 948 0370-1972 2002 [Not refereed][Not invited]
  • M Ukita, A Ishibashi
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 37 (7) 919 - 922 0018-9197 2001/07 [Not refereed][Not invited]
     
    We propose a simple and powerful criterion for defining continuous-wave (CW) operation of laser diodes. Our criterion is represented by a quasi-triangular region in the plain spanned by dimensionless parameters alpha and beta, These parameters, deduced from the characteristics of the laser diode operating under pulsed current injection, represent the effects of the turn-on voltage and the series resistance on the increase in the CW threshold. We demonstrate the validity of our criterion using blue-green lasers made from II-VI semiconductors as examples.
  • M. Strassburg, O. Schulz, U.W. Pohl, D. Bimberg, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi, M. Klude, D. Hommel
    J. Select. Topics Quantum Electr. 7 (2) 371 - 375 1077-260X 2001 [Not refereed][Not invited]
  • R Ugajin, A Ishibashi, S Hirata, C Ishimoto, Y Mori
    PHYSICS LETTERS A 275 (5-6) 467 - 472 0375-9601 2000/10 [Refereed][Not invited]
     
    We investigated ferromagnetic transition in a multiply-twisted helix, in which a helical chain of components is twisted, producing a doubly-twisted helix, which if itself is twisted produces a triply-twisted helix, and so on, in which there are couplings between adjacent rounds of helices. The critical temperature of the ferromagnetic transition is controlled by adjusting the number of components in a round of helices, i.e. N, as is suggested by the results of our numerical experiments based on the standard Monte Carlo simulation. As N increases, the magnetization curve develops a shoulder below the critical temperature. This is caused by the hierarchical structure of our multiply-twisted helix, just as a structure possessing ultrametric topology. (C) 2000 Published by Elsevier Science B.V.
  • R Ugajin, M Ohnishi, S Hirata, A Ishibashi, Y Kuroki, C Ishimoto
    APPLIED PHYSICS LETTERS 76 (12) 1624 - 1626 0003-6951 2000/03 [Refereed][Not invited]
     
    We extended the dielectric breakdown model in order to generate networks of interacting objects, which are considered as coupled-fractal networks. In the proposed model, each object grows to be a random fractal if isolated, but connects with others if glued. The model is constructed based on a growth hypothesis in which the growth rate of each object is a product of the probability of receiving source materials from faraway and the probability of receiving adhesives from other grown objects. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)02312-3].
  • S. Ito, K. Nakano, A. Ishibashi
    J. Cryst. Growth 1029 214 - 215 2000 [Refereed][Not invited]
  • O. Schultz, M. Strassburg, U. W. Pohl, D. Bimberg, S. Itoh, K. Nakano
    Phys. Stat. Sol. (a) 180 213 - 216 2000 [Refereed][Not invited]
  • M Strassburg, O Schulz, UW Pohl, D Bimberg, S Itoh, K Nakano, A Ishibashi
    ELECTRONICS LETTERS 36 (1) 44 - 45 0013-5194 2000/01 [Refereed][Not invited]
     
    Implantation-induced disordering is applied to define laterally structured waveguiding in ZnCdSe single quantum well lasers. Owing to the intermixing-induced lateral step of the refractive index the emission characteristics are significantly improved. A reduction in the threshold current density from 276 to 96A/cm(2) is achieved.
  • Confocal photoluminescense microscopy in II-VI materials: annealing and degradation dynamics
    Eithne M. McCabe, Christopher Jordan, D. T. Fewer, John F. Donegan, S. Taniguchi, T. Hino, Kazushi Nakano, Akira Ishibashi, Petteri Uusimaa, Markus Pessa
    Three-Dimensional and Multidimensional Microscopy: Image Acquisition and Processing VI 3605 1999 [Refereed][Not invited]
  • Current status and perspective of ZnMgSSe-based II-VI laser diodes
    Akira Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VII 8 - 19 1999 [Refereed][Not invited]
  • Recombination lifetimes in undoped and doped ZnCdSe laser structures
    John F. Donegan, Christopher Jordan, G. Laird, S. Taniguchi, T. Hino, E. Kato, N. Noguchi, Akira Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VII 26 - 33 1999 [Refereed][Not invited]
  • Y. Sanaka, H. Okuyama, S. Kijima, E. Kato, H. Noguchi, A. Ishibashi
    Electronics Letters 34 (19) 1891 - 1892 0013-5194 1998/09/17 [Not refereed][Not invited]
     
    The authors have fabricated a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separated confinement heterostructure (SCH) laser diode (LD) with a 3nm ZnTe:N contact layer/ZnSe:N/ZnTe:N superlattice layer (SL)/ZnSe:N cap layer with optimised [N] and a ZnCdSe active layer with VI-rich growth conditions and optimised stripe width. The LD achieved over 300h LD operation at a constant output power of 1mW at low voltage (4V).
  • A Toda, K Nakano, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 73 (11) 1523 - 1525 0003-6951 1998/09 [Refereed][Not invited]
     
    After continuous-wave operation of ZnSe-based semiconductor laser diodes, the degradation of these devices was investigated using cathodoluminescence imaging and spectroscopy. Inside the stripe region, i.e., the carrier injection area, there were several dots in which the peak wavelength of emission from a ZnCdSe strained quantum well (QW) shifted with time to a shorter wavelength (blueshift). We consider that the blueshift is Due to Cd/Zn interdiffusion. This interdiffusion is enhanced by the electron-hole recombination process (recombination enhanced interdiffusion). Furthermore, there were dark line defects (DLDs) in the [100] direction, outside the stripe region and running away from the dots, having emission with a blueshift. The peak wavelength of emission from the QW in the DLDs shifted to a longer wavelength (redshift). We consider that the redshift is due to the relaxation of strain in the QW by existing defects, which may originate in the blueshift dots and move outside the stripe region. (C) 1998 American Institute of Physics.
  • SL Chuang, N Nakayama, A Ishibashi, S Taniguchi, K Nakano
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 34 (5) 851 - 857 0018-9197 1998/05 [Refereed][Not invited]
     
    Theory and experiment of the degradation of II-VI blue-green laser diodes using quantum-well (QW) structures are presented. We develop the fundamental equations for the operation current of laser diodes as a function of aging time under the constant optical power aging condition. We show experimental results for the increase of the operation current as a function of aging time and its dependence on the ambient temperature. We find that the increase of the threshold current and the operation current under constant optical output power aging condition is caused by the increase of the nonradiative recombination current due to the increase of the defect density. The generation of the defect density follows a kinetic mechanism caused by an electron-hole recombination enhancement. Thermal effects also accelerate the degradation of the laser diodes. Our theory agrees very well with the experiment.
  • Device Characteristics and Degradation of ZnMgSSe ?based Semiconductor Lasers
    K. Nakano, A. Ishibashi
    Trans. Inst. Electron. Inf. and Commun. Engineers J81-C-? 51 - 57 1998 [Refereed][Not invited]
  • Quaternary Alloy ZnMgSSe
    Okuyama, Y. Kishita, A. Ishibashi
    Phys. Rev. B57 2257 - 2263 1998 [Refereed][Not invited]
  • E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi
    Electron. Lett. 34 282 - 237 1998 [Refereed][Not invited]
  • II-VI Blue-Green Laser with >400 hours lifetime
    S. Kijima, H. Okuyama, Y. Sanaka, T. Kobayashi, S. Tomiya, A. Ishibashi
    Appl. Phys. Lett. 73 235 - 237 1998 [Refereed][Not invited]
  • C Jordan, DT Fewer, JF Donegan, EM McCabe, A Huynh, FP Logue, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 72 (2) 194 - 196 0003-6951 1998/01 [Refereed][Not invited]
     
    Defect annealing under intense pulsed optical excitation has been observed in a II-VI laser diode structure at room temperature. More than one order of magnitude increase in photoluminescence intensity has been obtained when the annealed area is probed at low excitation intensity. High-resolution confocal photoluminescence images of the annealed region do not show any sign of degradation. Together, these results suggest that an initial density of intrinsic point defects present within the active region can be removed by the optical annealing. Recombination-enhanced defect reactions in the vicinity of the point defects are responsible for this nonthermal annealing effect. (C) 1998 American Institute of Physics.
  • An Optical Pickup using a ZnMgSSe Laser Diode for Reading High-Density Disk
    N. Eguchi, A. Ishibashi, N. Nakayama
    Trans. Inst. Electron. Inf. and Commun. J81-C-II (19) 3 - 7 1998 [Refereed][Not invited]
  • Degradation physics of II-VI blue-green laser diodes and LEDs
    Shun-Lien Chuang, Akira Ishibashi, Norikazu Nakayama, S. Taniguchi, Kazushi Nakano
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VI 49 - 58 1998 [Refereed][Not invited]
  • Deep defect center characteristics of wide-bandgap II-VI and III-V blue laser materials
    Koshi Ando, Tsutomu Yamaguchi, Keiichi Koizumi, Yoshihiro Okuno, Tomoki Abe, Hirohumi Kasada, Akira Ishibashi, Kazushi Nakano, Shuji Nakamura
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VI 40 - 48 1998 [Refereed][Not invited]
  • SL Chuang, A Ishibashi, S Kijima, N Nakayama, M Ukita, S Taniguchi
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 33 (6) 970 - 979 0018-9197 1997/06 [Refereed][Not invited]
     
    We present a kinetic model for the optical output degradation of light-emitting diodes based on the carrier-recombination enhanced defect motion. Our model leads to analytical solutions and universal curves for the optical output power and the defect density as a function of the normalized aging time with the initial quantum efficiency as the determining parameter. The theoretical results explain very well the time dependence of the II-VI light-emitting diodes under constant current aging condition. The faster aging rate with increasing bias current or temperature is also investigated both experimentally and theoretically, resulting in a very good agreement. Our model provides a quantitative description of the light-emitting diode aging characteristics for compound semiconductors in the presence of electron-hole recombination-enhanced defect generation.
  • H Okuyama, T Kawasumi, A Ishibashi, M Ikeda
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 175 587 - 592 0022-0248 1997/05 [Refereed][Not invited]
     
    The basic model of MBE growth of ZnMgSSe at 275 degrees C is considered. The net flux intensity is expressed by the product of the flux intensity and the maximum sticking coefficient for the cracked or heated beam flux. The surface of the crystal is divided into a surface covered with group II elements (surface II) and a surface covered with group VI elements (surface VI) and the adatom density is almost the same at surface II and surface VI. The desorption of these adatoms is expressed by considering the effect of cluster such as S-2 and Se-2. The desorption from the surface is disregarded because the growth temperature is low. The experimental composition and the growth rate of ZnMgSSe agrees with the values calculated using this theory and the tendency of these properties when the c(2 x 2) pattern is observed is different from the tendency when (2 x 1) is observed.
  • H Tsukamoto, M Nagai, E Katoh, K Tamamura, A Ishibashi, M Ikeda
    APPLIED PHYSICS LETTERS 70 (11) 1453 - 1455 0003-6951 1997/03 [Refereed][Not invited]
     
    Nitrogen doping in ZnSe using a new type of electron-cyclotron-resonance (ECR) source has been investigated. Selective nitrogen radical doping is performed using the ECR source with an external electrode, which can remove charged particles in the nitrogen plasma by the electrode applied electric field. Nitrogen ions are trapped by the electrode and the ion current is measured as a function of the electric field. The activation ratio of nitrogen atoms is investigated for various doping conditions by comparing the carrier profile and the atomic nitrogen profile, which are measured by capacitance-voltage techniques and secondary ion mass spectrometry, It was confirmed that nitrogen ions are removed and do not play a role as p-type dopants in ZnSe growth by molecular beam epitaxy. The activation ratio of nitrogen atoms is increased by removing the nitrogen ions. (C) 1997 American Institute of Physics.
  • Surface Roughening and Composition Modulation of ZnSe-related II-VI epitaxial films
    S. Tomiya, H. Tsukamoto, S. Itoh, K. Nakano, E. Morita, A. Ishibashi
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 448 159 - 164 1997 [Refereed][Not invited]
  • A Toda, F Nakamura, K Yanashima, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 170 (1-4) 461 - 466 0022-0248 1997/01 [Refereed][Not invited]
     
    Operation of the first blue-green laser diode grown by metalorganic chemical vapor deposition has been demonstrated at 77 K under pulsed current injection. The precursors were dimethylzinc, dimethylcadmium, diethylsulfide, bismethyl-cyclopentadienyl-magnesium, and dimethylselenide. Diisopropylamine and ethyliodide were used for a p-type and n-type doping under irradiation with ultraviolet light generated by a high-pressure mercury lamp, respectively. A 1 x 10(18) cm(-3) nitrogen-atom concentration, which was measured by secondary ion mass spectroscopy, was obtained in the p-ZnSe contact layer. The 4.2 K photoluminescence spectrum was dominated by strong donor-acceptor pair emission and the net acceptor concentration was 1.4 x 10(16) cm(-3).
  • FP Logue, DT Fewer, SJ Hewlett, JF Heffernan, C Jordan, P Rees, JF Donegan, EM McCabe, J Hegarty, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 81 (1) 536 - 538 0021-8979 1997/01 [Refereed][Not invited]
     
    We describe a straightforward technique for the measurement of carrier diffusion in semiconductors. Using an optical microscope we can spatially image luminescence with a resolution of similar to 500 nm. We measured the ambipolar diffusion length in a Zn0.75Cd0.25Se-ZnSe single quantum a well by fitting the spatially resol ed luminescence profile with the solution of the two-dimensional diffusion equation. The ambipolar diffusion length was found to be 498 nm at a carrier density of similar to 1 x 10(18) cm(-3) and we deduce an ambipolar diffusion constant of 1.7 cm(2) s(-1). (C) 1997 American Institute of Physics.
  • Naoya Eguchi, Akira Ishibashi
    Optical Data Storage 1997 Topical Meeting 3109 1997 [Refereed][Not invited]
  • ZnMgSSe-based laser diodes
    H. Noguchi, S. Tomiya, Shun-Lien Chuang, Akira Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices V 2994  1997 [Refereed][Not invited]
  • H Yoshida, Y Gonno, K Nakano, S Taniguchi, T Hino, A Ishibashi, M Ikeda, SL Chuang, J Hegarty
    APPLIED PHYSICS LETTERS 69 (25) 3893 - 3895 0003-6951 1996/12 [Refereed][Not invited]
     
    We have studied the gain characteristics of gain-guided quantum well II-VI laser diodes by measuring the amplified spontaneous emission spectra under several pulsed conditions. The temperature rise during one current pulse affects the gain characteristics and the L-I characteristics. The net modal gain at constant peak current increases with the pulse width. The peak gain for long pulses shows a superlinear dependence on injection current. In this case, the L-I curve is very steep above threshold and sometimes shows an internal quantum efficiency of more than unity. This leads to an underestimation of the internal cavity loss giving a value inconsistent with the one obtained from the gain spectra. With short pulse currents (<200 ns), the peak gain shows a weak sublinear dependence on injection current. The cavity losses obtained from the gain spectra and the L-I characteristics at short pulses are consistent. As a result, we obtain the intrinsic gain characteristics of gain-guided quantum well II-VI laser diodes. (C) 1996 American Institute of Physics.
  • SL Chuang, M Ukita, S Kijima, S Taniguchi, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 69 (11) 1588 - 1590 0003-6951 1996/09 [Refereed][Not invited]
     
    We propose a transient recombination-enhanced defect-generation model to analyze the degradation of optical output powers of blue-green II-VI light-emitting diodes (LEDs). We find an analytical solution and discover a set of universal curves for the time dependence of optical output power, which agree very well with the experimental data for strained CdZnSe quantum-well structures. Our model shows that the optical power can be non-exponential in character and its long-time behavior has a 1/t dependence. This 1/t dependence is also related to the growth of the defect density, which should behave as a t(1/2) dependence. The generation of new defects due to electron-hole at recombination at the defect sites is found to be the dominant degradation mechanism for II-VI LEDs. (C) 1996 American Institute of Physics.
  • S Taniguchi, T Hino, S Itoh, K Nakano, N Nakayama, A Ishibashi, M Ikeda
    ELECTRONICS LETTERS 32 (6) 552 - 553 0013-5194 1996/03 [Refereed][Not invited]
     
    By reducing the dark-spot density to <3 x 10(3)cm(-2), device lifetime exceeding 100h has been obtained for a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe single quantum well separate-confinement heterostructure laser diode (LD) under room temperature continuous-wave operation with a constant light output power of 1mW. The threshold current density is 533A/cm(2) and the lasing wavelength is 514.7nm. Considering the dark-spot density, we have concluded that the failure of this LD is not caused by degradation from macroscopic defects such as stacking faults, but by recombination enhanced defect reaction.
  • A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159 (1-4) 555 - 565 0022-0248 1996/02 [Refereed][Not invited]
     
    Mg in ZnCd-chalcogenides opens up a wide range of II-VI materials having both a wide energy gap and a large lattice constant. ZnMgSSe, fully lattice-matched to GaAs (001) substrates, with an energy gap tunable from 2.8 up to similar to 4.5 eV, has made possible the photopumped operation of MBE or MOCVD-grown Zn(Cd)Se/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure samples and continuous-wave operation of MBE-grown green and blue laser diodes at room temperature. Valence-band engineering by using a superlattice based on the amphoteric native defect model is proposed for removing the doping limit in alloy semiconductors, The doping concentration could be increased by one order of magnitude for (ZnSe)(m)(ZnMgSSe)(n) superlattice with m = 4-6 and n = 10-15, The device characteristics of the MBE-grown II-VI wide-gap light emitters are becoming as good as those of the established III-V materials-based LDs except for the device lifetime. We have reported structural studies of degraded ZnMgSSe-based LEDs. Pre-existing stacking faults turn into non-radiative regions with a high density of dislocation dipoles and dislocation loops, spreading out in the [100] directions during current injection. The dislocation dipoles themselves are aligned along both [110] directions lying in the {111} plane, with Burgers vectors of the type (a/2)[011] inclined at an angle of 45 degrees against the (001) junction plane. Analysis of the degradation process shows that no catastrophically fast degradation occurs when II-VI LDs degrade. We believe that we can establish the reliability of the ZnMESSe-based LDs through prevention of the start of rapid degradation by eliminating the pre-existing defects, and by slowing down the gradual degradation through reduction of point defects.
  • P Rees, JF Heffernan, FP Logue, JF Donegan, C Jordan, J Hegarty, F Hiei, A Ishibashi
    IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS 143 (1) 110 - 112 1350-2433 1996/02 [Refereed][Not invited]
     
    The authors have measured gain spectra in an optically pumped Zn0.72Cd0.28Se-ZnSe multiple quantum well sample. The gain was calculated including many-body affects such as spectral broadening and Coulomb enhancement. Excellent agreement between model and experiment is found, although the high carrier temperature above threshold reduces the expected Coulomb enhancement of the gain in II-VI quantum well lasers.
  • Channelled-substrate planar waveguided green laser diodes
    N Nakayama, T Kawasumi, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159 (1-4) 1172 - 1172 0022-0248 1996/02 [Refereed][Not invited]
  • T Maruyama, T Ogawa, K Akimoto, Y Kitajima, S Itoh, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159 (1-4) 41 - 44 0022-0248 1996/02 [Refereed][Not invited]
     
    Extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements were performed to investigate the local bonding structure in ZnSxSe1-x (x = 0.06) and Zn1-xMgxSySe1-y (x = 0.18, y = 0.2) with zincblende structure. It is found that the first nearest neighbor S-Zn distance and the second nearest neighbor S-S distance remain close to those in ZnS with zincblende structure. This implies a deviation from Vegard's law in these compounds. The second nearest neighbor structure around sulphur shows that the ratio of the number of sulphur atoms to that of selenium is proportional to the respective molar ratio both in ZnSSe and in ZnMgSSe. These results indicate that there is no clustering in ZnSSe and that chalcogen atoms are also distributed with negligible clustering in ZnMgSSe.
  • ZnMgSSe-based Semiconductor Lasers
    M. Ozawa, S. Itoh, A. Ishibashi, M. Ikeda
    Int. Phys. Conf. Ser. 145 1157 - 1157 1996 [Refereed][Not invited]
  • Time-resolved Luminescence Studies in an n-type ZnCdSe/ZnSSe Quantum Wells
    K. Nakano, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, S. Itoh, E. Morita, M. Ikeda, A. Ishibashi
    J. Electronic Materials 25 213 - 213 1996 [Refereed][Not invited]
  • H. Okuyama, N.Nakayama, S. Itoh, M. Ikeda, A. Ishibashi
    Journal of Appl. Phys. 35 1410 - 1414 1996 [Refereed][Not invited]
  • P. Rees, J.F. Heffernan, F.P. Logue, J.F. Donegan, C. Jordan, J. Hegarty, F. Hiei, A. Ishibashi
    Phys. Rev. B54 16417 - 16420 1996 [Refereed][Not invited]
  • Time-Resolved Luminescence Studies in an n-type ZnCdSe/ZnSSe Quantum Well
    K. Nakano, Y. Kishita, S. Itoh, M. Ikeda, A. Ishibashi, U. Strauss
    Phys. Rev. B53 4722 - 4728 1996 [Refereed][Not invited]
  • Room temperature photo-pumped lasing action of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe double heterostructure grown by metal-organic chemical vapor deposition
    Atsushi Toda, Daisuke Imanishi, Katsunori Yanashima, Akira Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV 2693 1996 [Refereed][Not invited]
  • High-efficiency ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe green and blue light-emitting diodes
    Norikazu Nakayama, Satoshi Itoh, Akira Ishibashi, Yoshifumi Mori
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV 2693 1996 [Refereed][Not invited]
  • Optical gain in ZnCdSe-ZnSe quantum well structures
    Paul C. T. Rees, Jon. F. Heffernan, Fred P. Logue, John, F. Donegan, Christopher Jordan, John Hegarty, Futoshi Hiei, Akira Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV 2693 1996 [Refereed][Not invited]
  • Hiroyuki OKUYAMA, Akira ISHIBASHI
    OYOBUTURI (Applied Physics) 65 687 - 696 1996 [Refereed][Not invited]
  • T KAWASUMI, N NAKAYAMA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 31 (19) 1667 - 1668 0013-5194 1995/09 [Refereed][Not invited]
     
    The first II-VI index guided inner stripe laser diodes grown by one-step molecular beam epitaxy (MBE) on a structured GaAs substrate have been fabricated. The laser, operating at a wavelength of 512 nm, consists of a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe single quantum-well (SQW) separate-confinement heterostructure (SCH) grown on a 6 mu m wide channelled substrate containing a p-GaAs current blocking layer on (100) n-GaAs. The threshold current density was as low as 350 A/cm(2) for the 1 mm long as-cleaved device under room temperature pulsed conditions.
  • HIGH-EFFICIENCY ZNCDSE/ZNSSE/ZNMGSSE GREEN LIGHT-EMITTING-DIODES
    N NAKAYAMA, S KIJIMA, S ITOH, T OHATA, A ISHIBASHI, Y MORI
    OPTICAL REVIEW 2 (3) 167 - 170 1340-6000 1995/06 [Refereed][Not invited]
     
    Green light-emitting diodes (LEDs) were fabricated employing a ZnCdSe/ZnSSe triple quantum-well (TQW) active region surrounded by ZnMgSSe cladding layers grown on an n-type (1 0 0) GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE). A 3.5 mW pure green emission was observed for the surface-emitting LED device at a peak wavelength of 513.3 nm (2.415 eV) with a spectral half-width of 11.7 nm (55 meV) under a 20 mA (4.6 V) direct current at room temperature (25 degrees C). These correspond to an external quantum efficiency of 7.2%, a power conversion efficiency of 3.8%, a luminous current efficiency of 66 1m/A, and a luminous efficiency of 14 1m/W.
  • II-VI BLUE-GREEN LASER-DIODES
    A ISHIBASHI
    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 1 (2) 741 - 748 1077-260X 1995/06 [Refereed][Not invited]
     
    ZnMgSSe, forming a type I heterostructure with Zn(Cd)Se, fully lattice-matched to GaAs with an energy gap tunable up to similar to 4.5 eV, has made possible continuous-wave (CW) operation of both a green laser diode (LD) and a blue LD at room temperature. The device characteristics of the II-VI wide-gap LD's are becoming as good as those of established III-V LD's, except for device lifetime. Remaining key issues are p-doping in the wide-gap ZnMgSSe and reliability of II-VI wide-gap LD's, Valance-band engineering via superlattice (SL) use is proposed, based on the amphoteric defect model, for removing the doping limit in the p-type ZnMgSSe. This will lead to CW operation of a blue-emitting laser diode with a wavelength of 450 similar to 460 nm. For reliability, employing a GaAs-buffer layer has made possible room-temperature (RT) CW operation with a lifetime of 1 hour. Analysis of the degradation process shows that no catastrophically fast degradation occurs when II-VI LD's degrade. The reliability of the ZnMgSSe-based LD's would soon be established, and the II-VI wide-gap LD's will likely blossom colorfully in the near future.
  • ZNMGSSE AND RELATED HETEROSTRUCTURES GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
    A TODA, A ISHIBASHI
    DENKI KAGAKU 63 (6) 531 - 535 0366-9297 1995/06 [Refereed][Not invited]
     
    We have succeeded in epitaxial growth of ZnMgSSe by an atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylzinc (DMZn), bis(methylcyclopentadienyl)magnesium ((MeCp)(2)Mg), diethylsulfide (DES) and dimethylselenium (DMSe). The Mg composition is achieved up to 13% with mirror-like surface morphology. Photoluminescence spectrum at 4.2K and X-ray rocking curve indicate the excellent quality of ZnMgSSe lattice-matched to GaAs. Using ZnSe/ZnMgSSe double heterostructure, we have achieved photo-pumped lasing action with a peak wavelength of 465 nm and a threshold excitation power of 70 kW/cm(2) at room temperature. An internal loss of 4.6 cm(-1) is estimated from the cavity length dependence. The low internal loss, being comparable to that of a molecular beam epitaxy (MBE)- grown DH, shows a feasibility of MOCVD-grown DH device.
  • ZNMGSSE BASED LASER-DIODES
    S ITOH, A ISHIBASHI
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 150 (1-4) 701 - 706 0022-0248 1995/05 [Refereed][Not invited]
     
    We have demonstrated the feasibility of ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure lasers for future device applications. The Cl-doped epitaxial films with different buffer layers have been grown on the n-GaAs substrate to study the crystal defects such as stacking faults, which lead to failure of laser diodes. The growth of the laser structure with a ZnSe buffer layer on GaAs buffer layer has led to several minute-long continuous-wave (CW) operation.
  • DELAY IN LASING OF WIDE-GAP II-VI LASER-DIODES
    M OZAWA, A EGAN, A ISHIBASHI
    SOLID STATE COMMUNICATIONS 94 (2) 87 - 91 0038-1098 1995/04 [Refereed][Not invited]
     
    Long time delay before lasing in a II-VI laser diode has been observed. Due to this delay, a nominal threshold current increases as the width of applied current pulse becomes shorter. This delay is attributed to the internal Q switching caused by the balance of injected carriers, temperature rise and gain-guiding. By fitting the calculated data to the experimental ones, rates of refractive index change with carrier concentration and with temperature have been estimated.
  • S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi
    Applied Physics Letters 66 (10) 1208 - 1210 0003-6951 1995/03/06 [Refereed][Not invited]
     
    Structural studies of the nonradiative regions in ZnMgSSe alloy based II-VI blue light-emitting diodes (LEDs) have been made. The nonradiative regions spread out in the 〈100〉 direction during current injection. These regions consisted of a high density of dislocation dipoles and dislocation loops. It is confirmed that the dislocation dipoles had Burgers vectors of the type (a/2) 〈110〉 inclined at 45° to the (001) junction plane.
  • H OKUYAMA, E KATO, S ITOH, N NAKAYAMA, T OHATA, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 66 (6) 656 - 658 0003-6951 1995/02 [Refereed][Not invited]
  • Recent Progress in ZnSSe-based II-VI Semiconductor Lasers
    K. Nakano, A. Ishibashi
    Optics 24 667 - 667 1995 [Refereed][Not invited]
  • M. Shiraishi, S. Tomiya, S. Taniguchi, K. Nakano, A. Ishibashi, M. Ikeda
    Phys. Stat. Sol. (a) 152 377 - 383 1995 [Refereed][Not invited]
  • T. Asano, K. Funato, F. Nakamura, A. Ishibashi
    J. Cryst. Growth 156 373 - 376 1995 [Refereed][Not invited]
  • Defect Structure induced during current injection of ZnMgSSe alloy based II-VI Semiconductor Blue-light Emitting Diodes
    S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi
    Appl. Phys. Lett. 66 1208 - 1210 1995 [Refereed][Not invited]
  • Blue Laser Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    A. Toda, T. Margalith, D. Imanishi, K. Yanashima, A. Ishibashi
    Electron. Lett. 31 1921 - 1922 1995 [Refereed][Not invited]
  • A. Toda, T. Kawasumi, D. Imanishi, A. Ishibashi
    Electron. Lett. 31 235 - 236 1995 [Refereed][Not invited]
  • T. Maruyama, T. Ogawa, K. Akimoto, Y. Kitajima, S. Itoh, A. Ishibashi
    Journal of Appl. Phys. 34 539 - 542 1995 [Refereed][Not invited]
  • M. Ikeda, A. Ishibashi, Y. Mori
    J. Vac. Sci. Technol. A13 683 - 689 1995 [Refereed][Not invited]
  • A TODA, D IMANISHI, T KAWASUMI, A ISHIBASHI
    ELECTRONICS LETTERS 31 (2) 101 - 102 0013-5194 1995/01 [Refereed][Not invited]
     
    An internal loss of 4.6cm(-1) is estimated from the cavity length dependence of photopumped blue lasing at room temperature (RT) with a ZnSe/ZnMgSSe double-heterostructure (DH) grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The low internal loss. being comparable to that of molecular beam epitaxy (MBE)-grown DH, implies the feasibility of realising an MOCVD-grown DH device.
  • T. Miyajima, F.P. Logue, J.F. Donegan, J. Hegarty, H. Okuyama, A. Ishibashi, Y. Mori
    Phys. Lett. 66 180 - 182 1995 [Refereed][Not invited]
  • M UKITA, F HIEI, K NAKANO, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 66 (2) 209 - 211 0003-6951 1995/01 [Refereed][Not invited]
  • A TODA, T ASANO, K FUNATO, F NAKAMURA, Y MORI
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 145 (1-4) 537 - 540 0022-0248 1994/12 [Refereed][Not invited]
     
    Room temperature blue laser action in an optically pumped metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)grown ZnSe/ZnMgSSe double heterostructure is demonstrated. In the atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition process, dimethylzinc (DMZn), bismethyl-cyclopentadienyl-magnesium ((MeCp)(2)Mg), diethylsulfide (DES), and dimethylselenium (DMSe) are used as sources. Mirror surface morphology is achieved up to a Mg content of 13% in the ZnMgSSe. Good crystal quality of the ZnMgSSe layer, lattice-matched to GaAs, is indicated by photoluminescence measurement at 4.2 K as well as by X-ray diffraction. The spectrum of photoluminescence is dominated by a sharp near-band-edge emission. The full width at half maximum of the (400) X-ray diffraction peak of Zn0.95Mg0.05S0.15Se0.85 layer is 170 arc sec.
  • H OKUYAMA, A ISHIBASHI
    MICROELECTRONICS JOURNAL 25 (8) 643 - 649 0026-2692 1994/11 [Refereed][Not invited]
     
    This paper describes the characteristics of ZnMgSSe, which is a material suitable for the cladding layer of a blue-laser diode. A blue-laser diode was operated at room temperature It a wavelength of 480 nm, and the lifetime of the continuous-wave operation of the II-VI LD was over 3 min. These values are the best so far reported for a II-VI LD.
  • K KONDO, M UKITA, H YOSHIDA, Y KISHITA, H OKUYAMA, S ITO, T OHATA, K NAKANO, A ISHIBASHI
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 76 (5) 2621 - 2626 0021-8979 1994/09 [Refereed][Not invited]
     
    Based on two different experiments and an optical field calculation, we show that the free-carrier absorption alpha(fc) in Zn(Cd)Se/ZnMgSSe semiconductor lasers is about 4 cm-1 and that it is smaller than that of GaAs/AlGaAs semiconductor lasers. We have measured the dependence of the L-I characteristics on the cavity length of double heterostructure (DH) lasers under photopumped operation and of single quantum well-separate confinement heterostructure (SQW-SCH) lasers under current-injected operation. For the DH laser, the total absorption coefficient alpha(i) and beta X J0 product (beta is a gain constant, and J0 is the nominal current density that makes the gain equal to zero) are estimated to be 4.2 cm-1 and 8.6 X 10 cm-1, respectively. For the SQW-SCH laser, alpha(i), beta, and J0 are estimated to be 21 cm-1, 4.23 X 10(-3) cm X mum/A, and 1.9 X 10(-3) A/(cm2 X mum), respectively. By calculating the optical fields of these lasers, we have estimated that the absorption in a GaAs substrate is 16.53 cm-1 in the SQW-SCH laser and that it is negligible in the DH laser. We have shown that the large loss in the SQW-SCH laser is caused by both alpha(fc) and the absorption in the substrate and that alpha(i) in the DH laser is caused only by free carrier absorption.
  • THE GROWTH OF ZNMGSSE AND BLUE LASER-DIODES
    M OZAWA, S ITOH, H OKUYAMA, K NAKANO, N NAKAYAMA, F HIEI, T OHATA, K AKIMOTO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    OPTOELECTRONICS-DEVICES AND TECHNOLOGIES 9 (2) 193 - 204 0912-5434 1994/06 [Refereed][Not invited]
     
    ZnMgSSe is a suitable material for the cladding layer of II-VI compound laser diodes because both the bandgap energy and the lattice constant can be controlled. Furthermore, it is found that this material has good thermal stability. Both n-type and p-type ZnMgSSe were successfully obtained, and showed good properties for fabricating laser diodes. Utilizing this novel material, we fabricated several laser structures. Recently, room temperature continuous wave operation was achieved with ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe separate-confinement-heterostructure. A review of the recent progress of blue laser diodes fabricated in our laboratory and those fabricated by other research groups is presented.
  • K KONDO, H OKUYAMA, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 64 (25) 3434 - 3436 0003-6951 1994/06 [Refereed][Not invited]
     
    Using amphoteric native defect model [Walukiewicz, Phys. Rev. B 37, 4760 (1988)], we have considered the energy-gap E(g) dependence of nitrogen doping in ZnMgSSe semiconductors. We have explained the energy-gap E(g) dependence of saturated hole concentration in ZnMgSSe semiconductors based on the amphoteric native defect model and available effective hole masses in ZnSe using the valence band discontinuity DELTAE(v) as a fitting parameter. The Fermi-level stabilization energy E(FS) and the pinned Fermi-level energy E(SI) are, to a good approximation, universal for II-VI materials as well as for III-V materials. We have estimated the E(SI) is located at 1.895 eV below E(FS). It is indicated that the band-gap discontinuity between ZnSe and ZnMgSSe is DELTAE(c):DELTAE(v)=0.55:0.45 if effective hole mass is 1.4 m0 for ZnMgSSe and DELTAE(c):DELTAE(v)=0.67:0.33 if effective hole mass is 0.6 m0.
  • N NAKAYAMA, H OKUYAMA, E KATO, S ITOH, M OZAWA, T OHATA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 30 (7) 568 - 570 0013-5194 1994/03 [Refereed][Not invited]
     
    Continuous-wave (CW) operation up to 323 K at 1 mW and up to 30 mW at room temperature has been demonstrated for 507 nm ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure (SCH) pin-guided laser diodes. The room temperature CW threshold current and voltage were 27 mA (J(th) = 460 A/cm2) and 7.9 V, respectively, with 10 mum-wide stripe and 70/95% reflectivity facet.
  • H OKUYAMA, S ITOH, E KATO, M OZAWA, N NAKAYAMA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 30 (5) 415 - 416 0013-5194 1994/03 [Refereed][Not invited]
     
    A lasing wavelength of 480.5nm for a II-VI laser diode (LD) has been realised. The threshold current of this blue LD is 470mA. The threshold current of the II-VI LD, whose lasing wavelength is 495nm, is approximately 100mA. The light output power of the 495nm LD is 600mW and the slope efficiency is 0.63W/A. These values are the best so far reported in a II-VI LD.
  • M OZAWA, F HIEI, M TAKASU, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    APPLIED PHYSICS LETTERS 64 (9) 1120 - 1122 0003-6951 1994/02 [Refereed][Not invited]
     
    Low resistance Ohmic contacts of Au(Pt)Pd to p-ZnTe were studied. The specific contact resistance of these contacts depends strongly on the annealing temperature and the Pd layer thickness. The specific contact resistance, measured by the transmission line model, is as low as 5 x 10(-6) OMEGA cm2 when a sample is annealed at 200-degrees-C. The optimum Pd layer thickness is 5-10 nm. This value of the specific contact resistance is two orders of magnitude lower than that of Au or Pt contacts to p-ZnTe. The depth profiles of these contacts were investigated by Auger electron spectroscopy. The possible role of the Pd layer is discussed.
  • H OKUYAMA, Y KISHITA, T MIYAJIMA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    APPLIED PHYSICS LETTERS 64 (7) 904 - 906 0003-6951 1994/02 [Refereed][Not invited]
     
    N-doped p-type ZnMgSSe was grown by molecular beam epitaxy. Nitrogen was induced by electron cyclotron resonance plasma. The maximum net acceptor concentration (N-A-N-D) and the activation energy of the nitrogen acceptor (E(N)) depend on the band-gap energy of ZnMgSSe. With increasing band-gap energy, the maximum N-A-N-D is decreased and EN is increased. The maximum N-A-N-D and the E(N) Of ZnMgSSe with a band-gap energy of 3.05 eV at 77 K are 2.5X10(16) cm(-3) 140 meV, respectively.
  • ZnMgSSe-based Blue Semiconductor Lasers
    M. Ikeda, A. Ishibashi
    IEE Japan 114-C 1222 - 1227 1994 [Refereed][Not invited]
  • Sony’s Latest Semiconductor Lasers Research
    A. Ishibashi
    Japan 21st 28 - 29 1994 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi
    Applied Physics 63 596 - 599 1994 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi, Y. Mori
    J. Cryst. Growth 138 677 - 685 1994 [Refereed][Not invited]
  • Blue-emitting Laser Diodes
    Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    Festkoerper Probleme 34 65 - 77 1994 [Refereed][Not invited]
  • S. Itoh, N. Nakayama, T. Matsumoto, M. Nagai, K. Nakano, M. Ozawa, H. Okuyama, S. Tomiya, T. Ohata, M.Ikeda, A. Ishibashi, Y. Mori
    Journal of Appl. Phys. 33 938 - 940 1994 [Refereed][Not invited]
  • S. Ito, N. Nakayama, T. Ohata, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, M.Ikeda, A. Ishibashi, Y. Mori
    Journal of Appl. Phys. 33 639 - 642 1994 [Refereed][Not invited]
  • Ryuichi Ugajin, Akira Ishibashi, Yoshifumi Mori
    J. Vac. Sci. Technol. B12 3160 - 3165 1994 [Refereed][Not invited]
  • Room-temperature continuous wave emission of II-VI laser diodes
    Masafumi Ozawa, Akira Ishibash
    Topical Meeting on Optical Data Storage 2338 1994 [Refereed][Not invited]
  • Blue/green laser diodes based on ZnMgSSe
    Satoshi Itoh, Akira Ishibashi
    II-VI Blue/Green Laser Diodes 2346 1994 [Refereed][Not invited]
  • N NAKAYAMA, S ITOH, H OKUYAMA, M OZAWA, T OHATA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 29 (25) 2194 - 2195 0013-5194 1993/12 [Refereed][Not invited]
     
    At room temperature (296K), continuous-wave (CW) operation of a blue laser diode has been achieved. The emission wavelength is 489.9nm, and the threshold current and voltage is 93mA (1.5kA/cm2) and 6.3V, respectively. The laser consists of a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe single-quantum-well (SQW) separate-confinement heterostructure (SCH).
  • M UKITA, H OKUYAMA, M OZAWA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO, Y MORI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 63 (15) 2082 - 2084 0003-6951 1993/10 [Refereed][Not invited]
     
    We have experimentally investigated refractive indices n of ZnxMg1-xSySe1-y, using the ellipsometry method and reflection-spectrum measurement. The samples are epitaxial films of undoped ZnxMg1-xSySe1-y grown by molecular beam epitaxy on semi-insulating GaAs substrates. The obtained dispersion relations of n in the transparent region are classified by the band-gap energy E(g). We have found that the refractive index n of ZnxMg1-xSySe1-y decreases as E(g) increases. These results will be available for the design of blue laser diodes containing ZnMgSSe.
  • N NAKAYAMA, S ITOH, T OHATA, K NAKANO, H OKUYAMA, M OZAWA, A ISHIBASHI, M IKEDA, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 29 (16) 1488 - 1489 0013-5194 1993/08 [Refereed][Not invited]
     
    Continuous-wave operation in wide-pp II-VI semiconductor current injection laser diodes at room temperature has been demonstrated for the first time. Stimulated emission was observed at a wavelength of 523.5 nm with a threshold current of 45 mA (1.4 kA/cm2) from ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe single-quantum-well (SQW) separate-confinement hetero-structure (SCH) laser diodes.
  • F HIEI, M IKEDA, M OZAWA, T MIYAJIMA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    ELECTRONICS LETTERS 29 (10) 878 - 879 0013-5194 1993/05 [Refereed][Not invited]
     
    Employing p+-ZnTe/ZnSe quantum wells whose sub-bands are aligned in energy so that resonant tunnelling of holes can occur through the multiquantum well region, nonalloyed ohmic contacts to p-type ZnSe have been realised. A specific contact resistance as low as 5.0 x 10(-2) OMEGA cm2 has been achieved for N-doped ZnSe with a hole concentration of 7.0 x 10(16) cm-3.
  • S ITOH, H OKUYAMA, S MATSUMOTO, N NAKAYAMA, T OHATA, T MIYAJIMA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    ELECTRONICS LETTERS 29 (9) 766 - 768 0013-5194 1993/04 [Refereed][Not invited]
     
    Room temperature pulsed operation of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe SCH lasers has been achieved. Blue-green stimulated emission is observed at a wavelength of 498.5 nm. The threshold current density is 2-8 kA/cm2 for the diode made by molecular beam epitaxy.
  • M OZAWA, F HIEI, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    ELECTRONICS LETTERS 29 (5) 503 - 505 0013-5194 1993/03 [Refereed][Not invited]
     
    Au(Pt)Pd ohmic contacts to p-ZnTe are reported, with a determination of the optimum annealing temperature and the optimum Pd layer thickness. The specific contact resistance, measured by the transmission line method, was as low as 5 x 10(-6) OMEGA cm-2. This value of the specific contact resistance is two orders of magnitude lower than that of Au or Au/Pt contact to p-ZnTe.
  • A ISHIBASHI, DG RAVENHALL, RL SCHULT, HW WYLD
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 73 (5) 2364 - 2375 0021-8979 1993/03 [Refereed][Not invited]
     
    We have calculated the wave functions and energy levels of a two-dimensional mesoscopic electron system having four-fold symmetry and multiply connected topology, in both zero and finite magnetic fields (B fields). The electron distribution can be controlled in the multiply connected structure by changing the peripheral channel thickness. The energy levels oscillate as a function of the B field, with pronounced gaps, and the electronic states are classified into four kinds of eigenstates under the 90-degrees rotation operation. The three-dimensional wave functions of cylindrical and helical structures having this cross section are constructed.
  • 491-nm ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe SCH laser diode with a low operating voltage
    S. Ito, N. Nakayama, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, A. Ishibashi, M. Ikeda, Y. Mori
    Journal of Appl. Phys. 32 1530 - 1532 1993 [Refereed][Not invited]
  • ZnMgSSe-based II-VI Semiconductor lasers
    A. Ishibashi, S. Ito, H. Okuyama, T. Ohata, N. Nakayama, K. Nakano, M. Ozawa, M. Ikeda, K. Akimoto, Y. Mori
    J. Optics 22 682 - 683 1993 [Refereed][Not invited]
  • R UGAJIN, A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 73 (1) 1 - 7 0021-8979 1993/01 [Refereed][Not invited]
     
    A quantum interference transistor that can be fabricated by available technology and can operate at room temperature is proposed. This device uses the phase interference effect of a vacuum electron that is not influenced by thermal fluctuations, in contrast to an electron in solid-state materials. The device consists of a field emitter, a collector, and segmented capacitors between the emitter and the collector. The capacitors control electron trajectories and the phase interference of the electron in vacuum by their electrical potential. This quantum interference effect is found not to be the same as the Aharonov-Bohm effect contrary to our expectations. We are convinced that the new transistor is capable of room-temperature operation because the large kinetic energy of the electron in vacuum suppresses energy fluctuations caused by the field emission itself and by thermal fluctuations in the emitter material to about 50 meV. The switching time of the transistor is limited in order to average the number of electrons at the collector to allow the emitter-collector current to be a deterministic variable against the quantum stochastic property. The threshold of the switching time is estimated to be of the order of magnitude of 10(-11) s for the field emitter reported by C. A. Spindt., I. Brodie, L. Hummphrey, and E. R. Westerberg [J. Appl. Phys. 47, 5248 (1976)].
  • A ISHIBASHI, M OGAWA, K FUNATO, R UGAJIN, Y MORI
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 70 (4) 2117 - 2122 0021-8979 1991/08 [Refereed][Not invited]
     
    We have performed metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on substrates of closed topologies, i.e., on a single cylindrical surface and on multiple cylindrical surfaces of approximately-1000-angstrom-diam rods. The side geometry of epitaxial growth can be controlled by rod direction, growth temperature, and ratio of the amount of group-V material to that of group-III materials. We have succeeded in growing mesoscopic multiply connected AlAs with multiplicity up to 6. The MOCVD growth on substrates with closed topology is of potential interest for fabrication of sophisticated mesoscopic structures.
  • A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 9 (1) 169 - 172 1071-1023 1991/01 [Refereed][Not invited]
     
    We have grown electron-beam-induced resist and aluminum from alkyl naphthalene and trimethyl aluminum, respectively. The growth mechanism of the electron-beam-induced materials has been suggested to be bridge-formation by the physically adsorbed molecules of the sources. We believe that the bridge-formation is driven by direct interaction with electrons, not by diffusive processes such as local heating and catalytic reactions. The observed growth rate is consistent with the one calculated from the heat of physical adsorption. The method is of potential interest for stereo-resist and also for selective atomic layer epitaxy.
  • K FUNATO, A ISHIBASHI, Y MORI
    SOLID STATE COMMUNICATIONS 75 (12) 963 - 968 0038-1098 1990/09 [Refereed][Not invited]
  • Electron Mobiity Enhancement in GaAs by Ballistic Transport and Velocity Overshoot
    A. Ishibashi
    Properties of Gallium Arsenide 2 91 - 92 1990 [Refereed][Not invited]
  • Electron Mobility Enhancement in GaAs Heterostructures
    A. Ishibashi
    Properties of Gallium Arsenide 2 89 - 90 1990 [Refereed][Not invited]
  • MOCVD-GROWN ATOMIC LAYER SUPERLATTICES
    A ISHIBASHI
    SPECTROSCOPY OF SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURES 206 21 - 44 1989 [Refereed][Not invited]
  • A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 24 (16) 1034 - 1035 0013-5194 1988/08 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi, K. Funato, Y. Mori
    Journal of Appl. Phys. 27 2382 - 2384 1988 [Refereed][Not invited]
  • A ISHIBASHI, Y MORI, K KANEKO, N WATANABE
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 (12) 4087 - 4090 0021-8979 1986/06 [Refereed][Not invited]
  • "Ultra-thin layer (AlAs)n(GaAs)n superlattices"
    A. Ishiashi
    Solid State Physics 21 745 - 750 1986 [Refereed][Not invited]
  • Optical properties of quantum wells with ultra-thin layer (AlAs)n(GaAs)n superlattices
    A. Ishibashi, F. Nakamura, Y. Mori, N. Watanabe
    Journal of Appl. Phys. 61 2503 - 2506 1986 [Refereed][Not invited]
  • Ratio of LO phonon intensities in Raman scattering from (AlAs)n(GaAs)n superlattices
    A. Ishibashi, M. Itabashi, Y. Mori, N. Watanabe
    Optoelectronics, Devices and Technologies, 1 51 - 55 1986 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi, M. Itabashi, Y. Mori, N. Watanabe
    Phys. Rev B33 2887 - 2889 1986 [Refereed][Not invited]
  • A. Ishibashi, Y. Mori, M. Itabashi, N. Watanabe
    Journal of Appl. Phys. 58 2691 - 2695 1985 [Refereed][Not invited]
  • T. Yamazaki, T. Ishikawa, T. Taniguchi, T. Yamanaka, T. Tanimori, R. Enomoto, A. Ishibashi, S. Sato, Y. Akiba, M. Iwasaki, T. Fujii, R.S. Hayano, S. R. Schnetzer
    Phys. Rev. Lett. 52 1089 - 1091 1984 [Refereed][Not invited]
  • GATED TIME PROJECTION CHAMBER
    P NEMETHY, PJ ODDONE, N TOGE, A ISHIBASHI
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH 212 (1-3) 273 - 280 0029-554X 1983 [Refereed][Not invited]
  • R. S. Hayano, T. Taniguchi, T. Yamanaka, T. Tanimori, R. Enomoto, A. Ishibashi, T. Ishikawa, S. Sato, T. Fujii, T. Yamazaki, S. Kurokawa, S.R. Schnetzer, ndY. Takada
    Phys. Rev. Lett. 49 1305 - 1309 1982 [Refereed][Not invited]

Books etc

  • Nanomaterials handbook
    A. Ishibashi (Contributor)
    エヌ・ティー・エス 2004
  • Advanced Theory of Semiconductor Devices
    K. Hess, 松田 和典, 関 俊司, 石橋 晃, 谷村 吉隆, 石 (Joint translation)
    Wiley-IEEE Press / Maruzen 2002
  • Design Fabrication, and Characterization of Photonic Devices II
    Marek Osinski, Soo Jin Chua, Akira Ishibashi (Joint editor)
    SPIE publishing, ISBN 9780819443243 2001
  • Physics and simulation of optoelectronic devices VII
    P. Blood, A. Ishibashi, M. Osinski (Joint editor)
    SPIE publishing, ISBN: 9780819430953 1999
  • Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VI
    Physics, Simulation of, Optoelectronic, Devices VI Editor, Marek Osinski, Peter Blood, Akira Ishibashi (Joint editor)
    SPIE publishing, ISBN: 9780819427229 1998

Conference Activities & Talks

  • A versatile isolated closed-system, Clean Unit System Platform (CUSP), and its application for sleep enhancement-system design and performance verification  [Not invited]
    Ching-Yu Chiu, Ziling Zhou, Tsung-Hao Hsieh, Sheng-Fu Liang, Akira Ishibashi
    Hokkaido University Cross-departmental Symposium  2019/11
  • Waveguides with Spatial Asymmetry for Concentrator Solar-Cells  [Invited]
    Akira Ishibashi
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR)2019  2019/06
  • Towards a Planer Photon-harvesting Waveguide having Discrete Translational Symmetry with Open Core Geometry  [Not invited]
    A. Ishibashi, Y. Okura, N. Sawamura
    The 1st Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference  2019/04
  • Asymmetric redirection waveguide with discrete translational symmetry for multi-striped orthogonal photon-photocarrier-propagation solar cells (MOP3SCs)  [Not invited]
    A. Ishibashi, N. Sawamura
    2018 IEEE International Conference on Advanced Manufacturing (IEEE ICAM 2018)  2018/11
  • Multi-striped orthogonal photon-photocarrier-propagation solar cells (MOP3SCs) with new asymmetric redirection waveguides  [Invited]
    A. Ishibashi
    Advanced Energy Materials 2018  2018/08
  • 平成29年度北海道トライアル新商品展示会  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    日本応用物理学会 2018年春季大会  2018/03  パシフィコ横浜
  • 高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [Not invited]
    石橋 晃, 松田 順治, 大橋 美久
    平成29年度北海道トライアル新商品展示会  2018/01  北海道庁
  • CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム) 開発過程で発見した新技術「拡散換気」のミニマルファブ応用可能性  [Not invited]
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    平成30年度ファブシステム研究会定期総会  2018  Japan
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池用非対称 導波路のミニマルファブによる作製可能性  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    平成30年度ファブシステム研究会定期総会  2018  Japan
  • 孤立・閉鎖系高清浄環境クリーンユニットシステムプラットフォーム  [Not invited]
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    第35回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会  2018  Japan 
    2018.04.24(火) 早稲田大学国際会議場 主催 公益社団法人 日本空気清浄協会
  • フォトン・フォトキャリア直交型半導体太陽電池プラットフォーム及び孤立閉鎖系清浄環境としてのクリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [Not invited]
    石橋 晃, 安武 正弘, 松田 順治, 大橋 美久
    PV Japan 2018  2018  Japan 
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリーPA-12
  • 周期配列放物線鏡付テーパー導波路具有光子・フォトキャリア直交型半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    PV Japan 2018  2018  Japan 
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリーPA-12
  • フォトン・フォキャリア直交型半導体太陽電池に向けた周期配列放物線鏡付テイパー非対称導波路構造の作製評価  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    第8回物質・デバイス領域共同研究拠点活動報告会及び平成29年度ダイナミック・アライアンス成果報告会 〜拠点・アライアンスの大学機能強化への貢献〜  2018  Japan 
    北海道大学・鈴木章ホール
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池の非対称導波路の進展とクリーン環境CUSPの展開  [Not invited]
    石橋 晃
    平成30年度 物質・デバイス領域共同研究拠点事業『新型太陽電池並びに清浄環境の新展開〜 次世代デバイス・システムの展望』研究会(電子研学術講演会)  2018  Japan
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池用のた めの新しい非対称導波路  [Not invited]
    石橋 晃, 澤村 信雄, 河西 剛
    平成30年度ファブシステム研究会臨時総会  2018  Japan 
    2018.10.5(金)
  • ミニマルファブとシナジーを発揮するクリーンユ ニットシステムプラットフォーム(CUSP)の医療・介護応用展開可能性  [Not invited]
    石橋 晃, 安武 正弘
    平成30年度ファブシステム研究会臨時総会  2018  Japan 
    2018.10.5(金)
  • New solar-cell system and clean unit system platform (CUSP) for Electronics, Communications and Networks  [Invited]
    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake
    The 7th International Conference on Electronics, Communications and Networks  2017/11
  • A Unique Non-Contact Method To Assess Sleep Quality By Detecting Body Movements Via Monitoring Air-borne Particles In An Ultraclean Space  [Not invited]
    M. Yasutake, A. Ishibashi
    SLEEP 2017  2017/06
  • Systems Development in Atom-Bit-Energy/Environment (ABE2) Space for a New Solar-cell, Medical and Safety Applications Based on Clean Unit System Platform (CUSP)  [Not invited]
    A. Ishibashi, R. Enomoto, T. Ishikawa, M. Yasutake
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR)2017  2017/06
  • Symmetric and Asymmetric Wave-guides for Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells (MOP3SC)  [Not invited]
    A. Ishibashi, H. Kobayashi, N. Sawamura, K. Kondo, T. Kasai
    2017 IEEE International Conference on Applied System Innovation (IEEE ICASI 2017  2017/05
  • トレーニング・フィットネスに向けた高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [Not invited]
    大橋 美久, 松田 順治, 青池 淳司, 石橋 晃
    平成28年度北海道トライアル新商品展示会  2017  Japan 
    出展品は、CUSPの原理と性能を紹介するコンパクトタイプであり、高清浄環境内トレーニング・フィットネスを提案し、来場者の皆さんに、これを体験してもらえるデモ機を展示・実演する。
  • 非対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池用周期配列放物線鏡の作製  [Not invited]
    石橋 晃, 澤村 信雄, 近藤 憲治, 河西 剛
    日本応用物理学会 2017年春季大会  2017  Japan 
    2017年3月15日 パシフィコ横浜 発表 15a-P11-7
  • 高機能清浄環境CUSP・新型太陽電池の展開とミニマルファブ  [Not invited]
    石橋 晃, 安武 正弘, 野口 伸守, 松田 順治, 大橋 美久
    平成29年度ファブシステム研究会定期総会  2017  Japan
  • 非対称導波路結合フォトンフォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    平成28年度附置研アライアンス成果報告会〜人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミックアライアンス  2017  Japan 
    大岡山キャンパス東工大蔵前会館くらまえホール
  • ABE^2 4次元空間と新型高清浄環境(CUSP)  [Not invited]
    石橋 晃
    平成29年度附置研アライアンス〜人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミックアライアンス G2分科会  2017  Japan 
    創成科学研究棟5F大会議室
  • 周期配列放物線鏡付非対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    PV Japan 2017  2017  Japan 
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリーPA-07
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池の進展とクリーン環境CUSPの展開  [Not invited]
    石橋 晃
    平成29年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 新型太陽電池並びに清浄環境の新展開』研究会  2017  Japan
  • トレーニング、介護等にも活用可能な高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [Not invited]
    石橋 晃, 松田 順治, 安武 正弘
    SPORTEC 2017  2017  Japan 
    出展品は、CUSPの原理と性能を紹介するコンパクトタイプであるが、今回、シースルー環境で、世界で初めての高清浄環境内エアロビクスを提案し、来場者の皆さんに、これを体験してもらえるデモ機を展示・実演する。
  • Clean Unit System Platform (CUSP)とミニマルファブシステムのシナジーの可能性  [Not invited]
    石橋 晃, 松田 順治, 野口 伸守, 江藤 月生, 大橋 美久, 原 史朗
    日本応用物理学会 2017年秋季大会  2017  Japan 
    2017年9月6日 福岡国際会議場・福岡国際センター 発表 6p-C21-20
  • ミニマルファブとのシナジー を目指した高機能清浄環境CUSPと新型太陽電池の最近の展開  [Not invited]
    石橋 晃, 澤村 信雄, 野口 伸守, 江藤 月生, 大橋 美久
    平成29年度ファブシステム研究会臨時総会  2017  Japan 
    2017.09.15(金)
  • CUSPがもたらす「どこでもクリーンルーム」  [Not invited]
    松田 順治, 石橋 晃
    いきいき健康・福祉フェア2017  2017  Japan 
    CUSPをもちいて「どこでもクリーンルーム」を作り出すことが出来ます。 コストはランニングコスト、イニシャルコスト共に従来の1/10と大幅に節約出来ます。(特許取得済)
  • 一家に1部屋「どこでもクリーンルーム」を!!  [Not invited]
    松田 順治, 石橋 晃
    第31回ビジネスEXPO 2017  2017  Japan 
    「どこでもクリーンルーム」は天井カセット式エアコンや壁掛け式エアコンで病院の手術室並の清浄度を作り出すことが出来ます。 コストはランニングコスト、イニシャルコスト共に従来の1/10と大幅に節約出来ます。(特許取得済)
  • 体動分離型代謝測定システム  [Not invited]
    石橋 晃
    ものづくり系新技術説明会  2017  Japan 
    Proc. New Technology Presentaion Meetings, Ichigaya, Tokyo, 2017, pp.25-28 2017年12月7日(木)13:00−13:25
  • Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells (MOP3SC) with Redirection Waveguide  [Invited]
    ISHIBASHI Akira
    2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research  2016/06
  • 簡易クリーンルーム  [Not invited]
    松田 順治, 石橋 晃
    北海道医療福祉産業研究会  2016  Japan 
    2015 SCU産学官研究交流会からの展開
  • ミニマルファブシステム設置環境としての クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)組込み建築物の検討  [Not invited]
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    平成28年度ファブシステム研究会定期総会  2016  Japan
  • ミニマルファブで作製を想定する 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型 マルチストライプ半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    平成28年度ファブシステム研究会定期総会  2016  Japan
  • ビル・マンション・一般住宅に組込める画期的なCUSP高清浄環境  [Not invited]
    野口 伸守, 石橋 晃
    SAGA建設技術フェア2016  2016  Japan 
    豊かで安全なくらしを支える建設技術:SAGA建設技術フェア2016 主催:公益社団法人佐賀県建築技術支援機構 共済:佐賀県、佐賀大学陸学部都市工学科、ほか 後援:国土交通省九州地方整備局、佐賀市、佐賀県建築士事務所協会、ほか
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池プロセスプラットフォーム及び民生用清浄環境としてのClean UnitSystem Platform (CUSP)の発展  [Not invited]
    石橋 晃, 安武 正弘, 松田 順治, 大橋 美久
    PV Japan 2016  2016  Japan  Yokohama
     
    Pacifico横浜 アカデミックギャラリー
  • 非対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    PV Japan 2016  2016  Japan  Yokohama
     
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリー
  • Clean Unit System Platform (CUSP)を用いた清浄環境下塵埃微粒子モニタリングによる睡眠情報検知の試み  [Not invited]
    安武 正弘, 石橋 晃
    日本睡眠学会第41回定期学術集会  2016  Japan 
    第41回定期学術集会 P-187 2016年7月8日 @京王プラザホテル
  • 非対称導波路結合フォトンフォトキャリア直交型太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃
    平成28年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業:平成28年度科学研究費助成事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会)  2016  Japan
  • 高清浄環境CUSP技術の早期社会浸透に向けた要素技術  [Not invited]
    石橋 晃
    平成28年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業:平成28年度科学研究費助成事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会)  2016  Japan
  • ミニマルファブと新型太陽電池、高機能清浄環境CUSPのシナジー  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 澤村 信雄, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    平成28年度ファブシステム研究会臨時総会  2016  Japan 
    2016.09.28(水)
  • 高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [Not invited]
    松田 順治, 大橋 美久, 石橋 晃
    The 41st International Healthcare Engineering Exhibition HOSPEX Japan 2016  2016  Japan 
    出展品は、CUSPの原理と性能を紹介するコンパクトタイプであるが、今回、世界で初めて、高清浄環境内エアロビクスを提案し、来場者の皆さんに、これを体験してもらえるデモ機を展示・実演する。
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)のミニマルファブ応用可能性  [Not invited]
    石橋 晃, 原 史朗, 大橋 美久, 松田 順治, 江藤 月生, 野口 伸守
    ミニマルファブエグゼクティブフェア  2016  Japan 
    2016.11.8(火)-9(水)
  • Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells with InGaN layers  [Not invited]
    A. Ishibashi, T. Matsuoka, T. Kasai, K. Kondo, N. Sawamura
    The 16th Ries-Hokudai International Symposium  2015/11
  • Clean Unit System Platform (CUSP) for Processing New Solar Cells and for Medical/ Hygienic Applications  [Invited]
    A. Ishibashi, M. Yasutake
    2015 Collaborative Conference on 3D and Materials Research (CC3DMR)  2015/06
  • Clean Unit System Platform in "atom-bit-energy/ environment" space for high-efficiency solar cells and kinetosomnogram (KSG) applications  [Invited]
    A. Ishibashi
    Int'l Conference and Exhibition on Mesoscopic & Condensed Matter Physics  2015/06
  • 汎用性に富むクリーン環境CUSP 〜 太陽電池作製プラットフォームから居住空間応用まで  [Not invited]
    石橋 晃, 大橋 美久
    日本応用物理学会 2015年春季大会  2015  Japan 
    2015年3月11-14日 発表 12p-P3-2
  • CUSPにより高清浄度環境を低コストで実現 〜 ベッド用フォールダブルCUSP(BF−CUSP)清浄環境  [Not invited]
    松田 順治, 大橋 美久, 石橋 晃
    北海道ヘルスケア産業マッチングセミナー 〜 医・農工商をビジネスのステージに  2015  Japan 
    2015年3月20日 ブース31、ポスター並びにBF−CUSPの実機を展示し、現地にて、US209Dクラス100以上の高清浄度を実現・デモンストレーションした。
  • 空気質の改善〜クリーンな環境と健康  [Not invited]
    石橋 晃
    「放射性物質の影響回避」研究会  2015  Japan 
    南相馬除染研究所
  • 量子十字素子、高効率太陽電池プロセス用高清浄環境の展開  [Not invited]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト平成26年度成果報告会  2015  Japan 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 高清浄環境CUSP技術は、“南部ゴールドストーンボソン”的に振舞える?  [Not invited]
    石橋 晃
    平成27年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池の展望、並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会)  2015  Japan
  • 導波路結合フォトンフォトキャリア直交型太陽電池R&Dの現況  [Not invited]
    石橋 晃
    平成27年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池の展望、並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会)  2015  Japan
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池及び「TD∪BUデバイス」の プロセス環境としてのClean Unit System Platform(CUSP)の発展  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2015  2015  Japan  Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の展開  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2015  2015  Japan  Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West アカデミックギャラリー
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型 太陽電池システムのプロセスの検討  [Not invited]
    石橋 晃
    平成27年度ファブシステム研究会臨時総会  2015  Japan
  • 無塵・無菌高清浄環境 (CUSP)の応用〜安否確認・睡眠 分析(KSG) ビッグデータへの展開  [Not invited]
    石橋 晃, 松田 順治, 大橋 美久
    札幌市立大学(SCU)産学官研究交流会  2015  Japan  Advanced Center for Universities (ACU), 札幌市
     
    2015 SCU産学官研究交流会
  • Redirection Waveguide for High Efficiency Orthogonal Photon-Photocarrier Propagation Solar Cell  [Not invited]
    T. Taniguchi, T. Kasai, K. Kondo, A. Ishibashi
    The 15th Ries-Hokudai International Symposium joined with the 3rd International Symposium of Nano-Macro Materials, Devices, and System Research Alliance Project  2014/12
  • High-efficiency solar cells and versatile clean systems (CUSPs) in "atom-bit-energy/environment" space  [Invited]
    A. Ishibashi
    Collaborative Conference on 3D and Materials Research  2014/06
  • 磁性薄膜エッジを用いたナノスケール接合デバイス  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    日本磁気学会第194回研究会  2014  Japan 
    発表日:2014/1/10
  • 量子十字素子、高効率太陽電池プロセス用高清浄環境の展開  [Not invited]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト平成25年度成果報告会  2014  Japan 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 新規手法による結晶シリコン太陽電池の高効率化  [Not invited]
    小林 光, 石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト平成25年度成果報告会  2014  Japan 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 放射性物質吸引を極少にする高清浄生活空間の実現に向けて〜清浄空間CUSPとガンマ線モニタリング装置ガンマアイ(γI)の結合  [Not invited]
    石橋 晃
    「室内における放射性物質の影響回避システム」研究会  2014  Japan
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2014  2014  Japan  Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West アカデミックギャラリー
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池・TD∪BUデバイス プロセス環境としてのClean Unit System Platform(CUSP)の展開  [Not invited]
    石橋 晃, 松田 順治, 大橋 美久
    PV Japan 2014  2014  Japan  Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West
  • フォトンフォトキャリア直交型高効率太陽電池用導波路の検討  [Not invited]
    谷口 朝哉, 河西 剛, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014  Japan 
    発表日:2014/9/17
  • Ni75Fe25/Alq3/Co接合における交流インピーダンス特性  [Not invited]
    坂下 友規, 釜谷 悠介, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014  Japan 
    発表日:2014/9/17
  • Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells  [Not invited]
    A. Ishibashi, T. Kasai, K. Kondo, H. Kaiju, T. Taniguchi
    The 14th RIES-Hokudai International Symposium  2013/12
  • 部屋組込みCUSP(清書院)及び、浄書院の紹介  [Not invited]
    松田 順治, 大橋 美久, 石橋 晃
    「北海道健康づくり宣言」セミナー  2013  Japan 
    ホロトロピック・ネットワーク札幌、国際和合医療学会共催セミナー
  • 清書院CUSP、浄書院CUSPの展開  [Not invited]
    大橋 美久, 松田 順治, 石橋 晃
    北海道・中国環境ビジネス交流事業in札幌  2013  Japan 
    主催:北海道商工会議所連合会 札幌商工会議所 国際部貿易課
  • ナノ秒パルスレーザー照射によるFeAl表面ナノパターンとその磁気特性  [Not invited]
    吉田 裕, 大澤 和也, 渡辺 精一, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃, 吉見 亨祐
    2013年日本金属学会春季講演大会  2013  Japan
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池のSiベース無機半導体での展開  [Not invited]
    石橋 晃, 佐藤 和彦, 河西 剛, 近藤 憲治, 海住 英生
    日本応用物理学会 2013年春季大会  2013  Japan 
    2013年3月27-30日 発表 29p-PA9-22
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池プロセス環境CUSP(CleanUnitSystemPlatform)の現状と展望  [Not invited]
    石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点研究会  2013  Japan
  • 薄膜エッジを利用したナノスケール接合の作製とその電気伝導特性  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点研究会  2013  Japan
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池のSiベース無機半導体での展開  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2013  2013  Japan  Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West A10
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池とTD∪BU接続・統合のプロセス環境Clean Unit System Platform(CUSP)の現状と展望  [Not invited]
    石橋 晃, 大橋 美久
    PV Japan 2013  2013  Japan  Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West A10
  • ナノ秒パルスレーザー照射したFe52Al48表面の磁気特性  [Not invited]
    海住 英生, 吉田 裕, 大澤 和也, 渡辺 精一, 近藤 憲治, 石橋 晃, 吉見 享祐
    第37回日本磁気学会学術講演会  2013  Japan
  • 集光型磁気光学Kerr効果によるCo/PENの磁気光学定数の決定と表面磁性  [Not invited]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会2013  2013  Japan
  • Co/PENにおける面内磁気光学カー効果の回転磁場依存性  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 阿部 太郎, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2013  Japan
  • Co/Alq3/Ni75Fe25接合における電気・磁気・構造特性  [Not invited]
    釜谷 悠介, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2013  Japan
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型高効率太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃
    北海道地域5大学3高専1公設試 新技術説明会  2013  Japan 
    Proc. New Technology Presentaion Meetings, Ichigaya, Tokyo, 2013, pp.15-18
  • Inorganic semiconductor-based Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells  [Not invited]
    ISHIBASHI Akira
    The 13th RIES-Hokudai International Symposium Joined with The 1st International Symposium of Nano-Macro Materials, Devices, and System Research Alliance Project  2012/12
  • トップダウン系とボトムアップ系の接続・統合の可能性について  [Not invited]
    石橋 晃
    文部科学省「物質・デバイス共同研究拠点」 第2回複雑系数理とその応用に関するシンポジウム  2012/11
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池とそのプロセス環境としてのCleanUnitSystemPlatform(CUSP)の応用展開  [Not invited]
    石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点『太陽電池の展開,並びに清浄環境の必要性と未来』研究会  2012/10
  • 量子十字素子、高効率光電変換素子とその作製プラットフォームとしての極限高清浄環境の応用  [Not invited]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト成果報告会  2012/04
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその無機半導体ベースでの展開  [Not invited]
    石橋 晃
    日本応用物理学会 2010年春季大会  2012/03
  • CUSPによるデンタルセイフティーシステム(DSS)の実現  [Not invited]
    石橋 晃
    北海道大学-北洋銀行包括連携事業 市民医療特別セミナー  2012/03
  • CUSPによるデンタルセイフティーシステム(DSS)の実現  [Not invited]
    石橋 晃, 大澤 孝, 中谷 公一, 大橋 美久, 佐藤 嘉晃, 大畑 昇
    北海道大学-北洋銀行包括連携事業 市民医療特別セミナー  2012  Japan 
    H22年度道産研究シーズ活用型地域産業活性化事業の共同研究の成果発表
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその無機半導体ベースでの展開  [Not invited]
    石橋 晃
    日本応用物理学会 2010年春季大会  2012  Japan 
    2012年3月16日発表 16p-GP10-8
  • 量子十字素子、高効率光電変換素子とその作製プラットフォームとしての極限高清浄環境の応用  [Not invited]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト成果報告会  2012  Japan 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 薄膜エッジを用いたナノスケール接合の作製とその電気伝導特性  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    附置研究所アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ(G1)分科会  2012  Japan
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のCo、Fe強磁性薄膜における磁気特性  [Not invited]
    海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    2012日本物理学会秋季大会  2012  Japan 
    18pPSA-6
  • 集光型磁気光学Kerr効果による有機基板上の強磁性 薄膜(Ni75Fe25ならびにFe)の表面磁性  [Not invited]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    2012日本物理学会秋季大会  2012  Japan 
    18pPSA-18
  • Ni75Fe25/Alq3/Co接合における電流電圧特性に関す る研究  [Not invited]
    釜谷 悠介, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    2012日本物理学会秋季大会  2012  Japan 
    18pPSA-7
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池とそのプロセス環境としてのCleanUnitSystemPlatform(CUSP)の応用展開  [Not invited]
    石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点『太陽電池の展開,並びに清浄環境の必要性と未来』研究会  2012  Japan
  • トップダウン系とボトムアップ系の接続・統合の可能性について  [Not invited]
    石橋 晃
    文部科学省「物質・デバイス共同研究拠点」 第2回複雑系数理とその応用に関するシンポジウム  2012  Japan 
    共催:科学研究費補助金 新学術領域研究「ヘテロ複雑システムによるコミュニケーション理解のための神経機構の解明」
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池 II 〜導波路結合タイプ  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 海住 英生
    PV Japan 2012  2012  Japan  Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池 I  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 海住 英生, スザン ホワイト
    PV Japan 2012  2012  Japan  Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2012  2012  Japan  Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2011  2011/12
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開 II  [Not invited]
    石橋 晃
    PV Japan 2011  2011/12
  • For Fabrication of multi-striped orthogonal photon-photocarrier propagation solar cells  [Not invited]
    ISHIBASHI Akira
    The 12th RIES-Hokudai International Symposium  2011/11
  • デンタルセイフティシステムの開発(第二報) 研磨作業中の塵埃の観測結果について  [Not invited]
    石橋 晃
    日本歯科技工学会第33回学術大会  2011/10
  • デンタルセイフティシステムの開発(第一報) 歯科技工士の塵肺症罹患の潜在的リスクの解消  [Not invited]
    石橋 晃
    日本歯科技工学会第33回学術大会  2011/10
  • 有機バルクヘテロ接合太陽電池の開放端電圧の起源に関する研究  [Not invited]
    川口 整吉, 近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    第58 回応用物理学関係連合講演会  2011  Japan
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体光電変換素⼦とその作製環境としてのversatile Clean Unit System Platform (CUSP)の展開  [Not invited]
    石橋 晃
    附置研究所間アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ(G1)分科会 琉球⼤学ジョイントシンポジウム  2011  Japan
  • 薄膜エッジを利用したNi/NiO/Niナノスケールトンネル接合の作製とその電流電圧特性  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2011  Japan
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のFe、Ni75Fe25、Ni薄膜の表面状態と磁気特性  [Not invited]
    海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2011  Japan
  • デンタルセイフティシステムの開発(第二報) 研磨作業中の塵埃の観測結果について  [Not invited]
    大澤 孝, 中谷 公一, 佐藤 嘉晃, 石橋 晃, 大畑 昇
    日本歯科技工学会第33回学術大会  2011  Japan
  • デンタルセイフティシステムの開発(第一報) 歯科技工士の塵肺症罹患の潜在的リスクの解消  [Not invited]
    中谷 公一, 大澤 孝, 佐藤 嘉晃, 石橋 晃, 大畑 昇
    日本歯科技工学会第33回学術大会  2011  Japan
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のCo強磁性薄膜における表面粗さと磁気特性  [Not invited]
    海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第52回真空に関する連合講演会  2011  Japan
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開 II  [Not invited]
    河西 剛, 中谷 公一, 望月 進, 蛸島 武広, 大澤 孝, 佐藤 嘉晃, 大畑 昇, 石橋 晃
    PV Japan 2011  2011  Japan  Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開 I  [Not invited]
    石橋 晃, 河西 剛, 海住 英生, 近藤 憲治, 川口 敦吉, スザン ホワイト
    PV Japan 2011  2011  Japan  Tokyo
  • 高清浄環境CUSPラインアップ  [Not invited]
    石橋 晃, 大橋 美久
    2010国際ナノテクノロジー・ナノバイオ展示会  2010  Japan
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体光電変換素子のための基礎評価  [Not invited]
    石橋 晃
    日本応用物理学会 2010年春季大会  2010  Japan
  • 高清浄環境CUSPの展開  [Not invited]
    石橋 晃
    2010バイオテクノロジー国際会議・国際バイオEXPO  2010  Japan 
    ACA-4, 12:10-12:40, 07.02(Fri.)
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のNi及びNi75Fe25薄膜の表面状態と電気磁気特性  [Not invited]
    海住 英生, バシール ヌブラ, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2010  Japan
  • Ni/P3HT:PCBM/Niナノスケール接合の作製とその評価  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, バシール ヌブラ, 川口 敦吉, ホワイト スザン, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2010  Japan
  • 有機分子を挟んだナノスケール接合素子の理論とそのデバイスの作製  [Not invited]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会2010年秋季大会  2010  Japan
  • 量子十字素子及び高効率光電変換素子の創製と極 限高清浄環境応用  [Not invited]
    石橋 晃
    「次世代エレクトロニクス」プロジェクト(G1)グループ分科  2010  Japan 
    北広島クラッセホテル (〒061-1101 北海道北広島市中の沢316−1)
  • ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜上のNi及びNi75Fe25薄膜における表面・界面構造と磁気特性  [Not invited]
    海住 英生, バシール ヌブラ, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会 第51回真空に関する連合講演会)  2010  Japan
  • 青色半導体レーザの劣化過程から新型フルスペクトル光電変換素子へ  [Not invited]
    石橋 晃
    文部科学省「物質・デバイス共同研究拠点」 複雑系数理とその応用に関するシンポジウム  2010  Japan 
    共催:科学研究費補助金 新学術領域研究「ヘテロ複雑システムによるコミュニケーション理解のための神経機構の解明」
  • 高清浄環境CUSPシステム  [Not invited]
    石橋 晃
    2009国際ナノテクノロジー・ナノバイオ展示会  2009  Japan
  • ナノ・バイオ実験・産業に好適なCUSP高清浄環境ラインアップ  [Not invited]
    石橋 晃
    第8回国際バイオEXPO  2009  Japan
  • 量子十字デバイス 〜新機能デバイスの創製に向けて〜  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第1回北海道大学・富士電機 共同シンポジウム  2009  Japan
  • トンネルバリアをもつ量子十字素子のトランスポート理論計算  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会 2009年秋季大会  2009  Japan
  • 磁場中及び無磁場中蒸着によるポリエチレンナフタレート有機膜上のニッケル薄膜に関する研究  [Not invited]
    海住 英生, 小野 明人, 川口 敦吉, 近藤 憲治, 元 鍾漢, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    日本物理学会 2009年秋季大会  2009  Japan
  • スピン量子十字構造素子の輸送特性の理論的研究とその実験検証  [Not invited]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会 2009年秋季大会  2009  Japan
  • スピン量子十字デバイスの作製とそのトランスポートに関する研究  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    平成21年度アライアンスG2分科会シンポジウム  2009  Japan
  • CUSPによるISOクラス マイナス1極限高清浄度  [Not invited]
    大橋 美久, 石橋 晃
    北海道・札幌IT&Bioビジネスマッチングin大阪  2008  Japan 
    口頭発表含む(by石橋)
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)による高清浄環境  [Not invited]
    石橋 晃
    第7回国際バイオフォーラム&国際バイオEXPO2007  2008  Japan
  • Ni薄膜/ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜を用いた量子十字構造の作製とその評価  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 小野 明人, 川口 敦吉, 元 鍾漢, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    第32回日本磁気学会  2008  Japan
  • ニッケル薄膜/ポリエチレンナフタレート有機膜を用いた量子十字デバイスの作製とその評価  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    平成20年度アライアンスG2分科会シンポジウム  2008  Japan
  • 極限高清浄環境を提供するクリーンユニットシステム  [Not invited]
    石橋 晃, 大橋 美久, スザン ホワイト
    ビジネス EXPO  2008  Japan
  • スパイラルヘテロ構造を利用した新型光電デバイスの進展  [Not invited]
    石橋 晃, 近藤 憲治, 海住 英生
    ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス平成20年度成果報告会  2008  Japan
  • 無塵・無菌の極限高清浄環境を提供するCUSP  [Not invited]
    川口 敦吉, 海住 英生, 大橋 美久, 石橋 晃
    第11回おおた工業フェア  2007  Japan
  • 無塵・無菌を実現した極限高清浄環境CUSP  [Not invited]
    山形 整功, 海住 英生, 大橋 美久, 石橋 晃
    ナノバイオEXPO2007  2007  Japan
  • スパイラルへテロ構造を用いた高効率光電変換素子の可能性  [Not invited]
    五味田 こずえ, モハメド ダリル ラハマン, 川口 敦吉, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会 2007年春季大会  2007  Japan 
    21pTG-10
  • 量子十字、光電変換デバイスの創製  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス発足記念シンポジウム  2007  Japan
  • クリーンユニットシステムプラットフォームによる完全無菌・無塵環境  [Not invited]
    石橋 晃
    第6回国際バイオフォーラム&国際バイオEXPO2007  2007  Japan 
    ACA-7 L3 11:50-12:20 22, June 2007 (Fri.)
  • ISOクラス マイナス1の極限高清浄環境クリーンユニットシステムの開発  [Not invited]
    石橋 晃
    北海道バイオ産業クラスター・フォーラム  2007  Japan 
    IV. ? 14:55-15:10, 29 June 2007 (Fri.)
  • ISOクラス マイナス1極限高清浄度の実現  [Not invited]
    石橋 晃, 大橋 美久, 海住 英生
    北海道・札幌IT&Bioビジネスマッチングwith 川崎/横浜  2007  Japan 
    パシフィコ横浜
  • 完全無菌・無塵環境クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP II)  [Not invited]
    海住 英生, 大橋 美久, 石橋 晃
    イノベーションジャパン2007  2007  Japan 
    Booth V-06 (共同展示)北大R&BP推進協議会
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上Au蒸着薄膜の作製と表面構造解析  [Not invited]
    小野 明人, 海住 英生, 川口 敦吉, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会  2007  Japan
  • 電極の伝導電子の次元性とコンダクタンスの変化  [Not invited]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    4研究所アライアンス分科会大阪シンポジウム  2007  Japan
  • 極限高清浄環境を提供するクリーンユニットシステム  [Not invited]
    石橋 晃
    ビジネス EXPO  2007  Japan
  • スピン量子十字構造の作製に向けた強磁性Ni薄膜/ポリエチレンナフタレート有機膜のAFM表面観察  [Not invited]
    海住 英生, 小野 明人, 石橋 晃
    第48回真空に関する連合講演会  2007  Japan
  • 特許論 I 〜 研究成果の特許化について〜  [Not invited]
    石橋 晃
    ニセコ オータムスクール 2007 第7回北大ビジネス入門コース  2007  Japan
  • スパイラルヘテロ構造ベースの新機能デバイス  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス平成19年度成果報告会  2007  Japan
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [Not invited]
    長田 幸男, 石橋 晃
    テクニカルショー横浜 2006  2006  Japan
  • 量子十字構造による対称性変調素子の可能性  [Not invited]
    川口 敦吉, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会 第61回年次大会  2006  Japan 
    27pYB-9 (2006.3.27)
  • Dust & Germ-freeを実現するクリーンユニットシステムの極限高清浄度  [Not invited]
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
    日本物理学会 第61回年次大会  2006  Japan
  • Clean Unit System Platform(CUSP)による極限高清浄度ISOクラスー1の実現  [Not invited]
    A. Ishibashi, H. Kaiju
    第5回国際バイオフォーラム&国際バイオEXPO  2006  Japan
  • 装置内包クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [Not invited]
    石橋 晃, 海住 英生
    オルガテクノ2006  2006  Japan
  • CUSP中の高清浄環境におけるダスト数のサイズ依存性  [Not invited]
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
    日本物理学会 2006年秋季大会  2006  Japan
  • 極限高清浄度実験・生産プラットフォーム(CUSP)  [Not invited]
    Rahaman Dalilur Md, 川口 敦吉, 五味田 こずえ, 小野 明人, 海住 英生, 石橋 晃
    CEATEC Japan  2006  Japan
  • 極限高清浄環境を提供するクリーンユニットシステムのビジネス開発  [Not invited]
    Rahaman Dalilur Md, 大橋 美久, 海住 英生, 石橋 晃
    ビジネス EXPO  2006  Japan
  • 無塵・無菌究極清浄環境生産プラットフォーム(CUSP)  [Not invited]
    川口 敦吉, Rahaman Dalilur Md, 海住 英生, 石橋 晃
    全日本科学機器展  2006  Japan
  • 量子十字構造を用いた新機能ナノエレクトロニクスの可能性  [Not invited]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    4研究所アライアンス成果報告会  2006  Japan
  • 量子十字構造作製のための高度清浄環境の実現に向けての考察と実験  [Not invited]
    川口 敦吉, 山形 整功, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会 第60回年次大会  2005  Japan 
    25aXC1
  • 円柱型ポテンシャルを内包した調和振動子型ポテンシャルにおける電子の付加エネルギー  [Not invited]
    山形 整巧, 石橋 晃, 近藤 憲治
    2005年春季応用物理学会  2005  Japan
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム〜トップダウンとボトムアップの融合・統合にむけて  [Not invited]
    石橋 晃, 海住 英生
    第4回産学官連携推進会議  2005  Japan
  • 量子十字構造作製のための循環型クリーンユニットによる高度清浄環境の研究  [Not invited]
    川口 敦吉, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会 秋季大会  2005  Japan
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [Not invited]
    H. Kaiju, A. Ishibashi
    SEMICON Japan 2005  2005  Japan
  • トップダウンとボトムアップの統合(Bridging)並びにそのためのサイエンスと要素技術の確立  [Not invited]
    石橋 晃
    北海道大学 電子科学研究所・創成科学研究機構 ジョイントフォーラム  2004  Japan
  • トップダウン構造に於けるボトムアップ系としてのaged半導体光素子内転位網  [Not invited]
    石橋 晃, 近藤 憲治
    日本物理学会第59回年次大会  2004  Japan
  • ナノ-バイオ融合プラットフォーム用クリーンボックス連結ユニット  [Not invited]
    石橋 晃, 山形 整功, 川口 敦吉, 近藤 憲治
    2004年秋季代65回応用物理学会学術講演会  2004  Japan 
    講演番号 1pE9、予稿集 No. 1(第1分冊) p. 350
  • 知的財産論II  [Not invited]
    石橋 晃
    ニセコ オータムスクール 2004 第4回北大ビジネス入門コース  2004  Japan
  • 自己組織化臨界現象と半導体デバイス  [Not invited]
    石橋 晃
    ジョイントフォーラム「自己組織化とは何か-ナノテクノロジーを支えるもの-」  2003  Japan
  • Extraなclassifierの導入による(二律背反)事象の統合  [Not invited]
    石橋 晃
    北海道大学電子科学研究所交流会  2003  Japan
  • 特許論 I 〜 研究成果の特許化について〜  [Not invited]
    石橋 晃
    ニセコ オータムスクール 2003 第3回北大ビジネス入門コース  2003  Japan
  • LD・LEDの製造技術と劣化機構の解析から見る未来の一隅  [Not invited]
    石橋 晃
    GaN系電子・発光デバイスの開発とLD・LEDの製造技術および劣化解析  2003  Japan
  • MOCVD-grown Atomic Layer Superlattices  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    NATO Advanced Research Workshop on Spectroscopy of Semiconductor Microstructures  1989  Venice,Italy  NATO
  • Optimized Contact Structure for II-VI Laser Diodes  [Not invited]
    S. Kijima, H. Okuyama, Y. Sanaka, T. Kobayashi, A. Ishibashi
    2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes  Japan
  • Optical properties of ZnSe/ZnMgBeSe QWs  [Not invited]
    K. Godo, M. W. Cho, J. H. Chang, H. Makino, T. Yao, A. Ishibashi
    2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes  Japan
  • MBE growth and device characterization of Be-based materials for application to blue-green laser diodes  [Not invited]
    M. W. Cho, J. H. Chang, H. Makino, T. Yao, A. Ishibashi, M. Y. Shen, T. Goto
    2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes  Japan
  • Deep Defect Center Characteristics of Wide-Bandgap II-VI and III-V Blue Laser Materials  [Not invited]
    K. Ando, T. Yamaguchi, K. Koizumi, T. Abe, H. Kasada, A. Ishibashi
    SPIE Photonic West 98  San Jose,U.S.A
  • Heavy p-doping of ZnSe-based II-VI Semiconductors using an Excimer Laser  [Not invited]
    Y. Hatanaka, T. Aoki, M. NAgai, A. Ishibashi
    SPIE Photonic West 98  San Jose,U.S.A
  • Optical Gain in ZnCdSe-ZnSe Quantum Wells  [Not invited]
    F. P. Logue, P. Rees, J. F. Heffernan, C. Jordan, J. F. Donegan, J. Hegarty, F. Hiei, S. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    Tu-P103, Int. Conf. on II-VI Compounds  Grenoble,France
  • Defect Annealing in a II-VI laser Diode Structure under Intense Optical Excitation  [Not invited]
    C. Jordan, D. T. Fewer, J. F. Donegan, F. P. Logue, E. M. McCabe, A. Huynh, S. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. on II-VI Compounds  Grenoble,France
  • II-VI Blue Semiconductor Lasers  [Not invited]
    A. Ishibashi
    130th Committee on Optoelectronics  Japan
  • Coulomb Enhancement to the Optical gain in (ZnCd)Se/ZnSe Multiple Quantum Wells  [Not invited]
    F. P. Logue, P. Rees, J. F. Heffernan, C. Jordan, J. F. Donegan, J. Hegarty, F. Hiei, A. Ishibashi
    SIOE 1996/ICSMM-9
  • High Power Continuous Wave Operation of 512 nm ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SQW-SCH LAser Diodes  [Not invited]
    N. Nakayama, A. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Semicon.Laser Conf. (ISLC)  Israel
  • Surface Roughening in Molecular Beam Epitaxyof ZnSe Related II-VI Epitaxial Films  [Not invited]
    S. Tomiya, R. Minatoya, H. Tsukamoto, S. Ito, K. Nakano, E. Morita, A. Ishibashi, M. Ikeda
    The Physics of Semiconductors, ed. M. Scheffler and R. Zimmermann, World Scientific  Singapore
  • Gain and Carrier Dynamics at Lasing Densities in ZnCdSe Quantum Well Materiasls  [Not invited]
    J.F. Donegan, F.P. Logue, C. Jordan, P. Rees, S. J. Hewlett, J.F. Heffernan, D. Fewer, E. M. McCabe, J. Hegarty, F. Hiei, S. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    The Physics of Semiconductors, ed. M. Scheffler and R. Zimmermann, World Scientific  Singapore
  • Growth Mechanism of II-VI Compound Semiconductors by Molecular Beam Epitaxy  [Not invited]
    H. Okuyama, T. Kawasumi, A. Ishibashi, M. Ikeda
    9th Int. Conf. on MBE  U.S.A
  • Characteristics of II-VI Laser Diodes  [Not invited]
    S. Taniguchi, T. HIno, S. Itoh, K. Nakano, N.Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda
    Workshop on Futrue Direction of II-VI Semiconductor Materials and Devices  Buffalo,U.S.A
  • The Effect of Coulomb enhancement on the Optical gain in (ZnCd)Se/ZnSe Quantum Wells  [Not invited]
    J. Hegarty, P. Rees, J.F. Heffernan, J.F. Donegan, F.P. Logue, C. Jordan, D. Fewer, S. Hewlett, E. Mclabe, F. Hiei, S. Taniguchi, T. Hino, A. Ishibashi
    Electron. Materials Conference 1996  Japan
  • Blue-Green Laser Diodes grown by Photo-assisted MOCVD  [Not invited]
    A. Toda, F. Nakamura, K. Yanashima, A. Ishibashi
    8th Int. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE 8)  Cardiff,UK
  • Optical Output Degradation f II-VI Blue-Green Light Emitting Diodes  [Not invited]
    S.L. Chuang, M. Ukita, S. Kijima, S. Taniguchi, A. Ishibashi
    Conference on Lasers and Electro-Optics 1996  Anaheim,U.S.A
  • Optical Gain in ZnCdSe-ZnSe Quantum Well Structures  [Not invited]
    P. Rees, J. F. Heffernan, F.P. Logue, J.F. Donegan, C. Jordan, F. Hiei, A. Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV  San Jose,U.S.A
  • Room Temperature Photopumped Lasing Actin of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe Doubleheterostructure Grown by Metalorganic Chemical Vapor Depostion  [Not invited]
    A. Toda, D. Imanishi, Yanasima, A. Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV  San Jose,U.S.A
  • RT Operation of ZnSe-Active-Layrer and ZnCdSe-Active-Layer Laser Diodes  [Not invited]
    H. Okuyama, N. Nakayama, S. Itoh, M. Ikeda, A. Ishibashi
    SSDM  Japan
  • Channeled Substrate Planar Wave-guided Green Laser Diodes  [Not invited]
    N. Nakayama, H. Okuyama, T. Kawasumi, A. Ishibashi
    7th Int. Conf. on II-VI Compounds and Devices  Edinburgh,UK
  • Structural Study of Degraded AnMgSSe Blue Light Emitters  [Not invited]
    K. Nakano, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, A. Itoh, E. Morita, Mi. Ikeda, A. Ishibashi
    Electronic Materials Conference  Verginia,U.S.A
  • One-hour-long Room Temperature CW Operation of ZnMgSSe-based Blue-Green laser diodes  [Not invited]
    A. Ishibashi, S. Itoh
    7th IEEE Lasers and Elecro-Optics Society Annual Meeting, PD1.1  Boston,U.S.A
  • Blue/Green Laser Diodes Based on ZnMgSSe  [Not invited]
    S. Itoh, A. Ishibashi
    SPIE Int. Symp. II-VI Blue/Green Laser Diodes, 1.1  Boston,U.S.A
  • Characterization of ZnMgSSe Blue Laser Diodes  [Not invited]
    Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    Gordon Research Conf. Point Defects, Line Defects, and Interfaces in Semiconductors  Plymouth,NH
  • Blue-Green Laser Diodes woth ZnMgSSe Cladding Layers  [Not invited]
    N. Nakayama, S. Itoh, H. Okuyama, E. Kato, S. MAtsumoto, M. Nagai, M. Ozawa, T. Ohata, K. Nakano, M. Ikeda, A.Ishibashi, Y. Mori
    5th Optoelectron. Conf. (OEC'94) Technical Digest  Japan
  • Magneto-conductance of an ultra-small δ-doped GaAs channel grown by metalorganic chemical vapor deposition  [Not invited]
    K. Funato, A. Ishibashi, Y. Mori
    Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics  Hawaii,U.S.A
  • Atomic layer superlattices  [Not invited]
    A. Ishibashi, Y. Mori, M. Itabashi, N. Watanabe
    Proc. Int. Workshop for Future Electron Devices - Superlattice Devices -  Japan
  • A fundamentally new aspect of electron -phonon interaction in (AlAs)n(GaAs)n ultra-thin layer superlattices  [Not invited]
    A. Ishibashi, Y. Mori, M. Itabashi, N. Watanabe
    18th Int. Conf. Phys. Semicon  Japan
  • Operation and catastrophic optical degradation of II-VI laser diodes at output powers larger than 1W  [Not invited]
    O. Shulz, M.Strassburg, T. Rissom, S. Rodt, L. Reissmann, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Klude, D.Hommel, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi
    The Tenth Int. Conf. on II-VI Compounds, Th-14  Germany
  • Current Status and Future Porspects of ZnSe-based light-emitting devices  [Not invited]
    S. Ito, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. II-VI Compounds, Mo-1  Japan
  • Current Status and Perspective of ZnMgSSe-based II-VI Laser Diodes  [Not invited]
    A. Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VII  San Jose,U.S.A
  • Degradation of II-VI blue-green semiconductor lasers  [Not invited]
    S. L. Chuang, N. Nakayama, A. Ishibashi, S. Taniguchi, K. Nakano
    Photonic West, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VI  San Jose,U.S.A
  • II-VI Wide Gap Semiconductor Laser Diodes  [Not invited]
    A. Ishibashi
    11th Japan-Germany Forum on Information Technology  Japan
  • ZnMgSSe-based Blue-green Laser Diodes  [Not invited]
    S. Ito, A. Ishibashi
    Photonik Symposium, MW4  Wuerzburg
  • Degradation in II-VI Laser Diodes  [Not invited]
    K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. Defects in Semiconductors, II-VI 2-1  Portugal
  • Recent Developments in ZnSe-based Blue-green Lasers  [Not invited]
    N. Nakayama, A. Ishibashi
    Int. Conf. II-VI Compounds  Grenoble
  • Current Status of ZnMgSSe-based LDs  [Not invited]
    H. Okuyama, A. Ishibashi
    IEEE/LEOS Summer Topical Meetings  Montreal
  • An Optical Pickup Using a Blue-Green Laser Diode to Read a High-Density Disk  [Not invited]
    N. Eguchi, A. Ishibashi
    Optical Data Storage  Tuscon
  • State of the Art of II-VI Blue-green Laser Diodes  [Not invited]
    A. Ishibashi
    Int. Topical Workshop on Space Laser Communications  Japan
  • Progress in Wide Band Gap II-VI Lasers  [Not invited]
    A. Ishibashi
    Int. Conf. Phys. Semicon. (ICPS)  Berlin
  • Characterization of ZnMgSSe-based Wide-gap Laser Diodes  [Not invited]
    K. Nakano, Akira Ishibashi
    Solid State Device Mtg  Japan
  • Room Temperature Laser Operation of Wide-gap II-Vis  [Not invited]
    S. Ito, Akira Ishibashi
    European Material Research Society Symposium on UV, Blue, and Green Light Emission from Semiconductor Materials  France
  • Recent Progress in the Development of Blue Laser Diodes  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    HBF Int. Forum on Blue Light Emission for Future Imaging Technology  Japan
  • Current Status and Perspective of ZnSe-based Blue-Green LDs  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    Spring Mtg. of Japan Electro-communication Society  Japan
  • Present Status of Blue/Green Emitting II-VI LDs  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    Int. Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes  Japan
  • High-Efficiency ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe Green and Blue Light-Emitting Diodes  [Not invited]
    N. Nakayama, S. Itoh, A. Ishibashi
    SPIE  San Jose
  • Progress in Blue/Green Laser Diodes  [Not invited]
    H. Okuyama, S. Itoh, M.Ikeda, A. Ishibashi
    IEEE LEOS Annual Mtg.  SanFrancisco,U.S.A
  • ZnMgSSe-based Semiconductor Lasers  [Not invited]
    M. Ozawa, S. Itoh, A. Ishibashi
    Int. Symposium Conpound Semiconductors  Korea
  • ZnMgSSe-based Laser Diodes - Room Temperature Operation and Lifetime  [Not invited]
    M. Ukita, S. Tomiya, K. Nakano, A. Ishibashi
    14th Electronic Materials Symposium  Japan
  • Structural Studay of Degraded II-VI Blue Light Emitters  [Not invited]
    Tomiya, M. Ukita, H. Okuyama, K. Nakano, S. Itoh, A. Ishibashi
    Deffects in Semicoductors Conference  Japan
  • Recent Progress in II-VI Laser Diodes  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    Topicsal Workshop on III-V Nitrides  Japan
  • II-VI Blue-Green Light Emitters  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    7th Int. Conf. on II-VI Compounds and Devices  Edinburgh,UK
  • Device Structures and Characteristics of Laser Diodes with ZnMgSSe Cladding Layers  [Not invited]
    M. OzT. Ohata, S. Itoh, N.Nakayama, S. Matsumoto, K. Nakano, M.Ozawa, H.Okuyama, S. Tomiya, M. Ikeda, A. Ishibashi awa, A.Ishibashi
    Int. Workshop on ZnSe-based Blue-Green Laser Structures  Germany
  • Growth of ZnMgSSe and Its Application to Laser Diodes  [Not invited]
    M. Ozawa, A. Ishibashi
    Int. Workshop on Metastable and Strained Semiconductor Structures
  • Room Temperature CW Emission of II-VI Diode Lasers  [Not invited]
    M. Ozawa, A. Ishibashi
    Optical Data Storage Conf., MD-4  DanaPoint,U.S.A.
  • Blue-emitting Laser Diodes  [Not invited]
    Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    The German Physical Society Meeting  Munster
  • Blue-Green Laser Diodes  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    14th IEEE Int. Semicon. Laser Conf. (ISLC)  Hawaii,U.S.A
  • ZnMgSSe-based laser diodes  [Not invited]
    Akira Ishibashi
    13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics(ASPEcs-13)  Japan
  • ZnMgSSe-based Blue Laser Diodes  [Not invited]
    Akira Ishibashi, Yoshifumi Mori
    Conf. on Lasers and Electro-Optics, CWF1  Anaheim,U.S.A
  • Room temperature pulsed operation of 498-nm lasers  [Not invited]
    S. Ito, N. Nakayama, H. Okuyama, T. Ohata, M. Ozawa, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. Sol. State. Dev. Mat.
  • Advances in Blue Laser Diodes  [Not invited]
    Akira Ishibashi, Yoshifumi Mori
    Sixth Int. Conf. on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials  Newport,U.S.A

Works

  • JST実用化検討事業
    2005
  • 北海道TLO NEDO大学発事業創出実用化研究開発事業
    2003 -2004
  • Hokkaido TLO NEDO Support Program for Technology Development on the Basis of Academic Findings
    2003 -2004

MISC

  • Blue light emitting devices
    A. Ishibashi  Kogyochosakai (ed. I. Akasaki)  66  -105  2002  [Not refereed][Not invited]
  • II-VI Compounds 1999
    Elsevier Science B. V., Amsterdam  2000  [Not refereed][Not invited]
  • 薄膜工学ハンドブック
    講談社サイエンティフィック、東京  1998  [Not refereed][Not invited]
  • II-VI materials
    A. Toda, A. Ishibashi  Handbook for thin film engineering  6章6節  1998  [Not refereed][Not invited]

Industrial Property Rights

  • 特願2019-143540:光無線給電装置および光無線給電移動体  2019年/08/05
    石橋 晃
  • 特許第6555489号:ガス交換装置    2019/06/11
    石橋 晃, 江藤 月生, 野口 伸守, 松田 順治
  • 特許6399500:建築物の生活及び/または活動空間内ガス分子濃度制御方法    2018/09/14
    石橋 晃
  • 特許US15/032,749:System and method using information of involuntary body movement during sleep, and sleeping state detection system and method    2018/08/09
    A. Ishibashi, M. Yasutake
  • 実案第3216318号:プレフィルター    2018/04/25
    石橋 晃, 江藤 月生, 野口 伸守, 松田 順治
  • 特許ZL201510790429.X(China):Device Manufacturing Apparatus    2018/03/27
    S. Hara, S. Haraichi, A. Ishibashi
  • PCT/JP2018/11601:建築物およびプレフィルター  2018年/03/23
    石橋 晃
  • 特許第6292563号:建築物およびその製造方法    2018/02/23
    石橋 晃  石橋 晃、清水一智、シーズテック株式会社、飛栄建設株式会社、株式会社石橋建築事務所
  • 特許第6261088号:光電変換装置、建築物および電子機器    2017/12/22
    石橋 晃, 松岡 隆  北海道大学
  • 特許第6241784号:放射性物質及び放射線対応ファンフィルターユニット、放射性物質及び放射線対応高清浄環境システム、放射性物質含有廃棄物の減容処理システム、放射性物質および放射線対応フィルタ並びに水洗除染装置    2017/11/17
    石橋 晃
  • 特許第6241862号:高清浄装置、高清浄環境システム、高清浄環境装置の使用方法およびデバイス製造装置の組み立て、立上げまたはメンテナンス方法    2017/11/17
    石橋 晃, 原 史郎
  • 特願2017-203211:代謝測定システムおよび代謝測定方法  2017年/10/20
    石橋 晃, 安武 正弘
  • 特願2017- 181884:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び移動体  2017年/09/22
    石橋 晃
  • 特許第6202412号:高清浄環境システム    2017/09/08
    石橋 晃
  • 特許 1703000921 (タイ):Construction and Gas Exchange Device    2017/05/29
  • 特許11201604190R(Singapore):System and method using information of involuntary body movement during sleep, and sleeping state detection system and method    2017/05/11
    A. Ishibashi, M. Yasutake, F. Ishibashi
  • 特願11201703256W(Singapore):System and method using information of involuntary body movement during sleep  2017年/04/20
    A. Ishibashi, M. Yasutake
  • 特願2017- 81064:建築物およびプレフィルター  2017年/04/17
    石橋 晃, 江藤 月生, 野口 伸守, 松田 順治
  • 特願PCT/JP2016/079575:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2016年/10/16
    石橋 晃
  • PCT/JP2016/079575:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2016年/10/05
    石橋 晃
  • PCT/JP2016/079575:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2016年/10/05
    石橋 晃
  • 特許第5877459号:睡眠時無意識体動情報活用システム及び方法並びに就寝状況検知システムおよび方法    2016/02/05
    石橋 晃, 安武 正弘, 石橋 房雄
  • 特願2016-007537:睡眠時無意識体動情報活用システム及び方法並びに就寝状況検知システム  2016年/01/19
    石橋 晃  石橋 晃、安武正弘、シーズテック株式会社
  • 特許第5839429号:高清浄部屋システム    2015/11/20
    石橋 晃, 石橋 房雄  石橋 晃、シーズテック株式会社、飛栄建設株式会社、株式会社石橋建築事務所、有限会社近代設備設計事務所
  • 特許第5839426号:ガス交換膜、高清浄部屋システムおよび建築物    2015/11/20
    石橋 晃, 石橋 房雄
  • 特願 2015-200705:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2015年/10/09
    石橋 晃  国立大学法人 北海道大学
  • 特許第5773491号:ナノ接合素子およびその製造方法    2015/07/31
    海住 英生, 石橋 晃
  • 特許第5780531号:デバイス製造システムおよび方法    2015/07/24
    原 史朗, 原市 聡, 石橋 晃
  • 特願2015-026128:高清浄部屋システム、高清浄作業室システム、高清浄気体供給システム及び高清浄部屋システムの清浄度制御方法  2015年/02/13
    石橋 晃, 石橋 房雄, 江藤 月生, 野口 伸守
  • PCT/JP2014/78543:就寝状況検知システムおよび就寝状況検知方法  2014年/10/28
    石橋 晃, 安武 正弘
  • 特願2014-2121722:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2014年/10/17
    石橋 晃
  • 特願2014-255879:ガス交換膜、高清浄部屋システムならびに建築物  2014年/10/17
    石橋 晃
  • US Patent 8795856:Nickel Thin Film, Method for Formation of the Nickel Thin Film, Ferromagnetic Nano-Junction Device, Method for Producing the Ferromagnetic Nano-Junction Device, Thin Metallic Wire, and Method for Formation of the Thin Metallic Wire    2014/08/05
    H. Kaiju, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, A. Ono, A. Ishibashi
  • 特願2014-115365:就寝状況検知システムおよび就寝状況検知方法  2014年/06/04
    石橋 晃
  • 特願2014-122001:テントおよびテントシステム  2014年/06/03
    石橋 晃
  • 実願2014-003133:テントおよびテントシステム  2014年/06/03
    石橋 晃
  • 特願2014-106988:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2014年/05/23
    石橋 晃
  • 特願2014-80088:光電変換装置、建築物、電子機器  2014年/04/09
    石橋 晃, 小林 光  北海道大学
  • 台湾出願番号 第102143635:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年/11/29
    石橋 晃
  • PCT/JP2013/81096:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年/11/19
    石橋 晃
  • 特願2013-223958:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年/10/29
    石橋 晃
  • 特願2013-032710:高清浄装置、高清浄環境システム、高清浄環境装置の使用方法およびデバイス製造装置の組み立て、立上げまたはメンテナンス方法, 2013年02月22日  2013年/02/22
    石橋 晃, 原 史郎
  • 特願2013-16456:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年/01/31
    石橋 晃
  • 特願2012-262931:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2012年/11/30
    石橋 晃, 石橋 房雄
  • 特願2012-231508:光電変換装置、建築物および電子機器  2012年/10/19
    石橋 晃
  • 特願2012-223992:放射性物質及び放射線対応ファンフィルターユニット、放射性物質及び放射線対応高清浄環境システム、放射性物質含有廃棄物の減容処理システム、放射性物質および放射線対応フィルタ並びに水洗除染装置  2012年/10/09
    石橋 晃
  • US13/540,247:Functional device and functional system  2012年/07/02
    石橋 晃
  • 特許第4927765号:機能素子の製造方法    2012/02/17
    石橋 晃
  • 特許第4934061号:機能素子の製造方法および機能材料の製造方法    2012/02/02
    石橋 晃
  • P41892/DE:Sonde, Methode zur Herstellung einer Sonde, Sonden-Microskop, Magnetkopf, Methode zue Herstellung eines Magnetkopf und einer magnetischen Aufnahme- und Wiedwergabevorrichtung  2011年/12/30
    A. Ishibashi, H. Kaiju
  • 特願2011-520988:プローブおよびその製造方法ならびにプローブ顕微鏡ならびに磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置  2011年/12/25
    石橋 晃, 海住 英生
  • US13/379,564:Probe, method for manufacturing probe, probe microscope, magnetic head, method for manufacturing magnetic head, and magnetic recording/reproducing device  2011年/12/20
    A. Ishibashi, H. Kaiju
  • 特願2011-511480:太陽電池および光電変換素子  2011年/11/01
    石橋 晃
  • 特願2011-197115:コバルト薄膜およびその形成方法ならびにナノ接合素子およびその製造方法ならびに配線およびその形成方法  2011年/09/09
    海住 英生, 石橋 晃
  • PCT/JP2011/066648:高清浄環境システム  2011年/07/22
    石橋 晃
  • 特願2011-052327:量子装置の製造方法  2011年/03/10
    石橋 晃, 海住 英生, ラコビッチ ユーリ, ドネガン ジョン
  • 特願201110056845.9(China):Solar Cell and Photoelectric Conversion Element  2011年/03/07
  • 特許200580030115.4(China特許査定):クリーンユニット並びにシステム    2011/01/12
    石橋 晃
  • PCT/JP2010/066483:Highly Clean Environmental Device  2010年/09/24
    石橋 晃
  • 特願2010-195996:デバイス製造装置および方法  2010年/09/01
    原 史朗, 石橋 晃, 原市 聡
  • 特願2010-165309:高清浄環境システム  2010年/07/02
    石橋 晃
  • PCT/JP2010/061290:プローブおよびその製造方法ならびにプローブ顕微鏡ならびに磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置  2010年/06/25
    石橋 晃, 海住 英生
  • 特願2010-140109:磁気記録装置  2010年/06/21
    石橋 晃
  • US2010/0105309 A1:Clean unit, method of operating clean unit, and connected clean unit  2010年/04/29
    A. Ishibashi
  • PCT/JP2010/057846:太陽電池および光電変換素子  2010年/04/27
    石橋 晃
  • 特願2009-534258:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法  2010年/02/22
    海住 英生, 石丸 学, 弘津 禎彦, 小野 明人, 石橋 晃
  • 特許第4451492号:クリーンユニット、クリーンユニットの運転方法および連結クリーンユニット    2010/01/20
    石橋 晃
  • 特許130394(Singapore):Clean Working Chamber System with Dust Filtration    2009/12/31
    A. Ishibashi
  • PCT/JP2008/054685(米):Clean unit, method of operating clean unit, and connected clean unit  2009年/10/25
    石橋 晃
  • 特願2009-235966:光電変換素子評価装置、光電変換素子評価方法および光電変換素子の製造方法  2009年/10/13
    石橋 晃, 平坂 雅男
  • 特願2009-232303:高清浄環境装置  2009年/10/06
    石橋 晃
  • 特願2009-006840:高清浄環境装置  2009年/09/28
    石橋 晃
  • 特願2009-213516:クリーンユニット(CUSP)  2009年/09/15
    石橋 晃  シーズテック㈱
  • 特願2009-154644:プローブおよびその製造方法ならびにプローブ顕微鏡ならびに磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置  2009年/06/30
    石橋 晃
  • 特願2009-108593:太陽電池および光電変換素子  2009年/04/28
    石橋 晃
  • WO2009041239:Formation of nickel film on polyethylene terephthalate substrate for formation of metal fine wire and manufacture of ferromagnetic nano-joining element used for magnetoresistive element for electronic device such as mobile telephone  2009年/01/01
    Y. Hirotsu, A. Ishibashi, M. Ishimaru, H. Kaiju, A. Ono
  • PCT/JP2008/065924:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法  2008年/08/28
  • 特願2008-2430:展示ユニット  2008年/04/16
    石橋 晃
  • 特願2008-70767:クリーンユニット、連結クリーンユニット、およびプロセス方法  2008年/03/19
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
  • 特願2008-070768:太陽電池  2008年/03/19
    石橋 晃
  • 特願2008-66929:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法  2008年/03/17
    海住 英生, 小野 明人, 石橋 晃
  • 実案第3156408号:クリーンユニット    2008/03/07
    石橋 晃
  • PCT/JP2008/054679:高清浄度環境測定装置および測定方法  2008年/03/07
    石橋 晃
  • 実願2008-390:クリーンユニット、および連結クリーンユニット  2008年/01/29
    石橋 晃
  • 特願2008-8032:クリーンユニットおよびクリーンユニットシステム  2008年/01/17
    石橋 晃
  • 特願2008-8033:太陽電池の製造方法および光電変換素子の製造方法  2008年/01/17
    石橋 晃
  • 特願2007-306847:クリーンユニット、クリーンブース、クリーンユニットの運転方法および連結クリーンユニット  2007年/11/28
    石橋 晃
  • 特願2007-298755:高清浄度環境測定装置および測定方法  2007年/11/19
    石橋 晃
  • 特願2007-269653:繊維状光電変換素子、同使用方法、同製造方法、織物、織物の使用方法、衣服および壁紙  2007年/10/17
    石橋 晃, 平坂 雅男
  • 10-2007-7005545:機能素子、記憶素子、磁気記録素子、太陽電池、光電変換装置、発光装置、触媒反応装置及びクリーンユニット  2007年/10/01
  • 特願2007-248809:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法  2007年/09/26
    海住 英生, 小野 明人, 石橋 晃
  • 実願2007-4616:クリーンユニット、および連結クリーンユニット  2007年/06/19
    石橋 晃
  • 特願2007-101306:機能素子およびその製造方法ならびに機能システム  2007年/04/09
    石橋 晃
  • 特願2007-101305:機能素子および機能材料  2007年/04/09
    石橋 晃
  • 特願2006-349014:クリーンユニットプロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニット、および、プロセス方法  2006年/12/26
    石橋 晃
  • 特願2006-349015:クリーンユニット、連結クリーニュニット、クリーンユニット運転方法、およびクリーン作業室  2006年/12/26
    石橋 晃, 海住 英生
  • 特願2006-201794:光電変換装置  2006年/07/25
    石橋 晃
  • 特願2006-119227:施策・意思決定支援システム  2006年/04/24
    石橋 晃
  • 特願2006-080998:クリーンユニット、連結クリーンユニット、クリーンユニットの運転方法、およびクリーン作業室  2006年/03/23
    石橋 晃, 海住 英生
  • 特願2006-64180:バルクサイズのナノ構造体発光素子、高効率光検出装置、光電エネルギー変換装置(高電圧出力太陽電池)  2006年/03/09
    石橋 晃
  • 特願2006-062880:光電変換装置  2006年/03/08
    石橋 晃
  • 特願2006-022144:バイオ機能測定装置、培養/成長装置、バイオ機能素子および機能素子  2006年/01/31
    石橋 晃, 徳本 洋志, 下村 政嗣, 川口 敦吉, 山形 整功
  • 特願2005-358521:クリーンユニットプロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット運転方法、連結クリーニュニットおよびポータブルクリーンユニット  2005年/12/13
    石橋 晃, 海住 英生
  • PCT/JP2005/017003:機能素子、記憶素子、磁気記録素子、太陽電池、光電変換装置、発光装置、触媒反応装置及びクリーンユニット  2005年/09/08
    A. Ishibashi
  • 特願2004-377301:クリーンユニットプロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニットおよびポータブルクリーンユニット  2004年/12/27
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
  • 特願2004-375089:機能素子、記憶素子、磁気記録素子、太陽電池、光電変換素子、発光素子、触媒反応装置およびクリーンユニット  2004年/12/24
    石橋 晃
  • 特願2004-271106:薄膜積層構造体の製造方法、薄膜積層構造体、機能素子、機能素子の製造方法、薄膜積層構造体の製造装置およびヘテロ構造体  2004年/09/17
    石橋 晃, 川口 敦吉
  • 特願2004-262040:記憶素子、磁気記録素子、太陽電池および触媒反応装置  2004年/09/09
    石橋 晃  
    2004-262040
  • 特願2005-507275:クリーンユニットの運転方法  2004年/06/17
    石橋 晃
  • PCT/JP2004/008842:クリーンユニット、クリーンユニットシステム、機能ユニット、機能ユニットシステム、材料処理方法、素子製造方法、細胞系育成方法および植物体育成方法  2004年/06/17
    石橋 晃
  • PCT/JP2004/004260:機能素子及びその製造方法ならびに機能システムならびに機能材料  2004年/03/26
    PCT/JP2004/004260
  • 特願2003-174648:クリーンユニット、クリーンユニットシステム、材料加工方法、および素子製造方法  2003年/06/19
    2003-174648
  • 特願2003-124480:機能素子およびその製造方法並びに機能システムならびに機能材料  2003年/04/28
    石橋 晃
  • 特願2003-063048:ナノ構造を有する機能材料、その製造方法及びフレキシブル超高密度メモリー  2003年/03/10
    石橋 晃
  • US5497015:Quantum interference transistor  
    Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan  
    US5497015
  • Optical device using photonics
    US 6,438,298
  • USRE37177:Semiconductor laser  
    Ukita, Masakazu, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan  
    USRE37177
  • 昭61- 88573:半導体発光装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭61-170070:半導体装置  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭61-210679:半導体装置  
    石橋 晃, 森 芳文, 板橋 昌夫  ソニ− (株)
  • 昭61-210623:半導体装置の製法  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭61-210690:半導体発光装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62- 51266:半導体装置  
    板橋 昌夫, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62- 51282:半導体レ−ザ−  
    石川 秀人, 石橋 晃, 森 芳文, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 昭62- 51265:半導体装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62- 51283:半導体発光装置  
    石橋 晃, 石川 秀人, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62-179772:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭62-179714:化合物半導体  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭62-183188:半導体装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62-219424:電子放射半導体装置  
    石橋 晃, 新井 道夫  ソニ− (株)
  • 昭62-219967:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭62-219425:電子放射半導体装置  
    石橋 晃, 新井 道夫  ソニ− (株)
  • 昭63-115385:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-130580:超伝導電子装置  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平01-140729:微細パタ−ンの形成方法  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-140721:レジストの形成方法  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-175264:半導体装置の製法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平01-175267:半導体装置  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-187821:レジストパタ−ンの形成方法  
    石橋 晃, 森 芳文, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平01-187827:レジストパタ−ンの形成方法  
    石橋 晃, 森 芳文, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平01-200676:半導体装置の製造方法  
    船戸 健次, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平01-228134:レジストの形成方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-238021:半導体基板のエツチング方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02- 22870:位相制御型電界効果トランジスタ  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平02- 71563:半導体装置、絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ及びシヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタ  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02- 82653:電界効果トランジスタおよび半導体集積回路装置  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02- 91921:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平02-112225:パタ−ン形成装置  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-112226:パタ−ン形成方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-119146:半導体装置  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-132863:半導体装置  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-148832:半導体構造及びその製造方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平02-156682:半導体装置  
    船戸 健次, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-156628:超格子の形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-165679:半導体装置及びその製造方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-178966:読み出し専用メモリの製造方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次, 吉松 浩  ソニ− (株)
  • 平02-206110:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-241023:パタ−ン形成方法  
    船戸 健次, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-260634:超格子構造の製造方法及び一次元超格子の製造方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-281664:半導体装置及びその製造方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-305478:半導体装置  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平03- 3351:配線形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平03- 3350:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃, 道仙 政志  ソニ− (株)
  • 平03- 8320:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平03-203326:ドライエツチング方法  
    石橋 晃, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 平03-203327:反応性ドライエツチング方法  
    新田 幸代, 小川 正道, 船戸 健次, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平03-211890:光素子の製造方法  
    石橋 晃, 宮島 孝夫  ソニ− (株)
  • 平03-220786:半導体レ−ザ−の製造方法  
    小川 正道, 石橋 晃, 大畑 豊治  ソニ− (株)
  • 平03-220715:エピタキシヤル成長方法及びエピタキシヤル構造体  
    石橋 晃, 小川 正道  ソニ− (株)
  • 平03-238874:電子および/または光素子  
    石橋 晃, 小川 正道, 船戸 健次, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 平03-238813:エピタキシヤル成長方法  
    小川 正道, 石橋 晃, 大畑 豊治  ソニ− (株)
  • 平04- 34983:フオトデイテクタ  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平04- 34946:電界効果トランジスタ及びその製造方法  
    船戸 健次, 石橋 晃, 新田 幸代, 小川 正道  ソニ− (株)
  • 平04- 36946:走査型トンネル電子顕微鏡  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04- 62973:半導体装置  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04- 79312:半導体装置及びその製造方法  
    石橋 晃, 小川 正道, 船戸 健次, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 平04- 86826:フオトレジスト  
    石橋 晃, 船戸 健次, 宇賀神 隆一  ソニ− (株)
  • 平04- 86814:カオス発生装置  
    楠木 常夫, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04- 94528:電子ビ−ムを用いた電界放射電子源の製造方法および電子ビ−ムを用いた選択成長方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-112593:光および/または電子装置  
    船戸 健次, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-181777:光スイツチング素子  
    平 健一, 河合 弘治, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平04-206421:半導体装置  
    石橋 晃, 宇賀神 隆一  ソニ− (株)
  • 平04-221858:真空マイクロエレクトロニクスによるトランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-221859:真空マイクロエレクトロニクスによるトランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-221937:カオス発生装置  
    石橋 晃, 楠木 常夫  ソニ− (株)
  • 平04-223343:電荷転送装置  
    森 幸一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-330781:選択成長方法  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-239773:真空電子波干渉トランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-245681:真空電子波干渉トランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-273163:電子波干渉トランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平05-251831:マルチビ−ム半導体レ−ザ装置とその組立て方法  
    石橋 晃, 小林 俊雅  ソニ− (株)
  • 平05-275809:半導体発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平05-335258:化合物半導体装置とその製造方法  
    森田 悦男, 富谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06- 5977:半導体レ−ザ−  
    中野 一志, 石橋 晃, 秋本 克洋  ソニ− (株)
  • 平06- 69596:多重波長モノリシツク発光デバイス  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-151330:化合物半導体のエピタキシヤル成長方法  
    山本 直, 石橋 晃, 中野 一志  ソニ− (株)
  • 平06-152060:半導体レ−ザ  
    山本 直, 石橋 晃, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 平06-151820:量子干渉半導体装置及び量子干渉制御方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-151821:量子干渉半導体装置  
    石橋 晃, 小川 正道  ソニ− (株)
  • 平06-177486:発光素子及びその製造方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-177484:発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-237047:半導体発光素子  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-244506:半導体表示装置及びその製造方法  
    伊藤 哲, 樋江井 太, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-252446:半導体装置の製造方法  
    石橋 晃, 戸田 淳, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 平06-310815:半導体装置  
    樋江井 太, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-314848:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-314849:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-326405:半導体基板及び化合物半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07- 45908:半導体レ−ザ−  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07- 50267:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 平07- 66494:半導体レ−ザ  
    奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07- 66151:半導体発光装置の製造方法  
    伊藤 哲, 石橋 晃, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 平07- 66503:発光素子  
    伊藤 哲, 小沢 正文, 石橋 晃, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 平07- 58043:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃, 中野 一志, 戸田 淳, 奥山 浩之  ソニ− (株)
  • 平07-122822:半導体発光素子  
    吉田 浩, 奥山 浩之, 中野 一志, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-135339:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-142812:半導体レ−ザ−  
    石橋 晃, 金丸 昌司, 奥山 浩之, 今永 俊治  ソニ− (株)
  • 平07-142514:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-169690:化合物半導体のエピタキシヤル成長装置  
    塚本 弘範, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-260659:量子干渉効果を利用した半導体装置およびその製造方法  
    石橋 晃, デビツド ジ- ラベンホ-ル, ロイ エル シユルツ, ヘンリ- ダブリユ- ワイルド  ソニ− (株);ユニバ−シテイ オブ イリノイズ フアウンデ−シヨン
  • 平07-147456:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-153781:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-202318:半導体レ−ザ−  
    石橋 晃, 大畑 豊治  ソニ− (株)
  • 平07-211936:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-170026:II−VI族化合物半導体装置  
    日野 智公, 伊藤 哲, 池田 昌夫, 石橋 晃, 浮田 昌一, 樋江井 太  ソニ− (株)
  • 平07-263752:半導体カラ−発光素子  
    河角 孝行, 中山 典一, 中野 一志, 中村 文彦, 松元 理, 石渡 知子, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平07-273403:半導体発光装置  
    奥山 浩之, 秋本 克洋, 石橋 晃, 白石 誠司, 伊藤 哲, 中野 一志, 池田 昌夫, 日野 智公, 浮田 昌一  ソニ− (株)
  • 平07-307526:半導体発光素子  
    石橋 晃, 中山 典一, 奥山 浩之  ソニ− (株)
  • 平07-154035:半導体発光素子  
    伊藤 哲, 大畑 豊治, 石橋 晃, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 平07-335987:II−VI族化合物半導体発光素子の製法  
    吉田 浩, 浮田 昌一, 中野 一志, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-326824:発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-283489:半導体発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 8461:発光受光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 45843:III−V族半導体基板表面の処理方法  
    伊藤 哲, 樋江井 太, 野口 裕泰, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 32180:半導体発光素子  
    石橋 晃, 中山 典一, 喜島 悟  ソニ− (株)
  • 平08- 51251:光半導体装置  
    松元 理, 富谷 茂隆, 中野 一志, 長井 政春, 伊藤 哲, 石橋 晃, 森田 悦男  ソニ− (株)
  • 平08- 70157:半導体レ−ザ−  
    小沢 正文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 97518:半導体発光素子  
    中野 一志, 松元 理, 伊藤 哲, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 18168:II−VI族化合物半導体発光素子  
    石橋 晃, 伊藤 哲, 奥山 浩之, 中野 一志, 近藤 憲治, 武石 玲子  ソニ− (株)
  • 平08-148761:半導体発光装置とその製法  
    長井 政春, 松元 理, 伊藤 哲, 小沢 正文, 大畑 豊治, 石橋 晃, 奥山 浩之, 樋江井 太, 木下 優子  ソニ− (株)
  • 平07-170017:半導体レ−ザ−  
    石川 秀人, 石橋 晃, 森 芳文, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 平07-273054:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃, 伊藤 哲, 松元 理, 白石 誠司, 湊屋 理佳子, 樋江井 太  ソニ− (株)
  • 平08- 97519:半導体発光装置  
    奥山 浩之, 石橋 晃, 加藤 豪作, 吉田 浩, 中野 一志, 浮田 昌一, 喜島 悟, 岡本 桜子  ソニ− (株)
  • 平08-264903:半導体積層構造の製造方法および半導体発光素子の製造方法  
    河角 孝行, 今西 大介, 奥山 浩之, 戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08-264564:マグネシウムを含むII−VI族化合物半導体の成長方法  
    今西 大介, 河角 孝行, 戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08-288311:半導体積層構造およびその製造方法  
    谷口 理, 伊藤 哲, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09- 45993:半導体発光素子  
    河角 孝行, 中山 典一, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平09- 83086:半導体発光素子およびその製造方法  
    戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-107155:半導体発光素子  
    石橋 晃, 戸田 淳, 簗島 克典  ソニ− (株)
  • 平09-232688:半導体発光素子  
    谷口 理, 日野 智公, 奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-246288:半導体装置およびその製造方法  
    簗島 克典, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-246289:半導体装置およびその製造方法  
    簗島 克典, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-293934:半導体発光素子  
    喜島 悟, 中山 典一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-309796:窒素系III−V族化合物半導体の成長方法  
    簗島 克典, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-173233:半導体発光素子  
    野口 裕泰, 中野 一志, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-178026:結晶成長方法およびそれを利用した半導体発光素子の製造方法  
    河角 孝行, 奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-293937:半導体発光素子  
    日野 智公, 谷口 理, 木下 優子, 奥山 浩之, 中野 一志, 岡本 桜子, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-318853:光送受信装置および光通信ネツトワ−ク  
    桜井 道彦, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-283651:化合物半導体レ−ザを用いた光ピツクアツプ装置  
    石橋 晃, 江口 直哉  ソニ− (株)
  • 平10-294494:半導体発光素子およびその製造方法  
    戸田 淳, 石橋 晃, 白石 誠司, 野口 裕泰, 左中 由美, 長井 政春, ジヨン フランシス ドネガン, クリストフ ジヨ-ダン, デイビツド ト-マス フユ-ワ-, エスネ マリ- マツキヤプ  ソニ− (株);プロボスト フエロ−ズ アンド スカラ−ズ オブ ザ カレツジ オブ ザ ホ−リ− アンド アンデイバイデツドトリニテイ− オブ クイ−ン エリザベス ニア ダブリン:ザ
  • 平10-303507:半導体発光素子  
    白石 誠司, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10- 83149:自発光表示装置  
    石橋 晃, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 平10-326941:半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置  
    長井 政春, 青木 徹, 畑中 義式, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-190154:半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置  
    石橋 晃, 谷口 理, 日野 智公, 小林 高志, 中野 一志, 中山 典一, 戸田 淳, 塚本 弘範, 牧野 桜子  ソニ− (株)
  • 平11-150334:半導体発光素子  
    野口 裕泰, 加藤 豪作, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平11-150337:半導体発光素子および光装置  
    奥山 浩之, 石橋 晃, 塚本 弘範  ソニ− (株)
  • 平10-326944:半導体装置の製造方法  
    戸田 淳, 簗島 克典, 石橋 晃, 塚本 弘範, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 2000-133873:パルス駆動発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2000-174398:半導体発光装置、指示装置および光伝送装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2000-216499:機能材料および機能素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001- 33743:光学装置  
    松居 恵理子, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 2001- 34195:表示装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 2001-111114:白色LED  
    春山 真一郎, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2000-174396:半導体レ−ザ−およびその製造方法  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001- 64870:機能材料およびその製造方法ならびに機能構造体ならびに光機能素子  
    石橋 晃, 森 芳文, 松居 恵理子, 真峰 隆義, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 2001-265265:表示装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001-282140:情報受信表示装置  
    石橋 晃, 松居 恵理子, 赤尾 裕隆, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 2001-282141:光子操作装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001- 77445:機能一次元構造体の製造方法および機能構造体の製造方法  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 2001- 77477:半導体装置及びその製造方法  
    石橋 晃, 小川 正道, 船戸 健次, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 2002- 31781:光学装置およびその製造方法  
    戸田 淳, 松居 恵理子, 赤尾 裕隆, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002- 54994:撮像装置、撮像表示システムおよび撮像印刷システム  
    戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-344047:レ−ザ−構造体を用いた表示装置  
    戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002- 50832:半導体レ−ザ−およびその製造方法  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-100835:半導体レ−ザ−の製造方法  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002- 94183:化合物半導体装置とその製造方法  
    森田 悦男, 富谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-185078:発光素子及びその製造方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-296626:光スイツチおよびデイスプレイ装置  
    戸田 淳, 赤尾 裕隆, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001-511592:フラクタル構造の形成方法  
    宇賀神 隆一, 黒木 義彦, 石橋 晃, 平田 晋太郎  ソニ− (株)
  • 2003-330119:スクリ−ンおよびその製造方法ならびに投影システムならびに表示装置  
    渡辺 誠一, 黒木 義彦, 戸田 淳, 石本 光, 石橋 晃, 中枝 武弘, 西 智裕, 大西 通博  ソニ− (株)
  • 2004- 71511:光導波路、光導波路装置、機械光学装置、検出装置、情報処理装置、入力装置、キ−入力装置および繊維構造体  
    石橋 晃, 鈴木 真之  ソニ− (株)
  • 2004-202361:微粒子の成長方法、微粒子の成長装置および微粒子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-210926:エネルギ−変換材料、エネルギ−変換素子および発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-213750:マルチプロ−ブ2次元メモリシステムおよびマルチプロ−ブ装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-213751:2次元メモリおよびマルチプロ−ブ2次元メモリシステム  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-213752:マルチプロ−ブ2次元メモリシステムおよびマルチプロ−ブ2次元探査システム  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-538491:ニユ−ロン結合体装置  
    ネレス ガブリエ-レ, 安田 章夫, 石橋 晃  ソニ− (株);ソニ−インタ−ナシヨナル(ヨ−ロツパ)ゲ−エムベ−ハ−
  • US4888622:Superconductor electron device  
    Ishibashi, Akira, Funato, Kenji, Mori, Yoshifumi  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US4937204:Method of making a superlattice heterojunction bipolar device  
    Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi, Itabashi, Masao  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5147823:Method for forming an ultrafine metal pattern using an electron beam  
    Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi, Funato, Kenji  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5156988:A method of manufacturing a quantum interference semiconductor device  
    Mori, Yoshifumi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5171718:Method for forming a fine pattern by using a patterned resist layer  
    Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi, Funato, Kenji  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5204588:Quantum phase interference transistor  
    Ugajin, Ryuichi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5247223:Quantum interference semiconductor device  
    Mori, Yoshifumi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5332952:Quantum phase interference transistor  
    Ugajin, Ryuichi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5412223:Semiconductor device exploiting a quantum interference effect  
    Ishibashi, Akira, Ogawa, Masamichi  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5418374:Semiconductor device having an active layer with regions with different bandgaps  
    Morita, Etsuo, Tomiya, Shigetaka, Yamamoto, Tadashi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5459337:Semiconductor display device with red, green and blue emission  
    Ito, Satoshi, Hiei, Futoshi, Ishibashi, Akira, Toda, Atsushi, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5506855:Semiconductor laser  
    Ishibashi, Akira, Kanamaru, Shoji, Okuyama, Hiroyuki, Imanaga, Shunji  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5567960:II/VI-compound semiconductor light emitting device  
    Ishibashi, Akira, Ito, Satoshi, Okuyama, Hiroyuki, Nakano, Kazushi, Kondo, Kenji, Takeishi, Reiko  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5597740:Semiconductor display device and a method of fabricating the sam  
    Ito, Satoshi, Hiei, Futoshi, Ishibashi, Akira, Toda, Atsushi, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5617446:Surface-emitting semiconductor light emitting device  
    Ishibashi, Akira, Nakayama, Norikazu, Kijima, Satoru  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5625634:Semiconductor laser  
    Ukita, Masakazu, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5633514:Semiconductor light emitting device with lattice-matching and lattice-mismatching  
    Shiraishi, Masashi, Ito, Satoshi, Nakano, Kazushi, Ishibashi, Akira, Ikeda, Masao, Okuyama, Hiroyuki, Akimoto, Katsuhiro, Hino, Tomonori, Ukita, Masakazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5640409:Semiconductor laser  
    Ito, Satoshi, Ohata, Toyoharu, Ishibashi, Akira,Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5657336:Semiconductor light-emitting device  
    Okuyama, Hiroyuki, Ishibashi, Akira, Kato, Eisaku, Yoshida, Hiroshi, Nakano, Kazushi, Ukita, Masakazu, Kijima, Satoru, Okamoto, Sakurako  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5665977:Semiconductor light emitting device with defect decomposing and blocking layers  
    Ishibashi, Akira, Matsumoto, Satoshi, Nagai, Masaharu, Ito, Satoshi, Tomiya, Shigetaka, Nakano, Kazushi,Morita, Etsuo  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5732099:Semiconductor light emitting device  
    Kawasumi, Takayuki, Nakayama, Norikazu, Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5740193:Semiconductor light-emitting device  
    Okuyama, Hiroyuki,Ishibashi, Akira, Kato, Eisaku, Yoshida, Hiroshi, Nakano, Kazushi, Ukita, Masakazu, Kijima, Satoru, Okamoto, Sakurako  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5764672:Semiconductor laser  
    Ukita, Masakazu, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5811831:Semiconductor device exploiting a quantum interference effect  
    Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5828086:Semiconductor light emitting device with a Mg superlattice structure  
    Ishibashi, Akira, Matsumoto, Satoshi, Nagai, Masaharu, Ito, Satoshi,Tomiya, Shigetaka, Nakano, Kazushi, Morita, Etsuo  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5872023:Method of fabricating of light emitting device with controlled lattice mismatch  
    Shiraishi, Masashi, Ito, Satoshi, Nakano, Kazushi, Ishibashi, Akira, Ikeda, Masao,Okuyama, Hiroyuki, Akimoto, Katsuhiro,Hino, Tomonori, Ukita, Masakazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5898662:Semiconductor light emitting device, its manufacturing method and optical recording and/or reproducing apparatus  
    Ishibashi, Akira, Taniguchi, Satoshi, Kanagawa, Hino, Tomonori, Kobayashi, Takashi,Nakano, Kazushi, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5908306:Method for making a semiconductor device exploiting a quantum interferences effect  
    Ishibashi, Akira, Kanagawa, Japan,Ravenhall, David G, Urbana, IL,Schult, Roy L, Urbana, IL, Wyld, Henry W, Urbana, IL  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5909459:Surface-emitting semiconductor light emitting device  
    Ishibashi, Akira, Nakayama, Norikazu, Kijima, Satoru  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US6031244:Luminescent semiconductor device with antidiffusion layer on active layer surface  
    Noguchi, Hiroyasu,Nakano, Kazushi, Ishibashi, Akira, Toda, Atsushi,Taniguchi, Satoshi, Hino, Tomonori,Kato, Eisaku  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US6177690:Semiconductor light emitting device having a p-n or p-i-n junction  
    Noguchi, Hiroyasu, Kato, Eisaku, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US6222203:Selfluminous display device having light emission sources having substantially non-overlapping spectra levels  
    Ishibashi, Akira,Kanagawa, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan

Awards & Honors

  • 2016/10 平成28年度北海道地方発明表彰 北海道知事賞
     高清浄部屋システムならびに建築物 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2007/09 北海道 北海道 新商品トライアル制度 H19年度認定
     クリ-ンユニットシステムプラットフォ-ム(CUSP) 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2006/04 第一回北海道理系向けビジネスプランコンテスト 審査員特別賞
     極限高清浄環境クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP) 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2000/03 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
     II-VI族系青色半導体レーザーの寿命・劣化機構-ミクロ欠陥増殖による劣化- 
    受賞者: 石橋 晃
  • 1998 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
     活性層成長条件の最適化による青緑色半導体レーザの長寿命化 
    受賞者: 石橋 晃

Research Grants & Projects

  • 非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究
    日本学術振興会:科学研究費助成事業 基盤研究 B 一般
    Date (from‐to) : 2016/04 -2019/03 
    Author : 石橋 晃
  • 新清浄環境(CUSP)を用いた安否確認・睡眠分析(KSG) ビッグデータの研究
    日本学術振興会:科学研究費助成事業 萌芽研究
    Date (from‐to) : 2016/04 -2018/03 
    Author : 石橋 晃
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究
    日本学術振興会:科学研究費助成事業 基盤研究 B 一般
    Date (from‐to) : 2013/04 -2016/03 
    Author : 石橋 晃
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体光電変換素子の研究
    日本学術振興会:科学研究費助成事業 基盤研究 B 一般
    Date (from‐to) : 2010/04 -2013/03 
    Author : 石橋 晃
  • 高効率光電変換素子
    Date (from‐to) : 2004 -2011
  • High Efficiency Photovoltaic Devices
    Date (from‐to) : 2004 -2011
  • ボトムアップとトップダウンの統合、極微細機能デバイス
    Date (from‐to) : 2003 -2010
  • Unification of Bottom-up systems with Top-down Systems, Nanostructure Functional Devices
    Date (from‐to) : 2003 -2010
  • コンパクト・フレキシブル クリーン実験・製造プラットフォームの実用化
  • 高密度メモリー
  • Compact flexible clean model platform for nano- and bio-science and technology
  • Solar Cell
  • High density memory

Educational Activities

Teaching Experience

  • 物理学外国語文献講読Ⅲ
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 学士課程
    開講学部 : 理学部
  • Semiconductor Physics
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 理学院
    キーワード : ・半導体薄膜成長、半導体プロセス、半導体レーザー、自己組織化臨界現象、トップダウン系、ボトムアップ系、クリーンユニットシステムプラットフォームとその社会応用
  • Physics of Quantum Device
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 理学院
    キーワード : ・半導体超格子、電子デバイス、光デバイス、太陽電池
  • Introduction to Modern Physics
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 理学院
    キーワード : 現代物理学、ナノテクノロジー、デバイス物理、エントロピー、核力と原子核の構造、相転移、統計物理学、生命現象、宇宙論、低次元系
  • Inter-Graduate School Classes(General Subject):Natural and Applied Sciences
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 大学院共通科目
    キーワード : 現代物理学、ナノテクノロジー、デバイス物理、エントロピー、核力と原子核の構造、相転移、統計物理学、生命現象、宇宙論、低次元系
  • Physics I
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 学士課程
    開講学部 : 全学教育
    キーワード : 運動、力、運動の法則、微分方程式、仕事、エネルギー、運動量、保存則、剛体、流体、単振動、音と光、干渉、回折
  • Arts and Science Courses in English 1
    開講年度 : 2018
    課程区分 : 学士課程
    開講学部 : 国際本部
    キーワード : 現代物理学、ナノテクノロジー、デバイス物理、エントロピー、核力と原子核の構造、相転移、統計物理学、生命現象、宇宙論、低次元系

Committee Membership

  • IEEE   Senior Member   IEEE
  • Japan Appied Physics Society   member   Japan Appied Physics Society
  • Physical Society of Japan   member   Physical Society of Japan

Social Contribution

Social Contribution

Social Contribution

  • 正法眼蔵随聞記と物理学~roll over Negroponte
    Date (from-to) : 2014/06
    Role : Lecturer
    Sponser, Organizer, Publisher  : 北海道大学総合博物館・土曜市民セミナー
  • 大自然に学んで、ボクもわたしも発明しよう
    Date (from-to) : 2006/08/10
    Role : Lecturer
    Sponser, Organizer, Publisher  : サイエンスエキスポ2006 こども未来博、夢・みらい塾


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