研究者データベース

石橋 晃(イシバシ アキラ)
電子科学研究所 物質科学研究部門
教授

基本情報

所属

  • 電子科学研究所 物質科学研究部門

職名

  • 教授

学位

  • 理学博士(東京大学)

ホームページURL

科研費研究者番号

  • 30360944

J-Global ID

研究キーワード

  • 光電変換素子、太陽電池、レーザーパワービーミング   高清浄環境   Photovolataic Devices   Condensed Matter Physics   ナノ構造物理学   

研究分野

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
  • ナノテク・材料 / ナノマイクロシステム
  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学

職歴

  • 2003年04月 - 現在 北海道大学 理学院物性物理学専攻(兼担) 教授
  • 2003年01月 - 現在 Hokkaido University Research Institute for Electronic Science Professor
  • 2003年01月 - 現在 北海道大学 電子科学研究所 教授
  • 1998年04月 - 2003年12月 ソニー㈱フロンティアサイエンスラボラトリー シニアリサーチャー
  • 1999年 - 2002年 ソニー㈱フロンティアサイエンス研究所研究員
  • 1999年 - 2002年 Sony Corp. Frontier Science Laboratory
  • 1991年 - 1998年 Sony Corp. Res. Ctr. Physicist
  • 1983年 - 1998年 ソニー㈱中央研究所
  • 1998年 東北大学学際科学研究所客員教授
  • 1998年 東北大学
  • 1990年09月 - 1991年08月 Univ. of Illinois at Urbana-Champaign Dept. of Physics, Loomis Lab. Visiting Faculty
  • 1983年 - 1990年 Sony Corp. Res. Ctr. Physicist
  • 1982年05月 - 1983年01月 ローレンスバークレー国立研究所リサーチアシスタント
  • 1982年 - 1983年 Lawrence Berkeley National Laboratory Research

学歴

  •         - 1990年01月   東京大学大学院   理学系研究科(論文博士)   物理学
  •         - 1983年   東京大学大学院   理学系研究科(修士課程)   物理学
  •         - 1983年   Univesity of Tokyo, Graduate School
  •         - 1981年   東京大学   理学部   物理学
  •         - 1981年   東京大学

所属学協会

  • 日本MRS   レーザー学会   IEEE   日本応用物理学会   日本物理学会   IEEE   Japan Appied Physics Society   Physical Society of Japan   

研究活動情報

論文

  • X. Hong, J. Yu, N. Sawamura, A. Ishibashi
    Proc. of the 3rd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2021) OWPT-P-04 1 - OWPT-P-04 2 2021年04月 [査読有り][通常論文]
  • A. Ishibashi, T. Kasai, N. Sawamura
    Proc. of the 3rd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2021) OWPT-1-03 1 - OWPT-1-03 2 2021年04月 [査読有り][通常論文]
  • A. Ishibashi, Y. Okura, N. Sawamura
    Energies 13 5234-1 - 5234-16 2020年10月08日 [査読有り][招待有り]
  • ガス交換ユニットを用いた拡散換気システムの性能検証
    羽山 広文, 石垣 祐里奈, 石橋 晃, 松田 順治
    クリーンテクノロジー 30 68 - 73 2020年10月 [査読有り]
  • ガス交換ユニットを用いた拡散換気システム
    石垣祐里奈, 羽山広文, 森太郎, 石橋晃, 松田順治
    空気調和・衛生工学会北海道支部学術講演論文集 187 - 190 2020年03月
  • Tsung-Hao Hsieh, Yong Song Liu, Sheng-Fu Liang, Masahiro Yasutake, Akira Ishibashi
    Proceedings of the 2019 3rd International Conference on Computational Biology and Bioinformatics - ICCBB '19 47 - 51 2019年10月 [査読有り]
  • A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi, T. Kasai
    Transactions of the Materials Research Society of Japan 44 5 187 - 191 2019年09月 [査読有り][通常論文]
  • Waveguides with Spatial Asymmetry for Concentrator Solar-Cells
    A. Ishibashi
    Proc. Collaborative Conference on Materials Research 2019 182 - 186 2019年06月 [査読有り][通常論文]
  • T. Hsieh, A. Ishibashi, M. Yasutake, S. Liang
    Basic & Clinical Pharmacology & Toxicology 124 s3 187 - 188 2019年04月 [査読有り][通常論文]
  • A. Ishibashi, M. Yasutake, T. Hsieh, S. Liang
    Basic & Clinical Pharmacology & Toxicology 124 S3 356  2019年04月 [査読有り][通常論文]
  • A. Ishibashi, T. Kasai, N. Sawamura
    Energies 11 3498-1 - 3498-9 2018年12月 [査読有り][通常論文]
  • 孤立・閉鎖系高清浄環境クリーンユニットシステムプラットフォーム
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    Proc. 35th Annual Tech. Meeting on Air Cleaning and Contamination Control 38 - 41 2018年04月 [査読有り][通常論文]
  • A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake
    IOP Conference Series: Earth and Environmental Science 93 1 012081 1 - 012081 7 2017年11月09日 [査読有り][通常論文]
     
    We have investigated InGaN-based multi-striped orthogonal photon-photocarrier propagation solar cell (MOP3SC) in which sunlight propagates in a direction being orthogonal to that of photocarriers generated by the sunlight. Thanks to the orthogonality, in MOP3SC, absorption of the sunlight and collection of the photocarriers can be simultaneously and independently optimized with no trade-off. Furthermore, by exploiting the degree of freedom along the photon propagation and using multi-semiconductor stripes in which the incoming photons first encounter the widest gap semiconductor, and the narrowest at last, we can convert the whole solar spectrum into electricity resulting in the high conversion efficiency. For processing MOP3SC, we have developed Clean Unit System Platform (CUSP), which turns out to be able to serve as clean versatile environment having low power-consumption and high cost-performance. CUSP is suitable not only for processing devices, but also for cross-disciplinary fields, including medical/hygienic applications.
  • Akira Ishibashi, Hikaru Kobayashi, Nobuo Sawamura, Kenji Kondo, Tsuyoshi Kasai
    Proceedings of the 2017 IEEE International Conference on Applied System Innovation: Applied System Innovation for Modern Technology, ICASI 2017 1477 - 1479 2017年07月21日 [査読有り][通常論文]
     
    Waveguide-coupled orthogonal photon-photocarrier propagation solar cell (MOP3SC) in which the photons propagate in the direction orthogonal to that of the photocarriers'is of potential interest for a high efficiency solar cell. We have studied feasibility of symmetric waveguides for MOP3SC. The symmetric waveguide with refractive index modulation structure would not give a very high efficiency due to the reason originated from the spatial and time-reversal symmetries. To overcome the problem, we propose an asymmetric redirection waveguide consisting of periodic parabola mirrors.
  • M. Yasutake, A. Ishibashi
    Sleep 40 suppl_1 A289  2017年04月 [査読有り][通常論文]
  • Systems development in Atom-Bit-Energy/Environment (ABE2) space for a new solar-cell, medical and safety applications on clean unit system platform (CUSP)
    A. Ishibashi
    Proc. Collaborative Conference on Materials Research 191 - 195 2017年 [査読有り][通常論文]
  • Akira Ishibashi, H. Kobayashi, T. Taniguchi, K. Kondo, T. Kasai
    3D Research 7 4 33 1 - 5 2016年12月01日 [査読有り][通常論文]
     
    We have calculated optical fields for waveguide-coupled orthogonal photon-photocarrier propagation solar cell (MOP3SC)in which the photons propagate in the direction orthogonal to that of the photocarriers’. By exploiting the degree of freedom along the photon propagation and using multi-semiconductor stripes in which the incoming photons first encounter the widest gap semiconductor, and the narrowest at last, we can convert virtually the whole spectrum of solar spectrum into electricity resulting in high conversion efficiency. The waveguide-coupled MOP3SC can not only optimize the absorption of light and the photocarrier collection independently converting virtually the whole spectrum of sunlight into electricity, but also can serve as a highly efficient concentration solar-cell system with low temperature rise thanks to its minimal thermal dissipation and the diffusive-light-convertibility when used with the parabola cross-section structure on top of the waveguide. The waveguide-coupled MOP3SC is also of potential interest as a high reliability system, because the high energy photons that can damage bonding of the materials, being converted into electricity already at upstream, never go into the medium or narrow gap semiconductors, resulting in low degradation of materials used in the MOP3SC.
  • M. Yasutake, A. Ishibashi
    JOURNAL OF SLEEP RESEARCH 25 suppl_1 254 - 254 2016年09月 [査読有り][通常論文]
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池
    石橋 晃
    エネルギーデバイス 3 4 77 - 83 2016年 [査読有り][通常論文]
     
    「フォトンフォトキャリア直交型太陽電池」、 石橋 晃: エネルギーデバイス、技術情報協会、3(4) : 77-83 (2016)
  • Clean Unit System Platform (CUSP) for Medical/Hygienic Applications
    A. Ishibashi, M. Yasutake
    Int. J. Eng. Res. Sci. 2 3 92 - 97 2016年 [査読有り][通常論文]
  • An approach for uniting bottom-up and top-down systems and its applications
    A. Ishibashi
    Int. J. Eng. Res. Sci. 2 9 103 - 114 2016年 [査読有り][通常論文]
  • Edge-Illumination Scheme for Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier- Propagation Solar Cells
    A. Ishibashi, S. White, N. Kawaguchi, K. Kondo, T. Kasai
    Int. J. Eng. Tech. Res. 6 1 115 - 117 2016年 [査読有り][通常論文]
  • Clean Unit System Platform (CUSP) for various frontier experiments and applications”, Int. Journal of Engineering and Technical Research
    A. Ishibashi, M. Yasutake, N. Noguchi, T. Etoh, J. Matsuda, K. Nakaya, T. Ohsawa, Y. Satoh, N. Ohata, M. D. Rahaman, J. Alda, Y. Ohashi
    Int. J. Eng. Tech. Res. 6 3 31 - 35 2016年 [査読有り][通常論文]
  • 空気清浄技術「CUSP」 〜新型太陽電池作製プラットフォームから居住空間応用展開まで
    石橋 晃, 大橋 美久, 松田 順治, 野口 伸守, 江藤 月生
    建築設備と配管工事 709 53 66 - 73 2015年 [査読有り][通常論文]
  • H. Kaiju, Y. Yoshida, S. Watanabe, K. Kondo, A. Ishibashi, K. Yoshimi
    Journal of Applied Physics 115 17 17B901 - 17B901 2014年08月 [査読有り][通常論文]
  • H. Kaiju, Y. Yoshida, S. Watanabe, K. Kondo, A. Ishibashi, K. Yoshimi
    J. Magn. Soc. Jpn. 38 4 157 - 161 The Magnetics Society of Japan 2014年 [査読無し][通常論文]
     
    We investigate magnetic properties of FeAl stripes and dots formed on the surface of Fe52Al48 induced by nanosecond pulsed laser irradiation. According to the in-plane magneto-optical Kerr effect (MOKE) measurements, the magnetization reversal in FeAl stripes can be explained by the domain-wall (DW) motion model, indicating that the magnetization rotates incoherently. In contrast, the in-plane and polar MOKE measurements reveal that the magnetic easy axis of the FeAl dots exists along the out-of-plane direction and the coercive force Hc shows as large as 1 kOe. These results indicate that the nanosecond pulsed laser irradiation can be expected to serve as a useful tool for obtaining magnetic nanostructures and creating high-Hc materials.
  • Improvement of minority carrier lifetime by HCN treatments
    T. Matsumoto, W. Kai, T. Fukushima, M. Takahashi, A. Ishibashi, H. Kobayashi
    ECS J. Solid State Sci. Technol. 2 Q127 - Q130 2013年07月 [査読有り]
  • Yutaka Yoshida, Kazuya Oosawa, Seiichi Watanabe, Hideo Kaiju, Kenji, Kondo, Akira Ishibashi, Kyosuke Yoshimi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 102 183109-1 - 183109 -4 American Institute of Physics 2013年05月 [査読有り][通常論文]
     
    We have studied nanopatterns induced by nanosecond pulsed laser irradiation on (111) plane surfaces of a polycrystalline iron-aluminum alloy and evaluated their magnetic properties. Multiple nanosecond pulsed laser irradiation induces a wavelength-dependent surface transformation of the lattice structure from a B2-type to a supersaturated body centered cubic lattice. The selective formation of surface nanopatterns consisting of holes, stripes, polygonal networks, and dot-like nanoprotrusions can be observed. Furthermore, focused magneto-optical Kerr effect measurements reveal that the magnetic properties of the resultant nanostructured region changes from a paramagnetic to a ferromagnetic phase in accordance with the number of laser pulses.
  • K. Kondo, H. Kaiju, A. Ishibashi
    Jpn. J. Appl. Phys. 52 1 013001-1 - 013001-5 The Japan Society of Applied Physics 2013年 [査読有り][通常論文]
     
    We apply the theory of the magneto-optic Kerr effect (MOKE) for multilayer thin films to analyze the surface magnetic properties, which have been observed using focused MOKE, for Ni75Fe25 and Fe thin films evaporated on poly(ethylene naphthalate) (PEN) organic substrates. The calculation is performed for the thickness dependence and incident angle dependence of Kerr rotation and ellipticity. We have measured the thickness dependence of Kerr rotation at a wavelength of 405 nm for both Ni75Fe25 and Fe thin films on PEN organic substrates. These results are fitted using the theory by adjusting the values of magneto-optic constants Q's. These Q's are 0.01\exp(-i48\pi/180) and 0.025\exp(-i47\pi/180) for Ni75Fe25 and Fe thin films, respectively. These results lead to the quantitative estimation of the surface magnetic properties of thin films on organic substrates. Also, the magneto-optic constants are estimated for ferromagnetic thin films on organic substrates for the first time.
  • Ultra-high cleanliness of ISO class minus 2 realized by clean-unit system platform for integrating the bottom-upand top-down systems
    M. D. Rahaman, H. Kaiju, A. Ishibashi
    Dhaka Unv. J. Sci. 61 2 157 - 160 2013年 [査読有り][通常論文]
  • Recent advances in magnetic thin films on flexible organic substrates
    H. Kaiju, K. Kondo, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, A. Ishibashi
    Recent Res. Devel. Applied Phys. 2012年12月
  • Hideo Kaiju, Kenji Kondo, Nubla Basheer, Nobuyoshi Kawaguchi, Susanne White, Akihiko Hirata, Manabu Ishimaru, Yoshihiko Hirotsu, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 6 065202-1 - 065202-8 2012年06月 [査読無し][通常論文]
     
    Metal/organic-molecule/metal nanoscale junctions, which consist of poly(3-hexylthiophene):6,6-phenyl C61-butyric acid methyl ester (P3HT:PCBM) organic molecules sandwiched between two Ni thin films whose edges are crossed, which are called quantum cross (QC) devices, have been fabricated and their structural and electrical properties have been investigated. The area of the crossed section, which was obtained without using electron-beam or optical lithography, can be as small as 16 x 16 nm(2). We have obtained ohmic current-voltage characteristics, which show quantitative agreement with the theoretical calculation results performed within the framework of the Anderson model under the strong coupling limit. Calculation results also predict that a high on-off ratio beyond 100000 : 1 can be obtained in Ni/P3HT:PCBM/Ni QC devices under the weak coupling condition. These results indicate that our method utilizing thin-film edges is useful for creating nanoscale junctions and Ni/P3HT:PCBM/Ni QC devices can be expected to have potential application in next-generation switching devices with high on-off ratios. (c) 2012 The Japan Society of Applied Physics
  • Hideo Kaiju, Taro Abe, Kenji Kondo, Akira Ishibashi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 111 7 07C104-1 - 07C104-3 2012年04月 [査読有り][通常論文]
     
    We have studied the surface morphologies and magnetic properties of Fe and Co thin films evaporated on polyethylene naphthalate (PEN) organic substrates toward the fabrication of spin quantum cross devices. As a result, the surface roughnesses of Co (6.1 nm)/PEN and Co (12 nm)/PEN are as small as 0.1 and 0.09 nm, respectively, corresponding to less than one atomic layer, in the same scanning scale as the thickness. As for the magnetic properties, the coercive force of the Co/PEN shows the constant value of 2 kA/m upon decreasing the Co thickness from 35 to 10 nm, and it increases up to 7 kA/m upon decreasing the Co thickness from 10 to 5 nm. It decreases when the Co thickness is less than 5 nm. These results can be explained by the competition between the shape magnetic anisotropy and the induced magnetic anisotropy. (C) 2012 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3670609]
  • 技工室の作業環境を向上させるクリーンルームシステムの提案〜歯科技工士の塵肺症罹患の潜在的リスクの解消のために
    中谷 公一, 大澤 孝, 佐藤 嘉晃, 石橋 晃, 大畑 昇
    歯科技工 40 8 956 - 960 2012年 [査読有り][通常論文]
  • 海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    J. Vac. Soc. Jpn. 55 4 187 - 190 The Vacuum Society of Japan 2012年 [査読有り][通常論文]
     
    We have investigated surface roughnesses and magnetic properties of Co ferromagnetic thin films evaporated on polyethylene naphtalate (PEN) organic substrates. As a result, the surface roughness decreases from 1.3 to 0.55 nm with increasing the Co thickness up to 55 nm, where a two-step smoothing phenomenon can be seen. As for magnetic properties, the coercive force and the squareness of the hysteresis loop show the maximum values at a Co thickness of 5.3 nm. This experimental result can be explained by the competition between the shape magnetic anisotropy and the induced magnetic anisotropy of Co ferromagnetic thin films.
  • Lithography-Free Nanostructure Fabrication Techniques Utilizing Thin-Film Edges
    H. Kaiju, K. Kondo, A. Ishibashi
    Recent Advances in Nanofabrication Techniques and Applications 569 - 590 2011年12月 [査読有り]
  • Hideo Kaiju, Nubla Basheer, Taro Abe, Kenji Kondo, Akihiko Hirata, Manabu Ishimaru, Yoshihiko Hirotsu, Akira Ishibashi
    Journal of the Vacuum Society of Japan 54 3 203 - 206 2011年 [査読無し][通常論文]
     
    We have investigated structural and magnetic properties of Ni and Ni 75Fe25 thin films evaporated on polyethylene naphtalate (PEN) organic substrates, which can be expected as electrodes of our proposed nanoscale junctions utilizing thin-film edges. As a result, there is no diffusion of Ni and Fe atoms into PEN substrates, resulting in clear and smooth formation of the interface. The surface roughness is also as small as 0.28-0.37 nm in the same scanning scale as the film thickness. As for the magnetic properties, the squareness of the hysteresis loop is as small as 0.24 for Ni/PEN, where there is no observation of the anisotropy magnetoresistance (AMR) effect. In contrast, the squareness of the hysteresis loop is as large as 0.95 for Ni75Fe25/PEN, where the AMR effect has been successfully obtained. These experimental results indicate that Ni 75Fe25/PEN is a promising material for use in electrodes of nanoscale junctions from the viewpoint of structural and magnetic properties.
  • K. Kondo, H. Kaiju, A. Ishibashi
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1314 ll0836-1 - ll0836-6 Cambridge University Press 2011年 [査読有り][通常論文]
     
    Recently, we have proposed a spin quantum cross structure (SQCS) device toward the realization of novel spintronics devices. In this paper, we have investigated thermoelectric effects in point contacts (PCs) of Ni ferromagnetic metals using SQCS devices, theoretically and experimentally. The calculated results show that the thermoelectric voltage Vq changes from 0.48 mV to 2.12 mV with the temperature difference of PCs increasing from 10 K to 50 K. Also, the magnitude of the theoretical thermoelectric voltage agrees very well with that of the experimental result. PCs of SQCS devices with Ni electrodes can serve as spin dependent thermobatteries.
  • Hideo Kaiju, Nubla Basheer, Kenji Kondo, Akira Ishibashi
    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 46 6 1356 - 1359 2010年06月 [査読有り][通常論文]
     
    We have studied structural, electrical, and magnetic properties of Ni and Ni78Fe22 thin films evaporated on polyethylene naphtalate (PEN) organic substrates towards the fabrication of spin quantum cross (SQC) devices. As we have investigated the scaling properties on the surface roughness, the surface roughness of Ni (16 nm)/PEN is 0.34 nm, corresponding to 2 or 3 atomic layers, in the scanning scale of 16 nm, and the surface roughness of Ni78Fe22 (14 nm)/PEN is also as small as 0.25 nm, corresponding to less than 2 atomic layers, in the scanning scale of 14 nm. These facts denote that Ni/PEN and Ni78Fe22/PEN are suitable for magnetic electrodes on organic substrates used for SQC devices from the viewpoint of the surface morphology. Then, we have investigated magnetic hysteresis curve and magnetoresistance effects for Ni/PEN and Ni78Fe22/PEN. The squareness of the hysteresis loop is as small as 0.24 for Ni (25 nm)/PEN, where there is no observation of the anisotropy magnetoresistance (AMR) effect. In contrast, the squareness of the hysteresis loop is as large as 0.86 for Ni78Fe22 (26 nm)/PEN, where the AMR effect has been successfully obtained. These experimental results indicate that Ni78Fe22/PEN is a promising material for use in SQC devices from the viewpoint of not only the surface morphologies but also magnetic properties.
  • Hideo Kaiju, Kenji Kondo, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 10 105203-1 - 105203-5 2010年 [査読無し][通常論文]
     
    We have derived a formula for current density-voltage (J-V) characteristics in nanoscale tunnel junctions, consisting of thin insulating barriers sandwiched between two thin metal films whose edges are crossing. As a result of the calculation of J-V characteristics, the current density decreases with decreasing the metal thickness below 30-40nm due to the quantization of the out-of-plane direction in the metal films. Moreover, as a result of the fabrication of Ni/NiO/Ni nanoscale tunnel junctions with a junction area of 24 x 24 nm(2), we have found that experimental J-V characteristics show a good fit to calculation results with a barrier height of 0.8 eV and a barrier thickness of 0.63 nm. These results indicate that the derived formula is useful for the evaluation of the barrier height and the barrier thickness and our fabrication method can be expected as a new technique for the creation of nanoscale tunnel junctions. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics
  • A Theoretical Study and Realization of New Spin Quantum Cross Structure Devices using Organic Materials
    K. Kondo, H. Kaiju, A. Ishibashi
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1198 E07011 - E07016 2010年 [査読有り][通常論文]
  • Fabrication and Current-Voltage Characteristics of Ni Spin Quantum Cross Devices with P3HT:PCBM Organic Materials
    H. Kaiju, K. Kondo, N. Basheer, N. Kawaguchi, S. White, A. Hirata, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, A. Ishibashi
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1252 J02081 - J02086 2010年 [査読有り][通常論文]
  • H. Kaiju, K. Kondo, A. Ono, N. Kawaguchi, J. Won, A. Hirata, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, A. Ishibashi
    Nanotechnology 21 1 015301-1 - 015301-6 IOP Publishing 2010年 [査読有り][通常論文]
     
    Quantum cross (QC) devices which consist of two Ni thin films deposited on polyethylene naphthalate (PEN) substrates with their edges crossing have been fabricated and its current-voltage characteristics have been investigated. The cross-sectional area between the two Ni electrodes, which was made without the use of electron-beam or optical lithography, is as small as 17 nm x 17 nm. We have successfully obtained ohmic current-voltage characteristics, which show good agreement with calculation results within the framework of modified Anderson model. The calculated results also predict a high switching ratio in excess of 100000:1 for QC devices having the molecule sandwiched between the Ni electrodes. This indicates that QC devices having the molecule can be expected to have potential application in novel switching devices.
  • Clean Unit System Platform (CUSP) line-up for small-footprint productions
    A.Ishibashi, S. Miyatake, Md. D. Rahaman, H. Kaiju, N. Kawaguchi, N. Basheer
    Ecodesign2009 819 - 822 2009年12月 [査読有り][通常論文]
  • H. Kaiju, K. Kondo, A. Ono, N. Kawaguchi, S. Yuan, A. Hirata, M. Ishim海住 英生, 近藤 憲治, 小野 明人, 川口 敦吉, 元 鍾漢, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    J. Magn. Soc. Jpn. 33 3 242 - 246 The Magnetics Society of Japan 2009年 [査読無し][通常論文]
     
    We fabricated quantum cross (QC) devices consisting of two Ni thin-film ribbons, deposited on polyethylenenaphthalate (PEN) substrates, in an edge-to-edge configuration. The cross-sectional area between the Ni electrodes, which was made without the use of electron-beam or optical lithography, is as small as 17 nm x 17 nm. We successfully obtained ohmic current-voltage characteristics, which show good qualitative agreement with calculationresults within the framework of the modified Anderson model under a strong coupling limit. According to thecalculation results, a high switching on/off ratio beyond 10000:1 can be realized when a molecule is sandwiched between two electrodes in QC devices.
  • K. Kondo, H. Kaiju, A. Ishibashi
    J. Appl. Phys. 105 7 07D5221 - 07D5223 American Institute of Physics 2009年 [査読有り][通常論文]
     
    Recently, we have proposed quantum cross structure (QCS) devices that consist of two metalthin films deposited on organic films with edge-to-edge configuration like crossed fins for switching devices. In this paper, we propose a spin quantum cross structure (SQCS) device, which is a QCS device consisting of two magnetic thin films. We show theoretical and experimental results of electronic transport characteristics regarding SQCS devices. The calculation of the I-Vcharacteristics has been performed for the SQCS devices with the Nimagnetic thin films for both the electrodes within the framework of the Anderson model. Then, we fabricated a SQCS device with the Nimagnetic thin films and measured the I-Vcharacteristics by a four-terminal method. Also, the calculation of the magnetoresistance ratio has been done as a function of renormalized transfer matrices including magnetostriction effects and the other effects phenomenologically.
  • Ni thin films vacuum-evaporated on polyethylene naphthalate substrates with and without the application of magnetic field
    H. Kaiju, A. Ono, N. Kawaguchi, K. Kondo, A. Ishibashi, J. H. Won, A. Hirata, M. Ishimaru, Y. Hirotsu
    Applied Surface Science 225 3706 - 3712 2009年01月 [査読無し][通常論文]
  • Spiral-heterostructure-based new high-efficiency solar cells
    Ishibashi, A, Kawaguchi, N, Kondo, K, Kaiju, H, White, S
    Ecodesign2009 55 - 57 2009年 [査読有り][通常論文]
  • Md Dalilur Rahaman, Hideo Kaiju, Nobuyoshi Kawaguchi, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 7 5712 - 5716 2008年07月 [査読有り][通常論文]
     
    A clean environment ISO class minus 1 free of particular contaminationis realized in clean-unit system platform (CUSP), made of airtight multiply-connected clean-box unit with an air feedback loop, by stepwise reducing particles coming out from the high efficiency particulate air (HEPA) filter and a number of particles coming out through the filter of the particle counter due to the imperfect air filtration. The particles coming out from the HEPA filter to the CUSP environment are minimized by connecting the ultra low penetration air (ULPA) filter just after the HEPA filter. By decoupling the particle counter from the advanced CUSP unit, the contribution of the particle counter for deteriorating the cleanliness is significantly reduced. Experimental results from a double use of HEPA and ULPA filters and the separation of particle counter from the advanced CUSP unit, demonstrate the ultra-high cleanliness of ISO class minus 1, which would be the key factor for increasing the product yield and reliability in the burgeoning cross-disciplinary research.
  • Hideo Kaiju, Akito Ono, Nobuyoshi Kawaguchi, Kenji Kondo, Akira Ishibashi
    NANOSCALE PHENOMENA IN FUNCTIONAL MATERIALS BY SCANNING PROBE MICROSCOPY 1025 103 B07011 - B07016 2008年 [査読無し][通常論文]
     
    We have studied Au thin films evaporated on polyethylene naphtalate (PEN) organic substrates as a function of Au thickness < similar to 20 nm and discussed its feasibility toward metal/insulator hybrid materials used for quantum cross devices using atomic force microscope. The Au grain size increases from 28.0 +/- 4.6 nm to 48.5 +/- 11.4 nm with increasing the Au thickness from 6.9 to 20.8 nm and it denotes that the Au grain size is larger than its Au-thickness size, respectively. The surface roughness of Au films of sub-15-nm thickness, in the scanning scale of the Au-thickness size, is less than 0.9 nm, corresponding to 4-5 atomic layers. These experimental results indicate that Au thin films on PEN substrates are suitable for possible metal/insulator hybrid materials to be used in quantum cross devices.
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)による極限高清浄度ISOクラスー1(マイナス1)の実現
    石橋 晃
    クリーンテクノロジー 18 5 63 - 67 2008年 [査読有り][通常論文]
  • H. Kaiju, A. Ono, N. Kawaguchi, A. Ishibashi
    Jpn. J. Appl. Phys. 47 1 Issue 1 244 - 248 Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics 2008年 [査読有り][通常論文]
     
    The surface morphology of gold thin films deposited on poly(ethylene naphtalate) (PEN) organic films has been investigated for quantum cross devices. The surface roughness of gold thin films on the PEN films is 1.5–1.9 nm and the appearance of mound structures is observed. The mound grain sizes are $28.0\pm 4.6$ nm for 5-nm-thick gold films and $45.8\pm 5.8$ nm for 10-nm-thick gold films. From the result of the scaling investigation of the surface roughness, the surface roughness of 5-nm-thick gold films is 0.22 nm, corresponding to one atomic size, in the scanning scale of 5 nm. These experimental results indicate that gold thin films on PEN films are suitable for use in quantum cross devices, and may open up a novel research field on the electric characteristics of quantum cross devices using a few atoms or molecules leading to high-density memories.
  • H. Kaiju, A. Ono, N. Kawaguchi, A. Ishibashi
    J. Appl. Phys. 103 07B5231 - 07B5233 2008年 [査読有り][通常論文]
  • H. Kaiju, A. Ono, A. Ishibashi
    J. Vac. Soc. Jpn. 51 3 211 - 213 The Vacuum Society of Japan 2008年 [査読有り][通常論文]
     
    We investigated surface morphologies of Ni thin films evaporated on polyethylene naphtalate (PEN) organic substrates for the fabrication of spin quantum cross structures and discussed its feasibility toward ferromagnetic nanojunctions from a viewpoint of the Ni grain size and the Ni surface roughness. The grain size for Ni films of sub-10-nm thickness is ~30 nm, which is larger than the Ni thickness, and the surface roughness, in the scanning scale of the film thickness, is less than 0.25 nm, corresponding to one-atomic-layer thickness. These experimental results indicate that spin quantum cross structures which consist of Ni thin films on PEN substrates can be expected as a candidate of ferromagnetic nanojunctions, which may lead to large magnetoresistance effect.
  • Theoretical Investigation of New Quantum-Cross-Structure Device as a Candidate beyond CMOS
    Kenji Kondo, Hideo Kaiju, Akira Ishibashi
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1067 B03011 - B03016 2008年 [査読有り][通常論文]
  • Md. D. Rahaman, K. Gomita, N. Kawaguchi, H. Kaiju, K. Kondo, A. Ishibashi
    ELECTRONICS LETTERS 43 24 1356 - 1357 2007年11月 [査読有り][通常論文]
     
    As a platform for nano-science and technology, cleanliness in a compact and local clean environment, i.e. a portable clean-unit-box (CUP), is reported for establishing a large-scale network of an ultra-high clean environment platform towards cross-disciplinary research. Analyses of experimental results indicate that the CUP has cleanliness of ISO class similar to 2, which is one order of magnitude better than the conventional wafer transportation cleanbox.
  • Quantum-Cross Tunneling Junction for High Density Memory
    H. Kaiju, K. Kondo, A. Ishibashi
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 961 O5.5.1 - O5.5.6 2007年 [査読有り][通常論文]
  • Kenji Kondo, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 12 9137 - 9139 2006年12月 [査読有り][通常論文]
     
    A quantum cross system consisting of the edge-to-edge configuration of two-dimensional (2D) conductors is expected to serve as an ideal platform for molecular electronic devices. As the first step, we have calculated the electron energy spectrum of 2D electron gas at a GaAs/AlGaAs heterointerface as a candidate for the 2D conductor in the quantum cross, taking into consideration the electron correlation for the 2D electron system. As a result, we have confirmed that a plasmaron can exist stably. This means that we will observe the broadening of the conductance peak due to the scattering induced by plasmons when we measure the current-voltage characteristics of the quantum cross device.
  • Nobuyoshi Kawaguchi, Dalilur Rahaman, Hideo Kaiju, Akira Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 8A 6481 - 6483 2006年08月 [査読無し][通常論文]
     
    The time dependence of airborne particle count in connected clean units with a feedback loop in a clean-unit system platform (CUSP) is studied. We have estimated the mutual conductance of air flow in connected CUSP units, and the conductance is confirmed to be irrespective of the sizes of airborne particles. The connected CUSP units can maintain a cleanliness as good as ISO class 1-2 even when they are set in a typical office room. The emission rate of physically adsorbed particles from the inner walls of our CUSP unit is found to be 0.012 m(-2) s(-1) for particles with diameters of 0.3 mu m. The airborne particle count in a deactivated CUSP unit, under the condition that the neighboring CUSP unit is activated, remains only similar to 5 times larger than that in the activated CUSP units even for particles with diameters of 0.1 mu m. The CUSP can serve as a platform for cross-disciplinary fields such as nanostructure physics as well as nanobiotechnologies.
  • ナノテク時代のキルビー特許を目指して
    石橋 晃
    研究開発リーダー 2 4 58 - 66 2006年 [査読有り][通常論文]
  • H Kaiju, N Kawaguchi, A Ishibashi
    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 76 8 85111 - 85113 2005年08月 [査読無し][通常論文]
     
    Cleanliness of a clean-unit system platform consisting of multiply connectable clean boxes with feedback loop is studied and the time dependence of particle count is clarified experimentally and theoretically in order to achieve highly clean environment. Based on this analysis, we have demonstrated airborne particle counts as low as 5 particles/ft(3) for the diameter of 0.1 mu m, 0.6 particles for 0.2 mu m, and 0.01 particles for 0.5 mu m by a reduction of particle density coming out from the in-wall in the system. The clean-unit system with feedback loop can serve as a platform for cross-disciplinary experiments and production for fields such as nanotechnologies and biotechnologies. (c) 2005 American Institute of Physics.
  • A Ishibashi, H Kaiju, Y Yamagata, N Kawaguchi
    ELECTRONICS LETTERS 41 13 735 - 736 2005年06月 [査読有り][通常論文]
     
    Analysis of achieving a clean environment in a connected box-units system is performed. By feedback of outlet air into the inlet of the box-unit, the steady-state airborne-particle-count in the system becomes independent of the ambient particle count and depends little on the particle-arrest efficiency of the filter. It is demonstrated that ISO 3 (209D Class 1) cleanliness in an inexpensive compact manner with the versatile extensive connected box-units system can be realised, no matter how dusty the ambient.
  • A Ishibashi, K Kondo
    ELECTRONICS LETTERS 40 20 1268 - 1269 2004年09月 [査読有り][通常論文]
     
    By controlling the location of staking faults and adjusting the amount of electron-hole injection in pn-junction, structural connection between a bottom-up structure of dislocations and a top-down structure of diodes can be made in a controlled manner. The possibility of uniting bottom-up structures with top-down system is demonstrate.
  • O Schulz, M Strassburg, T Rissom, S Rodt, L Reissmann, UW Pohl, D Bimberg, M Klude, D Hommel, S Itoh, K Nakano, A Ishibashi
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 229 2 943 - 948 2002年01月 [査読無し][通常論文]
     
    An output power of 1.55 W, the highest ever reported, at 20 degreesC has been achieved for a ZnCdSSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure laser diode under short-pulsed operation. A differential quantum efficiency of 28% and a maximum conversion efficiency of 1.5% were obtained. The output power was limited by catastrophic optical damage (COD) of the facets, as proved by atomic force microscopy (AFM).
  • M Ukita, A Ishibashi
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 37 7 919 - 922 2001年07月 [査読無し][通常論文]
     
    We propose a simple and powerful criterion for defining continuous-wave (CW) operation of laser diodes. Our criterion is represented by a quasi-triangular region in the plain spanned by dimensionless parameters alpha and beta, These parameters, deduced from the characteristics of the laser diode operating under pulsed current injection, represent the effects of the turn-on voltage and the series resistance on the increase in the CW threshold. We demonstrate the validity of our criterion using blue-green lasers made from II-VI semiconductors as examples.
  • M Strassburg, O Schulz, UW Pohl, D Bimberg, S Itoh, K Nakano, A Ishibashi, M Klude, D Hommel
    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 7 2 371 - 375 2001年03月 [査読無し][通常論文]
     
    New concepts to improve the performance of green-emitting laser diodes, based on the ZnSe system, are presented. The benefits of implantation-induced disordering (IID) and a novel alloyed contact structure are discussed. Using IID, index-guided lasers with low thresholds are fabricated. The introduction of Li3N-containing contacts leads to an acceptor indiffusion resulting in an increased p-type doping level and thereby extremely reduced turn-on voltages, threshold current densities, increased wall-plug efficiencies, and extended continuous-wave lifetimes.
  • R Ugajin, A Ishibashi, S Hirata, C Ishimoto, Y Mori
    PHYSICS LETTERS A 275 5-6 467 - 472 2000年10月 [査読有り][通常論文]
     
    We investigated ferromagnetic transition in a multiply-twisted helix, in which a helical chain of components is twisted, producing a doubly-twisted helix, which if itself is twisted produces a triply-twisted helix, and so on, in which there are couplings between adjacent rounds of helices. The critical temperature of the ferromagnetic transition is controlled by adjusting the number of components in a round of helices, i.e. N, as is suggested by the results of our numerical experiments based on the standard Monte Carlo simulation. As N increases, the magnetization curve develops a shoulder below the critical temperature. This is caused by the hierarchical structure of our multiply-twisted helix, just as a structure possessing ultrametric topology. (C) 2000 Published by Elsevier Science B.V.
  • O Schulz, M Strassburg, UW Pohl, D Bimberg, S Itoh, K Nakano, A Ishibashi, M Klude, D Hommel
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 180 1 213 - 216 2000年07月 [査読有り][通常論文]
     
    Implantation-induced disordering is applied to define lateral waveguides in ZnCdSe and ZnCdSSe single quantum well lasers. Due to the intermixing-induced lateral difference of the refractive index, the optical and electrical characteristics of the laser diodes (LDs) are significantly improved. A reduction of the threshold current density from 276 to 96 A/cm(2) for ZnCdSe LDs and from 447 to 153 A/cm(2) for ZnCdSSe LDs was achieved.
  • M Adachi, ZM Aung, K Minami, K Koizumi, M Watanabe, S Kawamoto, T Yamaguchi, H Kasada, T Abe, K Ando, K Nakano, A Ishibashi, S Itoh
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 1035 - 1039 2000年06月 [査読有り][通常論文]
     
    We have studied the microdefect induced degradation mode in long-lifetime blue-green laser diodes (LDs) and light emitting diodes (LEDs) based on II-VI wide bandgap semiconductors. Microscopic deep defect centers in the LDs and LEDs are detected using mainly DLTS technique, coupled with ICTS methods. It is evidenced that a slow-mode degradation, commonly observed in dislocation-free LD devices, is caused by the generation and enhancement of microscopic deep centers during the device aging process. One possible degradation mechanism with a "carrier removal effect" is presented. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • S Tomiya, H Okuyama, A Ishibashi
    APPLIED SURFACE SCIENCE 159 243 - 249 2000年06月 [査読有り][通常論文]
     
    We investigated the relation between interface morphology and recombination-enhanced defect reaction (REDR) phenomena in LI-VI light emitting devices (LEDs) using electroluminescence (EL), atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). REDR phenomena are observed as nucleation and growth of dark-area defects (DADs) in the EL images. The growth direction of DADs depends on the II/VI ratio, which affects interface morphology and the composition modulation in the alloy layers. We discuss a possible relation between the growth direction of dark defects and interface morphology and/or composition modulation. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • S Itoh, K Nakano, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 1029 - 1034 2000年06月 [査読有り][通常論文]
     
    Device lifetime has been improved to over 100 h by reducing dark-spot density (DSD) to less than 3 x 10(3) cm(-2). The lifetime of II-VI laser diodes is no longer limited by a rapid degradation but by gradual degradation due to microscopic point defects. Lifetime has been significantly improved up to similar to 500 h at 20 degrees C under CW operation with LDs grown in Se-rich conditions for the active layer. If we know the growth-condition dependence of degradation behaviors, it may be possible to improve the reliability of ZnSe-based LDs, ZnSe-based LDs are bring developed for applications such as display systems and printing systems utilizing their purr green emission, (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • R Ugajin, M Ohnishi, S Hirata, A Ishibashi, Y Kuroki, C Ishimoto
    APPLIED PHYSICS LETTERS 76 12 1624 - 1626 2000年03月 [査読有り][通常論文]
     
    We extended the dielectric breakdown model in order to generate networks of interacting objects, which are considered as coupled-fractal networks. In the proposed model, each object grows to be a random fractal if isolated, but connects with others if glued. The model is constructed based on a growth hypothesis in which the growth rate of each object is a product of the probability of receiving source materials from faraway and the probability of receiving adhesives from other grown objects. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)02312-3].
  • Satoshi Itoh, Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    Journal of Crystal Growth 214 1029 - 1034 2000年 [査読有り][通常論文]
     
    Device lifetime has been improved to over 100 h by reducing dark-spot density (DSD) to less than 3 × 103 cm-2. The lifetime of II-VI laser diodes is no longer limited by a rapid degradation but by gradual degradation due to microscopic point defects. Lifetime has been significantly improved up to approx. 500 h at 20°C under CW operation with LDs grown in Se-rich conditions for the active layer. If we know the growth-condition dependence of degradation behaviors, it may be possible to improve the reliability of ZnSe-based LDs. ZnSe-based LDs are being developed for applications such as display systems and printing systems utilizing their pure green emission.
  • M Strassburg, O Schulz, UW Pohl, D Bimberg, S Itoh, K Nakano, A Ishibashi
    ELECTRONICS LETTERS 36 1 44 - 45 2000年01月 [査読有り][通常論文]
     
    Implantation-induced disordering is applied to define laterally structured waveguiding in ZnCdSe single quantum well lasers. Owing to the intermixing-induced lateral step of the refractive index the emission characteristics are significantly improved. A reduction in the threshold current density from 276 to 96A/cm(2) is achieved.
  • M Strassburg, O Schulz, UW Pohl, D Bimberg, M Klude, D Hommel, S Itoh, K Nakano, A Ishibashi
    2000 IEEE 17TH INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, CONFERENCE DIGEST 105 - 106 2000年 [査読有り][通常論文]
  • S Tomiya, S Kijima, H Okuyama, H Tsukamoto, T Hino, S Taniguchi, H Noguchi, E Kato, A Ishibashi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 86 7 3616 - 3623 1999年10月 [査読有り][通常論文]
     
    The microstructure of ZnSe/ZnTe multiple quantum well-based pseudo-ohmic contacts to p-ZnSe was investigated using transmission electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy. In the case of samples consisting of five ZnSe/ZnTe multiple quantum wells, both pure edge Lomer dislocations and 60 degrees dislocations were identified at the interface between the ZnSe/ZnTe multiple quantum wells and the ZnTe overlayer, along with partial dislocations bounding stacking faults. The dominant dislocations at the interface are Lomer dislocations. In the case of samples grown under group II-rich conditions, the interface exhibits corrugations. At the top and bottom of the corrugations, the Lomer dislocations are dominant and in the slope of the corrugations, 60 degrees dislocations are dominant. In the case of samples grown using migration-enhanced epitaxy, V-shaped defects consisting of three dislocations associated with two stacking faults are formed. The total Burgers vector of the V-shaped defects is a < 100 >. The increasing total thickness and the number of ZnSe/ZnTe multiple quantum wells leads tend to make the dominant defects dissociated 60 degrees dislocations. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021-8979(99)00919-6].
  • C Jordan, EM McCabe, JF Donegan, K Nakano, A Ishibashi, S Itoh
    ELECTRONICS LETTERS 35 15 1281 - 1283 1999年07月 [査読有り][通常論文]
     
    Under high carrier and optical excitation (10(19)cm(-3)), II-VI and As,P-based III-V light-emitting structures exhibit a slow degradation due to recombination-enhanced defect reactions. The authors have found, using II-VI laser structures, that this degradation can be partially recovered with optical excitation at low carrier densities (5 x 10(16)cm(-3)).
  • C Jordan, JF Donegan, J Hegarty, BJ Roycroft, S Taniguchi, T Hino, E Kato, N Noguchi, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 74 22 3359 - 3361 1999年05月 [査読有り][通常論文]
     
    Photoluminescence lifetimes have been measured at room temperature as a function of carrier density in ZnCdSe/ZnSSe quantum wells. We show that, at low carrier density (5X10(9)-5X10(10) cm(-2)), nonradiative recombination dominates, while radiative recombination becomes more dominant as the carrier density is increased from 5X10(10) to 5X10(11) cm(-2). Above similar to 5 5X10(11) cm(-2), band filling effects are shown to produce a saturation of the lifetimes. A simple rate equation model approach can be used to describe the carrier density dependence of the photoluminescence decay data obtained on a wide range of samples. A representative band-to-band recombination coefficient of 8X10(-4) cm(2) s(-1) and a Shockley-Read-Hall rate of 7.3X10(7) s(-1) were determined for one of the better samples studied. We believe that the excellent quality of our samples has allowed for the radiative recombination coefficient to be characterized accurately at room temperature. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0003-6951(99)03622-0].
  • S Tomiya, H Noguchi, Y Sanaka, T Hino, S Taniguchi, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 74 13 1824 - 1826 1999年03月 [査読有り][通常論文]
     
    The defect structure of optically degraded ZnCdSe quantum wells was investigated using transmission electron microscopy. The defects were composed of the dislocation dipoles with a Burgers vector of b= -(a/2) [101] inclined at 45 degrees to the (001) plane. The dislocation dipoles consist of two segments aligned along the [1 (1) over bar 0] direction and the [120] direction. The [1 (1) over bar 0] dipole segments lying in the (11 (1) over bar) plane were developed by the recombination-enhanced dislocation glide process, while the [(1) over bar (2) over bar 0] dipole segments lying in the ((2) over bar 11) plane were developed by the recombination-enhanced dislocation climb process. Both processes operate simultaneously. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0003-6951(99)05013-5].
  • H Okuyama, S Kijima, Y Sanaka, A Ishibashi
    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998 162 705 - 710 1999年 [査読有り][通常論文]
     
    The sticking coefficient of the elements in the ZnSe, ZnMgSSe and ZnCdSe compounds was directly measured using a mass spectrometer at the cell port of MBE. When ZnSe was grown with c(2x2) and (2x1) at the growth temperature (T-g) of 280degreesC the sticking coefficients of Zn and Se were 0.55 and 0.75, respectively. We obtained the sensitivity of the Bayard-Alpert (BA) gauge from the measurement of the sticking coefficient of Zn, Cd, and Se using a mass spectrometer. The mole fraction of Cd and the growth rate of ZnCdSe at T-g=280degreesC were calculated based on our proposed growth mechanism, which is modified to include high-vapor-pressure elements.
  • EM McCabe, C Jordan, DT Fewer, JF Donegan, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi, P Uusimaa, M Pessa
    THREE-DIMENSIONAL AND MULTIDIMENSIONAL MICROSCOPY: IMAGE ACQUISITION AND PROCESSING VI, PROCEEDINGS OF 3605 65 - 72 1999年 [査読有り][通常論文]
     
    Confocal photoluminescence imaging is an important tool in the investigation of recombination in semiconductors and in the characterisation of material growth. This characterisation is particularly important for II-VI wide band-gap semiconductors where the potential for blue-green lasers is being explored currently. To achieve room-temperature cw operation of these lasers over the multi-thousand hours necessary for commercialisation, extremely low defect densities are required. The confocal microscope is used in this work to image photoluminescence from II-VI materials to characterise the defect formation and propagation within the quantum well region of the material. This imaging approach permits the degradation to be monitored in real time and over a large area in samples with low defect densities. The additional advantages of this set-up over a conventional microscope are, of course, the higher lateral resolution and narrow depth of field associated with a confocal microscope. While considerable effort has been focused on the degradation in these II-VI semiconductors, we have recently observed that annealing can occur simultaneously in the same sample when the material is exposed to intense optical excitation. Images of annealing and degradation of a range of II-VI samples will be presented to highlight these observations.
  • A Ishibashi
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES VII 3625 19 - 30 1999年 [査読有り][通常論文]
     
    Mg incorporation has opened up a new window in the study of II-VI compounds. ZnMgSSe-based systems, being almost as good as established III-V LDs in terms of device characteristics, will play a central role in many applications, such as displays, communication systems with polymer optical fibers, and medical use. Direct defect-generation from the lattice itself by photons and/or electron-hole non-radiative recombinations being absent, a ZnMgSSe-based LD, now with a lifetime of more than 400 hours, degrades only,gradually in a diffusion process, which in turn leads to a diffusion-limited aggregation pattern of the dislocation network. The ZnMgSSe-based LD is of interest as a unique system in which two types of critical phenomena co-exist, i.e., phase transition between lasing/non-lasing operation, and the self-organized criticality in defect growth. The degradation of II-VI LDs should be reconsidered in a positive sense in terms of physics of complexity.
  • JF Donegan, C Jordan, G Laird, S Taniguchi, T Hino, E Kato, N Noguchi, A Ishibashi
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES VII 3625 41 - 48 1999年 [査読有り][通常論文]
     
    The carrier recombination dynamics in doped and undoped ZnCdSe quantum well structures are presented using time-resolved photoluminescence spectroscopy. Measurements were performed at room temperature as a function of excitation intensity upto lasing densities of 10(19) cm(-3). A simple rate equation model enabled us to determine the relative contributions from the radiative and non-radiative recombination mechanisms to the photoluminescence lifetime. This model showed good agreement with results obtained for undoped structures. In contrast, the interpretation of results obtained for pn doped laser structures was found to be more difficult due to the presence of carrier trapping at defects. A model developed to take account of carrier trapping gives a good fit to the lifetimes for the doped structures.
  • Y. Sanaka, H. Okuyama, S. Kijima, E. Kato, H. Noguchi, A. Ishibashi
    Electronics Letters 34 19 1891 - 1892 1998年09月17日 [査読無し][通常論文]
     
    The authors have fabricated a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separated confinement heterostructure (SCH) laser diode (LD) with a 3nm ZnTe:N contact layer/ZnSe:N/ZnTe:N superlattice layer (SL)/ZnSe:N cap layer with optimised [N] and a ZnCdSe active layer with VI-rich growth conditions and optimised stripe width. The LD achieved over 300h LD operation at a constant output power of 1mW at low voltage (4V).
  • A Toda, K Nakano, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 73 11 1523 - 1525 1998年09月 [査読有り][通常論文]
     
    After continuous-wave operation of ZnSe-based semiconductor laser diodes, the degradation of these devices was investigated using cathodoluminescence imaging and spectroscopy. Inside the stripe region, i.e., the carrier injection area, there were several dots in which the peak wavelength of emission from a ZnCdSe strained quantum well (QW) shifted with time to a shorter wavelength (blueshift). We consider that the blueshift is Due to Cd/Zn interdiffusion. This interdiffusion is enhanced by the electron-hole recombination process (recombination enhanced interdiffusion). Furthermore, there were dark line defects (DLDs) in the [100] direction, outside the stripe region and running away from the dots, having emission with a blueshift. The peak wavelength of emission from the QW in the DLDs shifted to a longer wavelength (redshift). We consider that the redshift is due to the relaxation of strain in the QW by existing defects, which may originate in the blueshift dots and move outside the stripe region. (C) 1998 American Institute of Physics.
  • H Okuyama, S Kijima, Y Sanaka, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 193 1-2 43 - 49 1998年09月 [査読有り][通常論文]
     
    We directly measured the sticking coefficient of the elements in ZnSe and ZnCdSe compounds using the mass spectrometer at the cell port of MBE. The measured values are the same as obtained indirectly. When ZnSe was grown with c(2 x 2) and (2 x 1) at the growth temperature of 280 degrees C, the sticking coefficients k(Zn) and k(Se) were 0.55 and 0.75, respectively. The growth rate of ZnSe can be expressed in terms of our proposed growth mechanism. We grew several ZnCdSe layers 1-1.5 mu m thick on GaAs using various Se flux intensities. We obtained the sensitivity of Zn, Cd and Se of the Bayard Alpert gauge from the measurement of the sticking coefficient using a mass spectrometer. The mole fraction of Cd and the growth rate of ZnCdSe at the growth temperature of 280 degrees C were obtained using a calculation based on our proposed growth mechanism, which is modified to include high-vapor-pressure elements. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • S Kijima, H Okuyama, Y Sanaka, T Kobayashi, S Tomiya, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 73 2 235 - 237 1998年07月 [査読有り][通常論文]
     
    We have established the basic stability of ZnSe:N/ZnTe:N superlattice (SL) contact needed for 1000 h of operation. We have fabricated ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separated confinement heterostructure laser diodes with the ZnTe:N contact layer/ZnSe:N/ZnTe:N SL/ZnSe:N cap layer to achieve a low voltage (<5 V) at 500 A cm(-2) constant current for 1000 h (electrode test) by the reduction of the thickness of the ZnTe:N contact layer and by the optimization of the N concentration in the ZnSe:N cap layer. We found that, when the thickness of the ZnTe:N contact layer becomes 4 nm, the reduction of N-A-N-D in the ZnSe:N cap layer is prevented, and the defect density in the vicinity of the ZnSe:N/ZnTe:N SL is reduced. It is assumed that the reduction of N-A-N-D in ZnSe:N is caused by the stress in the ZnSe:N cap layer induced by a large lattice mismatch between ZnTe and ZnSe. We confirmed that the reduction of stress in the ZnSe:N layer and the reduction of the structural defect density were achieved by the reduction of the thickness of ZnTe to 4 nm. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0003-6951 (98)03628-6].
  • K Nakano, A Ishibashi
    ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 81 6 27 - 34 1998年06月 [査読有り][通常論文]
     
    Static characteristics such as the threshold current density and optical output of the II-VI family laser diodes, promising as a light source for high-density optical disk systems, have reached levels comparable to those of the III-V family laser diodes. Improvement of device lifetime is the important subject for practical devices. By means of an analysis of degradation and optimization of the growth method, the rapid degradation mode caused by stacking faults seen in the early devices can now be avoided. At present, due to the rather slow degradation mode related to point defects, the life is extended to 100-h operation at room temperature. A defect model based on the recombination-enhanced defect reaction is proposed. It is shown that the two degradation modes presently observed can be described well by this model. Further, it is made clear that no catastrophic degradation mode occurs under high injection conditions of up to 1.3 kA/cm(2) in the II-VI devices and that there is no fatal instability inherent in the material in practice. (C) 1998 Scripta Technica, Electron Comm Jpn Pt 2, 81(6): 27-34, 1998.
  • SL Chuang, N Nakayama, A Ishibashi, S Taniguchi, K Nakano
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 34 5 851 - 857 1998年05月 [査読有り][通常論文]
     
    Theory and experiment of the degradation of II-VI blue-green laser diodes using quantum-well (QW) structures are presented. We develop the fundamental equations for the operation current of laser diodes as a function of aging time under the constant optical power aging condition. We show experimental results for the increase of the operation current as a function of aging time and its dependence on the ambient temperature. We find that the increase of the threshold current and the operation current under constant optical output power aging condition is caused by the increase of the nonradiative recombination current due to the increase of the defect density. The generation of the defect density follows a kinetic mechanism caused by an electron-hole recombination enhancement. Thermal effects also accelerate the degradation of the laser diodes. Our theory agrees very well with the experiment.
  • FP Logue, P Rees, JF Heffernan, C Jordan, JF Donegan, J Hegarty, F Hiei, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS 15 4 1295 - 1304 1998年04月 [査読有り][通常論文]
     
    We have investigated the mechanism of stimulated emission in ZnCdSe-ZnSSe quantum wells through optically pumped measurements of the gain spectrum in a variety of structures from 270 to 77 K. We also calculated the optical gain, using a model that includes many-body effects, and found excellent agreement between the calculated gain line shapes and our measurements. Under the conditions studied, which are close to those found in an operating laser diode, we conclude that the stimulated emission arises from an electron-hole plasma in our samples, even down to 77 K. Although our measurements do not rule out exciton gain mechanisms at other temperatures or operating conditions, sensitive line-shape fitting does not require them in our case. However, our line-shape analysis does show that Coulomb enhancement is significant, even at room temperature. (C) 1998 Optical Society of America.
  • E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi
    Electron. Lett. 34 3 282 - 284 1998年02月 [査読有り][通常論文]
     
    A II-VI laser diode lifetime of > 140h at 40 degrees C, as well as similar to 400h at 20 degrees C, has been achieved for a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure laser diode under continuous-wave operation with a constant output power of 1 mW. Progress has been made towards increasing the basic reliability of ZnMgSSe-based wide bandgap laser diodes by reducing point defects.
  • FP Logue, P Rees, C Jordan, JF Donegan, J Hegarty, F Hiei, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 623 - 626 1998年02月 [査読有り][通常論文]
     
    We have investigated the mechanism of stimulated emission in ZnCdSe-ZnSSe quantum wells through measurements of the optical gain spectrum between 77 and 270 K. We also calculated the optical gain using a model which included many-body effects and found excellent agreement with our measurements. Our results are inconsistent with an excitonic gain mechanism and we conclude that the stimulated emission arises from an electron-hole plasma in our samples. However, we find that the electron-hole Coulomb interaction is still significant at room temperature in II-VI heterostructures. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • C Jordan, DT Fewer, JF Donegan, FP Logue, EM McCabe, A Huynh, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 585 - 586 1998年02月 [査読有り][通常論文]
     
    We have found a non-thermal annealing effect in II-VI quantum well materials under intense optical excitation. Pumping with 1 kW/cm(2) into the barrier regions with a spot size of 20 mu m increases the local photoluminescence efficiency compared with the surrounding un-annealed material. We believe that the annealing is due to recombination enhanced defect reactions. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • H Okuyama, Y Kishita, A Ishibashi
    PHYSICAL REVIEW B 57 4 2257 - 2263 1998年01月 [査読有り][通常論文]
     
    The band-gap energy of II-VI compound semiconductors was simply calculated using a modified dielectric theory. The calculated band-gap energies of MgS and MgSe were 4.62 and 3.67 eV. From the extrapolation of the band-gap energies of Zn1-xMgxSe and Zn1-xMgxS, the band-gap energies of MgSe and MgS of zinc blende at room temperature were determined to be 3.59 and 4.45 +/- 0.2 eV, almost the same as the value calculated using the modified dielectric theory. The bowing parameter of the Zn1-xMgxSe ternary alloy was experimentally obtained as 0 eV, which can be explained in terms of the modified dielectric theory. The lattice constant of the quaternary alloy Zn1-xMgxSySe1-y can be expressed by Vegard's law [Z. Phys. 5, 17 (1921)]. The band-gap energy of Zn1-xMgxSySe1-y can be expressed by the parabolic function of the composition considering the bowing parameter, where we use of 4.65, 3.59, 3.68, and 2.69 eV as the band-gap energies of MgS, MgSe, ZnS, and ZnSe, respectively.
  • II-VI Blue-Green Laser with >400 hours lifetime
    S. Kijima, H. Okuyama, Y. Sanaka, T. Kobayashi, S. Tomiya, A. Ishibashi
    Appl. Phys. Lett. 73 235 - 237 1998年 [査読有り][通常論文]
  • C Jordan, DT Fewer, JF Donegan, EM McCabe, A Huynh, FP Logue, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 72 2 194 - 196 1998年01月 [査読有り][通常論文]
     
    Defect annealing under intense pulsed optical excitation has been observed in a II-VI laser diode structure at room temperature. More than one order of magnitude increase in photoluminescence intensity has been obtained when the annealed area is probed at low excitation intensity. High-resolution confocal photoluminescence images of the annealed region do not show any sign of degradation. Together, these results suggest that an initial density of intrinsic point defects present within the active region can be removed by the optical annealing. Recombination-enhanced defect reactions in the vicinity of the point defects are responsible for this nonthermal annealing effect. (C) 1998 American Institute of Physics.
  • An Optical Pickup using a ZnMgSSe Laser Diode for Reading High-Density Disk
    N. Eguchi, A. Ishibashi, N. Nakayama
    Trans. Inst. Electron. Inf. and Commun. J81-C-II 19 3 - 7 1998年 [査読有り][通常論文]
  • Hiroyuki Okuyama, Akira Ishibashi
    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 58 16 11054 - 11054 1998年 [査読有り][通常論文]
     
    Because there are no experimental data on (Formula presented) for (Formula presented) in our paper, we must agree with Lunz et al. [Phys. Rev. B 58, 11 053 (1998)]. The reason we do not characterize (Formula presented) for (Formula presented) is that the crystal structure is wurtzite or rocksalt, and the crystal structure of (Formula presented) for (Formula presented) grown on a GaAs substrate may not be zinc blende. The purpose of our paper is to determine the band-gap energy of (Formula presented) while avoiding the difficulty of determining the crystal structure of (Formula presented) for (Formula presented) We calculated the band-gap energy of (Formula presented) for (Formula presented) using the equations presented in our paper and this calculated value coincides with the experimental data when we consider (Formula presented) The main results reported in our paper hold even if the nonlinearity for (Formula presented) is taken into consideration. © 1998 The American Physical Society.
  • S Kijima, H Okuyama, Y Sanaka, T Kobayashi, S Tomiya, A Ishibashi
    BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II 429 - 432 1998年 [査読有り][通常論文]
     
    We have established the stabile ZnSe:N/ZnTe:N superlattice contact needed for 1000 hours of operation. We have fabricated ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separated confinement heterostructure laser diodes with ZnTe:N contact layer /ZnSe:N/ZnTe:N SL / ZnSe:N cap layer to achieve a low voltage (< 5 V) at 500 Acm(-2) constant current for 1000 hours (electrode test) by reducing the thickness of the ZnTe:N contact layer and by optimizing the N concentration in the ZnSe:N cap layer. We found that when the ZnTe:N contact layer becomes 4 nm thick, the reduction of N-A-N-D in the ZnSe:N cap layer is prevented and the defect density in the vicinity of ZnSe:N/ZnTe:N SL is reduced.
  • SL Chuang, A Ishibashi, N Nakayama, S Taniguchi, K Nakano
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES VI, PTS 1 AND 2 3283 69 - 78 1998年 [査読有り][通常論文]
     
    A unified theoretical model for the degradation of II-VI blue-green laser diodes (LDs) and light-emitting diodes (LEDs) is presented. The model is based on the recombination-enhanced defect generation. Based on this model and the corresponding rate equations for the laser diodes and LEDs, we show a general picture to explain the aging behaviors of both the optical output power of the LEDs under a constant current aging condition and the increase of the operation current of laser diodes under constant optical power operation. We found a universal curve for the optical output decay of the II-VI LEDs as a function of the aging time. The power decay is associated with the increase of defect density caused by electron-hole recombination enhancement. Our model also explains very well the increase of the operation current of laser diodes under the constant optical output aging condition.
  • K Ando, T Yamaguchi, K Koizumi, Y Okuno, T Abe, H Kasada, A Ishibashi, K Nakano, S Nakamura
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES VI, PTS 1 AND 2 3283 60 - 68 1998年 [査読有り][通常論文]
     
    Microscopic deep defect characteristics of the blue laser materials in the II-VI and III-V wide-bandgap semiconductors have been studied from the view point of the device performance and degradation. The deep defect centers, monitored by transient capacitance spectroscopy technique(DLTS), have revealed quite different properties in electrical activity, defect density and carrier injection enhanced generation of the defects for the two different wide-bandgap blue laser materials.
  • S Tomiya, R Minatoya, H Tsukamoto, S Itoh, K Nakano, E Morita, A Ishibashi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 82 6 2938 - 2943 1997年09月 [査読有り][通常論文]
     
    Surface morphological changes in ZnSe-related II-VI epitaxial films grown by molecular beam epitaxy have been investigated by atomic force microscopy and transmission electron microscopy. We found that under goup-II-rich conditions with c(2X2) surface reconstruction, the process of roughening gives rise to periodic elongated corrugations aligned in the [1 (1) over bar 0] direction, Under group-VI-rich conditions with (2X1) surface reconstruction, rounded grains form instead of corrugated structures. The surface morphology is dependent on the VI/II ratio and growth temperature, but is independent of the film strain. The observed morphological changes are mainly due to growth kinetics and are not stress driven. We propose a model to explain the changes in surface morphology under group-II-rich conditions and group-VI-rich conditions. (C) 1997 American Institute of Physics.
  • SL Chuang, A Ishibashi, S Kijima, N Nakayama, M Ukita, S Taniguchi
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 33 6 970 - 979 1997年06月 [査読有り][通常論文]
     
    We present a kinetic model for the optical output degradation of light-emitting diodes based on the carrier-recombination enhanced defect motion. Our model leads to analytical solutions and universal curves for the optical output power and the defect density as a function of the normalized aging time with the initial quantum efficiency as the determining parameter. The theoretical results explain very well the time dependence of the II-VI light-emitting diodes under constant current aging condition. The faster aging rate with increasing bias current or temperature is also investigated both experimentally and theoretically, resulting in a very good agreement. Our model provides a quantitative description of the light-emitting diode aging characteristics for compound semiconductors in the presence of electron-hole recombination-enhanced defect generation.
  • S Itoh, S Tomiya, R Imoto, A Ishibashi
    APPLIED SURFACE SCIENCE 117 719 - 724 1997年06月 [査読有り][通常論文]
     
    The density of pre-existing crystal defects such as stacking faults is reduced less than 3 X 10(3) cm(-2) when there is a GaAs buffer layer and when a GaAs layer is irradiated with Zn flux prior to ZnSe growth. This progress in controlling a GaAs/ZnSe heterointerface has made possible a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure laser diode with a lifetime of over 100 h at room temperature under CW conditions. We believe that we have entered into a stage where the operation of II-VI laser diodes is limited by recombination-enhanced defect reactions. We have observed surface roughening in ZnSe layers, as well as in ZnSSe and ZnMgSSe layers, all grown under II-rich conditions. The compositional modulation in ZnMgSSe is indicated to be caused by corrugations on the surface but not by the instability of the material.
  • H Okuyama, T Kawasumi, A Ishibashi, M Ikeda
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 175 587 - 592 1997年05月 [査読有り][通常論文]
     
    The basic model of MBE growth of ZnMgSSe at 275 degrees C is considered. The net flux intensity is expressed by the product of the flux intensity and the maximum sticking coefficient for the cracked or heated beam flux. The surface of the crystal is divided into a surface covered with group II elements (surface II) and a surface covered with group VI elements (surface VI) and the adatom density is almost the same at surface II and surface VI. The desorption of these adatoms is expressed by considering the effect of cluster such as S-2 and Se-2. The desorption from the surface is disregarded because the growth temperature is low. The experimental composition and the growth rate of ZnMgSSe agrees with the values calculated using this theory and the tendency of these properties when the c(2 x 2) pattern is observed is different from the tendency when (2 x 1) is observed.
  • H Tsukamoto, M Nagai, E Katoh, K Tamamura, A Ishibashi, M Ikeda
    APPLIED PHYSICS LETTERS 70 11 1453 - 1455 1997年03月 [査読有り][通常論文]
     
    Nitrogen doping in ZnSe using a new type of electron-cyclotron-resonance (ECR) source has been investigated. Selective nitrogen radical doping is performed using the ECR source with an external electrode, which can remove charged particles in the nitrogen plasma by the electrode applied electric field. Nitrogen ions are trapped by the electrode and the ion current is measured as a function of the electric field. The activation ratio of nitrogen atoms is investigated for various doping conditions by comparing the carrier profile and the atomic nitrogen profile, which are measured by capacitance-voltage techniques and secondary ion mass spectrometry, It was confirmed that nitrogen ions are removed and do not play a role as p-type dopants in ZnSe growth by molecular beam epitaxy. The activation ratio of nitrogen atoms is increased by removing the nitrogen ions. (C) 1997 American Institute of Physics.
  • S Tomiya, H Tsukamoto, S Itoh, K Nakano, E Morita, A Ishibashi
    CONTROL OF SEMICONDUCTOR SURFACES AND INTERFACES 448 159 - 164 1997年 [査読有り][通常論文]
     
    We have investigated ZnSSe and ZnMgSSe epitaxial layers lattice-matched to GaAs (001) substrates grown by molecular beam epitaxy using atomic force microscopy and transmission electron microscopy. Under II-rich conditions with c(2x2) surface reconstruction, surface morphology exhibited corrugation aligned in the [1(1) over bar0$] direction and composition modulation was observed in the same [1(1) over bar0$] direction. Under VI-rich condition with (2x1) surface reconstruction, the surface morphology becomes rounded grain-like and composition modulation was not observed. The formation of composition modulation is associated with the surface corrugated structures.
  • A Toda, F Nakamura, K Yanashima, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 170 1-4 461 - 466 1997年01月 [査読有り][通常論文]
     
    Operation of the first blue-green laser diode grown by metalorganic chemical vapor deposition has been demonstrated at 77 K under pulsed current injection. The precursors were dimethylzinc, dimethylcadmium, diethylsulfide, bismethyl-cyclopentadienyl-magnesium, and dimethylselenide. Diisopropylamine and ethyliodide were used for a p-type and n-type doping under irradiation with ultraviolet light generated by a high-pressure mercury lamp, respectively. A 1 x 10(18) cm(-3) nitrogen-atom concentration, which was measured by secondary ion mass spectroscopy, was obtained in the p-ZnSe contact layer. The 4.2 K photoluminescence spectrum was dominated by strong donor-acceptor pair emission and the net acceptor concentration was 1.4 x 10(16) cm(-3).
  • FP Logue, DT Fewer, SJ Hewlett, JF Heffernan, C Jordan, P Rees, JF Donegan, EM McCabe, J Hegarty, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 81 1 536 - 538 1997年01月 [査読有り][通常論文]
     
    We describe a straightforward technique for the measurement of carrier diffusion in semiconductors. Using an optical microscope we can spatially image luminescence with a resolution of similar to 500 nm. We measured the ambipolar diffusion length in a Zn0.75Cd0.25Se-ZnSe single quantum a well by fitting the spatially resol ed luminescence profile with the solution of the two-dimensional diffusion equation. The ambipolar diffusion length was found to be 498 nm at a carrier density of similar to 1 x 10(18) cm(-3) and we deduce an ambipolar diffusion constant of 1.7 cm(2) s(-1). (C) 1997 American Institute of Physics.
  • N Eguchi, A Ishibashi
    ODS - 1997 OPTICAL DATA STORAGE TOPICAL MEETING, CONFERENCE DIGEST 79 - 80 1997年 [査読有り][通常論文]
  • DT Fewer, C Jordan, SJ Hewlett, EM McCabe, FP Logue, JF Donegan, J Hegarty, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1997 157 569 - 572 1997年 [査読有り][通常論文]
     
    A confocal microscope set-up is used for the first time to image degradation processes in ZnCdSe-based quantum well heterostructures. As well as being non-destructive, this technique permits the degradation to be monitored in real time and over a large area in samples with low defect densities. Moreover, this setup offers advantages over conventional optical microscopes, such as a higher lateral resolution and a very narrow depth-of-field. High-contrast images are presented that show the defect formation and propagation within the quantum well region of the device.
  • K Nakano, A Ishibashi
    DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3 258-2 1329 - 1334 1997年 [査読有り][通常論文]
     
    Aging studies of II-VI lasers and light emitting diodes show that these devices degrade not catastrophically, but gradually by recombination-enhanced defect reactions at preexisting defects. The activation energy and current dependence of the degradation process in devices were examined. ZnMgSSe-based materials are stable under current injection of at least up to 2 kA/cm(2), about 4 times larger than the current density needed for laser operation. Ways to improve device reliability are also discussed.
  • N Eguchi, A Ishibashi
    OPTICAL DATA STORAGE '97 3109 128 - 132 1997年 [査読有り][通常論文]
     
    We have realized the readout of optical disks with a 7.7GB capacity (a track pitch of 0.58 mu m and a minimum mark length of 0.31 mu m) using a ZnMgSSe laser diode and an objective lens with a numerical aperture of 0.6, We employed high-frequency modulation of 300 MHz for the ZnMgSSe laser diode drive circuit to minimize feedback noise. Measured litter was 9.2 % of a channel bit.
  • H Noguchi, S Tomiya, SL Chuang, A Ishibashi
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES V 2994 22 - 31 1997年 [査読有り][通常論文]
     
    We summarize here recent progress in II-VI blue-green semiconductor laser diodes (LDs). ZnMgSSe quaternary alloy, a promising material for the cladding layer, has enabled us to realize a long lifetime exceeding 100h with improvements in the active layer, the electrode, and growth techniques. Studies of degradation have revealed that II-VI LDs degrade not catastrophically, but gradually with enhancement by electron-hole (e-h) recombination at defect sites.
  • H Yoshida, Y Gonno, K Nakano, S Taniguchi, T Hino, A Ishibashi, M Ikeda, SL Chuang, J Hegarty
    APPLIED PHYSICS LETTERS 69 25 3893 - 3895 1996年12月 [査読有り][通常論文]
     
    We have studied the gain characteristics of gain-guided quantum well II-VI laser diodes by measuring the amplified spontaneous emission spectra under several pulsed conditions. The temperature rise during one current pulse affects the gain characteristics and the L-I characteristics. The net modal gain at constant peak current increases with the pulse width. The peak gain for long pulses shows a superlinear dependence on injection current. In this case, the L-I curve is very steep above threshold and sometimes shows an internal quantum efficiency of more than unity. This leads to an underestimation of the internal cavity loss giving a value inconsistent with the one obtained from the gain spectra. With short pulse currents (<200 ns), the peak gain shows a weak sublinear dependence on injection current. The cavity losses obtained from the gain spectra and the L-I characteristics at short pulses are consistent. As a result, we obtain the intrinsic gain characteristics of gain-guided quantum well II-VI laser diodes. (C) 1996 American Institute of Physics.
  • FP Logue, P Rees, JF Heffernan, C Jordan, JF Donegan, J Hegarty, F Hiei, A Ishibashi
    PHYSICAL REVIEW B 54 23 16417 - 16420 1996年12月 [査読有り][通常論文]
     
    The optical-gain spectra of a 40-Angstrom (Zn,Cd)Se/ZnSe multiple quantum well has been measured at various temperatures using a variable-stripe method. By comparison with a gain calculation including many-body effects, we have shown that gain in this structure arises from an electron-hole plasma (EHP) for temperatures higher than 140 K. Excellent agreement between experiment and theory allows us to demonstrate the significance of many-body effects such as carrier dephasing and Coulomb enhancement. The breakdown of the EHP model below 140 K indicates an increasing excitonic contribution.
  • SL Chuang, M Ukita, S Kijima, S Taniguchi, A Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS 69 11 1588 - 1590 1996年09月 [査読有り][通常論文]
     
    We propose a transient recombination-enhanced defect-generation model to analyze the degradation of optical output powers of blue-green II-VI light-emitting diodes (LEDs). We find an analytical solution and discover a set of universal curves for the time dependence of optical output power, which agree very well with the experimental data for strained CdZnSe quantum-well structures. Our model shows that the optical power can be non-exponential in character and its long-time behavior has a 1/t dependence. This 1/t dependence is also related to the growth of the defect density, which should behave as a t(1/2) dependence. The generation of new defects due to electron-hole at recombination at the defect sites is found to be the dominant degradation mechanism for II-VI LEDs. (C) 1996 American Institute of Physics.
  • S Taniguchi, T Hino, S Itoh, K Nakano, N Nakayama, A Ishibashi, M Ikeda
    ELECTRONICS LETTERS 32 6 552 - 553 1996年03月 [査読有り][通常論文]
     
    By reducing the dark-spot density to <3 x 10(3)cm(-2), device lifetime exceeding 100h has been obtained for a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe single quantum well separate-confinement heterostructure laser diode (LD) under room temperature continuous-wave operation with a constant light output power of 1mW. The threshold current density is 533A/cm(2) and the lasing wavelength is 514.7nm. Considering the dark-spot density, we have concluded that the failure of this LD is not caused by degradation from macroscopic defects such as stacking faults, but by recombination enhanced defect reaction.
  • A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159 1-4 555 - 565 1996年02月 [査読有り][通常論文]
     
    Mg in ZnCd-chalcogenides opens up a wide range of II-VI materials having both a wide energy gap and a large lattice constant. ZnMgSSe, fully lattice-matched to GaAs (001) substrates, with an energy gap tunable from 2.8 up to similar to 4.5 eV, has made possible the photopumped operation of MBE or MOCVD-grown Zn(Cd)Se/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure samples and continuous-wave operation of MBE-grown green and blue laser diodes at room temperature. Valence-band engineering by using a superlattice based on the amphoteric native defect model is proposed for removing the doping limit in alloy semiconductors, The doping concentration could be increased by one order of magnitude for (ZnSe)(m)(ZnMgSSe)(n) superlattice with m = 4-6 and n = 10-15, The device characteristics of the MBE-grown II-VI wide-gap light emitters are becoming as good as those of the established III-V materials-based LDs except for the device lifetime. We have reported structural studies of degraded ZnMgSSe-based LEDs. Pre-existing stacking faults turn into non-radiative regions with a high density of dislocation dipoles and dislocation loops, spreading out in the [100] directions during current injection. The dislocation dipoles themselves are aligned along both [110] directions lying in the {111} plane, with Burgers vectors of the type (a/2)[011] inclined at an angle of 45 degrees against the (001) junction plane. Analysis of the degradation process shows that no catastrophically fast degradation occurs when II-VI LDs degrade. We believe that we can establish the reliability of the ZnMESSe-based LDs through prevention of the start of rapid degradation by eliminating the pre-existing defects, and by slowing down the gradual degradation through reduction of point defects.
  • P Rees, JF Heffernan, FP Logue, JF Donegan, C Jordan, J Hegarty, F Hiei, A Ishibashi
    IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS 143 1 110 - 112 1996年02月 [査読有り][通常論文]
     
    The authors have measured gain spectra in an optically pumped Zn0.72Cd0.28Se-ZnSe multiple quantum well sample. The gain was calculated including many-body affects such as spectral broadening and Coulomb enhancement. Excellent agreement between model and experiment is found, although the high carrier temperature above threshold reduces the expected Coulomb enhancement of the gain in II-VI quantum well lasers.
  • N Nakayama, T Kawasumi, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159 1-4 1172 - 1172 1996年02月 [査読有り][通常論文]
  • H Okuyama, N Nakayama, S Itoh, M Ikeda, A Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35 2B 1410 - 1414 1996年02月 [査読有り][通常論文]
     
    Room-temperature operation of a ZnSe-active-layer double-heterostructure laser diode (LD) was observed. The lasing wavelength was 471 nm. The emission energy shift with increasing current is explained by band filling and band-gap shrinkage. The threshold carrier density is calculated to be 4 x 10(18) cm(-3). We conclude that the dominant lasing mechanism of II-VI double heterostructure laser diodes is the recombination of electron-hole plasma. It is also the dominant mechanism in ZnCdSe quantum-well separate-confinement-heterostructure laser diodes. In both types of LD's, the band-gap shrinkage was observed near the threshold.
  • K Nakano, Y Kishita, S Itoh, M Ikeda, A Ishibashi, U Strauss
    PHYSICAL REVIEW B 53 8 4722 - 4728 1996年02月 [査読有り][通常論文]
     
    The recombination processes in an n-type Zn1-xCdxSe/ZnSySe1-y quantum well are investigated by time-resolved photoluminescence measurements. The combined analysis of the luminescence decay time and intensity yields the temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time. The quantum efficiency at a low temperature of 8 K is close to unity and the nonradiative recombination rate increases as the temperature is raised. The large effective radiative recombination coefficient of 1.4x10(-9) cm(3)/s at 300 K is attributed to excitonic enhancement, even at 300 K.
  • T Maruyama, T Ogawa, K Akimoto, Y Kitajima, S Itoh, A Ishibashi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159 1-4 41 - 44 1996年02月 [査読有り][通常論文]
     
    Extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements were performed to investigate the local bonding structure in ZnSxSe1-x (x = 0.06) and Zn1-xMgxSySe1-y (x = 0.18, y = 0.2) with zincblende structure. It is found that the first nearest neighbor S-Zn distance and the second nearest neighbor S-S distance remain close to those in ZnS with zincblende structure. This implies a deviation from Vegard's law in these compounds. The second nearest neighbor structure around sulphur shows that the ratio of the number of sulphur atoms to that of selenium is proportional to the respective molar ratio both in ZnSSe and in ZnMgSSe. These results indicate that there is no clustering in ZnSSe and that chalcogen atoms are also distributed with negligible clustering in ZnMgSSe.
  • K Nakano, S Tomiya, M Ukita, H Yoshida, S Itoh, E Morita, M Ikeda, A Ishibashi
    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 25 2 213 - 216 1996年02月 [査読有り][通常論文]
     
    Using electroluminescence (EL) topography and transmission electron microscopy (TEM), we investigated the nonluminescent regions which form while current is being injected into ZnMgSSe/ZnSSe/ZnCdSe-based blue light emitters. Small dark spots were observed just after turn-on and spread out, forming rough nonluminescent triangles in the [100] directions in the EL image of the active region. TEM studies showed that the small dark spots are pre-existing stacking faults originating at the substrate/epitaxial layer interface. The nonluminescent triangles were found to be a dense region of dislocation dipoles and dislocation loops. Each dipole was aligned along two [110] directions in the {111} planes. The Burgers vectors were of the type a/2[011] inclined at 45 degrees to the (001) junction plane.
  • M Ozawa, S Itoh, A Ishibashi, M Ikeda
    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1995 145 1157 - 1162 1996年 [査読有り][通常論文]
     
    Most device characteristics of II-VI lasers with ZnMgSSe cladding layers are comparable to those of III-V lasers. The lowest threshold current density we achieved for a gain-guided laser was 460 A/cm(2) under cw operation. A p-ZnTe/p-ZnSe multi-quantum well structure as a D-contact layer reduced the operating voltage to 4.7 V. The use of a GaAs buffer layer can reduce the density of pre-existing defects, resulting in a significant increase in device lifetime.
  • Time-resolved Luminescence Studies in an n-type ZnCdSe/ZnSSe Quantum Wells
    K. Nakano, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, S. Itoh, E. Morita, M. Ikeda, A. Ishibashi
    J. Electronic Materials 25 213 - 213 1996年 [査読有り][通常論文]
  • N Nakayama, S Taniguchi, T Hino, K Nakano, A Ishibashi
    15TH IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE - CONFERENCE DIGEST 145 - 146 1996年 [査読有り][通常論文]
  • A Toda, D Imanishi, K Yanashima, A Ishibashi
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES IV 2693 128 - 135 1996年 [査読有り][通常論文]
  • N Nakayama, S Itoh, A Ishibashi, Y Mori
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES IV 2693 36 - 42 1996年 [査読有り][通常論文]
  • P Rees, JF Heffernan, FP Logue, JF Donegan, C Jordan, J Hegarty, F Hiei, A Ishibashi
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES IV 2693 121 - 127 1996年 [査読有り][通常論文]
  • 奥山浩之, 石橋 晃
    応用物理 65 65 687 - 696 1996年 [査読有り][通常論文]
  • M Shiraishi, S Tomiya, S Taniguchi, K Nakano, A Ishibashi, M Ikeda
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 152 2 377 - 383 1995年12月 [査読有り][通常論文]
     
    ZnSSe and ZnMgSSe epitaxial layers grown on (001)GaAs substrates are characterized by etching and transmission electron microscopy (TEM). It is found that etch pits etched by bromine-methanol correspond to stacking faults in ZnSSe. Tbese stacking faults, whose Burgers vector is 1/3 [111], are extrinsic. It is found that stacking faults lying on (1 (1) over bar 1) and ((1) over bar 11) cannot be revealed by this etchant in ZnSSe. TEM establishes that etch pits in ZnMgSSe etched by HCl correspond not only to stacking faults but also to threading dislocations. Furthermore, all stacking faults lying on the four equivalent (111) planes can be observed as etch pits in ZnMgSSe.
  • T ASANO, K FUNATO, F NAKAMURA, A ISHIBASHI
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 156 4 373 - 376 1995年12月 [査読有り][通常論文]
     
    We have epitaxially grown ZnMgTe ternary alloys, whose Mg content is between 0% and 50%, on (100) GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The band-gap energy estimated from the emission wavelength at room temperature can be varied from 2.26 to 2.57 eV. In the photoluminescence (PL) measurements at 4.2 K, band-edge emission was clearly observed up to Mg content of 25%. The refractive index decreases as Mg content increases. In the PL spectra of double heterostructures of ZnTe/ZnMgTe at 4.2 K, strong emission and quantum size effect were observed. These results suggest that effective carrier and optical confinement are possible.
  • A TODA, T MARGALITH, D IMANISHI, K YANASHIMA, A ISHIBASHI
    ELECTRONICS LETTERS 31 22 1921 - 1922 1995年10月 [査読有り][通常論文]
     
    Operation of the first blue-green laser diode grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) has been demonstrated at 77K under pulsed current injection. The observed stimulated emission is at a wavelength of 473nm, with threshold current ranging from 90 to 180mA (0.9 - 1.8kA/cm(2)), and threshold voltage of similar to 13.0V. The emission also shows a strong transverse electric polarisation. The laser consists of a ZnCdSe single quantum-well, ZnSe optical guiding layers, and ZnMgSSe/ZnSSe dual-stacked cladding layers grown on a (100) n-GaAs substrate.
  • T KAWASUMI, N NAKAYAMA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 31 19 1667 - 1668 1995年09月 [査読有り][通常論文]
     
    The first II-VI index guided inner stripe laser diodes grown by one-step molecular beam epitaxy (MBE) on a structured GaAs substrate have been fabricated. The laser, operating at a wavelength of 512 nm, consists of a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe single quantum-well (SQW) separate-confinement heterostructure (SCH) grown on a 6 mu m wide channelled substrate containing a p-GaAs current blocking layer on (100) n-GaAs. The threshold current density was as low as 350 A/cm(2) for the 1 mm long as-cleaved device under room temperature pulsed conditions.
  • N NAKAYAMA, S KIJIMA, S ITOH, T OHATA, A ISHIBASHI, Y MORI
    OPTICAL REVIEW 2 3 167 - 170 1995年06月 [査読有り][通常論文]
     
    Green light-emitting diodes (LEDs) were fabricated employing a ZnCdSe/ZnSSe triple quantum-well (TQW) active region surrounded by ZnMgSSe cladding layers grown on an n-type (1 0 0) GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE). A 3.5 mW pure green emission was observed for the surface-emitting LED device at a peak wavelength of 513.3 nm (2.415 eV) with a spectral half-width of 11.7 nm (55 meV) under a 20 mA (4.6 V) direct current at room temperature (25 degrees C). These correspond to an external quantum efficiency of 7.2%, a power conversion efficiency of 3.8%, a luminous current efficiency of 66 1m/A, and a luminous efficiency of 14 1m/W.
  • A ISHIBASHI
    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 1 2 741 - 748 1995年06月 [査読有り][通常論文]
     
    ZnMgSSe, forming a type I heterostructure with Zn(Cd)Se, fully lattice-matched to GaAs with an energy gap tunable up to similar to 4.5 eV, has made possible continuous-wave (CW) operation of both a green laser diode (LD) and a blue LD at room temperature. The device characteristics of the II-VI wide-gap LD's are becoming as good as those of established III-V LD's, except for device lifetime. Remaining key issues are p-doping in the wide-gap ZnMgSSe and reliability of II-VI wide-gap LD's, Valance-band engineering via superlattice (SL) use is proposed, based on the amphoteric defect model, for removing the doping limit in the p-type ZnMgSSe. This will lead to CW operation of a blue-emitting laser diode with a wavelength of 450 similar to 460 nm. For reliability, employing a GaAs-buffer layer has made possible room-temperature (RT) CW operation with a lifetime of 1 hour. Analysis of the degradation process shows that no catastrophically fast degradation occurs when II-VI LD's degrade. The reliability of the ZnMgSSe-based LD's would soon be established, and the II-VI wide-gap LD's will likely blossom colorfully in the near future.
  • A TODA, A ISHIBASHI
    DENKI KAGAKU 63 6 531 - 535 1995年06月 [査読有り][通常論文]
     
    We have succeeded in epitaxial growth of ZnMgSSe by an atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylzinc (DMZn), bis(methylcyclopentadienyl)magnesium ((MeCp)(2)Mg), diethylsulfide (DES) and dimethylselenium (DMSe). The Mg composition is achieved up to 13% with mirror-like surface morphology. Photoluminescence spectrum at 4.2K and X-ray rocking curve indicate the excellent quality of ZnMgSSe lattice-matched to GaAs. Using ZnSe/ZnMgSSe double heterostructure, we have achieved photo-pumped lasing action with a peak wavelength of 465 nm and a threshold excitation power of 70 kW/cm(2) at room temperature. An internal loss of 4.6 cm(-1) is estimated from the cavity length dependence. The low internal loss, being comparable to that of a molecular beam epitaxy (MBE)- grown DH, shows a feasibility of MOCVD-grown DH device.
  • S ITOH, A ISHIBASHI
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 150 1-4 701 - 706 1995年05月 [査読有り][通常論文]
     
    We have demonstrated the feasibility of ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure lasers for future device applications. The Cl-doped epitaxial films with different buffer layers have been grown on the n-GaAs substrate to study the crystal defects such as stacking faults, which lead to failure of laser diodes. The growth of the laser structure with a ZnSe buffer layer on GaAs buffer layer has led to several minute-long continuous-wave (CW) operation.
  • T MARUYAMA, T OGAWA, K AKIMOTO, Y KITAJIMA, S ITO, A ISHIBASHI
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 34 5A L539 - L542 1995年05月 [査読有り][通常論文]
     
    Distribution of chalcogen atoms in ZnSxSe1-x (x=0.06) and Zn1-xMgxSySe1-y (x=0.18, y=0.2) with zincblende structure was investigated by EXAFS (extended X-ray absorption fine structure) spectroscopy. By measuring sulphur K-edge EXAFS, it was found that the ratio of the number of sulphur atoms to that of selenium for the second nearest neighbors around sulphur atoms is proportional to the respective composition ratio both in ZnSSe and in ZnMgSSe. These results indicate that there is no clustering in ZnSSe and that chalcogen atoms are also randomly distributed in ZnMgSSe.
  • M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 13 3 683 - 689 1995年05月 [査読有り][通常論文]
  • M OZAWA, A EGAN, A ISHIBASHI
    SOLID STATE COMMUNICATIONS 94 2 87 - 91 1995年04月 [査読有り][通常論文]
     
    Long time delay before lasing in a II-VI laser diode has been observed. Due to this delay, a nominal threshold current increases as the width of applied current pulse becomes shorter. This delay is attributed to the internal Q switching caused by the balance of injected carriers, temperature rise and gain-guiding. By fitting the calculated data to the experimental ones, rates of refractive index change with carrier concentration and with temperature have been estimated.
  • S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi
    Applied Physics Letters 66 10 1208 - 1210 1995年03月06日 [査読有り][通常論文]
     
    Structural studies of the nonradiative regions in ZnMgSSe alloy based II-VI blue light-emitting diodes (LEDs) have been made. The nonradiative regions spread out in the 〈100〉 direction during current injection. These regions consisted of a high density of dislocation dipoles and dislocation loops. It is confirmed that the dislocation dipoles had Burgers vectors of the type (a/2) 〈110〉 inclined at 45° to the (001) junction plane.
  • A TODA, T KAWASUMI, D IMANISHI, A ISHIBASHI
    ELECTRONICS LETTERS 31 3 235 - 237 1995年02月 [査読有り][通常論文]
     
    Light-emitting diodes (LEDs) having a ZnCdSe/ZnSe single quantum well (SQW) were grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) at a growth temperature of 480 degrees C. Diisopropylamine (Di-PNH) was used as a p-type dopant. Light emission was observed at a wavelength of 500 nm (2.480 eV) with a full-width at half-maximum (FWHM) of 7.3 nm (36 meV) at 77 K.
  • H OKUYAMA, E KATO, S ITOH, N NAKAYAMA, T OHATA, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 66 6 656 - 658 1995年02月 [査読有り][通常論文]
  • T OHATA, S ITOH, N NAKAYAMA, S MATSUMOTO, K NAKANO, M OZAWA, H OKUYAMA, S TOMIYA, M IKEDA, A ISHIBASHI
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 187 2 279 - 283 1995年02月 [査読有り][通常論文]
     
    ZnSe based laser diodes exhibit best initial performances such as low threshold current with ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SCH-SQW structure. The device lifetime is improved with the ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SCH-MQW structure. Laser emission of 471 nm wavelength is obtained under pulsed injection at room temperature with ZnSe/ZnMgSSe DH structure.
  • Recent Progress in ZnSSe-based II-VI Semiconductor Lasers
    K. Nakano, A. Ishibashi
    Optics 24 667 - 667 1995年 [査読有り][通常論文]
  • Defect Structure induced during current injection of ZnMgSSe alloy based II-VI Semiconductor Blue-light Emitting Diodes
    S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi
    Appl. Phys. Lett. 66 1208 - 1210 1995年 [査読有り][通常論文]
  • Blue Laser Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    A. Toda, T. Margalith, D. Imanishi, K. Yanashima, A. Ishibashi
    Electron. Lett. 31 1921 - 1922 1995年 [査読有り][通常論文]
  • A TODA, D IMANISHI, T KAWASUMI, A ISHIBASHI
    ELECTRONICS LETTERS 31 2 101 - 102 1995年01月 [査読有り][通常論文]
     
    An internal loss of 4.6cm(-1) is estimated from the cavity length dependence of photopumped blue lasing at room temperature (RT) with a ZnSe/ZnMgSSe double-heterostructure (DH) grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The low internal loss. being comparable to that of molecular beam epitaxy (MBE)-grown DH, implies the feasibility of realising an MOCVD-grown DH device.
  • T MIYAJIMA, FP LOGUE, JF DONEGAN, J HEGARTY, H OKUYAMA, A ISHIBASHI, Y MORI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 66 2 180 - 182 1995年01月 [査読有り][通常論文]
  • M UKITA, F HIEI, K NAKANO, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 66 2 209 - 211 1995年01月 [査読有り][通常論文]
  • H Okuyama, S Itoh, M Ikeda, A Ishibashi
    LEOS '95 - IEEE LASERS AND ELECTRO-OPTICS SOCIETY 1995 ANNUAL MEETING - 8TH ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS. 1 & 2 B129 - B130 1995年 [査読有り][通常論文]
  • S Tomiya, M Ukita, H Okuyama, K Nakano, S Itoh, A Ishibashi, E Morita, M Ikeda
    ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4 196- 1109 - 1116 1995年 [査読有り][通常論文]
     
    We have investigated the structural characteristics of non-luminescent areas in degraded II-VI blue light emitters using electroluminescence and transmission electron microscopy. Dark triangular non-luminescent defects, which were observed in the ZnMgSSe/ZnSSe/ZnCdSe-based II-VI Separate Confinement Heterostructure laser structures using electroluminescence microscopy, spread out in the < 100 > direction and consisted of a high density of dislocation dipoles and dislocation loops. The source of these defects was pre-existing stacking faults originating at the II-VI epilayer/GaAs interface. The dipoles themselves were aligned along both of the < 110 > directions and were lying in the {111} plane. Their Burgers vectors were of the type a/2 < 011 > inclined 45 degrees to the (001) junction plane. We describe the mechanism of dislocation dipole formation and present a model for the defect growth mechanism in degraded IT-VI blue light emitters.
  • H OKUYAMA, A ISHIBASHI
    MICROELECTRONICS JOURNAL 25 8 643 - 649 1994年11月 [査読有り][通常論文]
     
    This paper describes the characteristics of ZnMgSSe, which is a material suitable for the cladding layer of a blue-laser diode. A blue-laser diode was operated at room temperature It a wavelength of 480 nm, and the lifetime of the continuous-wave operation of the II-VI LD was over 3 min. These values are the best so far reported for a II-VI LD.
  • R UGAJIN, A ISHIBASHI, Y MORI
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 12 6 3160 - 3165 1994年11月 [査読有り][通常論文]
  • K KONDO, M UKITA, H YOSHIDA, Y KISHITA, H OKUYAMA, S ITO, T OHATA, K NAKANO, A ISHIBASHI
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 76 5 2621 - 2626 1994年09月 [査読有り][通常論文]
     
    Based on two different experiments and an optical field calculation, we show that the free-carrier absorption alpha(fc) in Zn(Cd)Se/ZnMgSSe semiconductor lasers is about 4 cm-1 and that it is smaller than that of GaAs/AlGaAs semiconductor lasers. We have measured the dependence of the L-I characteristics on the cavity length of double heterostructure (DH) lasers under photopumped operation and of single quantum well-separate confinement heterostructure (SQW-SCH) lasers under current-injected operation. For the DH laser, the total absorption coefficient alpha(i) and beta X J0 product (beta is a gain constant, and J0 is the nominal current density that makes the gain equal to zero) are estimated to be 4.2 cm-1 and 8.6 X 10 cm-1, respectively. For the SQW-SCH laser, alpha(i), beta, and J0 are estimated to be 21 cm-1, 4.23 X 10(-3) cm X mum/A, and 1.9 X 10(-3) A/(cm2 X mum), respectively. By calculating the optical fields of these lasers, we have estimated that the absorption in a GaAs substrate is 16.53 cm-1 in the SQW-SCH laser and that it is negligible in the DH laser. We have shown that the large loss in the SQW-SCH laser is caused by both alpha(fc) and the absorption in the substrate and that alpha(i) in the DH laser is caused only by free carrier absorption.
  • S ITOH, N NAKAYAMA, S MATSUMOTO, M NAGAI, K NAKANO, M OZAWA, H OKUYAMA, S TOMIYA, T OHATA, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 33 7A L938 - L940 1994年07月 [査読有り][通常論文]
     
    Blue-green laser diodes exhibiting continuous-wave operation during hundreds-of-seconds have been fabricated. This structure is a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure with low dislocation density of approximately 10(5) cm-2 in the n-ZnMgSSe cladding layer. The use of a GaAs buffer layer has lead to the decrease of dislocation density for laser-diodes, with which we have observed CW operation up to 80-degrees-C, that showed the feasibility of ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SCH laser-diodes.
  • M OZAWA, S ITOH, H OKUYAMA, K NAKANO, N NAKAYAMA, F HIEI, T OHATA, K AKIMOTO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    OPTOELECTRONICS-DEVICES AND TECHNOLOGIES 9 2 193 - 204 1994年06月 [査読有り][通常論文]
     
    ZnMgSSe is a suitable material for the cladding layer of II-VI compound laser diodes because both the bandgap energy and the lattice constant can be controlled. Furthermore, it is found that this material has good thermal stability. Both n-type and p-type ZnMgSSe were successfully obtained, and showed good properties for fabricating laser diodes. Utilizing this novel material, we fabricated several laser structures. Recently, room temperature continuous wave operation was achieved with ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe separate-confinement-heterostructure. A review of the recent progress of blue laser diodes fabricated in our laboratory and those fabricated by other research groups is presented.
  • K KONDO, H OKUYAMA, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 64 25 3434 - 3436 1994年06月 [査読有り][通常論文]
     
    Using amphoteric native defect model [Walukiewicz, Phys. Rev. B 37, 4760 (1988)], we have considered the energy-gap E(g) dependence of nitrogen doping in ZnMgSSe semiconductors. We have explained the energy-gap E(g) dependence of saturated hole concentration in ZnMgSSe semiconductors based on the amphoteric native defect model and available effective hole masses in ZnSe using the valence band discontinuity DELTAE(v) as a fitting parameter. The Fermi-level stabilization energy E(FS) and the pinned Fermi-level energy E(SI) are, to a good approximation, universal for II-VI materials as well as for III-V materials. We have estimated the E(SI) is located at 1.895 eV below E(FS). It is indicated that the band-gap discontinuity between ZnSe and ZnMgSSe is DELTAE(c):DELTAE(v)=0.55:0.45 if effective hole mass is 1.4 m0 for ZnMgSSe and DELTAE(c):DELTAE(v)=0.67:0.33 if effective hole mass is 0.6 m0.
  • S ITOH, N NAKAYAMA, T OHATA, M OZAWA, H OKUYAMA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 33 5A L639 - L642 1994年05月 [査読有り][通常論文]
     
    Room temperature pulsed operation of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure (SCH) lasers has been achieved in a wavelength range from 485.7 to 521.6 nm. We have achieved shorter wavelength blue at room temperature than thus far reported. A decrease in threshold current density J(th) and a increase in the slope efficiency for ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe SCH laser diodes were observed as the energy difference between the active and cladding layers was increased. We determined that more than 0.35 eV for DELTAE(g) is necessary in order to suppress the carrier overflow. A high characteristic temperature T0 of 217 K was achieved for a laser diode with DELTAE(g) of 0.40 eV.
  • A ISHIBASHI, Y MORI
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 138 1-4 677 - 685 1994年04月 [査読有り][通常論文]
     
    We have demonstrated the feasibility of ZnMgSSe as cladding layers for blue and blue-green laser diodes. The ZnMgSSe, fully lattice-matched to GaAs substrates, suppresses carrier overflow with its large energy-gap having type I heterostructure with Zn(S)Se. This has led to a successful demonstration of room temperature pulsed operation of a blue laser diode with a wavelength of 498.5 nm and room temperature CW operation of a 523.5 nm blue-green laser diode with a threshold current of 45 mA, based on a ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe SCH structure.
  • N NAKAYAMA, H OKUYAMA, E KATO, S ITOH, M OZAWA, T OHATA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 30 7 568 - 570 1994年03月 [査読有り][通常論文]
     
    Continuous-wave (CW) operation up to 323 K at 1 mW and up to 30 mW at room temperature has been demonstrated for 507 nm ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure (SCH) pin-guided laser diodes. The room temperature CW threshold current and voltage were 27 mA (J(th) = 460 A/cm2) and 7.9 V, respectively, with 10 mum-wide stripe and 70/95% reflectivity facet.
  • H OKUYAMA, S ITOH, E KATO, M OZAWA, N NAKAYAMA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 30 5 415 - 416 1994年03月 [査読有り][通常論文]
     
    A lasing wavelength of 480.5nm for a II-VI laser diode (LD) has been realised. The threshold current of this blue LD is 470mA. The threshold current of the II-VI LD, whose lasing wavelength is 495nm, is approximately 100mA. The light output power of the 495nm LD is 600mW and the slope efficiency is 0.63W/A. These values are the best so far reported in a II-VI LD.
  • M OZAWA, F HIEI, M TAKASU, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    APPLIED PHYSICS LETTERS 64 9 1120 - 1122 1994年02月 [査読有り][通常論文]
     
    Low resistance Ohmic contacts of Au(Pt)Pd to p-ZnTe were studied. The specific contact resistance of these contacts depends strongly on the annealing temperature and the Pd layer thickness. The specific contact resistance, measured by the transmission line model, is as low as 5 x 10(-6) OMEGA cm2 when a sample is annealed at 200-degrees-C. The optimum Pd layer thickness is 5-10 nm. This value of the specific contact resistance is two orders of magnitude lower than that of Au or Pt contacts to p-ZnTe. The depth profiles of these contacts were investigated by Auger electron spectroscopy. The possible role of the Pd layer is discussed.
  • H OKUYAMA, Y KISHITA, T MIYAJIMA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    APPLIED PHYSICS LETTERS 64 7 904 - 906 1994年02月 [査読有り][通常論文]
     
    N-doped p-type ZnMgSSe was grown by molecular beam epitaxy. Nitrogen was induced by electron cyclotron resonance plasma. The maximum net acceptor concentration (N-A-N-D) and the activation energy of the nitrogen acceptor (E(N)) depend on the band-gap energy of ZnMgSSe. With increasing band-gap energy, the maximum N-A-N-D is decreased and EN is increased. The maximum N-A-N-D and the E(N) Of ZnMgSSe with a band-gap energy of 3.05 eV at 77 K are 2.5X10(16) cm(-3) 140 meV, respectively.
  • ZnMgSSe-based Blue Semiconductor Lasers
    M. Ikeda, A. Ishibashi
    IEE Japan 114-C 1222 - 1227 1994年 [査読有り][通常論文]
  • Sony’s Latest Semiconductor Lasers Research
    A. Ishibashi
    Japan 21st 28 - 29 1994年 [査読有り][通常論文]
  • A. Ishibashi
    応用物理 63 6 596 - 599 応用物理学会 1994年 [査読有り][通常論文]
  • Blue-emitting Laser Diodes
    Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    Festkoerper Probleme 34 65 - 77 1994年 [査読有り][通常論文]
  • M OZAWA, A ISHIBASHI
    1994 TOPICAL MEETING ON OPTICAL DATA STORAGE 2338 47 - 54 1994年 [査読有り][通常論文]
  • S ITOH, A ISHIBASHI
    II-VI BLUE/GREEN LASER DIODES 2346 2 - 8 1994年 [査読有り][通常論文]
  • N NAKAYAMA, S ITOH, H OKUYAMA, M OZAWA, T OHATA, K NAKANO, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 29 25 2194 - 2195 1993年12月 [査読有り][通常論文]
     
    At room temperature (296K), continuous-wave (CW) operation of a blue laser diode has been achieved. The emission wavelength is 489.9nm, and the threshold current and voltage is 93mA (1.5kA/cm2) and 6.3V, respectively. The laser consists of a ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe single-quantum-well (SQW) separate-confinement heterostructure (SCH).
  • S ITOH, N NAKAYAMA, T OHATA, M OZAWA, H OKUYAMA, K NAKANO, A ISHIBASHI, M IKEDA, Y MORI
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 32 10B L1530 - L1532 1993年10月 [査読有り][通常論文]
     
    Room temperature pulsed operation of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe separate-confinement heterostructure lasers has been achieved at a wavelength of 491 nm, which is the shortest wavelength at room temperature ever reported. The laser structure was made by molecular beam epitaxy on n-GaAs substrate. The operating current density was 3.8 kA/cm2 for a diode with a 720 mum long and 10 mum wide stripe. An operating voltage of 9 V has been obtained at the threshold current using improved contact layers and ohmic metals.
  • M UKITA, H OKUYAMA, M OZAWA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO, Y MORI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 63 15 2082 - 2084 1993年10月 [査読有り][通常論文]
     
    We have experimentally investigated refractive indices n of ZnxMg1-xSySe1-y, using the ellipsometry method and reflection-spectrum measurement. The samples are epitaxial films of undoped ZnxMg1-xSySe1-y grown by molecular beam epitaxy on semi-insulating GaAs substrates. The obtained dispersion relations of n in the transparent region are classified by the band-gap energy E(g). We have found that the refractive index n of ZnxMg1-xSySe1-y decreases as E(g) increases. These results will be available for the design of blue laser diodes containing ZnMgSSe.
  • N NAKAYAMA, S ITOH, T OHATA, K NAKANO, H OKUYAMA, M OZAWA, A ISHIBASHI, M IKEDA, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 29 16 1488 - 1489 1993年08月 [査読有り][通常論文]
     
    Continuous-wave operation in wide-pp II-VI semiconductor current injection laser diodes at room temperature has been demonstrated for the first time. Stimulated emission was observed at a wavelength of 523.5 nm with a threshold current of 45 mA (1.4 kA/cm2) from ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe single-quantum-well (SQW) separate-confinement hetero-structure (SCH) laser diodes.
  • F HIEI, M IKEDA, M OZAWA, T MIYAJIMA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    ELECTRONICS LETTERS 29 10 878 - 879 1993年05月 [査読有り][通常論文]
     
    Employing p+-ZnTe/ZnSe quantum wells whose sub-bands are aligned in energy so that resonant tunnelling of holes can occur through the multiquantum well region, nonalloyed ohmic contacts to p-type ZnSe have been realised. A specific contact resistance as low as 5.0 x 10(-2) OMEGA cm2 has been achieved for N-doped ZnSe with a hole concentration of 7.0 x 10(16) cm-3.
  • S ITOH, H OKUYAMA, S MATSUMOTO, N NAKAYAMA, T OHATA, T MIYAJIMA, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    ELECTRONICS LETTERS 29 9 766 - 768 1993年04月 [査読有り][通常論文]
     
    Room temperature pulsed operation of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe SCH lasers has been achieved. Blue-green stimulated emission is observed at a wavelength of 498.5 nm. The threshold current density is 2-8 kA/cm2 for the diode made by molecular beam epitaxy.
  • M OZAWA, F HIEI, A ISHIBASHI, K AKIMOTO
    ELECTRONICS LETTERS 29 5 503 - 505 1993年03月 [査読有り][通常論文]
     
    Au(Pt)Pd ohmic contacts to p-ZnTe are reported, with a determination of the optimum annealing temperature and the optimum Pd layer thickness. The specific contact resistance, measured by the transmission line method, was as low as 5 x 10(-6) OMEGA cm-2. This value of the specific contact resistance is two orders of magnitude lower than that of Au or Au/Pt contact to p-ZnTe.
  • A ISHIBASHI, DG RAVENHALL, RL SCHULT, HW WYLD
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 73 5 2364 - 2375 1993年03月 [査読有り][通常論文]
     
    We have calculated the wave functions and energy levels of a two-dimensional mesoscopic electron system having four-fold symmetry and multiply connected topology, in both zero and finite magnetic fields (B fields). The electron distribution can be controlled in the multiply connected structure by changing the peripheral channel thickness. The energy levels oscillate as a function of the B field, with pronounced gaps, and the electronic states are classified into four kinds of eigenstates under the 90-degrees rotation operation. The three-dimensional wave functions of cylindrical and helical structures having this cross section are constructed.
  • ZnMgSSe-based II-VI Semiconductor lasers
    A. Ishibashi, S. Ito, H. Okuyama, T. Ohata, N. Nakayama, K. Nakano, M. Ozawa, M. Ikeda, K. Akimoto, Y. Mori
    J. Optics 22 682 - 683 1993年 [査読有り][通常論文]
  • R UGAJIN, A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 73 1 1 - 7 1993年01月 [査読有り][通常論文]
     
    A quantum interference transistor that can be fabricated by available technology and can operate at room temperature is proposed. This device uses the phase interference effect of a vacuum electron that is not influenced by thermal fluctuations, in contrast to an electron in solid-state materials. The device consists of a field emitter, a collector, and segmented capacitors between the emitter and the collector. The capacitors control electron trajectories and the phase interference of the electron in vacuum by their electrical potential. This quantum interference effect is found not to be the same as the Aharonov-Bohm effect contrary to our expectations. We are convinced that the new transistor is capable of room-temperature operation because the large kinetic energy of the electron in vacuum suppresses energy fluctuations caused by the field emission itself and by thermal fluctuations in the emitter material to about 50 meV. The switching time of the transistor is limited in order to average the number of electrons at the collector to allow the emitter-collector current to be a deterministic variable against the quantum stochastic property. The threshold of the switching time is estimated to be of the order of magnitude of 10(-11) s for the field emitter reported by C. A. Spindt., I. Brodie, L. Hummphrey, and E. R. Westerberg [J. Appl. Phys. 47, 5248 (1976)].
  • K NAKANO, A TODA, T YAMAMOTO, A ISHIBASHI
    APPLIED PHYSICS LETTERS 61 16 1959 - 1961 1992年10月 [査読有り][通常論文]
     
    We have observed large differences in the lasing wavelength and threshold current for [110BAR]- and [110]-striped AlGaInP lasers that are fabricated from a single wafer grown by metalorganic chemical vapor deposition. With the laser stripe aligned parallel to the [110] direction, the lasing wavelength is about 6 nm shorter than that with the [110BAR] stripe. The threshold current (I(th)) of the [110]-striped laser is 10 mA higher than that of the [110BAR]-striped laser. The differences are found to be well explained by the splitting of the valence band due to the (111) ordering in the AlGaInP lasers.
  • A ISHIBASHI, M OGAWA, K FUNATO, R UGAJIN, Y MORI
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 70 4 2117 - 2122 1991年08月 [査読有り][通常論文]
     
    We have performed metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on substrates of closed topologies, i.e., on a single cylindrical surface and on multiple cylindrical surfaces of approximately-1000-angstrom-diam rods. The side geometry of epitaxial growth can be controlled by rod direction, growth temperature, and ratio of the amount of group-V material to that of group-III materials. We have succeeded in growing mesoscopic multiply connected AlAs with multiplicity up to 6. The MOCVD growth on substrates with closed topology is of potential interest for fabrication of sophisticated mesoscopic structures.
  • A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 9 1 169 - 172 1991年01月 [査読有り][通常論文]
     
    We have grown electron-beam-induced resist and aluminum from alkyl naphthalene and trimethyl aluminum, respectively. The growth mechanism of the electron-beam-induced materials has been suggested to be bridge-formation by the physically adsorbed molecules of the sources. We believe that the bridge-formation is driven by direct interaction with electrons, not by diffusive processes such as local heating and catalytic reactions. The observed growth rate is consistent with the one calculated from the heat of physical adsorption. The method is of potential interest for stereo-resist and also for selective atomic layer epitaxy.
  • K. Funato, A. Ishibashi, Y. Mori
    Solid State Commun. 75 12 963 - 968 1990年09月 [査読有り][通常論文]
  • Electron Mobiity Enhancement in GaAs by Ballistic Transport and Velocity Overshoot
    A. Ishibashi
    Properties of Gallium Arsenide 2 91 - 92 1990年 [査読有り][通常論文]
  • Electron Mobility Enhancement in GaAs Heterostructures
    A. Ishibashi
    Properties of Gallium Arsenide 2 89 - 90 1990年 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI
    SPECTROSCOPY OF SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURES 206 21 - 44 1989年 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 27 12 L2382 - L2384 1988年12月 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI, K FUNATO, Y MORI
    ELECTRONICS LETTERS 24 16 1034 - 1035 1988年08月 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI, Y MORI, K KANEKO, N WATANABE
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 12 4087 - 4090 1986年06月 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI, Y MORI, F NAKAMURA, N WATANABE
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 7 2503 - 2506 1986年04月 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI, M ITABASHI, Y MORI, K KANEKO, S KAWADO, N WATANABE
    PHYSICAL REVIEW B 33 4 2887 - 2889 1986年02月 [査読有り][通常論文]
  • Ultra-thin layer (AlAs)n(GaAs)n superlattices
    石橋 晃
    固体物理 21 745 - 750 1986年 [査読有り][通常論文]
  • Ratio of LO phonon intensities in Raman scattering from (AlAs)n(GaAs)n superlattices
    A. Ishibashi, M. Itabashi, Y. Mori, N. Watanabe
    Optoelectronics, Devices and Technologies, 1 51 - 55 1986年 [査読有り][通常論文]
  • A ISHIBASHI, Y MORI, M ITABASHI, N WATANABE
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 7 2691 - 2695 1985年 [査読有り][通常論文]
  • T. Yamazaki, T. Ishikawa, T. Taniguchi, T. Yamanaka, T. Tanimori, R. Enomoto, A. Ishibashi, S. Sato, Y. Akiba, M. Iwasaki, T. Fujii, R.S. Hayano, S. R. Schnetzer
    Phys. Rev. Lett. 52 13 1089 - 1091 1984年 [査読有り][通常論文]
  • P NEMETHY, PJ ODDONE, N TOGE, A ISHIBASHI
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH 212 1-3 273 - 280 1983年 [査読有り][通常論文]
  • R. S. Hayano, T. Taniguchi, T. Yamanaka, T. Tanimori, R. Enomoto, A. Ishibashi, T. Ishikawa, S. Sato, T. Fujii, T. Yamazaki, S. Kurokawa, S.R. Schnetzer, ndY. Takada
    Phys. Rev. Lett. 49 18 1305 - 1309 1982年 [査読有り][通常論文]

書籍

  • ナノマテリアルハンドブック
    石橋 晃 (担当:分担執筆)
    エヌ・ティー・エス 2004年
  • 半導体デバイス理論―基礎から最新のシミュレーションまで
    K. Hess, 松田 和典, 関 俊司, 石橋 晃, 谷村 吉隆, 石 (担当:共訳)
    丸善 2002年
  • Design Fabrication, and Characterization of Photonic Devices II
    Marek Osinski, Soo Jin Chua, Akira Ishibashi (担当:共編者(共編著者))
    SPIE publishing, ISBN 9780819443243 2001年
  • Physics and simulation of optoelectronic devices VII
    P. Blood, A. Ishibashi, M. Osinski (担当:共編者(共編著者))
    SPIE publishing, ISBN: 9780819430953 1999年
  • Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VI
    Physics, Simulation of, Optoelectronic, Devices VI Editor, Marek Osinski, Peter Blood, Akira Ishibashi (担当:共編者(共編著者))
    SPIE publishing, ISBN: 9780819427229 1998年

講演・口頭発表等

  • X. Hong, J. Yu, N. Sawamura, A. Ishibashi
    The 3rd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2021) 2021年04月 ポスター発表
  • X. Wang, Z. Zhou, M. Yasutake, A. Ishibashi
    The 21st RIES-Hokudai International Symposium 2020年12月 ポスター発表
  • A versatile isolated closed-system, Clean Unit System Platform (CUSP), and its application for sleep enhancement-system design and performance verification  [通常講演]
    Ching-Yu Chiu, Ziling Zhou, Tsung-Hao Hsieh, Sheng-Fu Liang, Akira Ishibashi
    Hokkaido University Cross-departmental Symposium 2019年11月
  • Waveguides with Spatial Asymmetry for Concentrator Solar-Cells  [招待講演]
    Akira Ishibashi
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR)2019 2019年06月
  • Towards a Planer Photon-harvesting Waveguide having Discrete Translational Symmetry with Open Core Geometry  [通常講演]
    A. Ishibashi, Y. Okura, N. Sawamura
    The 1st Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference 2019年04月
  • Asymmetric redirection waveguide with discrete translational symmetry for multi-striped orthogonal photon-photocarrier-propagation solar cells (MOP3SCs)  [通常講演]
    A. Ishibashi, N. Sawamura
    2018 IEEE International Conference on Advanced Manufacturing (IEEE ICAM 2018) 2018年11月 口頭発表(一般)
  • Multi-striped orthogonal photon-photocarrier-propagation solar cells (MOP3SCs) with new asymmetric redirection waveguides  [招待講演]
    A. Ishibashi
    Advanced Energy Materials 2018 2018年08月 口頭発表(招待・特別)
  • 平成29年度北海道トライアル新商品展示会  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    日本応用物理学会 2018年春季大会 2018年03月 パシフィコ横浜
  • 高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [通常講演]
    石橋 晃, 松田 順治, 大橋 美久
    平成29年度北海道トライアル新商品展示会 2018年01月 北海道庁
  • CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム) 開発過程で発見した新技術「拡散換気」のミニマルファブ応用可能性  [通常講演]
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    平成30年度ファブシステム研究会定期総会 2018年 産業技術総合研究所(つくば中央)
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池用非対称 導波路のミニマルファブによる作製可能性  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    平成30年度ファブシステム研究会定期総会 2018年 産業技術総合研究所(つくば中央)
  • 孤立・閉鎖系高清浄環境クリーンユニットシステムプラットフォーム  [通常講演]
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    第35回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会 2018年 早稲田大学国際会議場 
    2018.04.24(火) 早稲田大学国際会議場 主催 公益社団法人 日本空気清浄協会
  • フォトン・フォトキャリア直交型半導体太陽電池プラットフォーム及び孤立閉鎖系清浄環境としてのクリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [通常講演]
    石橋 晃, 安武 正弘, 松田 順治, 大橋 美久
    PV Japan 2018 2018年 Pacifico 横浜(横浜市) 
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリーPA-12
  • 周期配列放物線鏡付テーパー導波路具有光子・フォトキャリア直交型半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    PV Japan 2018 2018年 Pacifico 横浜(横浜市) 
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリーPA-12
  • フォトン・フォキャリア直交型半導体太陽電池に向けた周期配列放物線鏡付テイパー非対称導波路構造の作製評価  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    第8回物質・デバイス領域共同研究拠点活動報告会及び平成29年度ダイナミック・アライアンス成果報告会 〜拠点・アライアンスの大学機能強化への貢献〜 2018年 北海道大学 
    北海道大学・鈴木章ホール
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池の非対称導波路の進展とクリーン環境CUSPの展開  [通常講演]
    石橋 晃
    平成30年度 物質・デバイス領域共同研究拠点事業『新型太陽電池並びに清浄環境の新展開〜 次世代デバイス・システムの展望』研究会(電子研学術講演会) 2018年 北海道大学
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池用のた めの新しい非対称導波路  [通常講演]
    石橋 晃, 澤村 信雄, 河西 剛
    平成30年度ファブシステム研究会臨時総会 2018年 産業技術総合研究所(つくば中央) 
    2018.10.5(金)
  • ミニマルファブとシナジーを発揮するクリーンユ ニットシステムプラットフォーム(CUSP)の医療・介護応用展開可能性  [通常講演]
    石橋 晃, 安武 正弘
    平成30年度ファブシステム研究会臨時総会 2018年 産業技術総合研究所(つくば中央) 
    2018.10.5(金)
  • New solar-cell system and clean unit system platform (CUSP) for Electronics, Communications and Networks  [招待講演]
    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake
    The 7th International Conference on Electronics, Communications and Networks 2017年11月 口頭発表(招待・特別)
  • A Unique Non-Contact Method To Assess Sleep Quality By Detecting Body Movements Via Monitoring Air-borne Particles In An Ultraclean Space  [通常講演]
    M. Yasutake, A. Ishibashi
    SLEEP 2017 2017年06月 ポスター発表
  • Systems Development in Atom-Bit-Energy/Environment (ABE2) Space for a New Solar-cell, Medical and Safety Applications Based on Clean Unit System Platform (CUSP)  [通常講演]
    A. Ishibashi, R. Enomoto, T. Ishikawa, M. Yasutake
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR)2017 2017年06月 口頭発表(招待・特別)
  • Symmetric and Asymmetric Wave-guides for Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells (MOP3SC)  [通常講演]
    A. Ishibashi, H. Kobayashi, N. Sawamura, K. Kondo, T. Kasai
    2017 IEEE International Conference on Applied System Innovation (IEEE ICASI 2017 2017年05月 口頭発表(一般)
  • トレーニング・フィットネスに向けた高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [通常講演]
    大橋 美久, 松田 順治, 青池 淳司, 石橋 晃
    平成28年度北海道トライアル新商品展示会 2017年 北海道庁 
    出展品は、CUSPの原理と性能を紹介するコンパクトタイプであり、高清浄環境内トレーニング・フィットネスを提案し、来場者の皆さんに、これを体験してもらえるデモ機を展示・実演する。
  • 非対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池用周期配列放物線鏡の作製  [通常講演]
    石橋 晃, 澤村 信雄, 近藤 憲治, 河西 剛
    日本応用物理学会 2017年春季大会 2017年 パシフィコ横浜 
    2017年3月15日 パシフィコ横浜 発表 15a-P11-7
  • 高機能清浄環境CUSP・新型太陽電池の展開とミニマルファブ  [通常講演]
    石橋 晃, 安武 正弘, 野口 伸守, 松田 順治, 大橋 美久
    平成29年度ファブシステム研究会定期総会 2017年 産業技術総合研究所(つくば中央)
  • 非対称導波路結合フォトンフォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    平成28年度附置研アライアンス成果報告会〜人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミックアライアンス 2017年 東京工業大学 
    大岡山キャンパス東工大蔵前会館くらまえホール
  • ABE^2 4次元空間と新型高清浄環境(CUSP)  [通常講演]
    石橋 晃
    平成29年度附置研アライアンス〜人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミックアライアンス G2分科会 2017年 北海道大学 
    創成科学研究棟5F大会議室
  • 周期配列放物線鏡付非対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    PV Japan 2017 2017年 Pacifico 横浜(横浜市) 
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリーPA-07
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池の進展とクリーン環境CUSPの展開  [通常講演]
    石橋 晃
    平成29年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 新型太陽電池並びに清浄環境の新展開』研究会 2017年 北海道大学
  • トレーニング、介護等にも活用可能な高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [通常講演]
    石橋 晃, 松田 順治, 安武 正弘
    SPORTEC 2017 2017年 東京ビッグサイト 
    出展品は、CUSPの原理と性能を紹介するコンパクトタイプであるが、今回、シースルー環境で、世界で初めての高清浄環境内エアロビクスを提案し、来場者の皆さんに、これを体験してもらえるデモ機を展示・実演する。
  • Clean Unit System Platform (CUSP)とミニマルファブシステムのシナジーの可能性  [通常講演]
    石橋 晃, 松田 順治, 野口 伸守, 江藤 月生, 大橋 美久, 原 史朗
    日本応用物理学会 2017年秋季大会 2017年 福岡国際会議場 
    2017年9月6日 福岡国際会議場・福岡国際センター 発表 6p-C21-20
  • ミニマルファブとのシナジー を目指した高機能清浄環境CUSPと新型太陽電池の最近の展開  [通常講演]
    石橋 晃, 澤村 信雄, 野口 伸守, 江藤 月生, 大橋 美久
    平成29年度ファブシステム研究会臨時総会 2017年 産業技術総合研究所(つくば中央) 
    2017.09.15(金)
  • CUSPがもたらす「どこでもクリーンルーム」  [通常講演]
    松田 順治, 石橋 晃
    いきいき健康・福祉フェア2017 2017年 アクセスサッポロ(札幌市) 
    CUSPをもちいて「どこでもクリーンルーム」を作り出すことが出来ます。 コストはランニングコスト、イニシャルコスト共に従来の1/10と大幅に節約出来ます。(特許取得済)
  • 一家に1部屋「どこでもクリーンルーム」を!!  [通常講演]
    松田 順治, 石橋 晃
    第31回ビジネスEXPO 2017 2017年 アクセスサッポロ(札幌市) 
    「どこでもクリーンルーム」は天井カセット式エアコンや壁掛け式エアコンで病院の手術室並の清浄度を作り出すことが出来ます。 コストはランニングコスト、イニシャルコスト共に従来の1/10と大幅に節約出来ます。(特許取得済)
  • 体動分離型代謝測定システム  [通常講演]
    石橋 晃
    ものづくり系新技術説明会 2017年 JST東京本部別館1Fホール(東京・市ヶ谷) 
    Proc. New Technology Presentaion Meetings, Ichigaya, Tokyo, 2017, pp.25-28 2017年12月7日(木)13:00−13:25
  • Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells (MOP3SC) with Redirection Waveguide  [招待講演]
    石橋 晃
    2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2016年06月 口頭発表(招待・特別)
  • 簡易クリーンルーム  [通常講演]
    松田 順治, 石橋 晃
    北海道医療福祉産業研究会 2016年 札幌市立大学サテライトキャンパス, 札幌市 
    2015 SCU産学官研究交流会からの展開
  • ミニマルファブシステム設置環境としての クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)組込み建築物の検討  [通常講演]
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    平成28年度ファブシステム研究会定期総会 2016年 産業技術総合研究所(つくば中央)
  • ミニマルファブで作製を想定する 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型 マルチストライプ半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    平成28年度ファブシステム研究会定期総会 2016年 産業技術総合研究所(つくば中央)
  • ビル・マンション・一般住宅に組込める画期的なCUSP高清浄環境  [通常講演]
    野口 伸守, 石橋 晃
    SAGA建設技術フェア2016 2016年 マリトピア、佐賀市 
    豊かで安全なくらしを支える建設技術:SAGA建設技術フェア2016 主催:公益社団法人佐賀県建築技術支援機構 共済:佐賀県、佐賀大学陸学部都市工学科、ほか 後援:国土交通省九州地方整備局、佐賀市、佐賀県建築士事務所協会、ほか
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池プロセスプラットフォーム及び民生用清浄環境としてのClean UnitSystem Platform (CUSP)の発展  [通常講演]
    石橋 晃, 安武 正弘, 松田 順治, 大橋 美久
    PV Japan 2016 2016年 Japan Yokohama
     
    Pacifico横浜 アカデミックギャラリー
  • 非対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 澤村 信雄
    PV Japan 2016 2016年 Japan Yokohama
     
    Pacifico 横浜 アカデミックギャラリー
  • Clean Unit System Platform (CUSP)を用いた清浄環境下塵埃微粒子モニタリングによる睡眠情報検知の試み  [通常講演]
    安武 正弘, 石橋 晃
    日本睡眠学会第41回定期学術集会 2016年 京王プラザホテル(東京都) 
    第41回定期学術集会 P-187 2016年7月8日 @京王プラザホテル
  • 非対称導波路結合フォトンフォトキャリア直交型太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃
    平成28年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業:平成28年度科学研究費助成事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会) 2016年 北海道大学
  • 高清浄環境CUSP技術の早期社会浸透に向けた要素技術  [通常講演]
    石橋 晃
    平成28年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業:平成28年度科学研究費助成事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会) 2016年 北海道大学
  • ミニマルファブと新型太陽電池、高機能清浄環境CUSPのシナジー  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 澤村 信雄, 野口 伸守, 江藤 月生, 松田 順治, 大橋 美久
    平成28年度ファブシステム研究会臨時総会 2016年 産業技術総合研究所(つくば中央) 
    2016.09.28(水)
  • 高清浄環境CUSP(クリーンユニットシステムプラットフォーム)  [通常講演]
    松田 順治, 大橋 美久, 石橋 晃
    The 41st International Healthcare Engineering Exhibition HOSPEX Japan 2016 2016年 東京ビッグサイト 
    出展品は、CUSPの原理と性能を紹介するコンパクトタイプであるが、今回、世界で初めて、高清浄環境内エアロビクスを提案し、来場者の皆さんに、これを体験してもらえるデモ機を展示・実演する。
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)のミニマルファブ応用可能性  [通常講演]
    石橋 晃, 原 史朗, 大橋 美久, 松田 順治, 江藤 月生, 野口 伸守
    ミニマルファブエグゼクティブフェア 2016年 電気ビル共創館(福岡市中央区) 
    2016.11.8(火)-9(水)
  • Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells with InGaN layers  [通常講演]
    A. Ishibashi, T. Matsuoka, T. Kasai, K. Kondo, N. Sawamura
    The 16th Ries-Hokudai International Symposium 2015年11月 ポスター発表
  • Clean Unit System Platform (CUSP) for Processing New Solar Cells and for Medical/ Hygienic Applications  [招待講演]
    A. Ishibashi, M. Yasutake
    2015 Collaborative Conference on 3D and Materials Research (CC3DMR) 2015年06月 口頭発表(招待・特別)
  • Clean Unit System Platform in "atom-bit-energy/ environment" space for high-efficiency solar cells and kinetosomnogram (KSG) applications  [招待講演]
    A. Ishibashi
    Int'l Conference and Exhibition on Mesoscopic & Condensed Matter Physics 2015年06月 口頭発表(招待・特別)
  • 汎用性に富むクリーン環境CUSP 〜 太陽電池作製プラットフォームから居住空間応用まで  [通常講演]
    石橋 晃, 大橋 美久
    日本応用物理学会 2015年春季大会 2015年 東海大学湘南キャンパス 
    2015年3月11-14日 発表 12p-P3-2
  • CUSPにより高清浄度環境を低コストで実現 〜 ベッド用フォールダブルCUSP(BF−CUSP)清浄環境  [通常講演]
    松田 順治, 大橋 美久, 石橋 晃
    北海道ヘルスケア産業マッチングセミナー 〜 医・農工商をビジネスのステージに 2015年 札幌コンベンションセンター 
    2015年3月20日 ブース31、ポスター並びにBF−CUSPの実機を展示し、現地にて、US209Dクラス100以上の高清浄度を実現・デモンストレーションした。
  • 空気質の改善〜クリーンな環境と健康  [通常講演]
    石橋 晃
    「放射性物質の影響回避」研究会 2015年 南相馬 
    南相馬除染研究所
  • 量子十字素子、高効率太陽電池プロセス用高清浄環境の展開  [通常講演]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト平成26年度成果報告会 2015年 九州大学 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 高清浄環境CUSP技術は、“南部ゴールドストーンボソン”的に振舞える?  [通常講演]
    石橋 晃
    平成27年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池の展望、並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会) 2015年 北海道大学
  • 導波路結合フォトンフォトキャリア直交型太陽電池R&Dの現況  [通常講演]
    石橋 晃
    平成27年度物質・デバイス領域共同研究拠点事業『次世代デバイス・システムの展望 〜 高効率太陽電池の展望、並びに清浄環境の新展開』研究会(電子研学術講演会) 2015年 北海道大学
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池及び「TD∪BUデバイス」の プロセス環境としてのClean Unit System Platform(CUSP)の発展  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2015 2015年 Japan Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の展開  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2015 2015年 Japan Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West アカデミックギャラリー
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型 太陽電池システムのプロセスの検討  [通常講演]
    石橋 晃
    平成27年度ファブシステム研究会臨時総会 2015年 産業技術総合研究所(つくば中央)
  • 無塵・無菌高清浄環境 (CUSP)の応用〜安否確認・睡眠 分析(KSG) ビッグデータへの展開  [通常講演]
    石橋 晃, 松田 順治, 大橋 美久
    札幌市立大学(SCU)産学官研究交流会 2015年 Japan Advanced Center for Universities (ACU), 札幌市
     
    2015 SCU産学官研究交流会
  • Redirection Waveguide for High Efficiency Orthogonal Photon-Photocarrier Propagation Solar Cell  [通常講演]
    T. Taniguchi, T. Kasai, K. Kondo, A. Ishibashi
    The 15th Ries-Hokudai International Symposium joined with the 3rd International Symposium of Nano-Macro Materials, Devices, and System Research Alliance Project 2014年12月 ポスター発表
  • High-efficiency solar cells and versatile clean systems (CUSPs) in "atom-bit-energy/environment" space  [招待講演]
    A. Ishibashi
    Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2014年06月 口頭発表(招待・特別)
  • 磁性薄膜エッジを用いたナノスケール接合デバイス  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    日本磁気学会第194回研究会 2014年 中央大学駿河台記念館 
    発表日:2014/1/10
  • 量子十字素子、高効率太陽電池プロセス用高清浄環境の展開  [通常講演]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト平成25年度成果報告会 2014年 大阪大学会館 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 新規手法による結晶シリコン太陽電池の高効率化  [通常講演]
    小林 光, 石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト平成25年度成果報告会 2014年 大阪大学会館 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 放射性物質吸引を極少にする高清浄生活空間の実現に向けて〜清浄空間CUSPとガンマ線モニタリング装置ガンマアイ(γI)の結合  [通常講演]
    石橋 晃
    「室内における放射性物質の影響回避システム」研究会 2014年 会津大学
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2014 2014年 Japan Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West アカデミックギャラリー
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池・TD∪BUデバイス プロセス環境としてのClean Unit System Platform(CUSP)の展開  [通常講演]
    石橋 晃, 松田 順治, 大橋 美久
    PV Japan 2014 2014年 Japan Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West
  • フォトンフォトキャリア直交型高効率太陽電池用導波路の検討  [通常講演]
    谷口 朝哉, 河西 剛, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年 北海道大学 
    発表日:2014/9/17
  • Ni75Fe25/Alq3/Co接合における交流インピーダンス特性  [通常講演]
    坂下 友規, 釜谷 悠介, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年 北海道大学 
    発表日:2014/9/17
  • Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells  [通常講演]
    A. Ishibashi, T. Kasai, K. Kondo, H. Kaiju, T. Taniguchi
    The 14th RIES-Hokudai International Symposium 2013年12月 ポスター発表
  • 部屋組込みCUSP(清書院)及び、浄書院の紹介  [通常講演]
    松田 順治, 大橋 美久, 石橋 晃
    「北海道健康づくり宣言」セミナー 2013年 ホテル ロイトン札幌 
    ホロトロピック・ネットワーク札幌、国際和合医療学会共催セミナー
  • 清書院CUSP、浄書院CUSPの展開  [通常講演]
    大橋 美久, 松田 順治, 石橋 晃
    北海道・中国環境ビジネス交流事業in札幌 2013年 ホテルさっぽろ芸文館 
    主催:北海道商工会議所連合会 札幌商工会議所 国際部貿易課
  • ナノ秒パルスレーザー照射によるFeAl表面ナノパターンとその磁気特性  [通常講演]
    吉田 裕, 大澤 和也, 渡辺 精一, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃, 吉見 亨祐
    2013年日本金属学会春季講演大会 2013年 東京理科大学
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池のSiベース無機半導体での展開  [通常講演]
    石橋 晃, 佐藤 和彦, 河西 剛, 近藤 憲治, 海住 英生
    日本応用物理学会 2013年春季大会 2013年 早稲田大学 
    2013年3月27-30日 発表 29p-PA9-22
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池プロセス環境CUSP(CleanUnitSystemPlatform)の現状と展望  [通常講演]
    石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点研究会 2013年 北海道大学電子科学研究所
  • 薄膜エッジを利用したナノスケール接合の作製とその電気伝導特性  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点研究会 2013年 北海道大学電子科学研究所
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池のSiベース無機半導体での展開  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2013 2013年 Japan Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West A10
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池とTD∪BU接続・統合のプロセス環境Clean Unit System Platform(CUSP)の現状と展望  [通常講演]
    石橋 晃, 大橋 美久
    PV Japan 2013 2013年 Japan Tokyo
     
    Tokyo Big Sight West A10
  • ナノ秒パルスレーザー照射したFe52Al48表面の磁気特性  [通常講演]
    海住 英生, 吉田 裕, 大澤 和也, 渡辺 精一, 近藤 憲治, 石橋 晃, 吉見 享祐
    第37回日本磁気学会学術講演会 2013年 北海道大学工学部
  • 集光型磁気光学Kerr効果によるCo/PENの磁気光学定数の決定と表面磁性  [通常講演]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会2013 2013年 徳島大学
  • Co/PENにおける面内磁気光学カー効果の回転磁場依存性  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 阿部 太郎, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2013年 徳島大学
  • Co/Alq3/Ni75Fe25接合における電気・磁気・構造特性  [通常講演]
    釜谷 悠介, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2013年 徳島大学
  • 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型高効率太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃
    北海道地域5大学3高専1公設試 新技術説明会 2013年 JST東京別館ホール(市ヶ谷) 
    Proc. New Technology Presentaion Meetings, Ichigaya, Tokyo, 2013, pp.15-18
  • Inorganic semiconductor-based Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells  [通常講演]
    石橋 晃
    The 13th RIES-Hokudai International Symposium Joined with The 1st International Symposium of Nano-Macro Materials, Devices, and System Research Alliance Project 2012年12月 ポスター発表
  • トップダウン系とボトムアップ系の接続・統合の可能性について  [通常講演]
    石橋 晃
    文部科学省「物質・デバイス共同研究拠点」 第2回複雑系数理とその応用に関するシンポジウム 2012年11月 口頭発表(一般)
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池とそのプロセス環境としてのCleanUnitSystemPlatform(CUSP)の応用展開  [通常講演]
    石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点『太陽電池の展開,並びに清浄環境の必要性と未来』研究会 2012年10月 口頭発表(一般)
  • 量子十字素子、高効率光電変換素子とその作製プラットフォームとしての極限高清浄環境の応用  [通常講演]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト成果報告会 2012年04月
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその無機半導体ベースでの展開  [通常講演]
    石橋 晃
    日本応用物理学会 2010年春季大会 2012年03月 ポスター発表
  • CUSPによるデンタルセイフティーシステム(DSS)の実現  [通常講演]
    石橋 晃
    北海道大学-北洋銀行包括連携事業 市民医療特別セミナー 2012年03月 ポスター発表
  • CUSPによるデンタルセイフティーシステム(DSS)の実現  [通常講演]
    石橋 晃, 大澤 孝, 中谷 公一, 大橋 美久, 佐藤 嘉晃, 大畑 昇
    北海道大学-北洋銀行包括連携事業 市民医療特別セミナー 2012年 京王プラザホテル札幌 
    H22年度道産研究シーズ活用型地域産業活性化事業の共同研究の成果発表
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその無機半導体ベースでの展開  [通常講演]
    石橋 晃
    日本応用物理学会 2010年春季大会 2012年 早稲田大学 
    2012年3月16日発表 16p-GP10-8
  • 量子十字素子、高効率光電変換素子とその作製プラットフォームとしての極限高清浄環境の応用  [通常講演]
    石橋 晃
    ナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト成果報告会 2012年 東工大蔵前会館 
    次世代エレクトロニクス、新エネルギー材料、医療材料、環境調和材料
  • 薄膜エッジを用いたナノスケール接合の作製とその電気伝導特性  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    附置研究所アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ(G1)分科会 2012年 加藤科学振興会軽井沢研修所
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のCo、Fe強磁性薄膜における磁気特性  [通常講演]
    海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    2012日本物理学会秋季大会 2012年 横浜国立大学 
    18pPSA-6
  • 集光型磁気光学Kerr効果による有機基板上の強磁性 薄膜(Ni75Fe25ならびにFe)の表面磁性  [通常講演]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    2012日本物理学会秋季大会 2012年 横浜国立大学 
    18pPSA-18
  • Ni75Fe25/Alq3/Co接合における電流電圧特性に関す る研究  [通常講演]
    釜谷 悠介, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    2012日本物理学会秋季大会 2012年 横浜国立大学 
    18pPSA-7
  • フォトンフォトキャリア直交型太陽電池とそのプロセス環境としてのCleanUnitSystemPlatform(CUSP)の応用展開  [通常講演]
    石橋 晃
    物質・デバイス領域共同研究拠点『太陽電池の展開,並びに清浄環境の必要性と未来』研究会 2012年 北海道大学電子科学研究所
  • トップダウン系とボトムアップ系の接続・統合の可能性について  [通常講演]
    石橋 晃
    文部科学省「物質・デバイス共同研究拠点」 第2回複雑系数理とその応用に関するシンポジウム 2012年 札幌 
    共催:科学研究費補助金 新学術領域研究「ヘテロ複雑システムによるコミュニケーション理解のための神経機構の解明」
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池 II 〜導波路結合タイプ  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 海住 英生
    PV Japan 2012 2012年 Japan Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池 I  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 近藤 憲治, 海住 英生, スザン ホワイト
    PV Japan 2012 2012年 Japan Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2012 2012年 Japan Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2011 2011年12月
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開 II  [通常講演]
    石橋 晃
    PV Japan 2011 2011年12月 ポスター発表
  • For Fabrication of multi-striped orthogonal photon-photocarrier propagation solar cells  [通常講演]
    石橋 晃
    The 12th RIES-Hokudai International Symposium 2011年11月 ポスター発表
  • デンタルセイフティシステムの開発(第二報) 研磨作業中の塵埃の観測結果について  [通常講演]
    石橋 晃
    日本歯科技工学会第33回学術大会 2011年10月 ポスター発表
  • デンタルセイフティシステムの開発(第一報) 歯科技工士の塵肺症罹患の潜在的リスクの解消  [通常講演]
    石橋 晃
    日本歯科技工学会第33回学術大会 2011年10月 ポスター発表
  • 有機バルクヘテロ接合太陽電池の開放端電圧の起源に関する研究  [通常講演]
    川口 整吉, 近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    第58 回応用物理学関係連合講演会 2011年 神奈川工科大学 神奈川県厚木市
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体光電変換素⼦とその作製環境としてのversatile Clean Unit System Platform (CUSP)の展開  [通常講演]
    石橋 晃
    附置研究所間アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ(G1)分科会 琉球⼤学ジョイントシンポジウム 2011年 沖縄県那覇市
  • 薄膜エッジを利用したNi/NiO/Niナノスケールトンネル接合の作製とその電流電圧特性  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2011年 富山大学
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のFe、Ni75Fe25、Ni薄膜の表面状態と磁気特性  [通常講演]
    海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2011年 富山大学
  • デンタルセイフティシステムの開発(第二報) 研磨作業中の塵埃の観測結果について  [通常講演]
    大澤 孝, 中谷 公一, 佐藤 嘉晃, 石橋 晃, 大畑 昇
    日本歯科技工学会第33回学術大会 2011年 東京 タワーホール船堀
  • デンタルセイフティシステムの開発(第一報) 歯科技工士の塵肺症罹患の潜在的リスクの解消  [通常講演]
    中谷 公一, 大澤 孝, 佐藤 嘉晃, 石橋 晃, 大畑 昇
    日本歯科技工学会第33回学術大会 2011年 東京 タワーホール船堀
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のCo強磁性薄膜における表面粗さと磁気特性  [通常講演]
    海住 英生, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第52回真空に関する連合講演会 2011年 学習院大学
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開 II  [通常講演]
    河西 剛, 中谷 公一, 望月 進, 蛸島 武広, 大澤 孝, 佐藤 嘉晃, 大畑 昇, 石橋 晃
    PV Japan 2011 2011年 Japan Tokyo
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその作製環境としてのClean Unit System Platform (CUSP)の展開 I  [通常講演]
    石橋 晃, 河西 剛, 海住 英生, 近藤 憲治, 川口 敦吉, スザン ホワイト
    PV Japan 2011 2011年 Japan Tokyo
  • 高清浄環境CUSPラインアップ  [通常講演]
    石橋 晃, 大橋 美久
    2010国際ナノテクノロジー・ナノバイオ展示会 2010年 東京ビッグサイト
  • フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体光電変換素子のための基礎評価  [通常講演]
    石橋 晃
    日本応用物理学会 2010年春季大会 2010年 東海大学湘南キャンパス
  • 高清浄環境CUSPの展開  [通常講演]
    石橋 晃
    2010バイオテクノロジー国際会議・国際バイオEXPO 2010年 東京ビッグサイト 
    ACA-4, 12:10-12:40, 07.02(Fri.)
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上のNi及びNi75Fe25薄膜の表面状態と電気磁気特性  [通常講演]
    海住 英生, バシール ヌブラ, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2010年 大阪府立大学
  • Ni/P3HT:PCBM/Niナノスケール接合の作製とその評価  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, バシール ヌブラ, 川口 敦吉, ホワイト スザン, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2010年 大阪府立大学
  • 有機分子を挟んだナノスケール接合素子の理論とそのデバイスの作製  [通常講演]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会2010年秋季大会 2010年 大阪府立大学中百舌鳥キャンパス
  • 量子十字素子及び高効率光電変換素子の創製と極 限高清浄環境応用  [通常講演]
    石橋 晃
    「次世代エレクトロニクス」プロジェクト(G1)グループ分科 2010年 北海道北広島市 
    北広島クラッセホテル (〒061-1101 北海道北広島市中の沢316−1)
  • ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜上のNi及びNi75Fe25薄膜における表面・界面構造と磁気特性  [通常講演]
    海住 英生, バシール ヌブラ, 阿部 太郎, 近藤 憲治, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会 第51回真空に関する連合講演会) 2010年 大阪大学
  • 青色半導体レーザの劣化過程から新型フルスペクトル光電変換素子へ  [通常講演]
    石橋 晃
    文部科学省「物質・デバイス共同研究拠点」 複雑系数理とその応用に関するシンポジウム 2010年 札幌 
    共催:科学研究費補助金 新学術領域研究「ヘテロ複雑システムによるコミュニケーション理解のための神経機構の解明」
  • 高清浄環境CUSPシステム  [通常講演]
    石橋 晃
    2009国際ナノテクノロジー・ナノバイオ展示会 2009年 東京ビッグサイト
  • ナノ・バイオ実験・産業に好適なCUSP高清浄環境ラインアップ  [通常講演]
    石橋 晃
    第8回国際バイオEXPO 2009年 東京ビッグサイト
  • 量子十字デバイス 〜新機能デバイスの創製に向けて〜  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    第1回北海道大学・富士電機 共同シンポジウム 2009年 北海道大学 創成研究機構
  • トンネルバリアをもつ量子十字素子のトランスポート理論計算  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会 2009年秋季大会 2009年 熊本大学黒髪キャンパス
  • 磁場中及び無磁場中蒸着によるポリエチレンナフタレート有機膜上のニッケル薄膜に関する研究  [通常講演]
    海住 英生, 小野 明人, 川口 敦吉, 近藤 憲治, 元 鍾漢, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    日本物理学会 2009年秋季大会 2009年 熊本大学黒髪キャンパス
  • スピン量子十字構造素子の輸送特性の理論的研究とその実験検証  [通常講演]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会 2009年秋季大会 2009年 熊本大学黒髪キャンパス
  • スピン量子十字デバイスの作製とそのトランスポートに関する研究  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    平成21年度アライアンスG2分科会シンポジウム 2009年 北海道大学 創成科学研究棟
  • CUSPによるISOクラス マイナス1極限高清浄度  [通常講演]
    大橋 美久, 石橋 晃
    北海道・札幌IT&Bioビジネスマッチングin大阪 2008年 大阪 
    口頭発表含む(by石橋)
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)による高清浄環境  [通常講演]
    石橋 晃
    第7回国際バイオフォーラム&国際バイオEXPO2007 2008年 東京ビッグサイト
  • Ni薄膜/ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜を用いた量子十字構造の作製とその評価  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 小野 明人, 川口 敦吉, 元 鍾漢, 平田 秋彦, 石丸 学, 弘津 禎彦, 石橋 晃
    第32回日本磁気学会 2008年 東北学院大学
  • ニッケル薄膜/ポリエチレンナフタレート有機膜を用いた量子十字デバイスの作製とその評価  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    平成20年度アライアンスG2分科会シンポジウム 2008年 東京工業大学
  • 極限高清浄環境を提供するクリーンユニットシステム  [通常講演]
    石橋 晃, 大橋 美久, スザン ホワイト
    ビジネス EXPO 2008年 アクセスサッポロ
  • スパイラルヘテロ構造を利用した新型光電デバイスの進展  [通常講演]
    石橋 晃, 近藤 憲治, 海住 英生
    ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス平成20年度成果報告会 2008年 北海道大学
  • 無塵・無菌の極限高清浄環境を提供するCUSP  [通常講演]
    川口 敦吉, 海住 英生, 大橋 美久, 石橋 晃
    第11回おおた工業フェア 2007年 大田区産業プラザ
  • 無塵・無菌を実現した極限高清浄環境CUSP  [通常講演]
    山形 整功, 海住 英生, 大橋 美久, 石橋 晃
    ナノバイオEXPO2007 2007年 東京ビッグサイト
  • スパイラルへテロ構造を用いた高効率光電変換素子の可能性  [通常講演]
    五味田 こずえ, モハメド ダリル ラハマン, 川口 敦吉, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会 2007年春季大会 2007年 鹿児島大学 
    21pTG-10
  • 量子十字、光電変換デバイスの創製  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス発足記念シンポジウム 2007年 東京、学士会館
  • クリーンユニットシステムプラットフォームによる完全無菌・無塵環境  [通常講演]
    石橋 晃
    第6回国際バイオフォーラム&国際バイオEXPO2007 2007年 東京ビッグサイト 
    ACA-7 L3 11:50-12:20 22, June 2007 (Fri.)
  • ISOクラス マイナス1の極限高清浄環境クリーンユニットシステムの開発  [通常講演]
    石橋 晃
    北海道バイオ産業クラスター・フォーラム 2007年 ホテルモントレーエーデルホフ札幌 
    IV. ? 14:55-15:10, 29 June 2007 (Fri.)
  • ISOクラス マイナス1極限高清浄度の実現  [通常講演]
    石橋 晃, 大橋 美久, 海住 英生
    北海道・札幌IT&Bioビジネスマッチングwith 川崎/横浜 2007年 パシフィコ横浜 
    パシフィコ横浜
  • 完全無菌・無塵環境クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP II)  [通常講演]
    海住 英生, 大橋 美久, 石橋 晃
    イノベーションジャパン2007 2007年 東京国際フォーラム 
    Booth V-06 (共同展示)北大R&BP推進協議会
  • ポリエチレンナフタレート有機膜上Au蒸着薄膜の作製と表面構造解析  [通常講演]
    小野 明人, 海住 英生, 川口 敦吉, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会秋季大会 2007年 北海道大学
  • 電極の伝導電子の次元性とコンダクタンスの変化  [通常講演]
    近藤 憲治, 海住 英生, 石橋 晃
    4研究所アライアンス分科会大阪シンポジウム 2007年 大阪府吹田市
  • 極限高清浄環境を提供するクリーンユニットシステム  [通常講演]
    石橋 晃
    ビジネス EXPO 2007年 アクセスサッポロ
  • スピン量子十字構造の作製に向けた強磁性Ni薄膜/ポリエチレンナフタレート有機膜のAFM表面観察  [通常講演]
    海住 英生, 小野 明人, 石橋 晃
    第48回真空に関する連合講演会 2007年 学習院大学
  • 特許論 I 〜 研究成果の特許化について〜  [通常講演]
    石橋 晃
    ニセコ オータムスクール 2007 第7回北大ビジネス入門コース 2007年 北海道虻田郡ニセコ町
  • スパイラルヘテロ構造ベースの新機能デバイス  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス平成19年度成果報告会 2007年 東北大学、片平さくらホール
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [通常講演]
    長田 幸男, 石橋 晃
    テクニカルショー横浜 2006 2006年 パシフィコ横浜
  • 量子十字構造による対称性変調素子の可能性  [通常講演]
    川口 敦吉, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会 第61回年次大会 2006年 愛媛大学 
    27pYB-9 (2006.3.27)
  • Dust & Germ-freeを実現するクリーンユニットシステムの極限高清浄度  [通常講演]
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
    日本物理学会 第61回年次大会 2006年 愛媛大学
  • Clean Unit System Platform(CUSP)による極限高清浄度ISOクラスー1の実現  [通常講演]
    A. Ishibashi, H. Kaiju
    第5回国際バイオフォーラム&国際バイオEXPO 2006年 東京ビッグサイト
  • 装置内包クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [通常講演]
    石橋 晃, 海住 英生
    オルガテクノ2006 2006年 パシフィコ横浜
  • CUSP中の高清浄環境におけるダスト数のサイズ依存性  [通常講演]
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
    日本物理学会 2006年秋季大会 2006年 千葉大学
  • 極限高清浄度実験・生産プラットフォーム(CUSP)  [通常講演]
    Rahaman Dalilur Md, 川口 敦吉, 五味田 こずえ, 小野 明人, 海住 英生, 石橋 晃
    CEATEC Japan 2006年 幕張メッセ
  • 極限高清浄環境を提供するクリーンユニットシステムのビジネス開発  [通常講演]
    Rahaman Dalilur Md, 大橋 美久, 海住 英生, 石橋 晃
    ビジネス EXPO 2006年 アクセスサッポロ
  • 無塵・無菌究極清浄環境生産プラットフォーム(CUSP)  [通常講演]
    川口 敦吉, Rahaman Dalilur Md, 海住 英生, 石橋 晃
    全日本科学機器展 2006年 東京ビッグサイト
  • 量子十字構造を用いた新機能ナノエレクトロニクスの可能性  [通常講演]
    海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    4研究所アライアンス成果報告会 2006年 大阪大学, 銀杏会館
  • 量子十字構造作製のための高度清浄環境の実現に向けての考察と実験  [通常講演]
    川口 敦吉, 山形 整功, 海住 英生, 近藤 憲治, 石橋 晃
    日本物理学会 第60回年次大会 2005年 東京理科大学 
    25aXC1
  • 円柱型ポテンシャルを内包した調和振動子型ポテンシャルにおける電子の付加エネルギー  [通常講演]
    山形 整巧, 石橋 晃, 近藤 憲治
    2005年春季応用物理学会 2005年 埼玉県
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム〜トップダウンとボトムアップの融合・統合にむけて  [通常講演]
    石橋 晃, 海住 英生
    第4回産学官連携推進会議 2005年 国立京都国際会館
  • 量子十字構造作製のための循環型クリーンユニットによる高度清浄環境の研究  [通常講演]
    川口 敦吉, 海住 英生, 石橋 晃
    日本物理学会 秋季大会 2005年 同志社大学
  • クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP)  [通常講演]
    H. Kaiju, A. Ishibashi
    SEMICON Japan 2005 2005年 幕張メッセ
  • トップダウンとボトムアップの統合(Bridging)並びにそのためのサイエンスと要素技術の確立  [通常講演]
    石橋 晃
    北海道大学 電子科学研究所・創成科学研究機構 ジョイントフォーラム 2004年 北海道札幌市
  • トップダウン構造に於けるボトムアップ系としてのaged半導体光素子内転位網  [通常講演]
    石橋 晃, 近藤 憲治
    日本物理学会第59回年次大会 2004年 福岡県福岡市
  • ナノ-バイオ融合プラットフォーム用クリーンボックス連結ユニット  [通常講演]
    石橋 晃, 山形 整功, 川口 敦吉, 近藤 憲治
    2004年秋季代65回応用物理学会学術講演会 2004年 宮城県仙台市 
    講演番号 1pE9、予稿集 No. 1(第1分冊) p. 350
  • 知的財産論II  [通常講演]
    石橋 晃
    ニセコ オータムスクール 2004 第4回北大ビジネス入門コース 2004年 北海道虻田郡ニセコ町
  • 自己組織化臨界現象と半導体デバイス  [通常講演]
    石橋 晃
    ジョイントフォーラム「自己組織化とは何か-ナノテクノロジーを支えるもの-」 2003年 北海道苫小牧市ニドム
  • Extraなclassifierの導入による(二律背反)事象の統合  [通常講演]
    石橋 晃
    北海道大学電子科学研究所交流会 2003年 北海道札幌市
  • 特許論 I 〜 研究成果の特許化について〜  [通常講演]
    石橋 晃
    ニセコ オータムスクール 2003 第3回北大ビジネス入門コース 2003年 北海道虻田郡ニセコ町
  • LD・LEDの製造技術と劣化機構の解析から見る未来の一隅  [通常講演]
    石橋 晃
    GaN系電子・発光デバイスの開発とLD・LEDの製造技術および劣化解析 2003年 東京都品川区五反田
  • MOCVD-grown Atomic Layer Superlattices  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    NATO Advanced Research Workshop on Spectroscopy of Semiconductor Microstructures 1989年 Venice,Italy NATO
  • Optimized Contact Structure for II-VI Laser Diodes  [通常講演]
    S. Kijima, H. Okuyama, Y. Sanaka, T. Kobayashi, A. Ishibashi
    2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes Japan
  • Optical properties of ZnSe/ZnMgBeSe QWs  [通常講演]
    K. Godo, M. W. Cho, J. H. Chang, H. Makino, T. Yao, A. Ishibashi
    2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes Japan
  • MBE growth and device characterization of Be-based materials for application to blue-green laser diodes  [通常講演]
    M. W. Cho, J. H. Chang, H. Makino, T. Yao, A. Ishibashi, M. Y. Shen, T. Goto
    2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes Japan
  • Deep Defect Center Characteristics of Wide-Bandgap II-VI and III-V Blue Laser Materials  [通常講演]
    K. Ando, T. Yamaguchi, K. Koizumi, T. Abe, H. Kasada, A. Ishibashi
    SPIE Photonic West 98 San Jose,U.S.A
  • Heavy p-doping of ZnSe-based II-VI Semiconductors using an Excimer Laser  [通常講演]
    Y. Hatanaka, T. Aoki, M. NAgai, A. Ishibashi
    SPIE Photonic West 98 San Jose,U.S.A
  • Optical Gain in ZnCdSe-ZnSe Quantum Wells  [通常講演]
    F. P. Logue, P. Rees, J. F. Heffernan, C. Jordan, J. F. Donegan, J. Hegarty, F. Hiei, S. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    Tu-P103, Int. Conf. on II-VI Compounds Grenoble,France
  • Defect Annealing in a II-VI laser Diode Structure under Intense Optical Excitation  [通常講演]
    C. Jordan, D. T. Fewer, J. F. Donegan, F. P. Logue, E. M. McCabe, A. Huynh, S. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. on II-VI Compounds Grenoble,France
  • II-VI Blue Semiconductor Lasers  [通常講演]
    A. Ishibashi
    130th Committee on Optoelectronics Japan
  • Coulomb Enhancement to the Optical gain in (ZnCd)Se/ZnSe Multiple Quantum Wells  [通常講演]
    F. P. Logue, P. Rees, J. F. Heffernan, C. Jordan, J. F. Donegan, J. Hegarty, F. Hiei, A. Ishibashi
    SIOE 1996/ICSMM-9
  • High Power Continuous Wave Operation of 512 nm ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SQW-SCH LAser Diodes  [通常講演]
    N. Nakayama, A. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Semicon.Laser Conf. (ISLC) Israel
  • Surface Roughening in Molecular Beam Epitaxyof ZnSe Related II-VI Epitaxial Films  [通常講演]
    S. Tomiya, R. Minatoya, H. Tsukamoto, S. Ito, K. Nakano, E. Morita, A. Ishibashi, M. Ikeda
    The Physics of Semiconductors, ed. M. Scheffler and R. Zimmermann, World Scientific Singapore
  • Gain and Carrier Dynamics at Lasing Densities in ZnCdSe Quantum Well Materiasls  [通常講演]
    J.F. Donegan, F.P. Logue, C. Jordan, P. Rees, S. J. Hewlett, J.F. Heffernan, D. Fewer, E. M. McCabe, J. Hegarty, F. Hiei, S. Taniguchi, T. Hino, K. Nakano, A. Ishibashi
    The Physics of Semiconductors, ed. M. Scheffler and R. Zimmermann, World Scientific Singapore
  • Growth Mechanism of II-VI Compound Semiconductors by Molecular Beam Epitaxy  [通常講演]
    H. Okuyama, T. Kawasumi, A. Ishibashi, M. Ikeda
    9th Int. Conf. on MBE U.S.A
  • Characteristics of II-VI Laser Diodes  [通常講演]
    S. Taniguchi, T. HIno, S. Itoh, K. Nakano, N.Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda
    Workshop on Futrue Direction of II-VI Semiconductor Materials and Devices Buffalo,U.S.A
  • The Effect of Coulomb enhancement on the Optical gain in (ZnCd)Se/ZnSe Quantum Wells  [通常講演]
    J. Hegarty, P. Rees, J.F. Heffernan, J.F. Donegan, F.P. Logue, C. Jordan, D. Fewer, S. Hewlett, E. Mclabe, F. Hiei, S. Taniguchi, T. Hino, A. Ishibashi
    Electron. Materials Conference 1996 Japan
  • Blue-Green Laser Diodes grown by Photo-assisted MOCVD  [通常講演]
    A. Toda, F. Nakamura, K. Yanashima, A. Ishibashi
    8th Int. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (IC-MOVPE 8) Cardiff,UK
  • Optical Output Degradation f II-VI Blue-Green Light Emitting Diodes  [通常講演]
    S.L. Chuang, M. Ukita, S. Kijima, S. Taniguchi, A. Ishibashi
    Conference on Lasers and Electro-Optics 1996 Anaheim,U.S.A
  • Optical Gain in ZnCdSe-ZnSe Quantum Well Structures  [通常講演]
    P. Rees, J. F. Heffernan, F.P. Logue, J.F. Donegan, C. Jordan, F. Hiei, A. Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV San Jose,U.S.A
  • Room Temperature Photopumped Lasing Actin of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe Doubleheterostructure Grown by Metalorganic Chemical Vapor Depostion  [通常講演]
    A. Toda, D. Imanishi, Yanasima, A. Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IV San Jose,U.S.A
  • RT Operation of ZnSe-Active-Layrer and ZnCdSe-Active-Layer Laser Diodes  [通常講演]
    H. Okuyama, N. Nakayama, S. Itoh, M. Ikeda, A. Ishibashi
    SSDM Japan
  • Channeled Substrate Planar Wave-guided Green Laser Diodes  [通常講演]
    N. Nakayama, H. Okuyama, T. Kawasumi, A. Ishibashi
    7th Int. Conf. on II-VI Compounds and Devices Edinburgh,UK
  • Structural Study of Degraded AnMgSSe Blue Light Emitters  [通常講演]
    K. Nakano, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, A. Itoh, E. Morita, Mi. Ikeda, A. Ishibashi
    Electronic Materials Conference Verginia,U.S.A
  • One-hour-long Room Temperature CW Operation of ZnMgSSe-based Blue-Green laser diodes  [通常講演]
    A. Ishibashi, S. Itoh
    7th IEEE Lasers and Elecro-Optics Society Annual Meeting, PD1.1 Boston,U.S.A
  • Blue/Green Laser Diodes Based on ZnMgSSe  [通常講演]
    S. Itoh, A. Ishibashi
    SPIE Int. Symp. II-VI Blue/Green Laser Diodes, 1.1 Boston,U.S.A
  • Characterization of ZnMgSSe Blue Laser Diodes  [通常講演]
    Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    Gordon Research Conf. Point Defects, Line Defects, and Interfaces in Semiconductors Plymouth,NH
  • Blue-Green Laser Diodes woth ZnMgSSe Cladding Layers  [通常講演]
    N. Nakayama, S. Itoh, H. Okuyama, E. Kato, S. MAtsumoto, M. Nagai, M. Ozawa, T. Ohata, K. Nakano, M. Ikeda, A.Ishibashi, Y. Mori
    5th Optoelectron. Conf. (OEC'94) Technical Digest Japan
  • Magneto-conductance of an ultra-small δ-doped GaAs channel grown by metalorganic chemical vapor deposition  [通常講演]
    K. Funato, A. Ishibashi, Y. Mori
    Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics Hawaii,U.S.A
  • Atomic layer superlattices  [通常講演]
    A. Ishibashi, Y. Mori, M. Itabashi, N. Watanabe
    Proc. Int. Workshop for Future Electron Devices - Superlattice Devices - Japan
  • A fundamentally new aspect of electron -phonon interaction in (AlAs)n(GaAs)n ultra-thin layer superlattices  [通常講演]
    A. Ishibashi, Y. Mori, M. Itabashi, N. Watanabe
    18th Int. Conf. Phys. Semicon Japan
  • Operation and catastrophic optical degradation of II-VI laser diodes at output powers larger than 1W  [通常講演]
    O. Shulz, M.Strassburg, T. Rissom, S. Rodt, L. Reissmann, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Klude, D.Hommel, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi
    The Tenth Int. Conf. on II-VI Compounds, Th-14 Germany
  • Current Status and Future Porspects of ZnSe-based light-emitting devices  [通常講演]
    S. Ito, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. II-VI Compounds, Mo-1 Japan
  • Current Status and Perspective of ZnMgSSe-based II-VI Laser Diodes  [通常講演]
    A. Ishibashi
    Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VII San Jose,U.S.A
  • Degradation of II-VI blue-green semiconductor lasers  [通常講演]
    S. L. Chuang, N. Nakayama, A. Ishibashi, S. Taniguchi, K. Nakano
    Photonic West, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VI San Jose,U.S.A
  • II-VI Wide Gap Semiconductor Laser Diodes  [通常講演]
    A. Ishibashi
    11th Japan-Germany Forum on Information Technology Japan
  • ZnMgSSe-based Blue-green Laser Diodes  [通常講演]
    S. Ito, A. Ishibashi
    Photonik Symposium, MW4 Wuerzburg
  • Degradation in II-VI Laser Diodes  [通常講演]
    K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. Defects in Semiconductors, II-VI 2-1 Portugal
  • Recent Developments in ZnSe-based Blue-green Lasers  [通常講演]
    N. Nakayama, A. Ishibashi
    Int. Conf. II-VI Compounds Grenoble
  • Current Status of ZnMgSSe-based LDs  [通常講演]
    H. Okuyama, A. Ishibashi
    IEEE/LEOS Summer Topical Meetings Montreal
  • An Optical Pickup Using a Blue-Green Laser Diode to Read a High-Density Disk  [通常講演]
    N. Eguchi, A. Ishibashi
    Optical Data Storage Tuscon
  • State of the Art of II-VI Blue-green Laser Diodes  [通常講演]
    A. Ishibashi
    Int. Topical Workshop on Space Laser Communications Japan
  • Progress in Wide Band Gap II-VI Lasers  [通常講演]
    A. Ishibashi
    Int. Conf. Phys. Semicon. (ICPS) Berlin
  • Characterization of ZnMgSSe-based Wide-gap Laser Diodes  [通常講演]
    K. Nakano, Akira Ishibashi
    Solid State Device Mtg Japan
  • Room Temperature Laser Operation of Wide-gap II-Vis  [通常講演]
    S. Ito, Akira Ishibashi
    European Material Research Society Symposium on UV, Blue, and Green Light Emission from Semiconductor Materials France
  • Recent Progress in the Development of Blue Laser Diodes  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    HBF Int. Forum on Blue Light Emission for Future Imaging Technology Japan
  • Current Status and Perspective of ZnSe-based Blue-Green LDs  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    Spring Mtg. of Japan Electro-communication Society Japan
  • Present Status of Blue/Green Emitting II-VI LDs  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    Int. Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes Japan
  • High-Efficiency ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe Green and Blue Light-Emitting Diodes  [通常講演]
    N. Nakayama, S. Itoh, A. Ishibashi
    SPIE San Jose
  • Progress in Blue/Green Laser Diodes  [通常講演]
    H. Okuyama, S. Itoh, M.Ikeda, A. Ishibashi
    IEEE LEOS Annual Mtg. SanFrancisco,U.S.A
  • ZnMgSSe-based Semiconductor Lasers  [通常講演]
    M. Ozawa, S. Itoh, A. Ishibashi
    Int. Symposium Conpound Semiconductors Korea
  • ZnMgSSe-based Laser Diodes - Room Temperature Operation and Lifetime  [通常講演]
    M. Ukita, S. Tomiya, K. Nakano, A. Ishibashi
    14th Electronic Materials Symposium Japan
  • Structural Studay of Degraded II-VI Blue Light Emitters  [通常講演]
    Tomiya, M. Ukita, H. Okuyama, K. Nakano, S. Itoh, A. Ishibashi
    Deffects in Semicoductors Conference Japan
  • Recent Progress in II-VI Laser Diodes  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    Topicsal Workshop on III-V Nitrides Japan
  • II-VI Blue-Green Light Emitters  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    7th Int. Conf. on II-VI Compounds and Devices Edinburgh,UK
  • Device Structures and Characteristics of Laser Diodes with ZnMgSSe Cladding Layers  [通常講演]
    M. OzT. Ohata, S. Itoh, N.Nakayama, S. Matsumoto, K. Nakano, M.Ozawa, H.Okuyama, S. Tomiya, M. Ikeda, A. Ishibashi awa, A.Ishibashi
    Int. Workshop on ZnSe-based Blue-Green Laser Structures Germany
  • Growth of ZnMgSSe and Its Application to Laser Diodes  [通常講演]
    M. Ozawa, A. Ishibashi
    Int. Workshop on Metastable and Strained Semiconductor Structures
  • Room Temperature CW Emission of II-VI Diode Lasers  [通常講演]
    M. Ozawa, A. Ishibashi
    Optical Data Storage Conf., MD-4 DanaPoint,U.S.A.
  • Blue-emitting Laser Diodes  [通常講演]
    Kazushi Nakano, Akira Ishibashi
    The German Physical Society Meeting Munster
  • Blue-Green Laser Diodes  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    14th IEEE Int. Semicon. Laser Conf. (ISLC) Hawaii,U.S.A
  • ZnMgSSe-based laser diodes  [通常講演]
    Akira Ishibashi
    13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics(ASPEcs-13) Japan
  • ZnMgSSe-based Blue Laser Diodes  [通常講演]
    Akira Ishibashi, Yoshifumi Mori
    Conf. on Lasers and Electro-Optics, CWF1 Anaheim,U.S.A
  • Room temperature pulsed operation of 498-nm lasers  [通常講演]
    S. Ito, N. Nakayama, H. Okuyama, T. Ohata, M. Ozawa, K. Nakano, A. Ishibashi
    Int. Conf. Sol. State. Dev. Mat.
  • Advances in Blue Laser Diodes  [通常講演]
    Akira Ishibashi, Yoshifumi Mori
    Sixth Int. Conf. on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials Newport,U.S.A

作品等

その他活動・業績

特許

  • 特願2021-071518:消毒機能付き高清浄部屋システムおよびその使用方法  2021年04月21日
    石橋 晃, 野口 伸守, 江藤 月生, 島ノ江 恭弘  シーズテック㈱, ㈱石橋建築事務所, (有)近代設備設計事務所, 飛栄建設㈱
  • 特願2021- 39791:生物体の健康状態分析システムおよび生物体の健康状態分析方法  2021年03月12日
    石橋 晃, Liang Sheng-Fu, 安武 正弘  国立大学法人北海道大学, 学校法人日本医科大学, 台湾国立成功大学
  • 石橋 晃  国立大学法人北海道大学
  • 特願2020-204678:光電変換装置  2020年  12月10日
    石橋 晃, 松岡 隆志  国立大学法人北海道大学
  • 特許(中国) CN110691946 B:Building and method for controlling gas molecule concentration in living and/or activity space in building  
    A. Ishibashi
  • 特許US 10,677,483:Wall, system of highly clean rooms, production method thereof and construction  
    A. Ishibashi, F. Ishibashi
  • 特願(Singapore) No. 11201909352P:Building and method for controlling gas molecule concentration in living and/or activity space in building  2020年06月04日
    A. Ishibashi, T. Etoh, N. Noguchi, J. Matsuda  C'sTEC Cirop., Hiei Kensetsu Corp., Ishibashi Kenchiku Jimusho Corp., Kindai Setsubi Sekkei Jimusho Corp.
  • 特願US 2020/0171427 AI:Building and method for controlling gas molecule concentration in living and/or activity space in building  2020年06月04日
    A. Ishibashi, T. Etoh, N. Noguchi, J. Matsuda  C'sTEC Cirop., Hiei Kensetsu Corp., Ishibashi Kenchiku Jimusho Corp., Kindai Setsubi Sekkei Jimusho Corp.
  • 特願PCT/JP2018/035015:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器、移動体および電磁波導波装置  2020年02月28日
    石橋 晃  国立大学法人 北海道大学
  • 特許第6634644号:高清浄部屋システム  
    石橋 晃、石橋 房雄、江藤 月生、野口 伸守
  • 特許特許第6566341号:ガス交換装置、高清浄部屋システムおよび建築物  
    石橋 晃, 石橋 房雄  石橋 晃、シーズテック株式会社、飛栄建設株式会社、株式会社石橋建築事務所
  • 石橋 晃  国立大学法人 北海道大学
  • 特許第6555489号:ガス交換装置    2019年06月11日
    石橋 晃, 江藤 月生, 野口 伸守, 松田 順治
  • 特願EP 2613340 B1:Device Manufacturing Apparatus and Method Therefor  2019年03月13日
    S. Hara, S. Haraichi, A. Ishibashi  独)産業技術総合研究所
  • 特許6399500:建築物の生活及び/または活動空間内ガス分子濃度制御方法    2018年09月14日
    石橋 晃
  • 実案第3216318号:プレフィルター    2018年04月25日
    石橋 晃, 江藤 月生, 野口 伸守, 松田 順治
  • 特許ZL201510790429.X(China):Device Manufacturing Apparatus    2018年03月27日
    S. Hara, S. Haraichi, A. Ishibashi
  • PCT/JP2018/11601:建築物およびプレフィルター  2018年03月23日
    石橋 晃
  • 特許第6292563号:建築物およびその製造方法    2018年02月23日
    石橋 晃  石橋 晃、清水一智、シーズテック株式会社、飛栄建設株式会社、株式会社石橋建築事務所
  • 特許第6261088号:光電変換装置、建築物および電子機器    2017年12月22日
    石橋 晃, 松岡 隆  北海道大学
  • 特許第6241784号:放射性物質及び放射線対応ファンフィルターユニット、放射性物質及び放射線対応高清浄環境システム、放射性物質含有廃棄物の減容処理システム、放射性物質および放射線対応フィルタ並びに水洗除染装置    2017年11月17日
    石橋 晃
  • 特許第6241862号:高清浄装置、高清浄環境システム、高清浄環境装置の使用方法およびデバイス製造装置の組み立て、立上げまたはメンテナンス方法    2017年11月17日
    石橋 晃, 原 史郎
  • 特願2017-203211:代謝測定システムおよび代謝測定方法  2017年10月20日
    石橋 晃, 安武 正弘
  • 特願2017- 181884:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び移動体  2017年09月22日
    石橋 晃
  • 特許第6202412号:高清浄環境システム    2017年09月08日
    石橋 晃
  • 特許 1703000921 (タイ):Construction and Gas Exchange Device    2017年05月29日
  • 特許11201604190R(Singapore):System and method using information of involuntary body movement during sleep, and sleeping state detection system and method    2017年05月11日
    A. Ishibashi, M. Yasutake, F. Ishibashi
  • 特願11201703256W(Singapore):System and method using information of involuntary body movement during sleep  2017年04月20日
    A. Ishibashi, M. Yasutake
  • 特願2017- 81064:建築物およびプレフィルター  2017年04月17日
    石橋 晃, 江藤 月生, 野口 伸守, 松田 順治
  • PCT/JP2016/079575:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2016年10月05日
    石橋 晃
  • PCT/JP2016/079575:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2016年10月05日
    石橋 晃
  • 特許第5877459号:睡眠時無意識体動情報活用システム及び方法並びに就寝状況検知システムおよび方法    2016年02月05日
    石橋 晃, 安武 正弘, 石橋 房雄
  • 特願2016-007537:睡眠時無意識体動情報活用システム及び方法並びに就寝状況検知システム  2016年01月19日
    石橋 晃  石橋 晃、安武正弘、シーズテック株式会社
  • 特許第5839429号:高清浄部屋システム    2015年11月20日
    石橋 晃, 石橋 房雄  石橋 晃、シーズテック株式会社、飛栄建設株式会社、株式会社石橋建築事務所、有限会社近代設備設計事務所
  • 特許第5839426号:ガス交換膜、高清浄部屋システムおよび建築物    2015年11月20日
    石橋 晃, 石橋 房雄
  • 特願 2015-200705:光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器及び発光装置  2015年10月09日
    石橋 晃  国立大学法人 北海道大学
  • 特許第5773491号:ナノ接合素子およびその製造方法    2015年07月31日
    海住 英生, 石橋 晃
  • 特許第5780531号:デバイス製造システムおよび方法    2015年07月24日
    原 史朗, 原市 聡, 石橋 晃
  • 特願2015-026128:高清浄部屋システム、高清浄作業室システム、高清浄気体供給システム及び高清浄部屋システムの清浄度制御方法  2015年02月13日
    石橋 晃, 石橋 房雄, 江藤 月生, 野口 伸守
  • PCT/JP2014/78543:就寝状況検知システムおよび就寝状況検知方法  2014年10月28日
    石橋 晃, 安武 正弘
  • 特願2014-2121722:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2014年10月17日
    石橋 晃
  • 特願2014-255879:ガス交換膜、高清浄部屋システムならびに建築物  2014年10月17日
    石橋 晃
  • US Patent 8795856:Nickel Thin Film, Method for Formation of the Nickel Thin Film, Ferromagnetic Nano-Junction Device, Method for Producing the Ferromagnetic Nano-Junction Device, Thin Metallic Wire, and Method for Formation of the Thin Metallic Wire    2014年08月05日
    H. Kaiju, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, A. Ono, A. Ishibashi
  • 特願2014-115365:就寝状況検知システムおよび就寝状況検知方法  2014年06月04日
    石橋 晃
  • 特願2014-122001:テントおよびテントシステム  2014年06月03日
    石橋 晃
  • 実願2014-003133:テントおよびテントシステム  2014年06月03日
    石橋 晃
  • 特願2014-106988:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2014年05月23日
    石橋 晃
  • 特願2014-80088:光電変換装置、建築物、電子機器  2014年04月09日
    石橋 晃, 小林 光  北海道大学
  • 台湾出願番号 第102143635:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年11月29日
    石橋 晃
  • PCT/JP2013/81096:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年11月19日
    石橋 晃
  • 特願2013-223958:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年10月29日
    石橋 晃
  • 特願2013-032710:高清浄装置、高清浄環境システム、高清浄環境装置の使用方法およびデバイス製造装置の組み立て、立上げまたはメンテナンス方法, 2013年02月22日  2013年02月22日
    石橋 晃, 原 史郎
  • 特願2013-16456:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2013年01月31日
    石橋 晃
  • 特願2012-262931:壁ならびに高清浄部屋システム及びその製造方法並びに建築物  2012年11月30日
    石橋 晃, 石橋 房雄
  • 特願2012-231508:光電変換装置、建築物および電子機器  2012年10月19日
    石橋 晃
  • 特願2012-223992:放射性物質及び放射線対応ファンフィルターユニット、放射性物質及び放射線対応高清浄環境システム、放射性物質含有廃棄物の減容処理システム、放射性物質および放射線対応フィルタ並びに水洗除染装置  2012年10月09日
    石橋 晃
  • US13/540,247:Functional device and functional system  2012年07月02日
    石橋 晃
  • 特許第4927765号:機能素子の製造方法    2012年02月17日
    石橋 晃
  • 特許第4934061号:機能素子の製造方法および機能材料の製造方法    2012年02月02日
    石橋 晃
  • P41892/DE:Sonde, Methode zur Herstellung einer Sonde, Sonden-Microskop, Magnetkopf, Methode zue Herstellung eines Magnetkopf und einer magnetischen Aufnahme- und Wiedwergabevorrichtung  2011年12月30日
    A. Ishibashi, H. Kaiju
  • 特願2011-520988:プローブおよびその製造方法ならびにプローブ顕微鏡ならびに磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置  2011年12月25日
    石橋 晃, 海住 英生
  • US13/379,564:Probe, method for manufacturing probe, probe microscope, magnetic head, method for manufacturing magnetic head, and magnetic recording/reproducing device  2011年12月20日
    A. Ishibashi, H. Kaiju
  • 特願2011-511480:太陽電池および光電変換素子  2011年11月01日
    石橋 晃
  • 特願2011-197115:コバルト薄膜およびその形成方法ならびにナノ接合素子およびその製造方法ならびに配線およびその形成方法  2011年09月09日
    海住 英生, 石橋 晃
  • PCT/JP2011/066648:高清浄環境システム  2011年07月22日
    石橋 晃
  • 特願2011-052327:量子装置の製造方法  2011年03月10日
    石橋 晃, 海住 英生, ラコビッチ ユーリ, ドネガン ジョン
  • 特願201110056845.9(China):Solar Cell and Photoelectric Conversion Element  2011年03月07日
  • 特許200580030115.4(China特許査定):クリーンユニット並びにシステム    2011年01月12日
    石橋 晃
  • PCT/JP2010/066483:Highly Clean Environmental Device  2010年09月24日
    石橋 晃
  • 特願2010-195996:デバイス製造装置および方法  2010年09月01日
    原 史朗, 石橋 晃, 原市 聡
  • 特願2010-165309:高清浄環境システム  2010年07月02日
    石橋 晃
  • PCT/JP2010/061290:プローブおよびその製造方法ならびにプローブ顕微鏡ならびに磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置  2010年06月25日
    石橋 晃, 海住 英生
  • 特願2010-140109:磁気記録装置  2010年06月21日
    石橋 晃
  • US2010/0105309 A1:Clean unit, method of operating clean unit, and connected clean unit  2010年04月29日
    A. Ishibashi
  • PCT/JP2010/057846:太陽電池および光電変換素子  2010年04月27日
    石橋 晃
  • 特願2009-534258:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法  2010年02月22日
    海住 英生, 石丸 学, 弘津 禎彦, 小野 明人, 石橋 晃
  • 特許第4451492号:クリーンユニット、クリーンユニットの運転方法および連結クリーンユニット    2010年01月20日
    石橋 晃
  • 特許130394(Singapore):Clean Working Chamber System with Dust Filtration    2009年12月31日
    A. Ishibashi
  • PCT/JP2008/054685(米):Clean unit, method of operating clean unit, and connected clean unit  2009年10月25日
    石橋 晃
  • 特願2009-235966:光電変換素子評価装置、光電変換素子評価方法および光電変換素子の製造方法  2009年10月13日
    石橋 晃, 平坂 雅男
  • 特願2009-232303:高清浄環境装置  2009年10月06日
    石橋 晃
  • 特願2009-006840:高清浄環境装置  2009年09月28日
    石橋 晃
  • 特願2009-213516:クリーンユニット(CUSP)  2009年09月15日
    石橋 晃  シーズテック㈱
  • 特願2009-154644:プローブおよびその製造方法ならびにプローブ顕微鏡ならびに磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置  2009年06月30日
    石橋 晃
  • 特願2009-108593:太陽電池および光電変換素子  2009年04月28日
    石橋 晃
  • WO2009041239:Formation of nickel film on polyethylene terephthalate substrate for formation of metal fine wire and manufacture of ferromagnetic nano-joining element used for magnetoresistive element for electronic device such as mobile telephone  2009年01月01日
    Y. Hirotsu, A. Ishibashi, M. Ishimaru, H. Kaiju, A. Ono
  • PCT/JP2008/065924:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法  2008年08月28日
  • 特願2008-2430:展示ユニット  2008年04月16日
    石橋 晃
  • 特願2008-70767:クリーンユニット、連結クリーンユニット、およびプロセス方法  2008年03月19日
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
  • 特願2008-070768:太陽電池  2008年03月19日
    石橋 晃
  • 特願2008-66929:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法  2008年03月17日
    海住 英生, 小野 明人, 石橋 晃
  • 実案第3156408号:クリーンユニット    2008年03月07日
    石橋 晃
  • PCT/JP2008/054679:高清浄度環境測定装置および測定方法  2008年03月07日
    石橋 晃
  • 実願2008-390:クリーンユニット、および連結クリーンユニット  2008年01月29日
    石橋 晃
  • 特願2008-8032:クリーンユニットおよびクリーンユニットシステム  2008年01月17日
    石橋 晃
  • 特願2008-8033:太陽電池の製造方法および光電変換素子の製造方法  2008年01月17日
    石橋 晃
  • 特願2007-306847:クリーンユニット、クリーンブース、クリーンユニットの運転方法および連結クリーンユニット  2007年11月28日
    石橋 晃
  • 特願2007-298755:高清浄度環境測定装置および測定方法  2007年11月19日
    石橋 晃
  • 特願2007-269653:繊維状光電変換素子、同使用方法、同製造方法、織物、織物の使用方法、衣服および壁紙  2007年10月17日
    石橋 晃, 平坂 雅男
  • 10-2007-7005545:機能素子、記憶素子、磁気記録素子、太陽電池、光電変換装置、発光装置、触媒反応装置及びクリーンユニット  2007年10月01日
  • 特願2007-248809:ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合およびその製造方法  2007年09月26日
    海住 英生, 小野 明人, 石橋 晃
  • 実願2007-4616:クリーンユニット、および連結クリーンユニット  2007年06月19日
    石橋 晃
  • 特願2007-101306:機能素子およびその製造方法ならびに機能システム  2007年04月09日
    石橋 晃
  • 特願2007-101305:機能素子および機能材料  2007年04月09日
    石橋 晃
  • 特願2006-349014:クリーンユニットプロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニット、および、プロセス方法  2006年12月26日
    石橋 晃
  • 特願2006-349015:クリーンユニット、連結クリーニュニット、クリーンユニット運転方法、およびクリーン作業室  2006年12月26日
    石橋 晃, 海住 英生
  • 特願2006-201794:光電変換装置  2006年07月25日
    石橋 晃
  • 特願2006-119227:施策・意思決定支援システム  2006年04月24日
    石橋 晃
  • 特願2006-080998:クリーンユニット、連結クリーンユニット、クリーンユニットの運転方法、およびクリーン作業室  2006年03月23日
    石橋 晃, 海住 英生
  • 特願2006-64180:バルクサイズのナノ構造体発光素子、高効率光検出装置、光電エネルギー変換装置(高電圧出力太陽電池)  2006年03月09日
    石橋 晃
  • 特願2006-062880:光電変換装置  2006年03月08日
    石橋 晃
  • 特願2006-022144:バイオ機能測定装置、培養/成長装置、バイオ機能素子および機能素子  2006年01月31日
    石橋 晃, 徳本 洋志, 下村 政嗣, 川口 敦吉, 山形 整功
  • 特願2005-358521:クリーンユニットプロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット運転方法、連結クリーニュニットおよびポータブルクリーンユニット  2005年12月13日
    石橋 晃, 海住 英生
  • PCT/JP2005/017003:機能素子、記憶素子、磁気記録素子、太陽電池、光電変換装置、発光装置、触媒反応装置及びクリーンユニット  2005年09月08日
    A. Ishibashi
  • 特願2004-377301:クリーンユニットプロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニットおよびポータブルクリーンユニット  2004年12月27日
    海住 英生, 川口 敦吉, 石橋 晃
  • 特願2004-375089:機能素子、記憶素子、磁気記録素子、太陽電池、光電変換素子、発光素子、触媒反応装置およびクリーンユニット  2004年12月24日
    石橋 晃
  • 特願2004-271106:薄膜積層構造体の製造方法、薄膜積層構造体、機能素子、機能素子の製造方法、薄膜積層構造体の製造装置およびヘテロ構造体  2004年09月17日
    石橋 晃, 川口 敦吉
  • 特願2004-262040:記憶素子、磁気記録素子、太陽電池および触媒反応装置  2004年09月09日
    石橋 晃  
    2004-262040
  • 特願2005-507275:クリーンユニットの運転方法  2004年06月17日
    石橋 晃
  • PCT/JP2004/008842:クリーンユニット、クリーンユニットシステム、機能ユニット、機能ユニットシステム、材料処理方法、素子製造方法、細胞系育成方法および植物体育成方法  2004年06月17日
    石橋 晃
  • PCT/JP2004/004260:機能素子及びその製造方法ならびに機能システムならびに機能材料  2004年03月26日
    PCT/JP2004/004260
  • 特願2003-174648:クリーンユニット、クリーンユニットシステム、材料加工方法、および素子製造方法  2003年06月19日
    2003-174648
  • 特願2003-124480:機能素子およびその製造方法並びに機能システムならびに機能材料  2003年04月28日
    石橋 晃
  • 特願2003-063048:ナノ構造を有する機能材料、その製造方法及びフレキシブル超高密度メモリー  2003年03月10日
    石橋 晃
  • US5497015:Quantum interference transistor  
    Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan  
    US5497015
  • Optical device using photonics
    US 6,438,298
  • USRE37177:Semiconductor laser  
    Ukita, Masakazu, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan  
    USRE37177
  • 昭61- 88573:半導体発光装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭61-170070:半導体装置  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭61-210679:半導体装置  
    石橋 晃, 森 芳文, 板橋 昌夫  ソニ− (株)
  • 昭61-210623:半導体装置の製法  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭61-210690:半導体発光装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62- 51266:半導体装置  
    板橋 昌夫, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62- 51282:半導体レ−ザ−  
    石川 秀人, 石橋 晃, 森 芳文, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 昭62- 51265:半導体装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62- 51283:半導体発光装置  
    石橋 晃, 石川 秀人, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62-179772:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭62-179714:化合物半導体  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭62-183188:半導体装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 昭62-219424:電子放射半導体装置  
    石橋 晃, 新井 道夫  ソニ− (株)
  • 昭62-219967:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 昭62-219425:電子放射半導体装置  
    石橋 晃, 新井 道夫  ソニ− (株)
  • 昭63-115385:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-130580:超伝導電子装置  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平01-140729:微細パタ−ンの形成方法  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-140721:レジストの形成方法  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-175264:半導体装置の製法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平01-175267:半導体装置  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-187821:レジストパタ−ンの形成方法  
    石橋 晃, 森 芳文, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平01-187827:レジストパタ−ンの形成方法  
    石橋 晃, 森 芳文, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平01-200676:半導体装置の製造方法  
    船戸 健次, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平01-228134:レジストの形成方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平01-238021:半導体基板のエツチング方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02- 22870:位相制御型電界効果トランジスタ  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平02- 71563:半導体装置、絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ及びシヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタ  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02- 82653:電界効果トランジスタおよび半導体集積回路装置  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02- 91921:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平02-112225:パタ−ン形成装置  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-112226:パタ−ン形成方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-119146:半導体装置  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-132863:半導体装置  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-148832:半導体構造及びその製造方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平02-156682:半導体装置  
    船戸 健次, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-156628:超格子の形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-165679:半導体装置及びその製造方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平02-178966:読み出し専用メモリの製造方法  
    森 芳文, 石橋 晃, 船戸 健次, 吉松 浩  ソニ− (株)
  • 平02-206110:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-241023:パタ−ン形成方法  
    船戸 健次, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-260634:超格子構造の製造方法及び一次元超格子の製造方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-281664:半導体装置及びその製造方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平02-305478:半導体装置  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平03- 3351:配線形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平03- 3350:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃, 道仙 政志  ソニ− (株)
  • 平03- 8320:パタ−ン形成方法  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平03-203326:ドライエツチング方法  
    石橋 晃, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 平03-203327:反応性ドライエツチング方法  
    新田 幸代, 小川 正道, 船戸 健次, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平03-211890:光素子の製造方法  
    石橋 晃, 宮島 孝夫  ソニ− (株)
  • 平03-220786:半導体レ−ザ−の製造方法  
    小川 正道, 石橋 晃, 大畑 豊治  ソニ− (株)
  • 平03-220715:エピタキシヤル成長方法及びエピタキシヤル構造体  
    石橋 晃, 小川 正道  ソニ− (株)
  • 平03-238874:電子および/または光素子  
    石橋 晃, 小川 正道, 船戸 健次, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 平03-238813:エピタキシヤル成長方法  
    小川 正道, 石橋 晃, 大畑 豊治  ソニ− (株)
  • 平04- 34983:フオトデイテクタ  
    石橋 晃, 船戸 健次  ソニ− (株)
  • 平04- 34946:電界効果トランジスタ及びその製造方法  
    船戸 健次, 石橋 晃, 新田 幸代, 小川 正道  ソニ− (株)
  • 平04- 36946:走査型トンネル電子顕微鏡  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04- 62973:半導体装置  
    森 芳文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04- 79312:半導体装置及びその製造方法  
    石橋 晃, 小川 正道, 船戸 健次, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 平04- 86826:フオトレジスト  
    石橋 晃, 船戸 健次, 宇賀神 隆一  ソニ− (株)
  • 平04- 86814:カオス発生装置  
    楠木 常夫, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04- 94528:電子ビ−ムを用いた電界放射電子源の製造方法および電子ビ−ムを用いた選択成長方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-112593:光および/または電子装置  
    船戸 健次, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-181777:光スイツチング素子  
    平 健一, 河合 弘治, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平04-206421:半導体装置  
    石橋 晃, 宇賀神 隆一  ソニ− (株)
  • 平04-221858:真空マイクロエレクトロニクスによるトランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-221859:真空マイクロエレクトロニクスによるトランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-221937:カオス発生装置  
    石橋 晃, 楠木 常夫  ソニ− (株)
  • 平04-223343:電荷転送装置  
    森 幸一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-330781:選択成長方法  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-239773:真空電子波干渉トランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-245681:真空電子波干渉トランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平04-273163:電子波干渉トランジスタ  
    宇賀神 隆一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平05-251831:マルチビ−ム半導体レ−ザ装置とその組立て方法  
    石橋 晃, 小林 俊雅  ソニ− (株)
  • 平05-275809:半導体発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平05-335258:化合物半導体装置とその製造方法  
    森田 悦男, 富谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06- 5977:半導体レ−ザ−  
    中野 一志, 石橋 晃, 秋本 克洋  ソニ− (株)
  • 平06- 69596:多重波長モノリシツク発光デバイス  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-151330:化合物半導体のエピタキシヤル成長方法  
    山本 直, 石橋 晃, 中野 一志  ソニ− (株)
  • 平06-152060:半導体レ−ザ  
    山本 直, 石橋 晃, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 平06-151820:量子干渉半導体装置及び量子干渉制御方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-151821:量子干渉半導体装置  
    石橋 晃, 小川 正道  ソニ− (株)
  • 平06-177486:発光素子及びその製造方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-177484:発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-237047:半導体発光素子  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-244506:半導体表示装置及びその製造方法  
    伊藤 哲, 樋江井 太, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-252446:半導体装置の製造方法  
    石橋 晃, 戸田 淳, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 平06-310815:半導体装置  
    樋江井 太, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-314848:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-314849:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-326405:半導体基板及び化合物半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07- 45908:半導体レ−ザ−  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07- 50267:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 平07- 66494:半導体レ−ザ  
    奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07- 66151:半導体発光装置の製造方法  
    伊藤 哲, 石橋 晃, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 平07- 66503:発光素子  
    伊藤 哲, 小沢 正文, 石橋 晃, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 平07- 58043:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃, 中野 一志, 戸田 淳, 奥山 浩之  ソニ− (株)
  • 平07-122822:半導体発光素子  
    吉田 浩, 奥山 浩之, 中野 一志, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-135339:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-142812:半導体レ−ザ−  
    石橋 晃, 金丸 昌司, 奥山 浩之, 今永 俊治  ソニ− (株)
  • 平07-142514:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-169690:化合物半導体のエピタキシヤル成長装置  
    塚本 弘範, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平06-260659:量子干渉効果を利用した半導体装置およびその製造方法  
    石橋 晃, デビツド ジ- ラベンホ-ル, ロイ エル シユルツ, ヘンリ- ダブリユ- ワイルド  ソニ− (株);ユニバ−シテイ オブ イリノイズ フアウンデ−シヨン
  • 平07-147456:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-153781:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-202318:半導体レ−ザ−  
    石橋 晃, 大畑 豊治  ソニ− (株)
  • 平07-211936:半導体装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-170026:II−VI族化合物半導体装置  
    日野 智公, 伊藤 哲, 池田 昌夫, 石橋 晃, 浮田 昌一, 樋江井 太  ソニ− (株)
  • 平07-263752:半導体カラ−発光素子  
    河角 孝行, 中山 典一, 中野 一志, 中村 文彦, 松元 理, 石渡 知子, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平07-273403:半導体発光装置  
    奥山 浩之, 秋本 克洋, 石橋 晃, 白石 誠司, 伊藤 哲, 中野 一志, 池田 昌夫, 日野 智公, 浮田 昌一  ソニ− (株)
  • 平07-307526:半導体発光素子  
    石橋 晃, 中山 典一, 奥山 浩之  ソニ− (株)
  • 平07-154035:半導体発光素子  
    伊藤 哲, 大畑 豊治, 石橋 晃, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 平07-335987:II−VI族化合物半導体発光素子の製法  
    吉田 浩, 浮田 昌一, 中野 一志, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-326824:発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平07-283489:半導体発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 8461:発光受光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 45843:III−V族半導体基板表面の処理方法  
    伊藤 哲, 樋江井 太, 野口 裕泰, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 32180:半導体発光素子  
    石橋 晃, 中山 典一, 喜島 悟  ソニ− (株)
  • 平08- 51251:光半導体装置  
    松元 理, 富谷 茂隆, 中野 一志, 長井 政春, 伊藤 哲, 石橋 晃, 森田 悦男  ソニ− (株)
  • 平08- 70157:半導体レ−ザ−  
    小沢 正文, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 97518:半導体発光素子  
    中野 一志, 松元 理, 伊藤 哲, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08- 18168:II−VI族化合物半導体発光素子  
    石橋 晃, 伊藤 哲, 奥山 浩之, 中野 一志, 近藤 憲治, 武石 玲子  ソニ− (株)
  • 平08-148761:半導体発光装置とその製法  
    長井 政春, 松元 理, 伊藤 哲, 小沢 正文, 大畑 豊治, 石橋 晃, 奥山 浩之, 樋江井 太, 木下 優子  ソニ− (株)
  • 平07-170017:半導体レ−ザ−  
    石川 秀人, 石橋 晃, 森 芳文, 池田 昌夫  ソニ− (株)
  • 平07-273054:II−VI族化合物半導体の成長方法  
    石橋 晃, 伊藤 哲, 松元 理, 白石 誠司, 湊屋 理佳子, 樋江井 太  ソニ− (株)
  • 平08- 97519:半導体発光装置  
    奥山 浩之, 石橋 晃, 加藤 豪作, 吉田 浩, 中野 一志, 浮田 昌一, 喜島 悟, 岡本 桜子  ソニ− (株)
  • 平08-264903:半導体積層構造の製造方法および半導体発光素子の製造方法  
    河角 孝行, 今西 大介, 奥山 浩之, 戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08-264564:マグネシウムを含むII−VI族化合物半導体の成長方法  
    今西 大介, 河角 孝行, 戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平08-288311:半導体積層構造およびその製造方法  
    谷口 理, 伊藤 哲, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09- 45993:半導体発光素子  
    河角 孝行, 中山 典一, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 平09- 83086:半導体発光素子およびその製造方法  
    戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-107155:半導体発光素子  
    石橋 晃, 戸田 淳, 簗島 克典  ソニ− (株)
  • 平09-232688:半導体発光素子  
    谷口 理, 日野 智公, 奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-246288:半導体装置およびその製造方法  
    簗島 克典, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-246289:半導体装置およびその製造方法  
    簗島 克典, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-293934:半導体発光素子  
    喜島 悟, 中山 典一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-309796:窒素系III−V族化合物半導体の成長方法  
    簗島 克典, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-173233:半導体発光素子  
    野口 裕泰, 中野 一志, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-178026:結晶成長方法およびそれを利用した半導体発光素子の製造方法  
    河角 孝行, 奥山 浩之, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-293937:半導体発光素子  
    日野 智公, 谷口 理, 木下 優子, 奥山 浩之, 中野 一志, 岡本 桜子, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平09-318853:光送受信装置および光通信ネツトワ−ク  
    桜井 道彦, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-283651:化合物半導体レ−ザを用いた光ピツクアツプ装置  
    石橋 晃, 江口 直哉  ソニ− (株)
  • 平10-294494:半導体発光素子およびその製造方法  
    戸田 淳, 石橋 晃, 白石 誠司, 野口 裕泰, 左中 由美, 長井 政春, ジヨン フランシス ドネガン, クリストフ ジヨ-ダン, デイビツド ト-マス フユ-ワ-, エスネ マリ- マツキヤプ  ソニ− (株);プロボスト フエロ−ズ アンド スカラ−ズ オブ ザ カレツジ オブ ザ ホ−リ− アンド アンデイバイデツドトリニテイ− オブ クイ−ン エリザベス ニア ダブリン:ザ
  • 平10-303507:半導体発光素子  
    白石 誠司, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10- 83149:自発光表示装置  
    石橋 晃, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 平10-326941:半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置  
    長井 政春, 青木 徹, 畑中 義式, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平10-190154:半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置  
    石橋 晃, 谷口 理, 日野 智公, 小林 高志, 中野 一志, 中山 典一, 戸田 淳, 塚本 弘範, 牧野 桜子  ソニ− (株)
  • 平11-150334:半導体発光素子  
    野口 裕泰, 加藤 豪作, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 平11-150337:半導体発光素子および光装置  
    奥山 浩之, 石橋 晃, 塚本 弘範  ソニ− (株)
  • 平10-326944:半導体装置の製造方法  
    戸田 淳, 簗島 克典, 石橋 晃, 塚本 弘範, 中山 典一  ソニ− (株)
  • 2000-133873:パルス駆動発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2000-174398:半導体発光装置、指示装置および光伝送装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2000-216499:機能材料および機能素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001- 33743:光学装置  
    松居 恵理子, 石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 2001- 34195:表示装置  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 2001-111114:白色LED  
    春山 真一郎, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2000-174396:半導体レ−ザ−およびその製造方法  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001- 64870:機能材料およびその製造方法ならびに機能構造体ならびに光機能素子  
    石橋 晃, 森 芳文, 松居 恵理子, 真峰 隆義, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 2001-265265:表示装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001-282140:情報受信表示装置  
    石橋 晃, 松居 恵理子, 赤尾 裕隆, 戸田 淳  ソニ− (株)
  • 2001-282141:光子操作装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001- 77445:機能一次元構造体の製造方法および機能構造体の製造方法  
    石橋 晃, 森 芳文  ソニ− (株)
  • 2001- 77477:半導体装置及びその製造方法  
    石橋 晃, 小川 正道, 船戸 健次, 新田 幸代  ソニ− (株)
  • 2002- 31781:光学装置およびその製造方法  
    戸田 淳, 松居 恵理子, 赤尾 裕隆, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002- 54994:撮像装置、撮像表示システムおよび撮像印刷システム  
    戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-344047:レ−ザ−構造体を用いた表示装置  
    戸田 淳, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002- 50832:半導体レ−ザ−およびその製造方法  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-100835:半導体レ−ザ−の製造方法  
    浮田 昌一, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002- 94183:化合物半導体装置とその製造方法  
    森田 悦男, 富谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-185078:発光素子及びその製造方法  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-296626:光スイツチおよびデイスプレイ装置  
    戸田 淳, 赤尾 裕隆, 石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2001-511592:フラクタル構造の形成方法  
    宇賀神 隆一, 黒木 義彦, 石橋 晃, 平田 晋太郎  ソニ− (株)
  • 2003-330119:スクリ−ンおよびその製造方法ならびに投影システムならびに表示装置  
    渡辺 誠一, 黒木 義彦, 戸田 淳, 石本 光, 石橋 晃, 中枝 武弘, 西 智裕, 大西 通博  ソニ− (株)
  • 2004- 71511:光導波路、光導波路装置、機械光学装置、検出装置、情報処理装置、入力装置、キ−入力装置および繊維構造体  
    石橋 晃, 鈴木 真之  ソニ− (株)
  • 2004-202361:微粒子の成長方法、微粒子の成長装置および微粒子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-210926:エネルギ−変換材料、エネルギ−変換素子および発光素子  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-213750:マルチプロ−ブ2次元メモリシステムおよびマルチプロ−ブ装置  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-213751:2次元メモリおよびマルチプロ−ブ2次元メモリシステム  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2004-213752:マルチプロ−ブ2次元メモリシステムおよびマルチプロ−ブ2次元探査システム  
    石橋 晃  ソニ− (株)
  • 2002-538491:ニユ−ロン結合体装置  
    ネレス ガブリエ-レ, 安田 章夫, 石橋 晃  ソニ− (株);ソニ−インタ−ナシヨナル(ヨ−ロツパ)ゲ−エムベ−ハ−
  • US4888622:Superconductor electron device  
    Ishibashi, Akira, Funato, Kenji, Mori, Yoshifumi  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US4937204:Method of making a superlattice heterojunction bipolar device  
    Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi, Itabashi, Masao  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5147823:Method for forming an ultrafine metal pattern using an electron beam  
    Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi, Funato, Kenji  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5156988:A method of manufacturing a quantum interference semiconductor device  
    Mori, Yoshifumi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5171718:Method for forming a fine pattern by using a patterned resist layer  
    Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi, Funato, Kenji  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5204588:Quantum phase interference transistor  
    Ugajin, Ryuichi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5247223:Quantum interference semiconductor device  
    Mori, Yoshifumi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5332952:Quantum phase interference transistor  
    Ugajin, Ryuichi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5412223:Semiconductor device exploiting a quantum interference effect  
    Ishibashi, Akira, Ogawa, Masamichi  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5418374:Semiconductor device having an active layer with regions with different bandgaps  
    Morita, Etsuo, Tomiya, Shigetaka, Yamamoto, Tadashi, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5459337:Semiconductor display device with red, green and blue emission  
    Ito, Satoshi, Hiei, Futoshi, Ishibashi, Akira, Toda, Atsushi, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5506855:Semiconductor laser  
    Ishibashi, Akira, Kanamaru, Shoji, Okuyama, Hiroyuki, Imanaga, Shunji  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5567960:II/VI-compound semiconductor light emitting device  
    Ishibashi, Akira, Ito, Satoshi, Okuyama, Hiroyuki, Nakano, Kazushi, Kondo, Kenji, Takeishi, Reiko  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5597740:Semiconductor display device and a method of fabricating the sam  
    Ito, Satoshi, Hiei, Futoshi, Ishibashi, Akira, Toda, Atsushi, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5617446:Surface-emitting semiconductor light emitting device  
    Ishibashi, Akira, Nakayama, Norikazu, Kijima, Satoru  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5625634:Semiconductor laser  
    Ukita, Masakazu, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5633514:Semiconductor light emitting device with lattice-matching and lattice-mismatching  
    Shiraishi, Masashi, Ito, Satoshi, Nakano, Kazushi, Ishibashi, Akira, Ikeda, Masao, Okuyama, Hiroyuki, Akimoto, Katsuhiro, Hino, Tomonori, Ukita, Masakazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5640409:Semiconductor laser  
    Ito, Satoshi, Ohata, Toyoharu, Ishibashi, Akira,Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5657336:Semiconductor light-emitting device  
    Okuyama, Hiroyuki, Ishibashi, Akira, Kato, Eisaku, Yoshida, Hiroshi, Nakano, Kazushi, Ukita, Masakazu, Kijima, Satoru, Okamoto, Sakurako  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5665977:Semiconductor light emitting device with defect decomposing and blocking layers  
    Ishibashi, Akira, Matsumoto, Satoshi, Nagai, Masaharu, Ito, Satoshi, Tomiya, Shigetaka, Nakano, Kazushi,Morita, Etsuo  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5732099:Semiconductor light emitting device  
    Kawasumi, Takayuki, Nakayama, Norikazu, Ishibashi, Akira, Mori, Yoshifumi  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5740193:Semiconductor light-emitting device  
    Okuyama, Hiroyuki,Ishibashi, Akira, Kato, Eisaku, Yoshida, Hiroshi, Nakano, Kazushi, Ukita, Masakazu, Kijima, Satoru, Okamoto, Sakurako  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5764672:Semiconductor laser  
    Ukita, Masakazu, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5811831:Semiconductor device exploiting a quantum interference effect  
    Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5828086:Semiconductor light emitting device with a Mg superlattice structure  
    Ishibashi, Akira, Matsumoto, Satoshi, Nagai, Masaharu, Ito, Satoshi,Tomiya, Shigetaka, Nakano, Kazushi, Morita, Etsuo  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5872023:Method of fabricating of light emitting device with controlled lattice mismatch  
    Shiraishi, Masashi, Ito, Satoshi, Nakano, Kazushi, Ishibashi, Akira, Ikeda, Masao,Okuyama, Hiroyuki, Akimoto, Katsuhiro,Hino, Tomonori, Ukita, Masakazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5898662:Semiconductor light emitting device, its manufacturing method and optical recording and/or reproducing apparatus  
    Ishibashi, Akira, Taniguchi, Satoshi, Kanagawa, Hino, Tomonori, Kobayashi, Takashi,Nakano, Kazushi, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5908306:Method for making a semiconductor device exploiting a quantum interferences effect  
    Ishibashi, Akira, Kanagawa, Japan,Ravenhall, David G, Urbana, IL,Schult, Roy L, Urbana, IL, Wyld, Henry W, Urbana, IL  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US5909459:Surface-emitting semiconductor light emitting device  
    Ishibashi, Akira, Nakayama, Norikazu, Kijima, Satoru  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US6031244:Luminescent semiconductor device with antidiffusion layer on active layer surface  
    Noguchi, Hiroyasu,Nakano, Kazushi, Ishibashi, Akira, Toda, Atsushi,Taniguchi, Satoshi, Hino, Tomonori,Kato, Eisaku  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US6177690:Semiconductor light emitting device having a p-n or p-i-n junction  
    Noguchi, Hiroyasu, Kato, Eisaku, Ishibashi, Akira  Sony Corporation, Tokyo, Japan
  • US6222203:Selfluminous display device having light emission sources having substantially non-overlapping spectra levels  
    Ishibashi, Akira,Kanagawa, Nakayama, Norikazu  Sony Corporation, Tokyo, Japan

受賞

  • 2021年10月 公益社団法人発明協会 令和3年度地方発明表彰「北海道発明協会会長賞」
     建築物およびその製造方法(特許第6292563号) 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2021年04月 OWPT2021 Conference Committee Paper Award
     "Tapered Redirection Waveguide in Two Dimensionally Connected PhotoReceptoConversion Scheme (2DPRCS)" 
    受賞者: A. Ishibashi;T. Kasai;N. Sawamura
  • 2020年04月 物質・デバイス領域共同研究拠点 2019年度物質・デバイス共同研究賞
     「清浄部屋CUSPを利用した睡眠品質の数値解析の検討」 
    受賞者: 台湾国立成功大学 Prof. Sheng-Fu Liang;北海道大学 石橋 晃
  • 2016年10月 平成28年度北海道地方発明表彰 北海道知事賞
     高清浄部屋システムならびに建築物 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2007年09月 北海道 北海道 新商品トライアル制度 H19年度認定
     クリ-ンユニットシステムプラットフォ-ム(CUSP) 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2006年04月 第一回北海道理系向けビジネスプランコンテスト 審査員特別賞
     極限高清浄環境クリーンユニットシステムプラットフォーム(CUSP) 
    受賞者: 石橋 晃
  • 2000年03月 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
     II-VI族系青色半導体レーザーの寿命・劣化機構-ミクロ欠陥増殖による劣化- 
    受賞者: 石橋 晃
  • 1998年 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
     活性層成長条件の最適化による青緑色半導体レーザの長寿命化 
    受賞者: 石橋 晃

共同研究・競争的資金等の研究課題

教育活動情報

主要な担当授業

  • 半導体物理学
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 理学院
    キーワード : ・半導体薄膜成長、半導体プロセス、半導体レーザー、劣化解析、自己組織化臨界現象、トップダウン系、ボトムアップ系、クリーンユニットシステムプラットフォームとその社会応用
  • 量子デバイス物理学
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 理学院
    キーワード : ・半導体薄膜成長、半導体プロセス、青色半導体レーザー、高効率次世代太陽電池
  • 大学院共通授業科目(一般科目):自然科学・応用科学
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 大学院共通科目
    キーワード : ナノ構造、微細加工、デバイス、システム、光機能性材料、光化学、分子性物質、導電性、磁性、薄膜、電子顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、ナノワイヤー、二次元電子ガス、物性理論
  • 大学院共通授業科目(一般科目):自然科学・応用科学
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 大学院共通科目
    キーワード : 現代物理学、ナノテクノロジー、デバイス物理、エントロピー、核力と原子核の構造、相転移、統計物理学、生命現象、宇宙論、低次元系
  • 現代物理学入門
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 修士課程
    開講学部 : 理学院
    キーワード : 現代物理学、ナノテクノロジー、デバイス物理、エントロピー、核力と原子核の構造、相転移、統計物理学、生命現象、宇宙論、低次元系
  • 環境と人間(1単位)
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 学士課程
    開講学部 : 全学教育
    キーワード : 最先端技術、ナノテクノロジー、光科学、極微細技術、自己組織化、ナノ材料、半導体、高分子、超分子、フォトニクス、エレクトロニクス、レーザー、物理、化学、量子
  • 物理学外国語文献講読Ⅰ
    開講年度 : 2021年
    課程区分 : 学士課程
    開講学部 : 理学部
    キーワード : 物理学、量子力学、統計力学、電磁気学

大学運営

委員歴

  • 2010年02月 - 現在   産業技術総合研究所ミニマルファブシステム研究会   ミニマルファブシステム研究会委員
  • 2018年09月 - 2020年03月   レーザー学会光無線給電技術専門委員会   技術専門委員   IEEE
  • 2017年07月 - 2019年03月   国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)   技術委員   日本応用物理学会
  • 2015年04月 - 2019年03月   独立行政法人日本学術振興会   科学研究費委員会専門委員   日本物理学会
  • 2017年07月 - 2018年03月   NEDO「高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発」中間評価分科会委員
  • 2016年10月 - 2018年03月   H28・29 科学研究費助成事業 第1段審査(書面審査)委員
  • 2013年08月 - 2014年07月   特別研究員等審査会専門委員・国際事業委員会書面審査員

社会貢献活動

  • 正法眼蔵随聞記と物理学~roll over Negroponte
    期間 : 2014年06月
    役割 : 講師
    主催者・発行元 : 北海道大学総合博物館・土曜市民セミナー
  • 大自然に学んで、ボクもわたしも発明しよう
    期間 : 2006年08月10日
    役割 : 講師
    主催者・発行元 : サイエンスエキスポ2006 こども未来博、夢・みらい塾


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