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更新日 : 2017/09/19

基本情報

プロフィール

所属部署名
量子集積エレクトロニクス研究センター
職名教授 
学位
工学博士(北海道大学)
メールアドレス
ホームページURLhttp:// www.rciqe.hokudai.ac.jp
科研費研究者番号80149898

研究キーワード

半導体デバイス

研究分野

電気電子工学 / 電子・電気材料工学
応用物理学・工学基礎 / 薄膜・表面界面物性
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電気電子工学 / 電子・電気材料工学
応用物理学・工学基礎 / 薄膜・表面界面物性

職歴

2001年
-
2004年
 北海道大学助教授(量子集積エレクトロニクス研究センター・組織換) 助教授
1998年
-
2001年
 北海道大学助教授(量子界面エレクトロニクス研究センター・配置換) 助教授
1994年
-
1998年
 北海道大学助教授(工学部電気工学科) 助教授
1987年
-
1994年
 北海道職業訓練短期大学校講師(電気科) 講師
1981年
-
1987年
 釧路工業高等専門学校助手(電子工学科) 助手
2004年
- 同教授(量子集積エレクトロニクス研究センター) 教授
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2001年
-
2004年
 北海道大学助教授(量子集積エレクトロニクス研究センター・組織換) 助教授
1998年
-
2001年
 北海道大学助教授(量子界面エレクトロニクス研究センター・配置換) 助教授
1994年
-
1998年
 北海道大学助教授(工学部電気工学科) 助教授
1987年
-
1994年
 北海道職業訓練短期大学校講師(電気科) 講師
1981年
-
1987年
 釧路工業高等専門学校助手(電子工学科) 助手
2004年
- 同教授(量子集積エレクトロニクス研究センター) 教授

所属学協会

応用物理学会
電子情報通信学会
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応用物理学会
電子情報通信学会

研究活動

論文

Effects of Cl2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al2O3/AlGaN/GaN Heterostructures
YATABE Zenji, HORI Yujin, KIM Sungsik, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 6(1) 016502.1-016502.4 2013年01月
Studies on atomic layer deposition Al2O3/In0.53Ga0.47As interface formation mechanism based on air-gap capacitance-voltage method
YOSHIDA Toshiyuki, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Lett 101(12) 122102-122102-4 2012年09月
Interface Properties of Al2O3/n-GaN Structures with Industively Coupled Plasma Etching of GaN Surfaces
KIM Sungsik, HORI Yujin, MA Wang‐Cheng, KIKUTA Daigo, NARITA Tetsuo, IGUCHI Hiroko, UESUGI Tsutomu, UESUGI Tsutomu, KACHI Tetsu, KACHI Tetsu, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 51(6,Issue 1) 060201.1-060201.3 2012年06月
Non-localized trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors subjected to on-state bias stress
HU Cheng-yu, HASHIZUME Tamotsu
J Appl Phys 111(8) 084504-084504-9 2012年04月
Modification of Surface State Density Distribution of p-InP Surfaces by Nitrogen Radical Exposure
YOSHIDA Toshiyuki, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(7,Issue 1) 070209.1-070209.3 2011年07月
Impact of Gate and Passivation Structures on Current Collapse of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors under Off-State-Bias Stress
TAJIMA Masafumi, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(6,Issue 1) 061001.1-061001.7 2011年06月
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
MICZEK Marcin, BIDZINSKI Piotr, ADAMOWICZ Boguslawa, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu
Solid State Commun 151(11) 830-833 2011年06月
Impact of Interface States and Bulk Carrier Lifetime on Photocapacitance of Metal/Insulator/GaN Structure for Ultraviolet Light Detection
BIDZINSKI Piotr, MICZEK Marcin, ADAMOWICZ Boguslawa, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(4,Issue 2) 04DF08.1-04DF08.8 2011年04月
Electrode-contact enhancement in silicon nanowire-array-textured solar cells
CHEN Chen, JIA Rui, LI Haofeng, MENG Yanlong, LIU Xinyu, YE Tianchun, KASAI Seiya, TAMOTSU Hashizume, WU Nanjian, WANG Shanli, CHU Junhao
Appl Phys Lett 98(14) 143108 2011年04月
Formation of silicon nanocrystals embedded in high-.KAPPA. dielectric HfO2 and their application for charge storage
LI Weilong, JIA Rui, CHEN Chen, LI Haofeng, LIU Xinyu, YUE Huihui, DING Wuchang, YE Tianchun, KASAI Seiya, HASHIZUME Tamotsu, WU Nanjian, XU Bingshe
J Vac Sci Technol B Nanotechnol Microelectron Mater Process Meas Phenom 29(2) 021018 2011年03月
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Effects of Cl2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al2O3/AlGaN/GaN Heterostructures
YATABE Zenji, HORI Yujin, KIM Sungsik, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 6(1) 016502.1-016502.4 2013年01月
Studies on atomic layer deposition Al2O3/In0.53Ga0.47As interface formation mechanism based on air-gap capacitance-voltage method
YOSHIDA Toshiyuki, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Lett 101(12) 122102-122102-4 2012年09月
Interface Properties of Al2O3/n-GaN Structures with Industively Coupled Plasma Etching of GaN Surfaces
KIM Sungsik, HORI Yujin, MA Wang‐Cheng, KIKUTA Daigo, NARITA Tetsuo, IGUCHI Hiroko, UESUGI Tsutomu, UESUGI Tsutomu, KACHI Tetsu, KACHI Tetsu, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 51(6,Issue 1) 060201.1-060201.3 2012年06月
Non-localized trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors subjected to on-state bias stress
HU Cheng-yu, HASHIZUME Tamotsu
J Appl Phys 111(8) 084504-084504-9 2012年04月
Modification of Surface State Density Distribution of p-InP Surfaces by Nitrogen Radical Exposure
YOSHIDA Toshiyuki, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(7,Issue 1) 070209.1-070209.3 2011年07月
Impact of Gate and Passivation Structures on Current Collapse of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors under Off-State-Bias Stress
TAJIMA Masafumi, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(6,Issue 1) 061001.1-061001.7 2011年06月
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
MICZEK Marcin, BIDZINSKI Piotr, ADAMOWICZ Boguslawa, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu
Solid State Commun 151(11) 830-833 2011年06月
Impact of Interface States and Bulk Carrier Lifetime on Photocapacitance of Metal/Insulator/GaN Structure for Ultraviolet Light Detection
BIDZINSKI Piotr, MICZEK Marcin, ADAMOWICZ Boguslawa, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(4,Issue 2) 04DF08.1-04DF08.8 2011年04月
Electrode-contact enhancement in silicon nanowire-array-textured solar cells
CHEN Chen, JIA Rui, LI Haofeng, MENG Yanlong, LIU Xinyu, YE Tianchun, KASAI Seiya, TAMOTSU Hashizume, WU Nanjian, WANG Shanli, CHU Junhao
Appl Phys Lett 98(14) 143108 2011年04月
Formation of silicon nanocrystals embedded in high-.KAPPA. dielectric HfO2 and their application for charge storage
LI Weilong, JIA Rui, CHEN Chen, LI Haofeng, LIU Xinyu, YUE Huihui, DING Wuchang, YE Tianchun, KASAI Seiya, HASHIZUME Tamotsu, WU Nanjian, XU Bingshe
J Vac Sci Technol B Nanotechnol Microelectron Mater Process Meas Phenom 29(2) 021018 2011年03月
Silicon nanostructure solar cells with excellent photon harvesting
CHEN Chen, JIA Rui, YUE Huihui, LI Haofeng, LIU Xinyu, YE Tianchun, KASAI Seiya, TAMOTSU Hashizume, WU Nanjian, WANG Shanli, CHU Junhao, XU Bingshe
J Vac Sci Technol B Nanotechnol Microelectron Mater Process Meas Phenom 29(2) 021014 2011年03月
Variation of Chemical and Photoluminescence Properties of Mg-Doped GaN Caused by High-Temperature Process
OGAWA Eri, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(2) 021002.1-021002.6 2011年02月
Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN Structures and State Density Distribution at Al2O3/AlGaN Interface
MIZUE Chihoko, HORI Yujin, MICZEK Marcin, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 50(2) 021001.1-021001.7 2011年02月
Formation of Recessed-Oxide Gate for Normally-Off AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Selective Electrochemical Oxidation
HARADA Naohisa, HORI Yujin, AZUMAISHI Naoki, OHI Kota, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 4(2) 021002.1-021002.3 2011年02月
Loss Evaluation of an AC-AC Direct Converter with a New GaN HEMT SPICE Model
OKAMOTO Masayuki, OKAMOTO Masayuki, TOYODA Genki, TOYODA Genki, HIRAKI Eiji, HIRAKI Eiji, TANAKA Toshihiko, TANAKA Toshihiko, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu, KACHI Tetsu, KACHI Tetsu
IEEE Energy Convers Congr Expo 2011 Vol.3 1795-1800 2011年
Trapping effect evaluation of gateless AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors using transmission-line-model method
HU Cheng-yu, HASHIZUME Tamotsu, OHI Kota, TAJIMA Masafumi
Appl Phys Lett 97(22) 222103 2010年11月
Air-Gap Capacitance-Voltage Analyses of p-InP Surfaces Covered with Natural Oxide
YOSHIDA Toshiyuki, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 3(11) 116601.1-116601.3 2010年11月
Silicon nanowire-array-textured solar cells for photovoltaic application
CHEN Chen, JIA Rui, YUE Huihui, LI Haofeng, LIU Xinyu, WU Deqi, DING Wuchang, YE Tianchun, KASAI Seiya, TAMOTSU Hashizume, CHU Junhao, WANG Shanli
J Appl Phys 108(9) 094318 2010年11月
Deep Electronic Levels of AlxGa1-xN with a Wide Range of Al Composition Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
OOYAMA Kimihito, OOYAMA Kimihito, SUGAWARA Katsuya, OKUZAKI Shinya, TAKETOMI Hiroyuki, MIYAKE Hideto, HIRAMATSU Kazumasa, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 49(10) 101001.1-101001.5 2010年10月
Process Conditions for Improvement of Electrical Properties of Al2O3/n-GaN Structures Prepared by Atomic Layer Deposition
HORI Yujin, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 49(8,Issue 1) 080201.1-080201.3 2010年08月
Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells
SATO Taketomo, YOSHIZAWA Naoki, HASHIZUME Tamotsu
Thin Solid Films 518(15) 4399-4402 2010年05月
Variation of Surface Potentials of Si-Doped AlxGa1-xN (0
KUBO Toshiharu, TAKETOMI Hiroyuki, MIYAKE Hideto, HIRAMATSU Kazumasa, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 3(2) 021004.1-021004.3 2010年02月
Electrochemical Functionalization of InP Porous Nanostructures with a GOD Membrane for Amperometric Glucose Sensors
SATO Taketomo, MIZOHATA Akinori, HASHIZUME Tamotsu
J Electrochem Soc 157(2) H165-H169 2010年
Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2)
CHEN Chen, JIA Rui, LI Weilong, LI Haofeng, YE Tianchun, LIU Xinyu, LIU Ming, KASAI Seiya, TAMOTSU Hashizume, WU Nanjian
J Vac Sci Technol B 27(6) 2462 2009年11月
Fundamental Study of InP-Based Open-Gate Field-Effect Transistors for Application to Liquid-Phase Chemical Sensors
YOSHIZAWA Naoki, SATO Taketomo, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 48(9,Issue 1) 091102.1-091102.4 2009年09月
Drain Current Stability and Controllability of Threshold Voltage and Subthreshold Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
OHI Kota, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 48(8,Issue 1) 081002.1-081002.5 2009年08月
Simulations of Capacitance-Voltage-Temperature Behavior of Metal/Insulator/AlGaN and Metal/Insulator/AlGaN/GaN Structures
MICZEK Marcin, ADAMOWICZ Boguslawa, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 48(4,Issue 2) 04C092.1-04C092.6 2009年04月
Near-midgap deep levels in Al0.26Ga0.74N grown by metal-organic chemical vapor deposition
SUGAWARA Katsuya, KOTANI Junji, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Lett 94(15) 152106 2009年04月
Improvements of electronic and optical characteristics of n-GaN-based structures by photoelectrochemical oxidation in glycol solution
SHIOZAKI Nanako, HASHIZUME Tamotsu
J Appl Phys 105(6) 064912 2009年03月
Effects of Surface Oxidation of AlGaN on DC Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
TAJIMA Masafumi, KOTANI Junji, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 48(2) 020203.1-020203.3 2009年02月
UV-Induced Variation of Interface Potential in AlOx/n-GaN Structure
MIZUE Chihoko, MICZEK Marcin, KOTANI Junji, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 48(2) 020201.1-020201.3 2009年02月
Effect of carbon incorporation on electrical properties of n-type GaN surfaces
KIMURA Takeshi, HASHIZUME Tamotsu
J Appl Phys 105(1) 014503 2009年01月
Surface control of GaN alloys for photonic and electronic devices
HASHIZUME Tamotsu, SHIOZAKI Nanako, OHI Kota
Proc SPIE 7216 72160U.1-72160U.8 2009年
Temperature-Dependent Interface-State Response in an Al2O3/n-GaN Structure
OOYAMA Kimihito, OOYAMA Kimihito, KATO Hiroki, MICZEK Marcin, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys 47(7 Issue 1) 5426-5428 2008年07月
Deposition of aluminum oxide layer on GaN using diethyl aluminum ethoxide as a precursor
UESUGI Tsutomu, KACHI Tetsu, SUGIMOTO Masahiro, MATSUYAMA Tetsuya, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu
J Appl Phys 104(1) 016103 2008年07月
Amperometric Detection of Hydrogen Peroxide Using InP Porous Nanostructures
SATO Taketomo, MIZOHATA Akinori, YOSHIZAWA Naoki, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 1(5) 051202.1-051202.3 2008年05月
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors
MICZEK Marcin, MIZUE Chihoko, HASHIZUME Tamotsu, ADAMOWICZ Boguslawa
J Appl Phys 103(10) 104510 2008年05月
Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
TAMURA Takahiro, KOTANI Junji, KASAI Seiya, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Express 1(2) 023001.1-023001.3 2008年02月
Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures
KOTANI Junji, TAJIMA Masafumi, KASAI Seiya, HASHIZUME Tamotsu
Appl Phys Lett 91(9) 093501-1-093501-3 2007年08月
Chemical and Potential Bending Characteristics of SiNx/AlGaN Interfaces Prepared by In situ Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
OGAWA Eri, HASHIZUME Tamotsu, NAKAZAWA Satoshi, UEDA Tetsuzo, TANAKA Tsuyoshi
Jpn J Appl Phys Part 2 46(20-24) L590-L592 2007年06月
Hydrogen-Sensing Response of Carbon-Nanotube Thin-Film Sensor with Pd Comb-Like Electrodes
HAYAKAWA Yuki, SUDA Yoshiyuki, HASHIZUME Tamotsu, SUGAWARA Hirotake, SAKAI Yosuke
Jpn J Appl Phys Part 2 46(12-16) L362-L364 2007年04月
Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water
SHIOZAKI Nanako, SATO Taketomo, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys Part 1 46(4A) 1471-1473 2007年04月
Solid-Phase Diffusion of Carbon into GaN Using SiNx/CNx/GaN Structure
KIMURA Takeshi, OOTOMO Shinya, NOMURA Takehiko, YOSHIDA Seikoh, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys Part 2 46(8-11) L224-L226 2007年03月
Novel Hybrid Voltage Controlled Ring Oscillators Using Single Electron and MOS Transistors
ZHANG Wancheng, WU Nan‐Jian, HASHIZUME Tamotsu, KASAI Seiya
IEEE Trans Nanotechnol 6(2) 146-157 2007年03月
Sensing Mechanism of InP Hydrogen Sensors Using Pt Schottky Diodes Formed by Electrochemical Process
KIMURA Takeshi, HASEGAWA Hideki, SATO Taketomo, HASHIZUME Tamotsu
Jpn J Appl Phys Part 1 45(4B) 3414-3422 2006年04月
Surface Control Process of AlGaN for Suppression of Gate Leakage Currents in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
HASHIZUME Tamotsu, KOTANI Junji, BASILE Alberto, KANEKO Masamitsu
Jpn J Appl Phys Part 2 45(4-7) L111-L113 2006年02月
Tunneling Injection of Electrons at Nanometer-Scale Schottky Gate Edge of AlGaN/GaN Heterostructure Transistors and Its Computer Simulation
KOTANI Junji, KASAI Seiya, HASEGAWA Hideki, HASHIZUME Tamotsu
e-Journal Surf Sci Nanotechnol (Web) 3 433-438 2005年
Hydrogen Response of Pd Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructure
MATSUO Kazushi, KIMURA Takeshi, HASEGAWA Hideki, HASHIZUME Tamotsu
e-Journal Surf Sci Nanotechnol (Web) 3 314-318 2005年

書籍

高周波半導体材料・デバイスの新展開
シーエムシー出版 2006年
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高周波半導体材料・デバイスの新展開
シーエムシー出版 2006年

受賞

2007年
JJAP編集貢献賞 
2006年
Best Paper Award 
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2007年
JJAP編集貢献賞 
2006年
Best Paper Award 

競争的資金等の研究課題

異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開
科学技術研究機構(JST):戦略的創造研究推進事業(CREST)
研究期間 : 2009年10月 - 2015年03月 代表者 : 橋詰 保
電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化
科学研究費補助金:基盤研究(A)
研究期間 : 2009年04月 - 2013年04月 代表者 : 橋詰 保
競争的資金等の研究課題を全て表示する
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異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開
科学技術研究機構(JST):戦略的創造研究推進事業(CREST)
研究期間 : 2009年10月 - 2015年03月 代表者 : 橋詰 保
電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化
科学研究費補助金:基盤研究(A)
研究期間 : 2009年04月 - 2013年04月 代表者 : 橋詰 保

教育活動

主要な担当授業

半導体デバイス工学
開講年度 : 2015年
課程区分 : 学士課程
開講学部 : 工学部
キーワード : pn接合、ショットキー接合、MOS構造、バイポーラトランジスタ、MOSFET、光デバイス、太陽電池、CMOS集積回路
電子材料学特論
開講年度 : 2015年
課程区分 : 修士課程
開講学部 : 情報科学研究科
キーワード : エレクトロニクスと電子材料, 結晶構造と結晶物理, 電子材料の評価技術, 基幹半導体材料, 異種半導体接合材料, 誘電体および磁性材料, 有機半導体材料, 結晶成長法
最新年度を全て表示する
主要な担当授業閉じる
半導体デバイス工学
開講年度 : 2015年
課程区分 : 学士課程
開講学部 : 工学部
キーワード : pn接合、ショットキー接合、MOS構造、バイポーラトランジスタ、MOSFET、光デバイス、太陽電池、CMOS集積回路
電子材料学特論
開講年度 : 2015年
課程区分 : 修士課程
開講学部 : 情報科学研究科
キーワード : エレクトロニクスと電子材料, 結晶構造と結晶物理, 電子材料の評価技術, 基幹半導体材料, 異種半導体接合材料, 誘電体および磁性材料, 有機半導体材料, 結晶成長法
前年度を全て表示する
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半導体デバイス工学
開講年度 : 2014年
科目学籍区分名 : 学士課程
科目学部名 : 工学部
キーワード : pn接合、ショットキー接合、MOS構造、バイポーラトランジスタ、MOSFET、光デバイス、太陽電池、CMOS集積回路
電子材料学特論
開講年度 : 2014年
科目学籍区分名 : 修士課程
科目学部名 : 情報科学研究科
キーワード : エレクトロニクスと電子材料, Electronics and Electronic Materials 結晶構造と結晶物理, Crystal Structures and Physics for Crystals 電子材料の評価技術, Characterization Methods基幹半導体材料, Key Semiconductors異種半導体接合材料, Hetero-Junction Semiconductors 誘電体および磁性材料, Dielectric and Magnetic Materials 有機半導体材料, Organic Semiconductors結晶成長法, Methods of Crystal Growth
前々年度を全て表示する
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半導体デバイス工学
開講年度 : 2013年
科目学籍区分名 : 学士課程
科目学部名 : 工学部
キーワード : pn接合、ショットキー接合、MOS構造、バイポーラトランジスタ、MOSFET、光デバイス、太陽電池、CMOS集積回路
電子材料学特論
開講年度 : 2013年
科目学籍区分名 : 修士課程
科目学部名 : 情報科学研究科

大学運営

学内役職歴

2016年04月
-
2018年03月
量子集積エレクトロニクス研究センター長
2014年04月
-
2016年03月
量子集積エレクトロニクス研究センター長
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2016年04月
-
2018年03月
量子集積エレクトロニクス研究センター長
2014年04月
-
2016年03月
量子集積エレクトロニクス研究センター長

社会貢献

委員歴

2012年04月
-
現在
応用物理学会 理事
2012年04月
-
現在
応用物理学会 北海道支部長
2009年04月
-
2011年03月
電子情報通信学会電子デバイス専門委員会 委員長
2007年
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 副委員長
委員歴を全て表示する
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2012年04月
-
現在
応用物理学会 理事
2012年04月
-
現在
応用物理学会 北海道支部長
2009年04月
-
2011年03月
電子情報通信学会電子デバイス専門委員会 委員長
2007年
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 副委員長

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