植村 哲也 (ウエムラ テツヤ)
| 情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 先端エレクトロニクス分野 | 教授 |
Last Updated :2025/06/07
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論文
- Current-induced effective magnetic field acting on a domain wall in perpendicularly magnetized Pd/Co2MnGa
Takaya Koyama, Yuki Nishioka, Tetsuya Uemura, Michihiko Yamanouchi
AIP Advances, 15, 3, AIP Publishing, 2025年03月01日
研究論文（学術雑誌）, We investigated the current-induced effective magnetic field Heff acting on a domain wall (DW) under an in-plane magnetic field H// along the current direction in a perpendicularly magnetized heterostructure composed of a Pd and Weyl ferromagnet Co2MnGa (CMG) layer. Heff is equivalent to a perpendicular magnetic field to move the DW. The magnitude of Heff per current density had a local maximum with respect to H// and decreased at large |H//|. This relationship cannot be explained only by Heff originating from the conventional spin-orbit torque and/or orbit torque (SOT/OT). Assuming that the residual component of Heff excluding the contribution of SOT/OT originates from the conventional field-like spin-transfer torque, the lower bound of the nonadiabaticity parameter characterizing the torque, which is usually much less than 1, is estimated to be 1.9. These results suggest that unconventional and energy-efficient mechanisms are superposed on the SOT/OT in Pd/CMG. - Spin injection and detection using perpendicularly magnetized Mn/Co bilayers grown on GaAs via all electrical methods
Mineto Ogawa, Kotaro Nara, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS LETTERS, 126, 2, 2025年01月13日
英語, 研究論文（学術雑誌） - Perspective on spin-based wave-parallel computing
Makoto Kohda, Takeshi Seki, Yasushi Yuminaka, Tetsuya Uemura, Keito Kikuchi, Gian Salis
Appl. Phys. Lett., 123, 190502, 2023年11月, ［査読有り］, ［招待有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Current-induced domain wall motion in Pd/Co2MnGa with perpendicular magnetic anisotropy
Takaya Koyama, Yuki Nishioka, Tetsuya Uemura, Michihiko Yamanouchi
68th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts,, VP1-01, 2023年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Effect of an ultrathin Fe interlayer on the growth of MnGa and spin-orbit-torque induced magnetization switching
Mineto Ogawa, Takuya Hara, Shun Hasebe, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
Applied Physics Express, 16, 6, 063002, 063002, IOP Publishing, 2023年06月01日, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）, Abstract
We investigated the effect of an ultrathin Fe interlayer on the growth of MnGa and spin–orbit torque (SOT) induced magnetization switching. MnGa was epitaxially grown on Fe at room temperature without thermal annealing. The MnGa/Fe bilayer was perpendicularly magnetized, and clear magnetization switching of the MnGa/Fe bilayer using the spin current, mainly from the adjacent Ta, was observed. The insertion of the Fe layer reduced the switching current density and increased a SOT-originated effective magnetic field. These results indicate that the MnGa/Fe bilayer is a promising spin source, capable of both perpendicular spin injection into GaAs and electrical manipulation of its spin direction. - Microfabrication and Characterization of Ferromagnetic Metal/Nonmagnetic Semiconductor Junctions for Spin Pumping-Induced Highly Efficient Spin Injection
T.S. Balland, T. Seki, T. Yamazaki, R.Y. Umetsu, M. Ogawa, T. Uemura, K. Takanashi
IEEE International Magnetics Conference 2023 (INTERMAG 2023), Digest Book, DPB-08, 2023年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-orbit torque induced magnetization switching in perpendicularly magnetized MnGa/Fe bilayer grown on GaAs
Mineto Ogawa, Takuya Hara, Shun Hasebe, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
IEEE International Magnetics Conference 2023 (INTERMAG 2023), Digest Book, APC-08, 2023年05月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Deterministic field-free switching of perpendicular magnetization by spin–orbit torques originating from in-plane magnetized Co2MnAl
Daimu Morita, Takuya Hara, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
AIP Advances, 13, 1, AIP Publishing, 2023年01月01日, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）, Spin–orbit torques (SOTs) induced magnetization switching in a perpendicularly magnetized CoFeB film deposited on a Ti/in-plane magnetized Co2MnAl stack was investigated. Deterministic switching of the CoFeB magnetization was demonstrated by applying a current pulse to the stack in a direction parallel or antiparallel to the Co2MnAl magnetization. We found that the hysteresis loops of the anomalous Hall resistance for CoFeB under the constant current is shifted in the out-of-plane magnetic field axis direction depending on the directions of both the applied current and the magnetization of Co2MnAl. The shift amount exhibits an almost linear increase as the current magnitude increases. These results are consistent with the effects caused by SOTs originating from spin currents having an in-plane polarization orthogonal to the Co2MnAl magnetization. - Field-free switching of perpendicular magnetization by spin-orbit torques originating from an in-plane magnetized Co2MnAl spin source
Daimu Morita, Takuya Hara, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
67th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts,, EOE-14, 2022年10月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Effect of off-stoichiometric composition on half-metallic character of Co2Fe(Ga,Ge) investigated using saturation magnetization and giant magnetoresistance effect
Yuki Chikaso, Masaki Inoue, Tessei Tanimoto, Keita Kikuchi, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura, Kazuumi Inubushi, Katsuyuki Nakada, Hikari Shinya, Masafumi Shirai
Journal of Physics D: Applied Physics, 55, 34, 345003 (9pp), IOP Publishing, 2022年08月25日, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）, Abstract
We investigated the Ge-composition (γ) dependence of the saturation magnetization of Co2Fe(Ga, Ge) (CFGG) thin films and the magnetoresistance (MR) ratio of CFGG-based current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) devices together with first-principles calculations of the electronic states of CFGG. Theoretical calculations showed that spin polarization is highest at the stoichiometric composition γ = 0.56 in Co2Fe1.03Ga0.41Geγ and that it decreases in off-stoichiometric CFGG, mainly due to the formation of CoFe antisites for Ge-deficient compositions and FeCo antisites for Ge-rich compositions, where CoFe (FeCo) indicates that Co (Fe) atoms replace the Fe (Co) sites. The saturation magnetic moment (μs) per formula unit decreased monotonically as γ increased from 0.24 to 1.54 in Co2Fe1.03Ga0.41Geγ. The μs was closest to the Slater–Pauling value predicted for half-metallic CFGG at the stoichiometric composition γ = 0.56, indicating that stoichiometric CFGG has a half-metallic nature. This is consistent with the result for the theoretical spin polarization. In contrast, the MR ratio of CFGG-based CPP-GMR devices increased monotonically as γ increased from 0.24 to 1.10 and reached an MR ratio of 87.9% at the Ge-rich composition γ = 1.10. Then, the MR ratio decreased rapidly as γ increased from 1.10 to 1.48. Possible origins for the slight difference between the Ge composition at which the highest MR ratio was obtained (γ = 1.10) and that at which the highest spin polarization was obtained (γ = 0.56) are improved atomic arrangements in a Ge-rich CFGG film and the reduction of effective Ge composition due to Ge diffusion in the GMR stacks. - Theory and observation of topological Hall torque emerging from band topology
Y. Araki, M. Yamanouchi, T. Sakai, T. Uemura, J. Ieda
29th International Conference on LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT29), 2022年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-Orbit Torque in Structures With Magnetization-Compensated MnGa/Co2MnSi Bilayer
Takuya Hara, Kohey Jono, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
IEEE Transactions on Magnetics, 58, 8, 1400104 (4pp), 4, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022年08月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Observation of topological Hall torque exerted on a domain wall in the ferromagnetic oxide SrRuO 3
Michihiko Yamanouchi, Yasufumi Araki, Takaki Sakai, Tetsuya Uemura, Hiromichi Ohta, Jun’ichi Ieda
Science Advances, 8, 15, eabl6192(6pp), American Association for the Advancement of Science (AAAS), 2022年04月15日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）, In a ferromagnetic Weyl metal SrRuO 3 , a large effective magnetic field Heff exerted on a magnetic domain wall (DW) by current has been reported. We show that the ratio of Heff to current density exhibits nonmonotonic temperature dependence and surpasses those of conventional spin-transfer torques and spin-orbit torques. This enhancement is described well by topological Hall torque (THT), which is exerted on a DW by Weyl electrons emerging around Weyl points when an electric field is applied across the DW. The ratio of the Heff arising from the THT to current density is over one order of magnitude higher than that originating from spin-transfer torques and spin-orbit torques reported in metallic systems, showing that the THT may provide a better way for energy-efficient manipulation of magnetization in spintronics devices. - Spin-orbit torque in structures with magnetization-compensated MnGa/Co2MnSi bilayer
T. Hara, K. Jono, M. Yamanouchi, T. Uemura
15th Joint MMM-Intermag Conference, 360, 2022年01月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Nonmonotonic temperature dependence of current induced effective magnetic field exerted on domain wall in SrRuO3
M. Yamanouchi, Y. Araki, T. Sakai, T. Uemura, H. Ohta, J. Ieda
15th Joint MMM-Intermag Conference, 386, 2022年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin–orbit torque induced magnetization switching for an ultrathin MnGa/Co2MnSi bilayer
Kohey Jono, Fumiaki Shimohashi, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
AIP Advances, 11, 2, 025205(5pp), AIP Publishing, 2021年02月01日, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌） - MnGa/Co2MnSi Bilayer for Spin-Orbit Torque Magnetization Switching
M. Yamanouchi, K. Jono, F. Shimohashi, T. Uemura
65th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts,, R2-07, 2020年11月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Enhancement of magnetoresistance characteristics of Ge-rich Co2Fe(Ga,Ge)-based current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices
K. Nakada, Y. Chikaso, T. Tanimoto, M. Inoue, K. Inubushi, T. Uemura
65th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts,, R3-12, 2020年11月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-orbit-torque induced magnetization switching for an ultra-thin MnGa/Co2MnSi bilayer
K. Jono, F. Shimohashi, M. Yamanouchi, T. Uemura
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020), Extended Abstracts, 599, 600, 2020年09月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Off-stoichiometry effect on magnetic damping in thin films of Heusler alloy Co2MnSi
Ting Li, Wei Yan, Xinhui Zhang, Bing Hu, Kidist Moges, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Masahito Tsujikawa, Masafumi Shirai, Yoshio Miura
Physical Review B, 101, 17, 174410(12pp), American Physical Society (APS), 2020年05月06日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Magnetic properties and spin-orbit-torque-induced magnetization switching in Ta/MnGa grown on Cr and NiAl buffer layers
Michihiko Yamanouchi, Nguyen Viet Bao, Fumiaki Shimohashi, Kohey Jono, Masaki Inoue, Tetsuya Uemura
AIP ADVANCES, 9, 12, 125245-1, 125245-4, 2019年12月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effects of spin–orbit torque on domain wall motion in a Ta/MnGa/NiAl structure
M. Yamanouchi, N.V. Bao, M. Inoue, T. Uemura
64th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts,, p.773, 2019年11月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-orbit-torque induced magnetization switching for an ultra-thin MnGa grown on NiAl buffer layer
Shimohashi Fumiaki, Nguyen Bao, Yamanouchi Michihiko, Uemura Tetsuya
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2019.2, 2176, 2176, The Japan Society of Applied Physics, 2019年09月04日
英語 - Interaction between spin-orbit torque and domain walls in a Ta/MnGa/NiAl structure
M. Yamanouchi, N. V. Bao, M. Inoue, T. Uemura
Jpn. J. Appl. Phys., vol.58, 10, 100903-1, 100903-4, 2019年09月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Origin of biquadratic interlayer exchange coupling in Co2MnSi-based current-perpendicular-to-plane pseudo spin valves
M. Inoue, K. Inubushi, D. Mouri, T. Tanimoto, K. Nakada, K. Kondo, M. Yamamoto, T. Uemura
Appl. Phys. Lett., vol.114, 062401(5pp), 2019年02月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Electrical spin injection into an AlGaAs/GaAs-based 2DEG system with a Co2MnSi spin source up to room temperature
Z. Lin, D. Pan, M. Rasly, T. Uemura
14th Joint MMM-Intermag Conference, Abstracts, 86, 2019年01月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical spin injection into AlGaAs/GaAs-based two-dimensional electron gas systems with Co2MnSi spin source up to room temperature
Z. Lin, D. Pan, M. Rasly, T. Uemura
Appl. Phys. Lett., vol.114, 1, 012405(5pp), AIP Publishing, 2019年01月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Origin of bi-quadratic interlayer exchange coupling in Co2MnSi-based pseudo spin valves
D. Mouri, M. Inoue, K. Inubushi, T. Tanimoto, K. Nakada, M. Yamamoto, T. Uemura
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), Extended Abstracts, PS-9-08, 2018年09月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Mn-composition dependence of strength of bi-quadratic interlayer exchange coupling in Co2MnSi-based pseudo spin-valves
M. Inoue, D. Mouri, K. Inubushi, K. Nakada, M. Yamamoto, T. Uemura
IEEE International Magnetics Conference 2018 (INTERMAG 2018), Digest Book, 855, 2018年04月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical spin injection into an AlGaAs/GaAs-based high-mobility two-dimensional electron system
Z. Lin, D. Pan, M. Rasly, T. Uemura
IEEE International Magnetics Conference 2018 (INTERMAG 2018), Digest Book, p.1616, 2018年04月, ［査読有り］, ［責任著者］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Coherent manipulation of nuclear spins in GaAs using electrical spin injection
T. Uemura
International Workshop on NanoScience and NanoOptics 2017, 2017年11月, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Systematic investigations of transient response of nuclear spins in the presence of polarized electrons
Mohmoud Rasly, Zhichao Lin, Tetsuya Uemura
PHYSICAL REVIEW B, 96, 18, 184415(8pp), 2017年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Influence of Mn composition in Co2MnSi films on magnetoresistance characteristics of Co2MnSi-based current-perpendicular-to-plane spin valves
M. Inoue, B. Hu, K. Moges, K. Inubushi, K. Nakada, M. Yamamoto, T. Uemura
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Extended Abstracts, 989, 990, 2017年09月, ［査読有り］
研究論文（国際会議プロシーディングス） - Influence of off-stoichiometry on magnetoresistance characteristics of Co2MnSi/Ag-based current-perpendicular-to-plane spin valves
Masaki Inoue, Bing Hu, Kidist Moges, Kazuumi Inubushi, Katsuyuki Nakada, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS LETTERS, 111, 8, 082403(5pp), 2017年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Influence of Mn composition in Co2MnSi films on magnetoresistance characteristics of Co2MnSi-based giant magneto-resistance devices
M. Inoue, B. Hu, K. Moges, K. Inubushi, K. Nakada, M. Yamamoto, T. Uemura
9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology, Abstract Book, 85, 2017年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical detection of nuclear spin-echo signals in an electron spin injection system
Zhichao Lin, Mahmoud Rasly, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS LETTERS, 110, 23, 232404 (4pp), 2017年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Electrical control of nuclear spin polarization: Experimental and quantitative modeling
M. Rasly, Z. Lin, M. Yamamoto, T. Uemura
IEEE Int’l Magnetics Conf. 2017 (INTERMAG 2017), Digests (USB Memory), GO-12, 2017年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of a Spin Injection Device Having a Top-gate Structure
W. Nomura, T. Miyakawa, M. Yamamoto, T. Uemura
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), Extended Abstracts, 921, 922, 2016年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Temperature dependence of spin-dependent tunneling conductance of magnetic tunnel junctions with half-metallic Co2MnSi electrodes
Bing Hu, Kidist Moges, Yusuke Honda, Hong-xi Liu, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Jun-ichiro Inoue, Masafumi Shirai
PHYSICAL REVIEW B, 94, 9, 094428(15pp), 2016年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Highly efficient spin injection from a half-metallic spin source of Co2MnSi and sensitive detection of nuclear spin states
T. Uemura
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), Technical Digest, 243, 2016年08月, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin diffusion and non-local spin-valve effect in an exfoliated multilayer graphene with a Co electrode
Lijun Li, Inyeal Lee, Dongsuk Lim, Servin Rathi, Moonshik Kang, Tetsuya Uemura, Gil-Ho Kim
NANOTECHNOLOGY, 27, 33, 335201(6pp), 2016年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Impact of CoFe buffer layers on the structural and electronic properties of the Co2MnSi/MgO interface
Roman Fetzer, Hong-xi Liu, Benjamin Stadtmueller, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 49, 19, 195002(5pp), 2016年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Analysis of the transient response of nuclear spins in GaAs with/without nuclear magnetic resonance
Mahmoud Rasly, Zhichao Lin, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
AIP ADVANCES, 6, 5, 056305(8pp), 2016年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Enhanced half-metallicity of off-stoichiometric quaternary Heusler alloy Co-2(Mn, Fe)Si investigated through saturation magnetization and tunneling magnetoresistance
Kidist Moges, Yusuke Honda, Hong-xi Liu, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Yoshio Miura, Masafumi Shirai
PHYSICAL REVIEW B, 93, 13, 134403(15pp), 2016年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Transient analysis of oblique Hanle signals observed in GaAs
Zhichao Lin, Kenji Kondo, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 55, 4, 04EN03 (5pp), 2016年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Efficient gate control of spin-valve signals and Hanle signals in GaAs channel with p-i-n junction-type back-gate structure
Takumi Miyakawa, Takafumi Akiho, Yuya Ebina, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 9, 2, 023103(4pp), 2016年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of nonstoichiometry on the half-metallic character of Co2MnSi and its application to the spin sources of spintronic devices
Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
Springer Series in Materials Science, 222, 413, 444, Springer Verlag, 2016年01月01日, ［査読有り］
英語, 論文集(書籍)内論文 - Coherent manipulation of nuclear spins using spin injection from a half-metallic spin source
Tetsuya Uemura, Takafumi Akiho, Yuya Ebina, Masafumi Yamamoto
SPINTRONICS IX, 9931, 55, 2016年, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Coherent manipulation of nuclear spins using spin injection from a half-metallic spin source
Tetsuya Uemura, Takafumi Akiho, Yuya Ebina, Masafumi Yamamoto
SPINTRONICS IX, 9931, 99311L-1, 99311L-7, 2016年, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Analysis of transient response of nuclear spins in GaAs with/without nuclear magnetic resonance
M. Rasly, Z. Lin, M. Yamamoto, T. Uemura
13th Joint MMM-Intermag Conference, Abstracts, 278, 279, 2016年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Coherent manipulation of nuclear spins using spin injection from a half-metallic spin source
Tetsuya Uemura, Takafumi Akiho, Yuya Ebina, Masafumi Yamamoto
SPINTRONICS IX, 9931, 140410(R)(5pp), 99311L-7, 2016年, ［査読有り］, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Bias Voltage Dependence of the Spin-dependent Tunneling Conductance of Co2(Mn,Fe)Si-Based Magnetic Tunnel Junctions Exhibiting Giant Tunneling Magnetoresistances
Kidist Moges, B. Hu, H.x. Liu, T. Uemura, M. Yamamoto
2015 Intrnational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), Extended Abstracts (DVD, USB memory), 408, 409, 2015年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Temperature Dependence of Spin-Dependent Tunneling Conductance of Magnetic Tunnel Junctions with Highly Spin-Polarized Electrodes
B. Hu, Kidist. Moges, H.x. Liu, Y. Honda, T. Uemura, M. Yamamoto
2015 Intrnational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), Extended Abstracts (DVD, USB memory), 410, 411, 2015年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Transient Analysis of Oblique Hanle Signals Observed in GaAs
Z.c. Lin, M. Yamamoto, T. Uemura
2015 Intrnational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), Extended Abstracts (DVD, USB memory), 432, 433, 2015年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Investigation of spin lifetime in strained InxGa1-xAs channels through all-electrical spin injection and detection
Takafumi Akiho, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 8, 9, 093001(4pp), 2015年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Coherent control of nuclear spins using spin injection from half-metallic Co2MnSi
T. Akiho, Y. Ebina, M. Yamamoto, T. Uemura
21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Abstracts, vol.91, 186, 2015年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Gate control of spin-valve signal and Hanle signal in GaAs observed by a four-terminal nonlocal geometry
T. Miyakawa, T. Akiho, Y. Ebina, M. Yamamoto, T. Uemura
17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Abstracts, 158, 2015年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Coherent manipulation of nuclear spins using spin injection from a half-metallic spin source
Tetsuya Uemura, Takafumi Akiho, Yuya Ebina, Masafumi Yamamoto
PHYSICAL REVIEW B, 91, 14, 2015年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-resolved low-energy and hard x-ray photoelectron spectroscopy of off-stoichiometric Co2MnSi Heusler thin films exhibiting a record TMR
Roman Fetzer, Siham Ouardi, Yusuke Honda, Hong-xi Liu, Stanislav Chadov, Benjamin Balke, Shigenori Ueda, Motohiro Suzuki, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 48, 16, 164002(12pp), 2015年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Influence of film composition in quaternary Heusler alloy Co-2(Mn,Fe)Si thin films on tunnelling magnetoresistance of Co-2(Mn,Fe)Si/MgO-based magnetic tunnel junctions
Hong-xi Liu, Takeshi Kawami, Kidist Moges, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Fengyuan Shi, Paul M. Voyles
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 48, 16, 164001(9pp), 2015年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Probing the electronic and spintronic properties of buried interfaces by extremely low energy photoemission spectroscopy
Roman Fetzer, Benjamin Stadtmueller, Yusuke Ohdaira, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti
SCIENTIFIC REPORTS, 5, 8537(6pp), 2015年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Manipulation of nuclear spins in GaAs using a half-metallic spin source of Co2MnSi.
T. Uemura, M. Yamamoto
2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG), CC-01, 2015年, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Half-metallic electronic structure of Co-2(Mn,Fe)Si electrodes investigated through tunneling spectroscopy for fully epitaxial magnetic tunnel junctions.
K. Moges, H. Liu, T. Kawami, T. Uemura, M. Yamamoto
2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG), GB-06, 2015年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Temperature dependence of spin-dependent tunneling resistances of Co2MnSi-based and Co-2(Mn,Fe)Si-based magnetic tunnel junctions showing high tunneling magnetoresistances.
B. Hu, H. Liu, T. Kawami, K. Moges, Y. Honda, T. Uemura, M. Yamamoto
2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG), GB-11, 2015年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin transport and spin conversion in compound semiconductor with non-negligible spin-orbit interaction
Akiyori Yamamoto, Yuichiro Ando, Teruya Shinjo, Tetsuya Uemura, Masashi Shiraishi
PHYSICAL REVIEW B, 91, 2, 024417(6pp), 2015年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of nonstoichiometry on the half-metallicity of Co2(Mn,Fe)Si thin films investigated through saturation magnetization
Kidist Moges, Y. Honda, T. Uemura, M.Yamamoto, Y. Miura, M. Shirai
59th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, 48, 49, 2014年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical detection of nuclear magnetic resonance in GaAs using transient oblique Hanle effect measurements
T. Uemura, T. Akiho, Y. Ebina, M. Yamamoto
59th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts,, 671, 672, 2014年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Efficient nuclear spin polarization and electrical detection of nuclear magnetic resonance in GaAs using half-metallic spin source
T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Internaional Conference of Asian Union of Magnetics Societies, Abstracts, p.263, 2014年10月, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Efficient Dynamic Nuclear Polarization Using Electrical Spin Injection from a Half-Metallic Spin Source
T. Akiho, Y. Ebina, H.-x. Liu, M. Yamamoto, T. Uemura
32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2014), Abstracts, Spintronics & Spin phenomena II, 2, 3, 2014年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Highly efficient spin injection and dynamic nuclear polarization using a half-metallic spin source
植村 哲也
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 (IEEE INEC 2014), Abstracts, 2014年07月, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical spin injection from ferromagnet into an InAs quantum well through a MgO tunnel barrier
Tomotsugu Ishikura, Lenanrt-Knud Liefeith, Zhixin Cui, Keita Konishi, Kanji Yoh, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 7, 7, 073001(4pp), 2014年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Dependence of degree of temperature dependence of TMR ratio of Co2MnSi/MgO/Co2MnSi MTJs on Mn composition in Co2MnSi electrodes
Y. Honda, H.-x. Liu, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf. 2014 (INTERMAG 2014), Digests (USB Memory), 2407, 2408, 2014年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of CoFe insertion in Co2MnSi/CoFe/n-GaAs junctions on spin injection properties
Yuya Ebina, Takafumi Akiho, Hong-xi Liu, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS LETTERS, 104, 17, 172405(4pp), 2014年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Probing the electronic states of high-TMR off-stoichiometric Co 2 MnSi thin films by hard x-ray photoelectron spectroscopy
Xeniya Kozina, Julie Karel, Siham Ouardi, Stanislav Chadov, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser, Gregory Stryganyuk, Benjamin Balke, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Eiji Ikenaga, Shigenori Ueda, Keisuke Kobayashi
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 89, 12, American Physical Society, 2014年03月17日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Probing the electronic states of high-TMR off-stoichiometric Co2MnSi thin films by hard x-ray photoelectron spectroscopy
Xeniya Kozina, Julie Karel, Siham Ouardi, Stanislav Chadov, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser, Gregory Stryganyuk, Benjamin Balke, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Eiji Ikenaga, Shigenori Ueda, Keisuke Kobayashi
PHYSICAL REVIEW B, 89, 12, 125116(10pp), 2014年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of nonstoichiometry on the half-metallic character of Co2 MnSi investigated through saturation magnetization and tunneling magnetoresistance ratio
Gui-Fang Li, Yusuke Honda, Hong-Xi Liu, Ken-Ichi Matsuda, Masashi Arita, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Yoshio Miura, Masafumi Shirai, Toshiaki Saito, Fengyuan Shi, Paul M. Voyles
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 89, 1, 2014年01月30日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of nonstoichiometry on the half-metallic character of Co2MnSi investigated through saturation magnetization and tunneling magnetoresistance ratio
Gui-fang Li, Yusuke Honda, Hong-xi Liu, Ken-ichi Matsuda, Masashi Arita, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Yoshio Miura, Masafumi Shirai, Toshiaki Saito, Fengyuan Shi, Paul M. Voyles
PHYSICAL REVIEW B, 89, 1, 014428(14pp), 2014年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of CoFe insertion on spin injection properties of Co2MnSi/CoFe/n-GaAs junctions
Y. Ebina, T. Akiho, H. Liu, M. Yamamoto, T. Uemura
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, vol.58, p.108, AX-01, 2013年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Giant tunnel magnetoresistance in fully epitaxial Co2(Mn,Fe)Si/MgO/Co2(Mn,Fe)Si magnetic tunnel junctions
T. Kawami, H. Liu, Y. Honda, K. M. Ayele, T. Uemura, F. Shi, P. M. Voyles, M. Yamamoto
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, vol.58, p.614, FX-03, 2013年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin and symmetry properties of the buried Co2MnSi/MgO interface.
R. Fetzer, Y. Ohdaira, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Taira, T. Uemura, M. Yamamoto, M. Aeschlimann, M. Cinchetti
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, vol.58, p.626, GB-14, 2013年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent transport properties of strained InGaAs channel investigated through all electrical spin injection and detection
T. Akiho, M. Yamamoto, T. Uemura
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, vol.58, p.716, HB-10, 2013年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical injection of spin-polarized electrons and electrical detection of dynamic nuclear polarization using a Heusler alloy spin source
Takafumi Akiho, Jinhai Shan, Hong-Xi Liu, Ken-Ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 87, 23, 2013年06月17日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Electrical injection of spin-polarized electrons and electrical detection of dynamic nuclear polarization using a Heusler alloy spin source
Takafumi Akiho, Jinhai Shan, Hong-xi Liu, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
PHYSICAL REVIEW B, 87, 23, 235205 (7pp), 2013年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Structural, chemical, and electronic properties of the Co 2MnSi(001)/MgO interface
Roman Fetzer, Jan-Peter Wüstenberg, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 87, 18, 2013年05月17日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Structural, chemical, and electronic properties of the Co2MnSi(001)/MgO interface
Roman Fetzer, Jan-Peter Wuestenberg, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti
PHYSICAL REVIEW B, 87, 18, 184418 (7pp), 2013年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Influence of interfacial structural properties on tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions with Co2MnSi electrode and MgO barrier
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, M. Arita, T. Uemura, M. Yamamoto
12th Joint MMM/Intermag Conf., Abstracts (USB memory), vol.12, p.507, EI-09, 2013年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Transient effects on oblique Hanle signals observed in ferromagnet/semiconductor heterojunctions with non-local four-terminal configuration
T. Akiho, J.-h. Shan, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
12th Joint MMM/Intermag Conf., Abstracts (USB memory), vol.12, p.871, HR-04, 2013年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Enhanced coherent tunneling contribution in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi electrode and a MgO barrier due to improved interfacial structural properties
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 2nd Int’l Conf. of Asia Union of Magnetics Societies (ICAUMS 2012), The 36th Annual Conf. on Magnetics in Japan, Abstracts, vol2, p.28, 2pD-4, 2012年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunnel barrier thickness dependence of Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Ge tunnel junctions investigated through three-terminal configuration
G.-f. Li, M. Miki, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 17th Int’l Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), Abstracts, vol17, p.5, MoA-1-2, 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunnel barrier thickness dependence of Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Si and CoFe/MgO/n-Ge junctions investigated through three-terminal configuration
T. Uemura, G.-f. Li, J. Fujisawa, K. Kondo, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
2012 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Extended Abstracts (USB Memory), pp.1223-1224, K-9-4, 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Transient oblique Hanle signals observed in Co2MnSi/CoFe/n-GaAs with non-local four-terminal configuration
J.-h. Shan, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
2012 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Extended Abstracts (USB Memory), pp.1219-1220, K-9-2, 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Temperature dependence of spin-dependent tunneling resistances of MgO-buffered Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
Y. Honda, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2012 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Extended Abstracts (USB Memory), pp.1197-1198, K-6-4, 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of Fully Epitaxial CoFe/MgO/CoFe Magnetic Tunnel Junctions on Ge(001) Substrates via a MgO Interlayer
Gui-fang Li, Tomoyuki Taira, Hong-xi Liu, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51, 9, 093003 (5pp), 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Highly Spin-Polarized Tunneling in Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions with a Co2MnSi Electrode and a MgO Barrier with Improved Interfacial Structural Properties
Hong-xi Liu, Yusuke Honda, Ken-ichi Matsuda, Masashi Arita, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51, 9, 093004 (9pp), 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Critical effect of spin-dependent transport in a tunnel barrier on enhanced Hanle-type signals observed in three-terminal geometry
Tetsuya Uemura, Kenji Kondo, Jun Fujisawa, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 101, 13, 132411 (4pp), 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Giant tunneling magnetoresistance in epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions by half-metallicity of Co2MnSi and coherent tunneling
Hong-xi Liu, Yusuke Honda, Tomoyuki Taira, Ken-ichi Matsuda, Masashi Arita, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 101, 13, 132418 (5pp), 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-polarization measurements for Co?2MnSi using Co2MnSi/MgO/NbN epitaxial tunnel junctions
Ken-ichi Matsuda, Takaho Shinoki, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
The 19th Int’l Conf. on Magnetism (ICM2012), Abstracts of ICM2012, vol.19, p.351, SK06, 2012年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - MgO thickness dependence of spin accumulation signal in Co50Fe50/MgO/Si
T. Uemura, J. Fujisawa, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2012 (INTERMAG 2012), Digest (USB Memory), AD-06, 2012年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical spin injection from Co2MnSi Heusler alloy into GaAs and electrical detection of dynamic nuclear polarization
T. Akiho, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2012 (INTERMAG 2012), Digest (USB Memory), AD-03, 2012年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Temperature dependence of spin-dependent tunneling conductances of fully epitaxial Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2012 (INTERMAG 2012), Digest (USB Memory), EB-10, 2012年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Possibility of Superconducting Proximity Effect of Equal-spin Triplet Components in NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN Junctions
Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
Int’l Conf. on Topological Quantum Phenomena (TQP2012), Abstracts of TQP2012, vol.1, p.149, PB23, 2012年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Surface spin polarization of the nonstoichiometric Heusler alloy Co 2MnSi
Jan-Peter Wüstenberg, Roman Fetzer, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti, Jan Minár, Jürgen Braun, Hubert Ebert, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 85, 6, 2012年02月15日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Surface spin polarization of the nonstoichiometric Heusler alloy Co2MnSi
Jan-Peter Wuestenberg, Roman Fetzer, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti, Jan Minar, Juergen Braun, Hubert Ebert, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
PHYSICAL REVIEW B, 85, 6, 064407 (10pp), 2012年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of MgO Barrier Insertion on Spin-Dependent Transport Properties of CoFe/n-GaAs Heterojunctions
Takafumi Akiho, Tetsuya Uemura, Masanobu Harada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51, 2, 02BM01 (5pp), 2012年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Non-local electrical detection of Hanle signals in Co2MnSi/Co50Fe50/n-GaAs Schottky tunnel junctions
T. Akiho, T. Uemura, H. Harada, K.-i., Matsuda, M. Yamamoto
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (USB Memory), vol.56, p.471, GB-12, 2011年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Almost identical oscillations in tunneling resistances as a function of barrier thickness for parallel and antiparallel configurations for fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
Y. Honda, S. Hirata, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (USB Memory), vol.56, p.426, FP-01, 2011年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T.Taira, H.-x. Liu, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (USB Memory), vol.56, p.251, DE-04, 2011年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent transport properties of fully epitaxial magnetic tunnel junctions of CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, Y. Miura, M. Shirai
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (USB Memory), vol.56, p.260, DE-01, 2011年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Effect of MgO Barrier Insertion on Spin-dependent Transport Properties of CoFe/n-GaAs
T. Akiho, M. Harada, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
2011 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstracts (USB memory), pp.1460-1461,, 2011年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with CoFe electrodes and a MgO barrier on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2011 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstracts (USB memory), pp.1448-1449,, 2011年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Effect of GaAs Surface Structure on Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in Epitaxial Co50Fe50/n-GaAs Junctions
T. Uemura, T. Akiho, M. Harada, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
2011 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstracts (USB memory), pp.448-449, P-12-9, 2011年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Magnetic dichroism in angle-resolved hard x-ray photoemission from buried layers
Xeniya Kozina, Gerhard H. Fecher, Gregory Stryganyuk, Siham Ouardi, Benjamin Balke, Claudia Felser, Gerd Schoenhense, Eiji Ikenaga, Takeharu Sugiyama, Naomi Kawamura, Motohiro Suzuki, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Hiroaki Sukegawa, Wenhong Wang, Koichiro Inomata, Keisuke Kobayashi
PHYSICAL REVIEW B, 84, 5, 054449 (8pp), 2011年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Non-local detection of spin-polarized electrons at room temperature in Co50Fe50/GaAs Schottky tunnel junctions
Tetsuya Uemura, Takafumi Akiho, Masanobu Harada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 99, 8, 082108 (3pp), 2011年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Electrical detection of spin injection from Co50Fe50 into GaAs at room temperature
T. Uemura, M. Harada, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
15th Int’l Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS 15), Abstracts, vol.15, Tu-P-87, 2011年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Oscillations in spin-dependent tunneling resistances as a function of MgO barrier thickness in epitaxial magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2MnSi electrodes
Y. Honda, S. Hirata, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
5th Int’l Workshop on Spin Currents, Abstracts, vol.5, p.136, P2-36, 2011年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin injection from Co50Fe50 into GaAs at room temperature
T. Akiho, M. Harada, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
5th Int’l Workshop on Spin Currents, Abstracts, vol.5, p.122, P2-22, 2011年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent tunneling characteristics of Heusler alloy/MgO heterostructures
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
5th Int’l Workshop on Spin Currents, Abstracts, vol.5, p.41, CA-1, 2011年07月, ［査読有り］, ［招待有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Suppression of in-plane tunneling anisotropic magnetoresistance effect in Co2MnSi/MgO/n-GaAs and CoFe/MgO/n-GaAs junctions by inserting a MgO barrier
Takafumi Akiho, Tetsuya Uemura, Masanobu Harada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98, 23, 232109 (3pp), 2011年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi/MgO heterostructures on Ge(001) substrates
Gui-fang Li, Tomoyuki Taira, Ken-ichi Matsuda, Masashi Arita, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98, 26, 262505 (3pp), 2011年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi/MgO heterostructure on Ge(001) substrate
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2011 (INTERMAG 2011), Digest(USB Memory), HC-06, 2011年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in an epitaxial Co50Fe50/n-GaAs junction
T. Uemura, M. Harada, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2011(INTERMAG 2011), Digests (USB Memory), BP-08, 2011年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent transport properties of Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
T. Akiho, M. Harada, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2011 (INTERMAG 2011), Digest(USB Memory), BP-03, 2011年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Influence of GaAs surface structure on tunneling anisotropic magnetoresistance and magnetocrystalline anisotropy in epitaxial Co50Fe50/n-GaAs junctions
Tetsuya Uemura, Masanobu Harada, Takafumi Akiho, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98, 10, 102503 (3pp), 2011年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Co系ホイスラー合金を用いたスピン流の創出と制御
植村哲也, 山本眞史
まてりあ, vol.49, 12, pp. 566-569, 569, The Japan Institute of Metals and Materials, 2010年12月, ［査読有り］, ［招待有り］
日本語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication and the transport properties of NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN lateral junctions
Satoshi Imai, Ken-ichi Matsuda, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 470, S851, S853, 2010年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Highly spin-polarized tunneling characteristics at room temperature in magnetic tunnel junctions with a half-metallic Heusler-alloy spin source and a MgO barrier
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (CD-ROM), vol.55, pp.370-371, ET-11, 2010年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Giant oscillations of spin-dependent tunneling resistances as a function of MgO barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions of Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (CD-ROM), vol.55, p.165, CB-01, 2010年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Giant tunnel magnetoresistance in half-metallic Co2MnSi-based fully epitaxial magnetic tunnel junctions
T. Taira, H.-x. Liu, S. Hirata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (CD-ROM), vol.55, pp.118-119, BH-10, 2010年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Superconducting proximity effect of spin-triplet pairs in NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN junctions
K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstracts (CD-ROM), vol.55, p.28, AE-10, 2010年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Highly spin-polarized tunneling in Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi upper electrode and a MgO barrier
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstract (USB-MEMORY), pp.1122-1123, F-6-4, 2010年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electrical detection of a non-local signal in Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
M. Harada, T. Uemura, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
6th Int’l Conf. on the Physics and Application of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI),Abstracts, vol.6, pp.259-260, P2-46, 2010年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Internal electric field influence on tunneling anisotropic magnetoresistance in epitaxial ferromagnet/n-GaAs junctions
Tetsuya Uemura, Masanobu Harada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 96, 25, 252106 (3pp), 2010年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of defects in Heusler alloy thin films on spin-dependent tunnelling characteristics of Co2MnSi/MgO/Co2MnSi and Co2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
Masafumi Yamamoto, Takayuki Ishikawa, Tomoyuki Taira, Gui-fang Li, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 22, 16, 164212 (9pp), 2010年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Giant oscillations in spin-dependent tunneling resistances as a function of barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
Takao Marukame, Takayuki Ishikawa, Tomoyuki Taira, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
PHYSICAL REVIEW B, 81, 13, 134432 (5pp), 2010年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Effect of the Mn composition in Co2MnSi electrodes on tunnel magnetoresistance characteristics of Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, H.-x. Liu, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
11th Joint MMM/Intermag Conf., Digest (CD-ROM), vol.11, p.1888, HH-04, 2010年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Strong bias-voltage dependence of tunneling anisotropic magneto-resistance in epitaxial ferromagnet/n-GaAs junctions
T. Uemura, M. Harada, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
11th Joint MMM/Intermag Conf., Digests (CD-ROM), vol.11, p.1225, EU-17, 2010年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Effect of defects in Heusler alloy thin films on spin-dependent tunnelling characteristics of Co2MnSi/MgO/Co2MnSi and Co 2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
Masafumi Yamamoto, Takayuki Ishikawa, Tomoyuki Taira, Gui-Fang Li, Ken-Ichi Matsuda, Tetsuya Uemura
Journal of Physics Condensed Matter, 22, 16, p.1192, ET-03, 2010年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Influence of film composition in Co2MnSi electrodes on tunnel magnetoresistance characteristics of Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
Takayuki Ishikawa, Hong-xi Liu, Tomoyuki Taira, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 95, 23, 232512 (3pp), 2009年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Tunneling Magnetoresistance Simulation Used to Detect Domain-Wall Structures and Their Motion in a Ferromagnetic Wire
Keisuke Sawada, Tetsuya Uemura, Masahiro Masuda, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 45, 10, 3780, 3783, 2009年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication and Transport Properties of NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN Lateral Junctions
S. Imai, K.-i. Matsuda, T. Ishikawa, T. Uemura, M. Yamamoto
9th Int’l Conf. on Materials and Mechanisms of Superconductivity (M2S-IX) (USB Memory), vol.9, PS-G-589, 2009年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunneling anisotropic magneto-resistance in an epitaxial Co2MnSi/n-GaAs junction
M. Harada, T. Uemura, Y. Imai, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
The 14th Int’l Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Abstract, vol.14, p.195, M5e, 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent tunneling characteristics of fully epitaxial Co2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
T. Taira, S. Hirata, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
20th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS2009), Abstracts, p.381, P-We30, 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunneling spectroscopy of magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2MnGe electrodes and a MgO barrier
S. Hirata, T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), Abstracts, p.54, Mo-A-5.4-07, 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent electronic structure of Heusler alloy Co2MnSi upper electrodes in magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, N. Itabashi, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), Abstracts, p.54, Mo-A-5.4-05, 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Transport properties of a junction consisting of two NbN electrodes coupled by a Co-based Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al channel
K.-i. Matsuda, S. Imai, T. Ishikawa, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), Abstracts, p.55, Mo-A-5.4-13, 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent tunneling in half-metallic Heusler alloy-based magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Ishikawa, T. Taira, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), Abstracts, p.155, Tu-JPH6-01, 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Double magnetic tunnel junctions with cross-magnetization configurations for electrical detection of domain-wall structures
Tetsuya Uemura, Keisuke Sawada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 95, 1, 012502 (3pp), 2009年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Simulation of tunneling magnetoresistance used to detect domain-wall structure and motion in a ferromagnetic wire
K. Sawada, T. Uemura, M. Masuda, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf. 2009, Digests (CD-ROM), BD-07, 2009年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunneling anisotropic magnetoresistance in epitaxial CoFe/n-GaAs junctions
Tetsuya Uemura, Yosuke Imai, Masanobu Harada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 94, 18, BQ-13, 2009年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Tunneling anisotropic magnetoresistance in epitaxial CoFe/n-GaAs junctions
Tetsuya Uemura, Yosuke Imai, Masanobu Harada, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 94, 18, 182502 (3pp), 2009年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Half-metallic electronic structure of Co2MnSi electrodes in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions investigated by tunneling spectroscopy (invited)
Takayuki Ishikawa, Naoki Itabashi, Tomoyuki Taira, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 105, 7, 07B110 (6pp), 2009年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Hard x-ray photoelectron spectroscopy of buried Heusler compounds
Siham Ouardi, Benjamin Balke, Andrei Gloskovskii, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser, Gerd Schoenhense, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Hiroaki Sukegawa, Wenhong Wang, Koichiro Inomata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Shigenori Ueda, Keisuke Kobayashi
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 42, 8, 084010 (7 pp), 2009年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-dependent tunnelling characteristics of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2MnGe thin film and a MgO barrier
Tomoyuki Taira, Takayuki Ishikawa, Naoki Itabashi, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 42, 8, 084015 (9 pp), 2009年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Critical role of interface states for spin-dependent tunneling in half-metallic Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions investigated by tunneling spectroscopy
Takayuki Ishikawa, Naoki Itabashi, Tomoyuki Taira, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 94, 9, 092503 (3pp), 2009年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Influence of annealing on spin-dependent tunneling characteristics of fully epitaxial Co2MnGe/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions
Tomoyuki Taira, Takayuki Ishikawa, Naoki Itabashi, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 94, 7, 072510 (3pp), 2009年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Transport properties of Nb/PdNi bilayers and Nb/PdNi/Nb Josephson junctions
K. -i. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT25), PART 5, 150, p.25, PB-Th118, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Transport properties of Nb/PdNi bilayers and Nb/PdNi/Nb Josephson junctions
K. -i. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT25), PART 5, 150, 052155 (4pp), 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunnel magnetoresistance characteristics of post-deposition-annealed Co2MnGe/MgO/CoFe tunnel junctions
T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Abstracts(CD-ROM), L2.1, 2008年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunneling conductance characteristics for Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al magnetic tunnel junctions
N. Itabashi, T. Ishikawa, K. Yonemura, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Abstracts (CD-ROM), L2.10, 2008年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunneling spectroscopy of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, N. Itabashi, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Abstracts (CD-ROM), L5.1, 2008年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Three-valued magnetic tunnel junction for nonvolatile ternary content addressable memory application
Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 104, 12, 123911 (5pp), 2008年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Half-metallic electronic structure of Co2MnSi electrodes proved by tunneling spectroscopy
T. Ishikawa, N. Itabashi, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts(CD-ROM), vol.53, p.232, DD-07, 2008年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent tunneling characteristics of Co2MnGe/MgO/CoFe tunnel junctions
T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts (CD-ROM), vol.53, p.230, DD-02, 2008年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunneling spectroscopy of Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions
K. Yonemura, T. Ishikawa, N. Itabashi, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts (CD-ROM), vol.53, p.301, ED-07, 2008年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent electronic structures of Co2Cr0.6Fe0.4Al electrodes investigated through tunneling spectroscopy
N. Itabashi, T. Ishikawa, K. Yonemura, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts (CD-ROM), vol.53, pp. 480-481, GT-03, 2008年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication and Characterization of Fully Epitaxial Magnetic Tunnel Junction Field Sensors Using a Co2MnSi Thin Film
Masahiro Masuda, Tetsuya Uemura, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 44, 11, 3996, 3998, 2008年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-dependent tunneling spectroscopy of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2Cr0:6Fe0:4Al electrodes and a MgO barrier
N. Itabashi, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
25th Int’l Conf. on Low Temp. Physics, Official Conf. Book, vol.25, p.258, PD-Mo244, 2008年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication and characterization of magnetic tunnel junction field sensors with a Co2MnSi thin film
M. Masuda, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. Europe 2008,Technical Digests (CD-ROM), p.269, BD-04, 2008年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent tunneling conductance in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnsI tunnel junctions
T. Ishikawa, N. Itabashi, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. Europe 2008,Technical Digests (CD-ROM), p.33, AC-07, 2008年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Structural, magnetic, and electrical properties of Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
S. Kawagishi, T. Uemura, Y. Imai, K. -I. Matsuda, M. Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 103, 7, 07A703 (3pp), 2008年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Magnetic and transport properties of superconductor/ferromagnet bilayer microbridges
Ken-ichi Matsuda, Yosuke Akimoto, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 103, 7, 07C711 (3pp), 2008年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Electronic and magnetic properties of Heusler alloy Co2MnSi epitaxial ultrathin films facing a MgO barrier studied by x-ray magnetic circular dichroism
Toshiaki Saito, Toshikazu Katayama, Ai Emura, Noa Sumida, Nanae Matsuoka, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Daisuke Asakura, Tsuneharu Koide
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 103, 7, 07D712 (3pp), 2008年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
Takayuki Ishikawa, Shinya Hakamata, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 103, 7, 07A919 (3pp), 2008年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxial growth and characterization of Co2MnSi thin films on GaAs with MgO interlayer
Tetsuya Uemura, Yosuke Imai, Saori Kawagishi, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 40, 6, 2025, 2027, 2008年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Heusler alloy-based fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
2008 RCIQE Int’l Seminar on “Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Collected Abstracts, pp.29-37, 2008年03月, ［招待有り］
英語 - Magnetic and transport properties of superconductor/ferromagnet bilayer microbridges
Ken-Ichi Matsuda, Yosuke Akimoto, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
Journal of Applied Physics, 103, 7, p.489, HQ-10, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Electronic and magnetic properties of Heusler alloy Co2MnSi epitaxial ultrathin films facing a MgO barrier studied by x-ray magnetic circular dichroism
Toshiaki Saito, Toshikazu Katayama, Ai Emura, Noa Sumida, Nanae Matsuoka, Takayuki Ishikawa, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Daisuke Asakura, Tsuneharu Koide
Journal of Applied Physics, 103, 7, p.116, BQ-06, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co-based full-Heusler alloy thin film and a MgO barrier
Masafumi Yamamoto, Taluto Marukame, Takayuki Ishikawa, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura
ADVANCES IN SOLID STATE PHYSICS, 47, 105, 116, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Production of bacterial cellulose with well oriented fibril on PDMS substrate
Ananda Putra, Akira Kakugo, Hidentitsu Furukawa, Jian P. Gong, Yoshihito Osada, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
POLYMER JOURNAL, 40, 2, 137, 142, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Electrical characterization of epitaxial Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
S. Kawagishi, T. Uemura, Y. Imai, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts, vol.52, p.38, AG-09, 2007年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent tunneling in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, S. Hakamata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts, vol.52, p.13, AB-07, 2007年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Oscillations in tunneling resistance as a function of MgO barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions of Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, K. Matsuda, T. Uemura
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts, vol.52, p.14, AB-11, 2007年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Highly spin-polarized tunneling in Heusler alloy-based fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO tunnel barrier
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, K. Matsuda, T. Uemura
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., Abstracts, vol.52, p.204, DB-01, 2007年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Epitaxial growth and characterization of Co2MnSi thin films on GaAs with MgO interlayer
T. Uemura, T. Yano, Y. Imai, K. Matsuda, M. Yamamoto
The 13th Int’l Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS13), Abstracts, vol.13, pp.172-173, 2007年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions with a Co2Cr0.6Fe0.4Al Thin Film and Their Tunnel Magnetoresistance Characteristics
T. Marukame, T. Ishikawa, S. Hakamata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
J. Magn. Soc. Jpn., vol.31, no. 4, pp. 344-350, 350, The Magnetics Society of Japan, 2007年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）, Fully epitaxial magnetic tunnel junctions (MTJs) were fabricated with a full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al (CCFA) thin film and a MgO tunnel barrier. Cross-sectional high-resolution transmission electron microscope observations clearly showed that all layers of CCFA/MgO/Co50Fe50 MTJ layer structures were grown epitaxially and were single-crystalline. The fully epitaxial CCFA/MgO/Co50Fe50 MTJs, where we used the difference in the coercive forces to form the antiparallel magnetization configurations between the lower and upper electrodes, demonstrated high tunnel magnetoresistance (TMR) ratios of 90% at room temperature (RT) and 240% at 4.2 K. This result suggested that a CCFA film composition close to the stoichiometric one is essential for obtaining high spin polarizations in CCFA thin films. The fully epitaxial CCFA/MgO/Co50Fe50 MTJs with exchange-biasing, where a Co50Fe50 upper electrode was used in a synthetic ferrimagnetic Co50Fe50/Ru/Co90Fe10 trilayer exchange-biased with an IrMn layer through the Co90Fe10/IrMn interface, exhibited high TMR ratios of 109% at RT and 317% at 4.2 K. From the obtained TMR ratio of 317% at 4.2 K, a high tunneling spin polarization of 0.88 at 4.2 K was estimated for epitaxial CCFA films with the B2 structure. These results confirm the promise of an epitaxial MTJ using a Co-based full-Heusler alloy as a key device structure for utilizing the potentially high spin polarization of this material system. - Structural and magnetic properties Of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs substrates with MgO interlayer
T. Uemura, T. Yano, K.-I. Matsuda
THIN SOLID FILMS, 515, 20-21, 8013, 8016, 2007年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Magnetic and transport properties of Nb/PdNi bilayers
Ken-ichi Matsuda, Hirotaka Niwa, Yosuke Akimoto, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, 17, 2, 3529, 3532, 2007年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication of fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al magnetic tunnel junctions
T. Marukame, T. Ishikawa, S. Hakamata, K-I Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 43, 6, 2782, 2784, 2007年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Four-state magnetoresistance in epitaxial CoFe-based magnetic tunnel junctions
Tetsuya Uemura, Takao Marukame, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 43, 6, 2791, 2793, 2007年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Four-state Magnetic Random Access Memory and Ternary Content Addressable Memory using CoFe-based Magnetic Tunnel Junctions
T. Uemura, T. Marukame, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
37th Int’l Symposium on Multiple-Valued Logic, CD-ROM, vol.37, pp.49-1 - 49-6, 2007年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Improved tunnel magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film of Co2MnGe and a MgO tunnel barrier
Shinya Hakamata, Takayuki Ishikawa, Takao Marukame, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masashi Arita, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 101, 9, 09J513 (3pp), 2007年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co-based full-Heusler alloy thin film and a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, K. Matsuda, T. Uemura
71stAnnual Meeting 2007 of the German Physical Society and DPG-Spring Meeting of the Division Condensed Matter, Verhandlungen, vol.71, p.487, MA22.2, 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Effect of a MgO interlayer on the structural and magnetic properties of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs substrates
T. Yano, T. Uemura, K. -i. Matsuda, M. Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 101, 6, 063904 (4pp), 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Analysis of magnetic anisotropy for Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs
Tetsuya Uemura, Toshifumi Yano, Ken-ichi Matsuda, Masafumi Yamamoto
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 310, 2, E696, E698, 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi thin film and a MgO tunnel barrier
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, K.-I. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 310, 2, 2006, 2008, 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-dependent transport properties of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co50Fe50 tunnel junctions
T. Marukame, H. Kijima, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 310, 2, 1946, 1948, 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication of exchange-biased epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film
T. Ishikawa, T. Marukame, S. Hakamata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 310, 2, 1897, 1899, 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-dependent tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film and a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
The 2nd RIEC Int’l Workshop on Spintronics?MgO-based Magnetic Tunnel Junctions?, Abstracts, vol.2, 2007年02月, ［招待有り］
英語 - Dependence of magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film of either Co2MnGe or Co2MnSi on film composition
S. Hakamata, T. Ishikawa, T. Marukame, K. Matsuda, T. Uemura, M. Arita, M. Yamamoto
10th Joint MMM/Intermag Conf., Abstracts, vol.10, p.443, GD-10, 2007年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al
T. Marukame, T. Ishikawa, S. Hakamata, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
10th Joint MMM/Intermag Conf., Abstracts, vol.10, p.209, DD-07, 2007年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Four-state magnetoresistance in epitaxial CoFe-based magnetic tunnel junction
T. Uemura, T. Marukame, K. Matsuda, M. Yamamoto
10th Joint MMM/Intermag Conf., Abstracts, vol.10, p.47, AP-08, 2007年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing
Takao Marukame, Takayuki Ishikawa, Shinya Hakamata, Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 90, 1, 012508 (3pp), 2007年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Spin-dependent tunneling characteristics of fully epitaxial magnetic tunneling junctions with a full-Heusler alloy Co2MnSi thin film and a MgO tunnel barrier
T. Ishikawa, T. Marukame, H. Kijima, K. -I. Matsuda, T. Uemura, M. Arita, M. Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 89, 19, 192505 (3pp), 2006年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Exchange bias effect in full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al epitaxial thin films
T. Ishikawa, T. Marukame, K. -i Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 42, 10, 3002, 3004, 2006年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxial growth of full-Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered MgO substrates
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, H. Koyama, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 42, 10, 2688, 2690, 2006年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film and MgO tunnel barrier
T. Marukame, T. Ishikawa, W. Sekine, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 42, 10, 2652, 2654, 2006年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Magnetic and Transport Properties of Nb/PdNi Bilayers
K.-i. Matsuda, H. Niwa, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int’l Conf. on Appl. Supercond., CD-ROM, 2MM04, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of exchange-biased epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co-based full-Heusler alloy thin film
T. Ishikawa, S. Hakamata, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), Abstracts, p.582, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Analysis of magnetic anisotropy for Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs
T. Uemura, T. Yano, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), Abstracts, p.313, DD-07, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent transport properties of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/CoFe tunnel junctions
T. Marukame, H. Kijima, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), Abstracts, p.198, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using Co2MnSi thin film and MgO tunnel barrier
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), Abstracts, p.30, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - MgO barrier thickness dependence of tunnel magnetoresistance in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film
T. Marukame, T. Ishikawa, H. Kijima, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), Colloquium Digest, vol.19, pp.448-449, P-12-9, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Spin-dependent conductance versus voltage characteristics of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co-based full-Heusler alloy thin film and a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Marukame, K.?i. Matsuda, T. Uemura
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), Colloquium Digest, vol.19, pp.440-441, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Structural and magnetic properties of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs with and without MgO interlayer
T. Uemura, T. Yano, K.?i. Matsuda, M. Yamamoto
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), Colloquium Digest, vol.19, pp.20-21, DD-07, 2006年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - High tunnel magnetoresistance in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film
Takao Marukame, Takayuki Ishikawa, Ken-Ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 88, 26, 262503 (3pp), 2006年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Analysis of anisotropic tunnel magneto-resistance of (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As magnetic tunnel junction
T Uemura, R Miura, T Yamazuki, T Sone, KI Matsuda, M Yamamoto
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 32, 1-2, 383, 386, 2006年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2MnGe thin film and MgO tunnel barrier
T Marukame, T Ishikawa, K Matsuda, T Uemura, M Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 99, 8, 08A904 (3pp), 2006年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Structural and magnetic properties of epitaxially grown full-Heusler alloy Co2MnGe thin films deposited using magnetron sputtering
T Ishikawa, T Marukame, K Matsuda, T Uemura, M Arita, M Yamamoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 99, 8, 08J110 (3pp), 2006年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using cobalt-based full-Heusler alloy thin film and their tunnel magnetoresistance characteristics
M Yamamoto, T Marukame, T Ishikawa, K Matsuda, T Uemura, M Arita
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 39, 5, 824, 833, 2006年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxially grown full-Heusler alloy thin films and application to magnetic tunnel junctions
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Collected Papers, vol.3, pp.79-92, 2006年02月, ［招待有り］
英語 - Epitaxial growth of full-Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered MgO sub-strates
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, H. Koyama, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference, vol.19, 377, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe 0.4Al thin film and MgO tunnel barrier
T. Marukame, T. Ishikawa, H. Kijima, W. Sekine, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference, 723, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Exchange bias effect on full-Heusler alloy Co2Cr 0.6Fe0.4Al epitaxial thin films
T. Ishikawa, T. Marukame, H. Niwa, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference, 577, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Epitaxial growth of full-Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered MgO sub-strates
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, H. Koyama, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference, 377, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Epitaxial growth Of C02Cr0.6Fe0.4Al Heusler alloy thin films on MgO (001) substrates by magnetron sputtering
K Matsuda, T Kasahara, T Marukame, T Uemura, M Yamamoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 286, 2, 389, 393, 2006年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Structural and magnetic properties of epitaxially grown full-Heusler alloy Co2MnGe thin films deposited using magnetron sputtering
T. Ishikawa, T. Marukame, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
50th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstract, vol.50, p.370, GD-04, 2005年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2MnGe thin film and MgO tunnel barrier
T. Marukame, T. Ishikawa, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
50th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, Abstract, vol.50, p.18, AC-09, 2005年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - High tunnel magnetoresistance in epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/CoFe tunnel junctions
T Marukame, T Kasahara, KI Matsuda, T Uemura, A Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 41, 10, 2603, 2605, 2005年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxial Growth of Heusler Alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al Thin Films by Magnetron Sputtering
T. Kasahara, K.-i. Matsuda, T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto
J. The Magnetics Society of Japan, vol.29, no. 9, pp. 895-899, 899, The Magnetics Society of Japan, 2005年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, Epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al full-Heusler alloy thin films, featuring excellent surface flatness of less than 0.2 nm rms in roughness, were grown on MgO(001) substrates by magnetron sputtering deposition at room temperature and subsequent annealing at temperatures ranging from 500 to 600 °C . The ferromagnetic properties of the films in terms of Curie temperature and saturation magnetization were also improved by annealing process. - Epitaxial growth of Fe/MgO/Fe heterostructures on SrTiO3(001) substrates by magnetron sputtering
T Marukame, K Matsuda, T Uemura, M Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 44, 8, 6012, 6015, 2005年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Analysis of anisotropic tunnel magneto-resistance of GaMnAs/AlAs/GaMnAs magnetic tunnel junction
T. Uemura, R. Miura, T. Sone, K. Matsuda, M. Yamamoto
12th Int’l Conf. on Modulated Semiconductors (MSS 12), Abstract, vol12, THU-PC1, 2005年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - High Tunnel Magnetoresistance in Epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/CoFe Tunnel Junctions
T. Marukame, T. Kasahara, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf., Digests, p.235, DD-07, 2005年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Magnetic and electrical properties of (La,Sr)MnO(3) sputtered on SrTiO(3)-buffered Si substrate
T Uemura, K Sekine, K Matsuda, M Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 44, 4B, 2604, 2607, 2005年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Epitaxial growth and characterization of full-Huesler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films for magnetic tunnel junctions
T. Marukame, T. kasahara, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2nd Int. Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Proceedings, vol.2, pp.383-389, DD-07, 2005年03月
英語 - Fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy thin film
M. Yamamoto, T. Uemura, K. Matsuda
2nd Int. Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Proceedings, vol.2, pp.289-299, 2005年03月, ［招待有り］
英語 - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film and MgO tunnel barrier
T Marukame, T Kasahara, K Matsuda, T Uemura, M Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44, 16-19, L521, L524, 2005年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Four-valued magnetic random access memory based on magneto tunnel junction and resonant tunneling diode
T Uemura, M Yamamoto
JOURNAL OF MULTIPLE-VALUED LOGIC AND SOFT COMPUTING, 11, 5-6, 467, 479, 2005年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Magnetic anisotropy study for GaMnAs-based magnetic tunnel junction
T Uemura, T Sone, K Matsuda, M Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44, 42-45, L1352, L1354, 2005年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - T. Uemura, K. Sekine, K. Matsuda and M. Yamamoto
T. Uemura, K. Sekine, K. Matsuda, M. Yamamoto
49th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, vol49, p.54, 2004年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Epitaxial growth of Fe/MgO/Fe heterostructures on SrTiO3 substrates by magnetron sputtering
T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
49th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts, vol49, p.329, 2004年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Magnetic and Electrical Properties of (La, Sr)MnO3 Sputtered on SrTiO3-buffered Si Substrate
T. Uemura, Y. Takagi, K. Sekine, K. Matsuda, M. Yamamoto
2004 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstracts, pp.600-601, 2004年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Novel magnetic random access memory cell consisting of magnetic tunnel junction connected in parallel with negative differential resistance device
T Uemura, S Honma, T Marukame, M Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 43, 4B, 2114, 2117, 2004年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Observation of clear negative differential resistance characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs multiple quantum wells at room temperature
K Uesugi, M Kurimoto, Suemune, I, M Yamamoto, T Uemura, H Machida, N Shimoyama
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 21, 2-4, 727, 731, 2004年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Large enhancement of tunneling magnetoresistance ratio in magnetic tunnel junction connected in series with tunnel diode
T Uemura, S Honma, T Marukame, M Yamamoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 43, 1A-B, L44, L46, 2004年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Proposal and Experimental Demonstration of Novel MRAM Cell Using Magnetic Tunnel Junction in Combination with Negative Differential Resistance Device
M. Yamamoto, T. Uemura
1st Int. Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Proceedings, vol.1, pp.469-480, 2003年11月, ［招待有り］
英語 - Proposal and experimental demonstration of magnetic tunnel junction connected in parallel with tunnel diode
T Uemura, S Honma, T Marukame, M Yamamoto
ELECTRONICS LETTERS, 39, 21, 1549, 1551, 2003年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Demonstration of Enhanced Tunneling Magneto Resistance Ratio for a Magnetic Tunnel Junction Connected in Parallel with a Tunnel Diode
T. Uemura, S. Honma, T. Marukame, M. Yamamoto
2003 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstracts, pp.618-619, 2003年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Proposal and analysis of a ferromagnetic triple-barrier resonant-tunneling spin filter
T Uemura, T Marukame, M Yamamoto
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 39, 5, 2809, 2811, 2003年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌） - Observation of Large Room-temperature Negative Differential Resistance in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs Superlattices Grown on (001) GaAs
K. Uesugi, M. Kurimoto, I. Suemune, M. Yamamoto, T. Uemura, H. Machida, N. Shimoyama
The 11th Int’l. Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), Workbook, vol.11, pp.266-267, 2003年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Proposal and analysis of a ferromagnetic triple-barrier resonant-tunneling spin filter
T. Uemura, T. Marukame, M. Yamamoto
Intermag 2003 - Program of the 2003 IEEE International Magnetics Conference, GD-03, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2003年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Proposal of four-valued MRAM based on MTJ/RTD structure
T Uemura, M Yamamoto
33RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON MULTIPLE-VALUED LOGIC, PROCEEDINGS, vol.33, 273, 278, 2003年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス） - Fabrication of Self-Aligned Surface Tunnel Transistors with a 80-nm Gate Length.
Chun Yong Jin, Uemura Tetsuya, Baba Toshio
Japanese Journal of Applied Physics, 39, 12, L1273, L1276, 公益社団法人 応用物理学会, 2000年
英語, A novel method using electron-beam (EB) lithography and regrowth for fabricating self-aligned InGaAs-based surface tunnel transistors (STTs) with sub-micron gate lengths has been developed. The shape of regrowth layer on the gate region is significantly affected not only by the gate lengths but also by the thickness of the regrowth layer. During regrowth, (111) facets are formed at the edges of the gate region while the (100) surface is maintained at the center. The shape changes to triangular consisting of (111) facets as gate length decreases below 150 nm due to the slow growth rate of the (111) facets compared to the (100) surface. The 80-nm STTs were fabricated by controlling the shape of the regrowth layer, and no deposition of the regrowth layer on the sidewall, which causes leakage current, occurred. The successful operation of InGaAs-based 80-nm STTs with clear negative differential resistance (NDR) characteristics and a gate-controlled peak current was obtained at room temperature. - Self-Aligned Surface Tunnel Transistors Fabricated by a Regrowth Technique.
Chun Yong Jin, Uemura Tetsuya, Baba Toshio
Japanese Journal of Applied Physics, 38, 10, L1163, L1165, 公益社団法人 応用物理学会, 1999年
英語, A self-aligned process for fabricating surface tunnel transistors (STTs) has been developed in an attempt to improve both miniaturization and integration of STTs. In this process, the keys to obtaining a flat regrown layer and fine tunnel junctions are to keep from contaminating the surface during the lithography process before regrowth and to control the side-wall profile of the gate region in which tunnel junctions are formed. The carbon contamination can be reduced significantly by using a double hard mask consisting of Si3N4 and SiO2, and oxygen contamination can be removed by atomic hydrogen irradiation. The side-wall profile, that is etched surface morphology and side-wall angle, can be optimized by adjusting the composition of the H3PO4:H2O2:H2O etching solution. During regrowth, a flat surface morphology and fine tunnel junctions were obtained at the low temperature of 400°C. Self-aligned InGaAs-based STTs with gate-controlled negative differential resistance (NDR) characteristics showing a peak-to-valley (P/V) ratio of 2.5 were obtained. - Surface Tunnel Transistor: Gate-Controlled Lateral Interband Tunneling Device.
Uemura Tetsuya, Baba Toshio
Japanese Journal of Applied Physics, 35, 3, 1668, 1675, 公益社団法人 応用物理学会, 1996年
英語, We demonstrated a novel three-terminal tunnel device, the Surface Tunnel Transistor (STT), in which lateral interband tunneling current between source and drain is controlled by a gate voltage. The STT consists of a highly degenerate drain whose polarity is opposite that of the source, a channel with an insulated gate, and a source connected to the channel. The basic characteristics of the STTs were investigated by fabricating three types of STTs with mesa structures using a GaAs/AlGaAs system, as well as by a two-dimensional device simulation. An enhancement-type STT (E-STT) in which no electrons are accumulated on the channel surface at thermal equilibrium exhibited unsaturated transistor characteristics due to interband tunneling under source-drain reverse bias conditions. To increase the current density, a modulation doped STT (MD-STT) in which the channel was formed by modulation doping was also fabricated, and a tunneling current about 104 times larger than that of the E-STT was obtained. Moreover, the MD-STT showed negative differential resistance (NDR) characteristics under source-drain forward bias conditions. A channel doped STT (CD-STT) in which the channel region was directly doped with donors showed improved NDR characteristics with a peak current density of 3.7 µ A/µ m and a peak-to-valley current ratio (PVR) of 1.5 at room temperature. These values are larger than those of the MD-STT by a factor of 103 and 1.5, respectively. Furthermore, a PVR as high as 4.8 was obtained for the CD-STT by inserting a blocking layer between the drain and the overlapped channel layer to reduce the valley current. - Improved Negative Differential Resistance Characteristics in Surface Tunnel Transistors
Uemura Tetsuya, Baba Toshio
Japanese Journal of Applied Physics, 33, 10, L1363, L1366, 社団法人応用物理学会, 1994年10月01日
英語, We propose and demonstrate a new type of Surface Tunnel Transistor (STT) which displays improved negative differential resistance (NDR) characteristics. In this device, called channel-doped STT (CD-STT), the channel region is direclly doped with donors in order to increase the channel carrier density. A peak current is obtained that is 103 times larger than that of a conventional STT. To reduce the valley current further, a blocking layer consisting of an i-GaAs is inserted at the gate/drain overlap region. The resulting device, called blocking layer inserted STT (BLI-STT), exhibits excellent NDR characteristics with a peak-to-valley ratio (PVR) of 4.8 at room temperature, a value which is more than 4 times larger than that of a conventional STT. - First Observation of Negative Differential Resistance in Surface Tunnel Transistors
Uemura Tetsuya, Baba Toshio
Jpn J Appl Phys, 33, 2, L207, L210, 社団法人応用物理学会, 1994年02月15日
英語, Negative differential resistance (NDR) due to an interband tunneling has been observed at room temperature for the first time in a Surface Tunnel Transistor (STT) under forward-bias conditions. To produce clear NDR characteristics, the electron density in the channel was designed to be high enough to induce band overlap at the channel/drain junction. In order to increase the tunneling current further, a channel doped structure, in which a thin n+-GaAs layer was inserted between a p+-GaAs layer (drain) and an i-GaAs layer, was proposed. This channel doped STT exhibited a peak current density of 8 µ A/µ m, which is 280 times larger than that of the conventional STT. - Characterization of Depletion-Type Surface Tunnel Transistors
Uemura Tetsuya, Baba Toshio
Jpn J Appl Phys, 31, 12, L1727, L1729, 社団法人応用物理学会, 1992年12月20日
英語, A depletion-type Surface Tunnel Transistor (D-STT) is proposed to increase the tunneling current compared to that of the enhancement-type STT (E-STT) previously reported. The most important feature of the D-STT is the use of a modulation doped structure in order to accumulate a high concentration of electrons under the gate. GaAs/AlGaAs D-STTs, which are fabricated by using an MBE regrowth technique, exhibit depletion-mode transistor action with a larger operation current than that displayed by the E-STT. This increase in current is due to a higher two-dimensional electron gas concentration at the i-GaAs surface. Moreover, the high gate leakage current which limits GaAs E-STT operation is reduced in the case of the D-STT by a factor of $10^{6}$.
その他活動・業績
- Pt/SrRuO3積層構造におけるスピン軌道トルクと磁壁の相互作用
酒井貴樹, 野土翔登, 長浜太郎, 植村哲也, 山ノ内路彦, 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集, 56th-17th (CD-ROM), 2021年 - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi強磁性体トンネル接合におけるスピン依存トンネル抵抗の温度依存性
本田佑輔, 劉宏喜, 植村哲也, 山本眞史, 第49回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.49, p.5, A-5, 2013年12月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/CoFe/n-GaAs接合における高いスピン注入効率の実証
蝦名優也, 秋保貴史, 劉宏喜, 山本眞史, 植村哲也, 第49回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.49, p.4, A-4,, 2013年12月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Spin lifetime in strained InGaAs channels investigated through all electrical spin injection and detection
T. Akiho, M. Yamamoto, T. Uemura, 第18回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS18)，Program and Abstracts, vol.18, p.13, A5, 2013年12月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/CoFe/n-GaAs 接合における動的核スピン偏極
秋保貴史, 劉宏喜, 山本眞史, 植村哲也, 第37回日本磁気学会学術講演概要集 2013, vol.37, p.366, 6aC-8, 2013年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/CoFe/n-GaAs 接合におけるスピン注入特性に及ぼす CoFe 挿入層の効果
蝦名優也, 秋保貴史, 劉宏喜, 山本眞史, 植村哲也, 第37回日本磁気学会学術講演概要集 2013, vol.37, p.365, 6aC-7, 2013年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2(Mn, Fe)Si/MgO/ Co2(Mn, Fe)Si エピタキシャル MTJ の巨大トンネル磁気抵抗
川見豪, 劉宏喜, 本田佑輔, 植村哲也, F.-y. Shi, P. M. Voyles, 山本眞史, 第37回日本磁気学会学術講演概要集 2013, p. 53, 3pC-, vol.37, p.53, 3pC-8, 2013年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi 薄膜の飽和磁化およびトンネルスピン偏極率に対する非化学量論的組成の影響
本田佑輔, 李桂芳, 劉宏喜, 有田正志, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 齊藤敏明, 三浦良雄, 白井正文, 第37回日本磁気学会学術講演概要集 2013, vol.37, p.52, 3pC-7, 2013年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Highly-efficient dynamic nuclear polarization in GaAs using a Heusler-alloy spin source
T. Akiho, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura, 2013年（平成25年）第74回応用物理学会秋季学術講演会，講演予稿集(DVD-ROM), vol.74, 10-041,20a-C15-3, 2013年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Giant tunneling magnetoresistance in fully epitaxial Co2(Mn, Fe)Si/MgO/ Co2(Mn, Fe)Si magnetic tunnel junctions
T. Kawami, H.-x. Liu, Y. Honda, T. Uemura, F.-y. Shi, P. M. Voyles, M. Yamamoto, 2013年（平成25年）第74回応用物理学会秋季学術講演会，講演予稿集(DVD-ROM), vol.74, 10-018,18a-C15-4, 2013年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - スピントロニクス材料としてのハーフメタルホイスラー合金
山本眞史, 植村哲也, 2013年（平成25年）第74回応用物理学会秋季学術講演会，講演予稿集(DVD-ROM), vol.74, 077,18p-C15-2, 2013年09月, ［招待有り］
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Annealing temperature dependence of spin signals observed inCo2MnSi/CoFe/n-GaAs through four-terminal non-local geometry
T. Akiho, J. Shan, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura, 第60回応用物理学会春季学術講演会，講演予稿集 (DVD-ROM), vol.60, 10-049, 28a-A7-5,, 2013年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Influence of interfacetermination layeron temperature dependenceof tunneling magnetoresistance of Co2MnSi/MgO-based magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, F.-y. Shi, P. Voyles, 第60回応用物理学会春季学術講演会，講演予稿集 (DVD-ROM), vol.60, 10-038, 30p-A7-7, 2013年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/CoFe/MgO/SiにおけるHanle信号のMgO膜厚依存性
藤澤潤, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也, 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 59, 2013年01月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/CoFe/MgO/SiにおけるHanle信号のMgO膜厚依存性
藤澤潤, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也, 2013年 (平成25年) 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.48, p.59, B-27, 2013年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Nb/ Cu50Ni50二層薄膜の電気伝導特性と超電導近接効果
蝦名優也, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2013年 (平成25年) 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.48, p.58, B-26, 2013年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - GaAsショットキートンネル障壁を介した強磁性体からInGaAsチャネルへのスピン注入
鳥野剛史, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也, 2013年 (平成25年) 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.48, p.17, A-17, 2013年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - CoFe/MgO/SC(SC = Si or Ge)におけるHanle信号の半導体種依存性
植村哲也, 李桂芳, 藤澤潤, 松田健一, 山本眞史, 第17回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS17)，Program and Abstracts, vol.17, p.25,P5, 2012年12月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 高スピン偏極材料を用いたGaAsへのスピン注入
植村哲也, 秋保貴史, 松田健一, 山本眞史, 第17回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS17)，Program and Abstracts, vol.17, p.19, B5, 2012年12月, ［招待有り］
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co50Fe50電極からGaAs へのスピン注入の電気的検出
植村哲也, 秋保貴史, 原田雅亘, 松田健一, 山本眞史, 第35回日本磁気学会学術講演概要集, vol.35, p.338, 30aB-3, 2012年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 非局所四端子配置を用いたCo2MnSi/CoFe/n-GaAs ショットキートンネル接合におけるoblique Hanle 信号の過渡特性
単津海, 秋保貴史, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也, 2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 講演予稿集 (DVD-ROM), vol.73, 10-100, 14a-H6-10, 2012年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - MgO tunnel barrier thickness dependence of three-terminal Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Ge tunnel junctions
G.-f. Li, M. Miki, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 講演予稿集 (DVD-ROM), vol.73, 10-052, 13p-H6-6, 2012年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/NbN接合を用いたホイスラー合金Co2MnSiのスピン偏極率評価
松田健一, 篠木崇帆, 植村哲也, 山本眞史, 2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 講演予稿集 (DVD-ROM), vol.73, 10-020, 12a-H6-2, 2012年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Temperature dependence of spin-dependent tunneling resistances of fully epitaxial Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 講演予稿集 (DVD-ROM), vol.73, 10-009, 11p-H6-9, 2012年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - CoFe/MgO/Siにおけるスピン蓄積信号のMgO膜厚依存性
植村哲也, 藤澤 潤, 松田健一, 山本眞史, 2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.59, 10-056, 17a-B4-9, 2012年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSiホイスラー合金を用いたGaAsへの電気的スピン注入および動的核スピン偏極の電気的検出
秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.59, 10-059, 17a-B4-12, 2012年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.59, 10-005, 16a-B4-5, 2012年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Spin-dependent transport characteristics of epitaxial magnetic tunnel junctions of CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi
H.-x. Liu, Y. Honda, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, Y. Miura, M. Shirai, M. Yamamoto, 2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.59, 10-006, 16a-B4-6, 2012年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/CoFe/n-GaAsにおけるスピン輸送と核磁場の検出
秋保貴史, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.47, p.78, C-9, 2012年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.47, p.77, C-8, 2012年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/NbNヘテロ構造を用いたホイスラー合金Co2MnSiのスピン偏極率評価
篠木崇帆, 松田健一, 平智幸, 植村哲也, 山本眞史, 2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.47, p.73, C-4, 2012年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Spin-polarized transport in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi magnetic tunnel junction
H.-x. Liu, Y. Honda, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, Y. Miura, M. Shirai, M.Yamamoto, 2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.47, p.72, C-3, 2012年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Spin transport properties of fully epitaxial magnetic tunnel junctions of CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, Y. Miura, M. Shirai, 5th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT 2012, vol.5, p.289, N-06, 2012年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 5th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT 2012, vol.5, p.287, N-05, 2012年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Co2MnSiを用いたGaAsへのスピン注入および動的核スピンの検出
秋保貴史, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS16), Program and Abstracts, vol.16, pp.121-122, F4, 2011年11月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi thin films on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, M. Arita, T. Uemura, M. Yamamoto, 第35回日本磁気学会学術講演概要集, vol.35, p.4, 27aB-4, 2011年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi エピタキシャルMTJ におけるトンネル抵抗のバリア膜厚に対する磁化平行と反平行に共通する振動
本田佑輔, 平田進之佑, 劉宏喜, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.72, 10-058, 2a-S-5, 2011年08月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co50Fe50を用いたGaAs への室温におけるスピン注入
植村哲也, 秋保貴史, 原田雅亘, 松田健一, 山本眞史, 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.72, 10-028, 31a-ZS-5, 2011年08月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - CoFe/n-GaAsヘテロ接合におけるスピン依存伝導特性のMgO層挿入効果
秋保貴史, 植村哲也, 原田雅亘, 松田健一, 山本眞史, 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.72, 10-027, 31a-ZS-4, 2011年08月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Structural and magnetic properties of epitaxially grown Heusler alloyCo2MnSi/MgO heterostructures on Ge(001) substrates
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, M. Arita, T. Uemura, M. Yamamoto, 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.72, 10-003, 30a-ZS-3, 2011年08月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi電極とMgOバリアを用いたエピタキシャルMTJにおけるスピン依存トンネル抵抗のMgOバリア膜厚に対する顕著な振動
本田佑輔, 平田進之佑, 李桂芳, 劉宏喜, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2011年 (平成23年) 春季第58回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.58, 10-090, 26p-KR-7, 2011年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Epitaxial growth of Co2MnSi/MgO heterostructures on Ge(001) substrates
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2011年 (平成23年) 春季第58回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.58, 10-007, 25a-KM-7, 2011年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co50Fe50/n-GaAsにおけるスピン注入の電気的検出
植村 哲也, 原田 雅亘, 秋保 貴史, 松田 健一, 山本 眞史, 2011年 (平成23年) 春季第58回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.58, 10-042, 24a-KQ-11, 2011年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 強磁性体/n-GaAsヘテロ接合におけるトンネル特性のMgO層挿入効果
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2011年 (平成23年) 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.46, p.44, B-11, 2011年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi薄膜を用いた強磁性トンネル接合におけるスピン依存トンネル抵抗のMgOバリア膜厚依存性
平田進之佑, 李桂芳, 本田佑輔, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2011年 (平成23年) 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.46, p.43, B-10, 2011年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered Ge substrate
G. -f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 4th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT 2011, vol.4, p.281, N-04, 2011年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - High tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe-buffered Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, T. Taira, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 4th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT 2011, vol.4, p.283, N-05, 2011年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Co2MnSi/n-GaAs接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果のMgO層挿入効果
秋保貴史, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第15回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS15), Program and Abstracts, vol.15, pp.97-98, D1, 2010年12月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/n-GaAs接合におけるスピン依存伝導特性
植村哲也, 原田雅亘, 秋保貴史, 松田健一, 山本眞史, 第34回日本磁気学会学術講演概要集, vol.34, p.233, 6pB-12, 2010年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - High tunnel magnetoresistance in fully epitaxial Co50Fe50-buffered Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
H.?x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 第34回日本磁気学会学術講演概要集, vol.34, p.220, 6aB-9, 2010年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - NbN/Co2Cr0.6Fe0.4AL/NbN接合の微分伝導度特性とその温度依存性
松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.71, 11-017, 14a-P3-17, 2010年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Giant oscillations in spin-dependent tunneling resistances as a function of barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
山本眞史, 丸亀孝生, 石川貴之, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.71, 10-064, 14p-J-4, 2010年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/n-GaAsトンネル接合におけるスピン依存伝導特性
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.71, 10-056, 17p-A-1, 2010年09月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - High tunnel magnetoresistance of up to 450% at room temperature in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler-alloy spin source and a MgO barrier
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.71, 10-002, 14a-F-2, 2010年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Tunnel magnetoresistance characteristics of fully epitaxial Co2MnAl/MgO/CoFe MTJs with various Mn compositions in Co2MnAl electrodes
李桂芳, 平智幸, 平田進之佑, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 日本金属学会2010年秋期(第147回)大会，講演概要，No. 483, vol.147, p.328, 2010年09月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnGe/MgO/Co2MnGe 強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス特性
平田進之佑, 平智幸, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.57, 10-008, 17a-ZH-8, 2010年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Defects induced in nonstoichiometric Co2MnGe thin films investigated through saturation magnetization
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.57, 10-007, 17a-ZH-7, 2010年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/n-GaAs接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果と結晶磁気異方性に対する接合界面構造依存性
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.57, 10-114, 19p-ZJ-19, 2010年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Fabrication of Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions having an upper Co2MnSi electrode with various Mn compositions and having a Co50Fe50 lower electrode
H.-x. Liu, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (DVD-ROM), vol.57, 10-108, 19p-ZJ-13, 2010年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Influence of film composition on the saturation magnetization of Co2MnGe thin films
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2010年 (平成22年) 春期第146回日本金属学会講演会 講演概要, vol.146, p.158, S6.22, 2010年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金Co2MnGeを用いた強磁性トンネル接合におけるコンダクタンス特性の薄膜組成依存性
平田進之佑, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 春期第146回日本金属学会講演会 講演概要, vol.146, p.157, S6.20, 2010年03月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金によるスピン流の創出と制御
植村哲也, 石川貴之, 原田雅亘, 平智幸, 松田健一, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 春期第146回日本金属学会講演会 講演概要, vol.146, p.156, S6.17, 2010年03月, ［招待有り］
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Effect of nonstoichiometry on saturation magnetization of Heusler alloy Co2MnGe thin films
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.45, p.88, C-31, 2010年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN 接合の作製とその電気伝導特性
今井悟嗣, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.45, p.87, C-30, 2010年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/n-GaAs ショットキー接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.45, p.86, C-29, 2010年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnGe/MgO/Co2MnGe 強磁性トンネル接合におけるスピン依存コンダクタンス特性の薄膜組成依存性
平田進之佑, 平智幸, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.45, p.85, C-28, 2010年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - NbN/MgO/Co 系ホイスラー合金エピタキシャル三層構造の作製とトンネル特性
板橋直樹, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, vol.45, p.84, C-27, 2010年01月
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Tunnel magnetoresistance characteristics of Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions having an upper Co2MnSi electrode with various Mn compositions and having a Co50Fe50 lower electrode
H.-x. Liu, T. Ishikawa, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rdInt’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT 2010, vol.3, p.225, N-03, 2010年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Effect of nonstoichiometry on saturation magnetization of Heusler alloy Co2MnGe thin film
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rdInt’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT, vol.3, p.228, N-05, 2010年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Tunneling spectroscopy of Co2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
T. Taira, S. Hirata, G.-f. Li, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rdInt’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, Proceedings of GCOE-NGIT, vol.3, p.230, N-06, 2010年01月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性に対する薄膜組成比の影響
石川貴之, LIU H.‐X, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第33回日本磁気学会学術講演会講演概要集, 22, 2009年09月12日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnGe/MgO/Co2MnGe強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
平智幸, 平田進之佑, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (CD-ROM), 2, 676, 2009年09月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - エピタキシャルCo2MnSi/n‐GaAs接合における異方性磁気抵抗
原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (CD-ROM), 2, 704, 2009年09月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN横型ジョセフソン接合の電気伝導特性
松田健一, 今井悟嗣, 石川貴之, 植村哲也, 山本眞史, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (CD-ROM), 2, 677, 2009年09月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
有田 正志, 菅原 陽, 植村 哲也, 足立 智, 菅原 広剛, 葛西 誠也, 松田 健一, 佐藤 威友, 高橋 庸夫, 福井 孝志, 応用物理教育, 33, 1, 25, 30, 2009年07月31日
日本語 - エピタキシャルCoFe/n‐GaAs接合における磁気抵抗特性
今井洋介, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2, 791, 2009年03月30日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 強磁性細線中を伝播する磁壁の構造および運動のTMR検出のシミュレーション
澤田圭佑, 植村哲也, 増田昌洋, 松田健一, 山本眞史, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2, 779, 2009年03月30日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス特性
板橋直樹, 石川貴之, 米村和希, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第44回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 40, 2009年01月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ハーフメタル系強磁性体(Co2Cr0.6Fe0.4Al)/超伝導体(NbN)二層薄膜のエピタキシャル成長
今井悟嗣, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第44回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 47, 2009年01月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - CoFe/n‐GaAs/CoFe横型接合における磁気抵抗特性
今井洋介, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第44回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 45, 2009年01月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi細線電極における磁壁構造に依存したトンネル磁気抵抗のシミュレーション
澤田圭佑, 増田昌洋, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第44回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 46, 2009年01月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50強磁性トンネル接合のコンダクタンス特性に対するアニールの影響
米村和希, 板橋直樹, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第44回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 39, 2009年01月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金薄膜を上部フリー層に用いた微細MTJの作製と評価
増田昌洋, 澤田圭佑, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第44回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 44, 2009年01月08日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with half-metallic Heusler alloy thin films and a MgO tunnel barrier
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matusda, The 10th Int’l Joint Symposium between Hokkaido University and Chungnam National University, vol.10, 2008年10月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Co2MnSi電極を用いた強磁性トンネル接合におけるスピン依存コンダクタンス特性
石川貴之, 板橋直樹, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第32回日本磁気学会学術講演会講演概要集, 170, 2008年09月12日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnGe/MgO/Co50Fe50強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性の改善
平智幸, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第32回日本磁気学会学術講演会講演概要集, 172, 2008年09月12日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al強磁性トンネル接合のスピン依存トンネルスペクトロスコピー
板橋直樹, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第32回日本磁気学会学術講演会講演概要集, 285, 2008年09月12日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnGe/MgO/Co50Fe50強磁性トンネル接合のコンダクタンス特性
平智幸, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2, 666, 2008年09月02日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Nb/PdNi二層膜およびNb/PdNi/Nbジョセフソン接合の電気伝導特性
松田健一, 秋元陽介, 植村哲也, 山本眞史, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 258, 2008年09月02日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi MTJのスピン依存トンネル特性に対するアニール効果
石川貴之, 板橋直樹, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2, 655, 2008年09月02日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50強磁性トンネル接合のスピン依存トンネル特性
米村和希, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2, 654, 2008年09月02日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi強磁性トンネル接合のコンダクタンス特性
板橋直樹, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2, 786, 2008年03月27日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - エピタキシャル強磁性トンネル接合におけるCo2MnSi電極のハーフメタル特性
石川貴之, 板橋直樹, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2, 786, 2008年03月27日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Formation and Orientation of Bacterial Cellulose Fibril Cultured on Solid/Liquid Interface
PUTRA Ananda, KAKUGO Akira, FURUKAWA Hidemitsu, GONG Jian Ping, OSADA Yoshihito, UEMURA Tetsuya, YAMAMOTO Masafumi, 第42回高分子学会北海道支部研究発表会講演要旨集, 51, 2008年01月29日
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO強磁性トンネル接合におけるスピン依存トンネル抵抗のバイアス電圧依存性
板橋直樹, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 51, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金Co2MnZ(Z=Si,Ge)薄膜を用いた強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗特性の薄膜組成依存性
袴田真矢, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 49, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Nb/強磁性体PdNi/Nbジョセフソン接合の電流‐電圧特性の温度依存性および強磁性膜厚依存性
秋元陽介, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 4, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - CoFe/MgO/CoFe強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗のMgOバリア膜厚に対する振動的依存性
平智幸, 石川貴之, 袴田真矢, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 50, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - GaAs上に成長したCo2MnSi薄膜の構造および磁気特性に対するMgO層挿入の効果
今井洋介, 河岸沙織, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 54, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50強磁性トンネル接合におけるスピン依存トンネル抵抗のMgOバリア膜厚に対する振動的依存性
米村和希, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 52, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金Co2MnSi薄膜を用いた強磁性トンネル接合型磁気センサーの製作と評価
増田昌洋, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 53, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - エピタキシャルCo2MnSi/MgO/n‐GaAsトンネル接合の特性評価
河岸沙織, 今井洋介, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 47, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/Co2MnSiエピタキシャル強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性
石川貴之, 袴田真矢, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第43回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 48, 2008年01月10日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Tubular Bacterial Cellulose Gel with Oriented Fibrils on the Curved Surface
A. Putra, A. Kakugo, H. Furukawa, J. P. Gong, Y. Osada, T. Uemura, M. Yamamoto, Polymer, 49, 7, 1885, 1891, 2008年01月 - Co2MnZ(Z=Si,Ge)/MgO/Co50Fe50強磁性トンネル接合のTMR特性の薄膜組成依存性
袴田真矢, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第31回日本応用磁気学会学術講演会講演概要集, 36, 2007年09月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金MTJにおけるスピン依存トンネル抵抗のMgOバリア膜厚に対する振動的依存性
丸亀孝生, 石川貴之, 米村和希, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第31回日本応用磁気学会学術講演会講演概要集, 39, 2007年09月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - MgO障壁と界面を形成するホイスラー合金Co2MnSiエピタキシャル極薄膜のXASおよびXMCD
齊藤敏明, 片山利一, 石川貴之, 山本眞史, 植村哲也, 浅野裕司, 江村藍, 角田乃亜, 松岡七絵, 朝倉大輔, 小出常晴, 第31回日本応用磁気学会学術講演会講演概要集, 42, 2007年09月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi薄膜を用いた強磁性トンネル接合型磁気センサーの製作
植村哲也, 増田昌洋, 松田健一, 山本眞史, 第31回日本応用磁気学会学術講演会講演概要集, 38, 2007年09月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
石川貴之, 袴田真矢, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第31回日本応用磁気学会学術講演会講演概要集, 37, 2007年09月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - CoFe/MgO/CoFe強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗のMgOバリア膜厚依存性
平智幸, 石川貴之, 袴田真矢, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 491, 2007年09月04日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - GaAs上にMgO層を介して成長したCo2MnSi薄膜の構造および磁気特性評価
今井洋介, 河岸沙織, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 475, 2007年09月04日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi薄膜を上部フリー層に用いたエピタキシャルMTJの製作と評価
増田昌洋, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 475, 2007年09月04日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSiを用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合におけるTMR特性の薄膜組成依存性
石川貴之, 丸亀孝生, 袴田真矢, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1, 512, 2007年03月27日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - ホイスラー合金Co2MnGe薄膜を用いた強磁性トンネル接合のTMR特性の改善
袴田真矢, 石川貴之, 丸亀孝生, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1, 513, 2007年03月27日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 4値状態を有するCoFe/MgO/CoFeエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作
植村哲也, 丸亀孝生, 松田健一, 山本眞史, 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1, 530, 2007年03月27日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Alエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作
丸亀孝生, 石川貴之, 袴田真矢, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1, 514, 2007年03月27日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Magnetic and transport properties of Nb/Pd0.85Ni0.15 bilayer structures
H. Niwa, K. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto, The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.4, p.50, AP-08, 2007年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxial growth and characterization of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films on GaAs with MgO interlayer
T. Yano, T. Uemura, K. Matsuda, M. Yamamoto, The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Sapporo, Collected Papers, vol.4, p.49, DD-07, 2007年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Fabrication of magnetic tunnel junction field sensors using a Co2MnSi thin film
S. Yasuda, M, Masuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.4, p.48, 2007年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Spin-dependent tunneling in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.4, p.46, 2007年03月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a full-Heusler alloy thin film
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda, The 4th Int’l Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Collected Papers, vol.4, pp.131-145, 2007年03月, ［招待有り］
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - 19aRD-3 超伝導体/強磁性体2層構造を有する膜厚可変型ブリッジ構造のジョセフソン輸送特性(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
松田 健一, 丹羽 浩貴, 秋元 陽介, 植村 哲也, 山本 眞史, 日本物理学会講演概要集, 62, 1, 773, 773, 2007年02月28日
一般社団法人日本物理学会, 日本語 - ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
丸亀 孝生, 石川 貴之, 松田 健一, 植村 哲也, 山本 眞史, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 106, 520, 51, 56, 2007年01月25日
Co系フルホイスラー合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al(CCFA)とMgOトンネルバリアを用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合(MTJ)を製作した.保磁力差型MTJにおいて,CCFA薄膜の組成を化学量論的な値に近づけることにより,室温で90%(4.2Kで240%)に達するTMR比が得られた.さらに交換バイアス型MTJにおいて室温で109%,4.2Kで317%の高いTMR比が得られた.得られたTMR比よりB2構造を有するエピタキシャルCCFA薄膜の実効的なスピン偏極率を見積もったところ,4.2Kで0.88(室温で0.57)の高い値が得られた.これらの結果より,Co系ホイスラー合金薄膜の本質的に高いスピン偏極率を活用する上で,すべての層が単結晶エピタキシャル成長の強磁性トンネル接合の構造が有用であることが示された., 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
植村哲也, 丸亀孝生, 松田健一, 山本眞史, 電子情報通信学会技術研究報告, 106, 521(SDM2006 228-244), 57, 62, 2007年01月25日
Co_<50>Fe_<50>/MgO/Co_<50>Fe_<50>構造を有するエピタキシャル強磁性トンネル接合(MTJ)を作製し、室温で約145%の比較的高いトンネル磁気抵抗(TMR)比を得た。本素子において、単結晶Co_<50>Fe_<50>層の立方磁気異方性による4方向の自発磁化に対応した4値のTMR特性を実証した。4値状態に対し、隣接する抵抗値のTMR比は最小でも約20%であった。また、アステロイド曲線の解析から、Co_<50>Fe_<50>の<110>方向から22.5°の方向に磁場を印加することで、選択書き込みが可能であることを示した。さらに、この多値MTJ素子を用いた不揮発性3値連想メモリ(TCAM)を提案し、その基本動作を回路シミュレーションにより確認した。提案した回路は不揮発性を有する上に従来の回路に比べ素子数が約1/3に低減でき、低消費電力化、高集積化に有利である。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Synthesis and Characterization of Bacterial Cellulose Gel with Well oriented Fibers
PUTRA Ananda, KAKUGO Akira, FURUKAWA Hidemitsu, GONG Jian Ping, OSADA Yoshihito, UEMURA Tetsuya, YAMAMOTO Masafumi, 第18回高分子ゲル研究討論会講演要旨集, 5, 6, 2007年01月19日
英語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - 強磁性体‐超伝導体2層薄膜における超伝導転移温度の強磁性膜厚依存性と電気伝導特性
松田健一, 丹羽浩貴, 秋元陽介, 植村哲也, 山本眞史, 第42回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 44, 2007年01月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi薄膜とMgOバリアを用いた交換バイアス型エピタキシャルMTJの製作と評価
石川貴之, 丸亀孝生, 袴田真也, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 第42回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 47, 2007年01月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - GaAs基板上にスパッタ成長したCo2Cr0.6Fe0.4Al薄膜の評価
矢野敏史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史, 第42回応用物理学会北海道支部学術講演会講演予稿集, 41, 2007年01月11日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Improved tunnel magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film of Co2 MnGe and a MgO tunnel barrier
Shinya Hakamata, Takayuki Ishikawa, Takao Marukame, Ken-Ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masashi Arita, Masafumi Yamamoto, Journal of Applied Physics, 101, 9, p.47, 2007年
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr 0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing
Takao Marukame, Takayuki Ishikawa, Shinya Hakamata, Ken-Ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Applied Physics Letters, 90, 1, p.45, DD-07, 2007年
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - ハーフメタル系ホイスラー合金薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作
山本眞史, 丸亀孝生, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 第114回表面技術協会講演大会講演要旨集, 332, 335, 2006年09月25日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Nb/Pd0.85Ni0.152層構造を用いた膜厚可変型ブリッジにおける超伝導近接効果
丹羽浩貴, 松田健一, 秋元陽介, 植村哲也, 山本眞史, 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 245, 2006年08月29日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2MnSi薄膜を用いたエピタキシャルMTJにおけるスピン依存コンダクタンス特性
丸亀孝生, 石川貴之, 木嶋飛元, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 430, 2006年08月29日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Co2Cr0.6Fe0.4Al薄膜とMgOバリアを用いた交換バイアス型エピタキシャルMTJの製作
石川貴之, 丸亀孝生, 袴田真矢, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 1, 430, 2006年08月29日
日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議） - Design and analysis of magnetic random access memory consisting of magnetic tunnel junction and tunnel diode
T. Uemura, M. Yamamoto, 15th Int’l Workshop on Post-Binary ULSI Systems, Proceedings, vol.15, pp.55-60, 2006年05月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Fabrication of microfluidic channel integrated with MOSFET
S. Yasuda, T. Uemura, K. -i. Matsuda, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.69, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Magnetic and Structural Properties of Pd1-xNix Thin Films for Superconductor / Ferromagnet / Superconductor p-Josephson junction devices
H. Niwa, K.-i. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.68, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Anisotropic tunnel magneto-resistance in (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As magnetic tunnel junctions
T. Sone, T. Uemura, K. ?i. Matsuda, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.67, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxial growth of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films on GaAs substrate by magnetron sputtering
T. Yano, T. Uemura, K. ?i. Matsuda, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.66, DD-07, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Dependence of tunnel magnetoresistance on MgO tunnel barrier thickness in epitaxial magnetic tunnel junctions using Heusler alloy thin film
W. Sekine, T. Marukame, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.55, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2MnSi thin film
H. Koyama, H. Kijima, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.54, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxial growth and characterization of full-Heusler alloy Co2MnGe thin films
T. Ishikawa, T. Marukame, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.52, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Tunnel magnetoresistance characteristics of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using Co2MnGe thin film
T. Marukame, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, Collected Papers, vol.3, p.51, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Effect of ferromagnetic-layer thickness on the critical current in Nb/Pd1-xNix/Nb Josehpson p-junctions
K. -i. Matsuda, H. Niwa, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto, 2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)”, Collected Abstracts, p.95, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Characterization of anisotropic tunnel magneto-resistance in (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As magnetic tunnel junctions
T. Uemura, T. Sone, K, ?i. Matsuda, M. Yamamoto, 2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)”, Collected Abstracts, p.89, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxially grown Co2MnGe thin films and application to fully epitaxial magnetic tunnel junctions
T. Marukame, T. Ishikawa, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, 2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)”, Collected Abstracts, p.83, 2006年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxial growth of full-Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered MgO sub-strates
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, H. Koyama, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference, vol.3, 377, 2006年
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film and MgO tunnel barrier
T Marukame, T Kasahara, K Matsuda, T Uemura, M Yamamoto, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44, 16-19, L521, L524, 2005年
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Multilevel Magnetic Random Access Memory Consisting of Magnetic Tunnel Junction and Resonant Tunnel Diode
T. Uemura, M. Yamamoto, “Satellite Session on Quantum Nano Electronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 7th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, Collected Abstracts, vol.7, pp.77-78, 2004年07月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxial growth of Fe/MgO/Fe heterostructures by magnetron sputtering
T. Marukame, M. Yamamoto, T. Uemura, K. Matsuda, “Satellite Session on Quantum Nano Electronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 7th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, Collected Abstracts, vol.7, pp.71-72, 2004年07月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Epitaxial growth of Co2Cr0.6Fe0.4Al Heusler alloy films on MgO (001) substrate
K. Matsuda, T. Kasahara, T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto, “Satellite Session on Quantum Nano Electronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 7th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, Collected Abstracts, vol.7, pp.69-70, 2004年07月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - SC-11-2 強磁性トンネル接合素子とトンネルダイオードからなるMRAMセルの提案と動作実証(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
植村 哲也, 本間 怜, 丸亀 孝生, 山本 眞史, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2004, 2, "S, 55"-"S-56", 2004年03月08日
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - Characterization of (La, Sr)MnO3-d Films Deposited by Magnetron Sputtering on Si Substrate
T. Uemura, K. Sekine, K. Matsuda, M. Yamamoto, 2004 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II)”, Collected Abstracts, p.151, 2004年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Demonstration of Functional Magnetic Tunnel Junction with Negative Differential Resistance
T. Uemura, S. Honma, T. Marukame, M. Yamamoto, 2004 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II)”, Collected Abstracts, p.150, 2004年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Preparation and characterization of Co2Cr0.6Fe0.4Al Heusler alloy thin films grown on MgO substrate by magnetron sputtering
T. Kasahara, K. Matsuda, T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto, 2004 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II)”, Collected Abstracts, p.144, 2004年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証
植村 哲也, 本間 怜, 丸亀 孝生, 山本 眞史, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 103, 631, 41, 46, 2004年01月23日
強磁性トンネル接合(MTJ)と負性抵抗(NDR)素子を並列および直列に接続した二種類の新規MRAMセルを提案し,その基本動作をシミュレーションならびに実験により実証した.NDR素子により,MTJ素子の平行時と反平行時の磁気抵抗(MR)比を増大させることができる.MTJ素子としてCoFe/AlOxからなる二重トンネル接合素子を,NDR素子としてGaAsバンド間トンネルダイオードを用いた上記提案のMRAMセルを試作し,そのMR比を評価した.その結果/実効的なMR比がMTJ素子単独の場合の15%から最大890%にまで飛躍的に増大できることを確認した.さらに,単体としてのTMR比が30%以上のMTJを用いることにより十分な動作マージンが確保できることを示した., 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - Analysis of a Triple Barrier Structure Consisting of Ferromagnetic and Non-magnetic Quantum Wells
T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto, 2003 RCIQE Int. Seminar on “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, Collected Abstracts, p.128, 2003年02月
英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議） - Multiple-Valued T-Gate Based on Multiple Junction Surface Tunnel Transistor
UEMURA Tetsuya, BABA Toshio, IEICE transactions on electronics, 85, 7, 1486, 1490, 2002年07月01日
A novel multiple-valued transfer gate (T-gate) consisting of multiple-junction surface tunnel transistors (MJSTTs) and hetero-junction FETs (HJFETs) was developed and its operation was confirmed by both simulation and experiment. The number of the devices required to form the T-gate can be drastically reduced because of the high functionality of the MJSTT; namely only three MJSTTs and three HJFETs are required to fabricate the three-valued T-gate. This number of transistors is less than half that of a conventional circuit. The fabricated circuit exhibited abasic T-gate operation with various logic functions. Furthermore, only one T-gate is needed to form a multiple-valued D-flip-flop (D-FF) circuit., 一般社団法人電子情報通信学会, 英語 - C-10-20 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値シフトレジスター
植村 哲也, 馬場 寿夫, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2001, 2, 82, 82, 2001年03月07日
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
全 容震, 植村 哲也, 馬場 寿夫, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 100, 642, 21, 26, 2001年02月22日
表面トンネルトランジスタ(STT)の高速動作を目指して、電子ビーム露光と再成長を用いてセルフアライン構造を有する微細STT素子の作製を行なった。ゲート領域での再成長層の形状は、ゲート長と再成長層の膜厚により大きく変化することが分かった。再成長中、ゲート領域のエッジでは(111)ファセットが、中央部では(100)面がそれぞれ形成されるが、ゲート長が150nm以下になると成長速度の遅い(111)ファセットだけが残り最終的な再成長層の形状は三角形になる。再成長層形状制御により良好なトンネル接合を有するゲート長80nmのSTTが実現でき、またその特性評価からゲート変調された明瞭な負性抵抗特性を観測し、正常なトランジスタ動作していることを確認したので報告する。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - SC-9-4 多重接合型表面トンネルトランジスタとヘテロ接合FETを用いた3値Tゲート回路と2段D-FF回路の作製
植村 哲也, 馬場 寿夫, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2000, 2, 167, 168, 2000年09月07日
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用
植村 哲也, 馬場 寿夫, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 100, 147, 67, 72, 2000年06月21日
多値論理回路において最も基本的かつ重要なロジックユニットの一つである多値Tゲート回路を多重接合型表面トンネルトランジスタ(MJSTT)とFETで構成する新たな回路を提案するとともに、その基本動作を確認した。MJSTTの機能性により、3値Tゲートおよび3値エッジトリガー型Dフリップフロップ回路が従来のFETのみの回路に比べ、半数以下の素子数(6個)で形成でき、本方式は素子数・配線数の低減に有効であることを示した。, 一般社団法人電子情報通信学会, 英語 - 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路
植村 哲也, 馬場 寿夫, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2000, 2, 59, 59, 2000年03月07日
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - 表面トンネルトランジスタ
馬場 寿夫, 植村 哲也, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997, 2, 175, 176, 1997年08月13日
我々は、微細化に適する新しい量子効果素子として半導体中のバンド間トンネル電流を直接ゲート電極により制御する表面トンネル卜ランジスタ(STT, Surface Tunnel Transistor)を提案している。これまでにGaAs系素子試作によりその動作を確認しているが、実用的な観点から高速動作や機能性の向上が求められている。本報告では最近の成果であるInGaAs系材料による動作電流密度の向上、多重接合STTの提案とその動作実証、および多値メモリー動作の確認を中心に、研究の現状と展望について述べる。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語 - Surface Tunnel Transistors with Multiple Interband Tunnel Junctions
BABA Toshio, UEMURA Tetsuya, IEICE transactions on electronics, 80, 7, 875, 880, 1997年07月25日
New functional surface tunnel transistors (STTs) with multiple interband-tunnel-junctions in a symmetric source-to-drain structure are proposed to reduce the number of fabrication steps and to increase functionality. These devices have p^+/n^+ interband tunnel junctions in series between a p^+ source and a p^+ drain through n^+ channels. We successfully fabricated GaAs-based multiple-junction STTs (MJ-STTs) using molecular-beam epitaxy regrowth. This fabrication method eliminates the need for two of the photo-masks in the conventional process for asymmetric planar STTs. In the preliminary experiments using multiple-junction p^+/n^+ diodes, we found that the peak-voltage increment in negative-differential-resistance (NDR) characteristics due to the reverse-biased tunnel junction is negligible, while the first-peak voltage is roughly proportional to the number of forward-biased tunnel junctions. Moreover, the number of NDR characteristics are completely determined by the number of tunnel junctions. The fabricated STTs with multiple junctions, up to eight junctions, exhibited clear transistor operation with multiple NDR characteristics, which were symmetric with the drain bias. These results indicate that any number of gate-controlled NDR characteristics can be realized in MJ-STTs by using an appropriate number of tunnel junctions in series. In addition, as an example of a functional circuit using MJ-STTs, we implemented a tri-stable circuit with a four-junction STT and a load resistor connected in series. The tri-stable operation was confirmed by applying a combination of a reset pulse and a set pulse for each stable point., 一般社団法人電子情報通信学会, 英語 - 表面トンネルトランジスタにおける負性抵抗特性の評価
植村 哲也, 馬場 寿夫, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 94, 22, 47, 53, 1994年04月22日
表面トンネルトランジスタ(STT)の高性能化を目的に、チャネルに直接ドーピングを行い、チャネルの縮退度を高めた構造を作製した。その結果、従来構造に比べ、3桁以上の動作電流密度の増加とバンド間のトンネリングに基づく明瞭な負性抵抗(NDR)特性を室温において得た。さらに、STTの機能デバイスとしての応用を示すために、一つのSTT素子と一つの負荷抵抗からなる双安定回路を構築し、その動作を確認した。また、NDR特性を劣化させるバレイ電流の原因を明かにするため、STTと同様の再成長界面を有するp^+-n^+トンネルダイオード構造を作製し、NDR特性の温度依存性とpn再成長界面の不純物濃度を評価した。その結果、バレイ電流は主にpn再成長界面における残留酸素により形成されるトラップ準位を介したトンネル電流であることが示唆された。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
書籍等出版物
講演・口頭発表等
- Coherent manipulation of nuclear spins in GaAs using electrical spin injection
T. Uemura
International Workshop on NanoScience and NanoOptics 2017, 2017年11月02日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
2017年11月02日 - 2017年11月03日, ［招待講演］ - Coherent Control of Nuclear Spins in Semiconductor using Electrical Spin Injection
植村 哲也
2016 RCIQE International Seminar, 2016年03月08日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
［招待講演］, ［国際会議］ - Half-metallic Heusler alloys for the spin sources of spintronic devices
Masafumi Yamamoto, Tetsuya Uemura
13th RIEC International Workshop on Spintronics, 2015年11月18日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
［招待講演］, ［国際会議］ - Manupulation of nuclear spins in GaAs using a half-metallic spin source of Co2MnSi
T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf. 2015, 2015年05月11日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
［招待講演］, ［国際会議］ - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi強磁性体トンネル接合におけるスピン依存トンネル抵抗の温度依存性
本田佑輔, 劉宏喜, 植村哲也, 山本眞史
第49回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2013年12月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学, 札幌市, ［国内会議］ - Co2MnSi/CoFe/n-GaAs接合における高いスピン注入効率の実証
蝦名優也, 秋保貴史, 劉宏喜, 山本眞史, 植村哲也
第49回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2013年12月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学, 札幌市, ［国内会議］ - Spin lifetime in strained InGaAs channels investigated through all electrical spin injection and detection
T. Akiho, M. Yamamoto, T. Uemura
第18回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS18), 2013年12月, 英語, 口頭発表（一般）
大阪大学，豊中市, ［国内会議］ - Effect of CoFe insertion on spin injection properties of Co2MnSi/CoFe/n-GaAs junctions
Y. Ebina, T. Akiho, H. Liu, M. Yamamoto, T. Uemura
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, 2013年11月, 英語
Denver, Colorado, USA, ［国際会議］ - Giant tunnel magnetoresistance in fully epitaxial Co2(Mn,Fe)Si/MgO/Co2(Mn,Fe)Si magnetic tunnel junctions
T. Kawami, H. Liu, Y. Honda, K. M. Ayele, T. Uemura, F. Shi, P. M. Voyles, M. Yamamoto
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, 2013年11月, 英語
Denver, Colorado, USA, ［国際会議］ - Spin and symmetry properties of the buried Co2MnSi/MgO interface.
R. Fetzer, Y. Ohdaira, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Taira, T. Uemura, M. Yamamoto, M. Aeschlimann, M. Cinchetti
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, 2013年11月, 英語
Denver, Colorado, USA, ［国際会議］ - Spin-dependent transport properties of strained InGaAs channel investigated through all electrical spin injection and detection
T. Akiho, M. Yamamoto, T. Uemura
58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, 2013年11月, 英語
Denver, Colorado, USA, ［国際会議］ - Co2MnSi/CoFe/n-GaAs 接合における動的核スピン偏極
秋保貴史, 劉宏喜, 山本眞史, 植村哲也
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学, 札幌市, ［国内会議］ - Co2MnSi/CoFe/n-GaAs 接合におけるスピン注入特性に及ぼす CoFe 挿入層の効果
蝦名優也, 秋保貴史, 劉宏喜, 山本眞史, 植村哲也
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学, 札幌市, ［国内会議］ - Co2(Mn, Fe)Si/MgO/ Co2(Mn, Fe)Si エピタキシャル MTJ の巨大トンネル磁気抵抗
川見豪, 劉宏喜, 本田佑輔, 植村哲也, F.-y. Shi, P. M. Voyles, 山本眞史
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学, 札幌市, ［国内会議］ - Co2MnSi 薄膜の飽和磁化およびトンネルスピン偏極率に対する非化学量論的組成の影響
本田佑輔, 李桂芳, 劉宏喜, 有田正志, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史, 齊藤敏明, 三浦良雄, 白井正文
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学, 札幌市, ［国内会議］ - Highly-efficient dynamic nuclear polarization in GaAs using a Heusler-alloy spin source
T. Akiho, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
2013年（平成25年）第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 英語, 口頭発表（一般）
同志社大学，京田辺市, ［国内会議］ - Giant tunneling magnetoresistance in fully epitaxial Co2(Mn, Fe)Si/MgO/ Co2(Mn, Fe)Si magnetic tunnel junctions
T. Kawami, H.-x. Liu, Y. Honda, T. Uemura, F.-y. Shi, P. M. Voyles, M. Yamamoto
2013年（平成25年）第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 英語, 口頭発表（一般）
同志社大学，京田辺市, ［国内会議］ - スピントロニクス材料としてのハーフメタルホイスラー合金
山本眞史, 植村哲也
2013年（平成25年）第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 日本語, 口頭発表（基調）
同志社大学，京田辺市, ［招待講演］, ［国内会議］ - Annealing temperature dependence of spin signals observed inCo2MnSi/CoFe/n-GaAs through four-terminal non-local geometry
T. Akiho, J. Shan, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 英語, 口頭発表（一般）
神奈川工科大学，厚木市, ［国内会議］ - Influence of interfacetermination layeron temperature dependenceof tunneling magnetoresistance of Co2MnSi/MgO-based magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, F.-y. Shi, P. Voyles
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 英語, 口頭発表（一般）
神奈川工科大学，厚木市, ［国内会議］ - Co2MnSi/CoFe/MgO/SiにおけるHanle信号のMgO膜厚依存性
藤澤潤, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也
2013年 (平成25年) 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2013年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
釧路市生涯学習センター「まなぼっと幣舞」，釧路市, ［国内会議］ - Nb/ Cu50Ni50二層薄膜の電気伝導特性と超電導近接効果
蝦名優也, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2013年 (平成25年) 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2013年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
釧路市生涯学習センター「まなぼっと幣舞」，釧路市, ［国内会議］ - GaAsショットキートンネル障壁を介した強磁性体からInGaAsチャネルへのスピン注入
鳥野剛史, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也
2013年 (平成25年) 第48回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2013年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
釧路市生涯学習センター「まなぼっと幣舞」，釧路市, ［国内会議］ - Influence of interfacial structural properties on tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions with Co2MnSi electrode and MgO barrier
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, M. Arita, T. Uemura, M. Yamamoto
12th Joint MMM/Intermag Conf., 2013年01月, 英語
Chicago, Illinois, USA, ［国際会議］ - Transient effects on oblique Hanle signals observed in ferromagnet/semiconductor heterojunctions with non-local four-terminal configuration
T. Akiho, J.-h. Shan, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
12th Joint MMM/Intermag Conf., 2013年01月, 英語
Chicago, Illinois, USA, ［国際会議］ - CoFe/MgO/SC(SC = Si or Ge)におけるHanle信号の半導体種依存性
植村哲也, 李桂芳, 藤澤潤, 松田健一, 山本眞史
第17回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS17), 2012年12月, 日本語, 口頭発表（一般）
九州大学伊都キャンパス，稲森フロンティア研究センター，福岡市, ［国内会議］ - 高スピン偏極材料を用いたGaAsへのスピン注入
植村哲也, 秋保貴史, 松田健一, 山本眞史
第17回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS17), 2012年12月, 日本語, 口頭発表（招待・特別）
九州大学伊都キャンパス，稲森フロンティア研究センター，福岡市, ［招待講演］, ［国内会議］ - Electrical spin injection and electrical detection of dynamic nuclear polarization in ferromagnet/semiconductor heterojunctions
T. Akiho, J.-h. Shan, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
International Workshop on Spintronic Nano Materials 2012, 2012年11月, 英語, 口頭発表（招待・特別）
Hokkaido Univ., Sapporo, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Enhanced coherent tunneling contribution in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi electrode and a MgO barrier due to improved interfacial structural properties
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 2nd Int’l Conf. of Asia Union of Magnetics Societies (ICAUMS 2012), The 36th Annual Conf. on Magnetics in Japan, 2012年10月, 英語
Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan, ［国際会議］ - Co50Fe50電極からGaAs へのスピン注入の電気的検出
植村哲也, 秋保貴史, 原田雅亘, 松田健一, 山本眞史
第35回日本磁気学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
朱鷺メッセ国際会議場，新潟市, ［国内会議］ - 非局所四端子配置を用いたCo2MnSi/CoFe/n-GaAs ショットキートンネル接合におけるoblique Hanle 信号の過渡特性
単津海, 秋保貴史, 松田健一, 山本眞史, 植村哲也
2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
愛媛大学＆松山大学，松山市, ［国内会議］ - MgO tunnel barrier thickness dependence of three-terminal Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Ge tunnel junctions
G.-f. Li, M. Miki, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 英語, 口頭発表（一般）
愛媛大学＆松山大学，松山市, ［国内会議］ - Co2MnSi/MgO/NbN接合を用いたホイスラー合金Co2MnSiのスピン偏極率評価
松田健一, 篠木崇帆, 植村哲也, 山本眞史
2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
愛媛大学＆松山大学，松山市, ［国内会議］ - Temperature dependence of spin-dependent tunneling resistances of fully epitaxial Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2012年 (平成24年) 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 英語, 口頭発表（一般）
愛媛大学＆松山大学，松山市, ［国内会議］ - Tunnel barrier thickness dependence of Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Ge tunnel junctions investigated through three-terminal configuration
G.-f. Li, M. Miki, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 17th Int’l Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 2012年09月, 英語
Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan, ［国際会議］ - Tunnel barrier thickness dependence of Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Si and CoFe/MgO/n-Ge junctions investigated through three-terminal configuration
T. Uemura, G.-f. Li, J. Fujisawa, K. Kondo, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
2012 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), 2012年09月, 英語
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Transient oblique Hanle signals observed in Co2MnSi/CoFe/n-GaAs with non-local four-terminal configuration
J.-h. Shan, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto, T. Uemura
2012 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), 2012年09月, 英語
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Temperature dependence of spin-dependent tunneling resistances of MgO-buffered Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
Y. Honda, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2012 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), 2012年09月, 英語
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Spin-polarization measurements for Co?2MnSi using Co2MnSi/MgO/NbN epitaxial tunnel junctions
Ken-ichi Matsuda, Takaho Shinoki, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
The 19th Int’l Conf. on Magnetism (ICM2012), 2012年07月, 英語
BEXCO, Busan, Korea, ［国際会議］ - MgO thickness dependence of spin accumulation signal in Co50Fe50/MgO/Si
T. Uemura, J. Fujisawa, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2012 (INTERMAG 2012), 2012年05月, 英語
Vancouver Convention Center, Vancouver, Canada, ［国際会議］ - Electrical spin injection from Co2MnSi Heusler alloy into GaAs and electrical detection of dynamic nuclear polarization
T. Akiho, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2012 (INTERMAG 2012), 2012年05月, 英語
Vancouver Convention Center, Vancouver, Canada, ［国際会議］ - Temperature dependence of spin-dependent tunneling conductances of fully epitaxial Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2012 (INTERMAG 2012), 2012年05月, 英語
Vancouver Convention Center, Vancouver, Canada, ［国際会議］ - Possibility of Superconducting Proximity Effect of Equal-spin Triplet Components in NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN Junctions
Ken-ichi Matsuda, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto
Int’l Conf. on Topological Quantum Phenomena (TQP2012), 2012年05月, 英語
Nagoya University, Nagoya, Japan, ［国際会議］ - CoFe/MgO/Siにおけるスピン蓄積信号のMgO膜厚依存性
植村哲也, 藤澤 潤, 松田健一, 山本眞史
2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
早稲田大学，東京都新宿区, ［国内会議］ - Co2MnSiホイスラー合金を用いたGaAsへの電気的スピン注入および動的核スピン偏極の電気的検出
秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
早稲田大学，東京都新宿区, ［国内会議］ - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 英語, 口頭発表（一般）
早稲田大学，東京都新宿区, ［国内会議］ - Spin-dependent transport characteristics of epitaxial magnetic tunnel junctions of CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi
H.-x. Liu, Y. Honda, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, Y. Miura, M. Shirai, M. Yamamoto
2012年 (平成24年) 春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 英語, 口頭発表（一般）
早稲田大学，東京都新宿区, ［国内会議］ - Co2MnSi/CoFe/n-GaAsにおけるスピン輸送と核磁場の検出
秋保貴史, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2012年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2012年01月, 英語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Co2MnSi/MgO/NbNヘテロ構造を用いたホイスラー合金Co2MnSiのスピン偏極率評価
篠木崇帆, 松田健一, 平智幸, 植村哲也, 山本眞史
2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2012年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Spin-polarized transport in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi magnetic tunnel junction
H.-x. Liu, Y. Honda, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, Y. Miura, M. Shirai, M.Yamamoto
2012年 (平成24年) 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2012年01月, 英語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Spin transport properties of fully epitaxial magnetic tunnel junctions of CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, Y. Miura, M. Shirai
5th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2012年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
5th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2012年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Co2MnSiを用いたGaAsへのスピン注入および動的核スピンの検出
秋保貴史, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS16), 2011年11月, 日本語, 口頭発表（一般）
東京工業大学，東京都目黒区, ［国内会議］ - Non-local electrical detection of Hanle signals in Co2MnSi/Co50Fe50/n-GaAs Schottky tunnel junctions
T. Akiho, T. Uemura, H. Harada, K.-i., Matsuda, M. Yamamoto
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2011年11月, 英語
Scottsdale, Arizona, USA, ［国際会議］ - Almost identical oscillations in tunneling resistances as a function of barrier thickness for parallel and antiparallel configurations for fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
Y. Honda, S. Hirata, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2011年11月, 英語
Scottsdale, Arizona, USA, ［国際会議］ - Fabrication of epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T.Taira, H.-x. Liu, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2011年11月, 英語
Scottsdale, Arizona, USA, ［国際会議］ - Spin-dependent transport properties of fully epitaxial magnetic tunnel junctions of CoFe/MgO/CoFe ultrathin layer/Co2MnSi
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto, Y. Miura, M. Shirai
56th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2011年11月, 英語
Scottsdale, Arizona, USA, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi thin films on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, M. Arita, T. Uemura, M. Yamamoto
第35回日本磁気学会学術講演会, 2011年09月, 英語, 口頭発表（一般）
朱鷺メッセ国際会議場，新潟市, ［国内会議］ - Effect of MgO Barrier Insertion on Spin-dependent Transport Properties of CoFe/n-GaAs
T. Akiho, M. Harada, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
2011 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2011年09月, 英語
Nagoya, Japan, ［国際会議］ - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with CoFe electrodes and a MgO barrier on Ge(001) substrates via a MgO interlayer
G.-f. Li, T. Taira, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2011 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2011年09月, 英語
Nagoya, Japan, ［国際会議］ - Effect of GaAs Surface Structure on Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in Epitaxial Co50Fe50/n-GaAs Junctions
T. Uemura, T. Akiho, M. Harada, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
2011 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2011年09月, 英語
Nagoya, Japan, ［国際会議］ - Co2MnSi/MgO/Co2MnSi エピタキシャルMTJ におけるトンネル抵抗のバリア膜厚に対する磁化平行と反平行に共通する振動
本田佑輔, 平田進之佑, 劉宏喜, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 日本語, 口頭発表（一般）
山形大学，山形市, ［国内会議］ - Co50Fe50を用いたGaAs への室温におけるスピン注入
植村哲也, 秋保貴史, 原田雅亘, 松田健一, 山本眞史
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 日本語, 口頭発表（一般）
山形大学，山形市, ［国内会議］ - CoFe/n-GaAsヘテロ接合におけるスピン依存伝導特性のMgO層挿入効果
秋保貴史, 植村哲也, 原田雅亘, 松田健一, 山本眞史
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 日本語, 口頭発表（一般）
山形大学，山形市, ［国内会議］ - Structural and magnetic properties of epitaxially grown Heusler alloyCo2MnSi/MgO heterostructures on Ge(001) substrates
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, M. Arita, T. Uemura, M. Yamamoto
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 英語, 口頭発表（一般）
山形大学，山形市, ［国内会議］ - Electrical detection of spin injection from Co50Fe50 into GaAs at room temperature
T. Uemura, M. Harada, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
15th Int’l Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS 15), 2011年07月, 英語
Tallahassee, FL, USA, ［国際会議］ - Oscillations in spin-dependent tunneling resistances as a function of MgO barrier thickness in epitaxial magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2MnSi electrodes
Y. Honda, S. Hirata, H.-x. Liu, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
5th Int’l Workshop on Spin Currents, 2011年07月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - Spin injection from Co50Fe50 into GaAs at room temperature
T. Akiho, M. Harada, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
5th Int’l Workshop on Spin Currents, 2011年07月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling characteristics of Heusler alloy/MgO heterostructures
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
5th Int’l Workshop on Spin Currents, 2011年07月, 英語, 口頭発表（招待・特別）
Sendai, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi/MgO heterostructure on Ge(001) substrate
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2011 (INTERMAG 2011), 2011年04月, 英語
Taipei, Taiwan, ［国際会議］ - Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in an epitaxial Co50Fe50/n-GaAs junction
T. Uemura, M. Harada, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2011(INTERMAG 2011), 2011年04月, 英語
Taipei, Taiwan, ［国際会議］ - Spin-dependent transport properties of Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
T. Akiho, M. Harada, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. 2011 (INTERMAG 2011), 2011年04月, 英語
Taipei, Taiwan, ［国際会議］ - Co2MnSi電極とMgOバリアを用いたエピタキシャルMTJにおけるスピン依存トンネル抵抗のMgOバリア膜厚に対する顕著な振動
本田佑輔, 平田進之佑, 李桂芳, 劉宏喜, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2011年 (平成23年) 春季第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
神奈川工科大学，厚木市, ［国内会議］ - Epitaxial growth of Co2MnSi/MgO heterostructures on Ge(001) substrates
G.-f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2011年 (平成23年) 春季第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 英語, 口頭発表（一般）
神奈川工科大学，厚木市, ［国内会議］ - Co50Fe50/n-GaAsにおけるスピン注入の電気的検出
植村 哲也, 原田 雅亘, 秋保 貴史, 松田 健一, 山本 眞史
2011年 (平成23年) 春季第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
神奈川工科大学，厚木市, ［国内会議］ - 強磁性体/n-GaAsヘテロ接合におけるトンネル特性のMgO層挿入効果
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
2011年 (平成23年) 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2011年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
室蘭工業大学，室蘭市, ［国内会議］ - Co2MnSi薄膜を用いた強磁性トンネル接合におけるスピン依存トンネル抵抗のMgOバリア膜厚依存性
平田進之佑, 李桂芳, 本田佑輔, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2011年 (平成23年) 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2011年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
室蘭工業大学，室蘭市, ［国内会議］ - Epitaxial growth of Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered Ge substrate
G. -f. Li, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
4th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2011年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - High tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe-buffered Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
H.-x. Liu, T. Taira, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
4th Int’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2011年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Co2MnSi/n-GaAs接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果のMgO層挿入効果
秋保貴史, 原田雅亘, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
第15回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS15), 2010年12月, 日本語, 口頭発表（一般）
筑波大学，つくば市, ［国内会議］ - Highly spin-polarized tunneling characteristics at room temperature in magnetic tunnel junctions with a half-metallic Heusler-alloy spin source and a MgO barrier
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2010年11月, 英語
Atlanta, Georgia, USA, ［国際会議］ - Giant oscillations of spin-dependent tunneling resistances as a function of MgO barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions of Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2010年11月, 英語
Atlanta, Georgia, USA,, ［国際会議］ - Giant tunnel magnetoresistance in half-metallic Co2MnSi-based fully epitaxial magnetic tunnel junctions
T. Taira, H.-x. Liu, S. Hirata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2010年11月, 英語
Atlanta, Georgia, USA, ［国際会議］ - Superconducting proximity effect of spin-triplet pairs in NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN junctions
K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
55th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2010年11月, 英語
Atlanta, Georgia, USA, ［国際会議］ - Co2MnSi/MgO/n-GaAs接合におけるスピン依存伝導特性
植村哲也, 原田雅亘, 秋保貴史, 松田健一, 山本眞史
第34回日本磁気学会学術講演会, 2010年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
つくば国際会議場，つくば市, ［国内会議］ - High tunnel magnetoresistance in fully epitaxial Co50Fe50-buffered Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
H.?x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
第34回日本磁気学会学術講演会, 2010年09月, 英語, 口頭発表（一般）
つくば国際会議場，つくば市, ［国内会議］ - NbN/Co2Cr0.6Fe0.4AL/NbN接合の微分伝導度特性とその温度依存性
松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
長崎大学，長崎市, ［国内会議］ - Giant oscillations in spin-dependent tunneling resistances as a function of barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
山本眞史, 丸亀孝生, 石川貴之, 平智幸, 松田健一, 植村哲也
2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
長崎大学，長崎市, ［国内会議］ - Co2MnSi/MgO/n-GaAsトンネル接合におけるスピン依存伝導特性
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 日本語, 口頭発表（一般）
長崎大学，長崎市, ［国内会議］ - High tunnel magnetoresistance of up to 450% at room temperature in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler-alloy spin source and a MgO barrier
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010年 (平成22年) 秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 英語, 口頭発表（一般）
長崎大学，長崎市, ［国内会議］ - Tunnel magnetoresistance characteristics of fully epitaxial Co2MnAl/MgO/CoFe MTJs with various Mn compositions in Co2MnAl electrodes
李桂芳, 平智幸, 平田進之佑, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 2010年09月, 英語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Highly spin-polarized tunneling in Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions with a Co2MnSi upper electrode and a MgO barrier
H.-x. Liu, T. Taira, Y. Honda, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2010年09月, 英語
Tokyo, Japan, ［国際会議］ - Electrical detection of a non-local signal in Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
M. Harada, T. Uemura, T. Akiho, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
6th Int’l Conf. on the Physics and Application of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI), 2010年08月, 英語
Tokyo, Japan, ［国際会議］ - Co2MnGe/MgO/Co2MnGe 強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス特性
平田進之佑, 平智幸, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
東海大学，平塚市, ［国内会議］ - Defects induced in nonstoichiometric Co2MnGe thin films investigated through saturation magnetization
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月, 英語, 口頭発表（一般）
東海大学，平塚市, ［国内会議］ - Co2MnSi/n-GaAs接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果と結晶磁気異方性に対する接合界面構造依存性
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
東海大学，平塚市, ［国内会議］ - Fabrication of Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions having an upper Co2MnSi electrode with various Mn compositions and having a Co50Fe50 lower electrode
H.-x. Liu, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月, 英語, 口頭発表（一般）
東海大学，平塚市, ［国内会議］ - Influence of film composition on the saturation magnetization of Co2MnGe thin films
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010年 (平成22年) 春期第146回日本金属学会講演会, 2010年03月, 英語, 口頭発表（一般）
筑波大学，つくば市, ［国内会議］ - ホイスラー合金Co2MnGeを用いた強磁性トンネル接合におけるコンダクタンス特性の薄膜組成依存性
平田進之佑, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2010年 (平成22年) 春期第146回日本金属学会講演会, 2010年03月, 日本語, 口頭発表（一般）
筑波大学，つくば市, ［国内会議］ - ホイスラー合金によるスピン流の創出と制御
植村哲也, 石川貴之, 原田雅亘, 平智幸, 松田健一, 山本眞史
2010年 (平成22年) 春期第146回日本金属学会講演会, 2010年03月, 日本語, 口頭発表（基調）
筑波大学，つくば市, ［招待講演］, ［国内会議］ - Effect of nonstoichiometry on saturation magnetization of Heusler alloy Co2MnGe thin films
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2010年01月, 英語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN 接合の作製とその電気伝導特性
今井悟嗣, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2010年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Co2MnSi/n-GaAs ショットキー接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果
原田雅亘, 秋保貴史, 植村哲也, 松田健一, 山本眞史
2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2010年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Co2MnGe/MgO/Co2MnGe 強磁性トンネル接合におけるスピン依存コンダクタンス特性の薄膜組成依存性
平田進之佑, 平智幸, 石川貴之, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2010年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - NbN/MgO/Co 系ホイスラー合金エピタキシャル三層構造の作製とトンネル特性
板橋直樹, 平智幸, 松田健一, 植村哲也, 山本眞史
2010年 (平成22年) 第45回応用物理学会北海道支部学術講演会, 2010年01月, 日本語, 口頭発表（一般）
北海道大学，札幌市, ［国内会議］ - Tunnel magnetoresistance characteristics of Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions having an upper Co2MnSi electrode with various Mn compositions and having a Co50Fe50 lower electrode
H.-x. Liu, T. Ishikawa, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rdInt’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2010年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Effect of nonstoichiometry on saturation magnetization of Heusler alloy Co2MnGe thin film
G.-f. Li, T. Taira, S. Hirata, Y. Honda, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rdInt’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2010年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Tunneling spectroscopy of Co2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
T. Taira, S. Hirata, G.-f. Li, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rdInt’l Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation, 2010年01月, 英語
Hokkaido University, Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Effect of the Mn composition in Co2MnSi electrodes on tunnel magnetoresistance characteristics of Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, H.-x. Liu, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
11th Joint MMM/Intermag Conf., 2010年01月, 英語
Washington DC, USA, ［国際会議］ - Strong bias-voltage dependence of tunneling anisotropic magneto-resistance in epitaxial ferromagnet/n-GaAs junctions
T. Uemura, M. Harada, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
11th Joint MMM/Intermag Conf., 2010年01月, 英語
Washington DC, USA, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling characteristics of Co2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
T. Taira, S. Hirata, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
11th Joint MMM/Intermag Conf., 2010年01月, 英語
Washington DC, USA, ［国際会議］ - Fabrication and Transport Properties of NbN/Co2Cr0.6Fe0.4Al/NbN Lateral Junctions
S. Imai, K.-i. Matsuda, T. Ishikawa, T. Uemura, M. Yamamoto
9th Int’l Conf. on Materials and Mechanisms of Superconductivity (M2S-IX), 2009年09月, 英語
Shinjuku, Tokyo, Japan, ［国際会議］ - Tunneling anisotropic magneto-resistance in an epitaxial Co2MnSi/n-GaAs junction
M. Harada, T. Uemura, Y. Imai, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
The 14th Int’l Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), 2009年07月, 英語
Kobe, Japan, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling characteristics of fully epitaxial Co2MnGe/MgO/Co2MnGe magnetic tunnel junctions
T. Taira, S. Hirata, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
20th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS2009), 2009年07月, 英語
Berlin, Germany, ［国際会議］ - Tunneling spectroscopy of magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2MnGe electrodes and a MgO barrier
S. Hirata, T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), 2009年07月, 英語
Karlsruhe, Germany, ［国際会議］ - Spin-dependent electronic structure of Heusler alloy Co2MnSi upper electrodes in magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, N. Itabashi, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), 2009年07月, 英語
Karlsruhe, Germany, ［国際会議］ - Transport properties of a junction consisting of two NbN electrodes coupled by a Co-based Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al channel
K.-i. Matsuda, S. Imai, T. Ishikawa, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), 2009年07月, 英語
Karlsruhe, Germany, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling in half-metallic Heusler alloy-based magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Ishikawa, T. Taira, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2009), 2009年07月, 英語
Karlsruhe, Germany, ［国際会議］ - Simulation of tunneling magnetoresistance used to detect domain-wall structure and motion in a ferromagnetic wire
K. Sawada, T. Uemura, M. Masuda, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf. 2009, 2009年05月, 英語
Sacramento, CA, USA, ［国際会議］ - Tunneling Anisotropic Magneto-resistance in an Epitaxial CoFe/n-GaAs Junction
T. Uemura, Y. Imai, M. Harada, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf. 2009, 2009年05月, 英語
Sacramento, CA, USA, ［国際会議］ - Tunnel magnetoresistance characteristics of post-deposition-annealed Co2MnGe/MgO/CoFe tunnel junctions
T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, 2008年12月, 英語
Boston, MA, USA, ［国際会議］ - Spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with Heusler alloy thin films and a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, 2008年12月, 英語
Boston, MA, USA, ［国際会議］ - Tunneling conductance characteristics for Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al magnetic tunnel junctions
N. Itabashi, T. Ishikawa, K. Yonemura, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, 2008年12月, 英語
Boston, MA, USA, ［国際会議］ - Tunneling spectroscopy of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, N. Itabashi, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, 2008年12月, 英語
Boston, MA, USA, ［国際会議］ - Half-metallic electronic structure of Co2MnSi electrodes proved by tunneling spectroscopy
T. Ishikawa, N. Itabashi, T. Taira, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2008年11月, 英語
Austin, TX, USA, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling characteristics of Co2MnGe/MgO/CoFe tunnel junctions
T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2008年11月, 英語
Austin, TX, USA, ［国際会議］ - Tunneling spectroscopy of Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions
K. Yonemura, T. Ishikawa, N. Itabashi, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2008年11月, 英語
Austin, TX, USA, ［国際会議］ - Spin-dependent electronic structures of Co2Cr0.6Fe0.4Al electrodes investigated through tunneling spectroscopy
N. Itabashi, T. Ishikawa, K. Yonemura, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
53rd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2008年11月, 英語
Austin, TX, USA, ［国際会議］ - Transport Properties of Nb/PdNi bilayers and Nb/PdNi/Nb Josephson junctions
K.-i. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
25th Int’l Conf. on Low Temp. Physics, 2008年08月, 英語
Amsterdam, The Netherlands, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling spectroscopy of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2Cr0:6Fe0:4Al electrodes and a MgO barrier
N. Itabashi, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
25th Int’l Conf. on Low Temp. Physics, 2008年08月, 英語
Amsterdam, The Netherlands, ［国際会議］ - Fabrication and characterization of magnetic tunnel junction field sensors with a Co2MnSi thin film
M. Masuda, T. Uemura, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. Europe 2008, 2008年05月, 英語
Madrid, Spain, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling conductance in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnsI tunnel junctions
T. Ishikawa, N. Itabashi, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. Europe 2008, 2008年05月, 英語
Madrid, Spain, ［国際会議］ - Heusler alloy-based fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
2008 RCIQE Int’l Seminar on “Advanced Semiconductor Materials and Devices”, 2008年03月, 英語, 口頭発表（基調）
Sapporo, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Magnetic and transport properties of superconductor/ferromagnet bilayer microbridges
K.-i. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2007年11月, 英語
Tampa, Florida, USA, ［国際会議］ - Electrical characterization of epitaxial Co2MnSi/MgO/n-GaAs tunnel junctions
S. Kawagishi, T. Uemura, Y. Imai, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2007年11月, 英語
Tampa, Florida, USA, ［国際会議］ - Electronic and magnetic properties of Heusler alloy Co2MnSi epitaxial ultrathin films facing a MgO barrier investigated by X-ray magnetic circular dichroism
T. Saito, T. Katayama, A. Emura, N. Sumida, N. Matsuoka, T. Ishikawa, T. Uemura, M. Yamamoto, D. Asakura, T. Koide
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2007年11月, 英語
Tampa, Florida, USA, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, S. Hakamata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2007年11月, 英語
Tampa, Florida, USA, ［国際会議］ - Oscillations in tunneling resistance as a function of MgO barrier thickness in fully epitaxial magnetic tunnel junctions of Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, K. Matsuda, T. Uemura
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2007年11月, 英語
Tampa, Florida, USA, ［国際会議］ - Highly spin-polarized tunneling in Heusler alloy-based fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a MgO tunnel barrier
M. Yamamoto, T. Marukame, T. Ishikawa, K. Matsuda, T. Uemura
52nd Magnetism and Magnetic Materials Conf., 2007年11月, 英語
Tampa, Florida, USA, ［国際会議］ - Epitaxial growth and characterization of Co2MnSi thin films on GaAs with MgO interlayer
T. Uemura, T. Yano, Y. Imai, K. Matsuda, M. Yamamoto
The 13th Int’l Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS13), 2007年07月, 英語
Genova, Italy, ［国際会議］ - Four-state Magnetic Random Access Memory and Ternary Content Addressable Memory using CoFe-based Magnetic Tunnel Junctions
T. Uemura, T. Marukame, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
37th Int’l Symposium on Multiple-Valued Logic, 2007年05月, 英語
Oslo, Norway, ［国際会議］ - Magnetic and transport properties of Nb/Pd0.85Ni0.15 bilayer structures
H. Niwa, K. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2007年03月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth and characterization of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films on GaAs with MgO interlayer
T. Yano, T. Uemura, K. Matsuda, M. Yamamoto
The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2007年03月, 英語
Japan, ［国際会議］ - Fabrication of magnetic tunnel junction field sensors using a Co2MnSi thin film
S. Yasuda, M, Masuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2007年03月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Improved tunnel magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2MnGe thin film
S. Hakamata, T. Ishikawa, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2007年03月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions
T. Ishikawa, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2007年03月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - High tunnel magnetoresistance in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing
T. Marukame, T. Ishikawa, S. Hakamata, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 4th Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2007年03月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a full-Heusler alloy thin film
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
The 4th Int’l Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment, 2007年03月, 英語, 口頭発表（基調）
Sapporo, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Spin-dependent tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film and a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
The 2nd RIEC Int’l Workshop on Spintronics?MgO-based Magnetic Tunnel Junctions?, 2007年02月, 英語, 口頭発表（基調）
Sendai, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Dependence of magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film of either Co2MnGe or Co2MnSi on film composition
S. Hakamata, T. Ishikawa, T. Marukame, K. Matsuda, T. Uemura, M. Arita, M. Yamamoto
10th Joint MMM/Intermag Conf., 2007年01月, 英語
Baltimore, USA, ［国際会議］ - Fabrication of fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co2Cr0.6Fe0.4Al
T. Marukame, T. Ishikawa, S. Hakamata, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
10th Joint MMM/Intermag Conf., 2007年01月, 英語
Baltimore, USA, ［国際会議］ - Four-state magnetoresistance in epitaxial CoFe-based magnetic tunnel junction
T. Uemura, T. Marukame, K. Matsuda, M. Yamamoto
10th Joint MMM/Intermag Conf., 2007年01月, 英語
Baltimore, USA, ［国際会議］ - Magnetic and Transport Properties of Nb/PdNi Bilayers
K.-i. Matsuda, H. Niwa, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int’l Conf. on Appl. Supercond., 2006年08月, 英語
Seatle, USA, ［国際会議］ - Fabrication of exchange-biased epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co-based full-Heusler alloy thin film
T. Ishikawa, S. Hakamata, T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), 2006年08月, 英語
Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Analysis of magnetic anisotropy for Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs
T. Uemura, T. Yano, K.-i. Matsuda, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), 2006年08月, 英語
Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Spin-dependent transport properties of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/CoFe tunnel junctions
T. Marukame, H. Kijima, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), 2006年08月, 英語
Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using Co2MnSi thin film and MgO tunnel barrier
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
Int’l Conf. on Magnetism (ICM2006), 2006年08月, 英語
Kyoto, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Co-based full-Heusler alloy thin films of Co2Cr0.6Fe0.4Al, Co2MnGe and Co2MnSi on MgO-buffered MgO substrate
T. Ishikawa, T. Marukame, H. Kijima, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), 2006年08月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - MgO barrier thickness dependence of tunnel magnetoresistance in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film
T. Marukame, T. Ishikawa, H. Kijima, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), 2006年08月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - Spin-dependent conductance versus voltage characteristics of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co-based full-Heusler alloy thin film and a MgO barrier
M. Yamamoto, T. Marukame, K.?i. Matsuda, T. Uemura
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), 2006年08月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), 2006年08月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - Structural and magnetic properties of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films epitaxially grown on GaAs with and without MgO interlayer
T. Uemura, T. Yano, K.?i. Matsuda, M. Yamamoto
19th Int’l Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS 2006), 2006年08月, 英語
Sendai, Japan, ［国際会議］ - Design and analysis of magnetic random access memory consisting of magnetic tunnel junction and tunnel diode
T. Uemura, M. Yamamoto
15th Int’l Workshop on Post-Binary ULSI Systems, 2006年05月, 英語
Singapore, ［国際会議］ - Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin film and MgO tunnel barrier
T. Marukame, T. Ishikawa, H. Kijima, W. Sekine, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. 2006, 2006年05月, 英語
San Diego, CA, USA, ［国際会議］ - Exchange bias effect on full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al epitaxial thin films
T. Ishikawa, T. Marukame, H. Niwa, K.?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. 2006, 2006年05月, 英語
San Diego, CA, USA, ［国際会議］ - Epitaxial growth of full-Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO-buffered MgO substrates
H. Kijima, T. Ishikawa, T. Marukame, H. Koyama, K, ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int'l Magnetics Conf. 2006, 2006年05月, 英語
San Diego, CA, USA, ［国際会議］ - Fabrication of microfluidic channel integrated with MOSFET
S. Yasuda, T. Uemura, K. -i. Matsuda, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Magnetic and Structural Properties of Pd1-xNix Thin Films for Superconductor / Ferromagnet / Superconductor p-Josephson junction devices
H. Niwa, K.-i. Matsuda, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Anisotropic tunnel magneto-resistance in (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As magnetic tunnel junctions
T. Sone, T. Uemura, K. ?i. Matsuda, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films on GaAs substrate by magnetron sputtering
T. Yano, T. Uemura, K. ?i. Matsuda, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Dependence of tunnel magnetoresistance on MgO tunnel barrier thickness in epitaxial magnetic tunnel junctions using Heusler alloy thin film
W. Sekine, T. Marukame, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2MnSi thin film
H. Koyama, H. Kijima, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth of full-Heusler alloy Co2MnSi thin films on MgO substrates by magnetron sputtering
H. Kijima, H. Koyama, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth and characterization of full-Heusler alloy Co2MnGe thin films
T. Ishikawa, T. Marukame, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Tunnel magnetoresistance characteristics of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using Co2MnGe thin film
T. Marukame, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Quantum Nanoelectronics Workshop, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxially grown full-Heusler alloy thin films and application to magnetic tunnel junctions
M. Yamamoto, T. Uemura, K.-i. Matsuda
The 3rd Int’l Symp. on Ubiquitous Knowledge Network Environment, 2006年02月, 英語, 口頭発表（基調）
Sapporo, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Effect of ferromagnetic-layer thickness on the critical current in Nb/Pd1-xNix/Nb Josehpson p-junctions
K. -i. Matsuda, H. Niwa, Y. Akimoto, T. Uemura, M. Yamamoto
2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)”, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Characterization of anisotropic tunnel magneto-resistance in (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As magnetic tunnel junctions
T. Uemura, T. Sone, K, ?i. Matsuda, M. Yamamoto
2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)”, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxially grown Co2MnGe thin films and application to fully epitaxial magnetic tunnel junctions
T. Marukame, T. Ishikawa, K. -i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)”, 2006年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Structural and magnetic properties of epitaxially grown full-Heusler alloy Co2MnGe thin films deposited using magnetron sputtering
T. Ishikawa, T. Marukame, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
50th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2005年10月, 英語
San Jose, CA, USA, ［国際会議］ - Tunnel magnetoresistance in epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2MnGe thin film and MgO tunnel barrier
T. Marukame, T. Ishikawa, K. ?i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
50th Annual Conf. on Magnetism & Magnetic Materials, 2005年10月, 英語
San Jose, CA, USA, ［国際会議］ - Analysis of anisotropic tunnel magneto-resistance of GaMnAs/AlAs/GaMnAs magnetic tunnel junction
T. Uemura, R. Miura, T. Sone, K. Matsuda, M. Yamamoto
12th Int’l Conf. on Modulated Semiconductors (MSS 12), 2005年07月, 英語
Alburquerque, New Mexico, USA, ［国際会議］ - High Tunnel Magnetoresistance in Epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/CoFe Tunnel Junctions
T. Marukame, T. Kasahara, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
IEEE Int’l Magnetics Conf., 2005年04月, 英語
Nagoya, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth and characterization of full-Huesler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al thin films for magnetic tunnel junctions
T. Marukame, T. kasahara, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2nd Int. Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, 2005年03月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy thin film
M. Yamamoto, T. Uemura, K. Matsuda
2nd Int. Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, 2005年03月, 英語, 口頭発表（基調）
Sapporo, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al
T. Marukame, T. Kasahara, K. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
2005 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (III)”, 2005年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - T. Uemura, K. Sekine, K. Matsuda and M. Yamamoto
T. Uemura, K. Sekine, K. Matsuda, M. Yamamoto
49th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, 2004年11月, 英語
Jacksonville, Florida, USA, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Fe/MgO/Fe heterostructures on SrTiO3 substrates by magnetron sputtering
T. Marukame, K.-i. Matsuda, T. Uemura, M. Yamamoto
49th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, 2004年11月, 英語
Jacksonville, Florida, USA, ［国際会議］ - Magnetic and Electrical Properties of (La, Sr)MnO3 Sputtered on SrTiO3-buffered Si Substrate
T. Uemura, Y. Takagi, K. Sekine, K. Matsuda, M. Yamamoto
2004 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2004年09月, 英語
Tokyo, Japan, ［国際会議］ - Multilevel Magnetic Random Access Memory Consisting of Magnetic Tunnel Junction and Resonant Tunnel Diode
T. Uemura, M. Yamamoto
“Satellite Session on Quantum Nano Electronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 7th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, 2004年07月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Fe/MgO/Fe heterostructures by magnetron sputtering
T. Marukame, M. Yamamoto, T. Uemura, K. Matsuda
“Satellite Session on Quantum Nano Electronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 7th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, 2004年07月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Epitaxial growth of Co2Cr0.6Fe0.4Al Heusler alloy films on MgO (001) substrate
K. Matsuda, T. Kasahara, T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto
“Satellite Session on Quantum Nano Electronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 7th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, 2004年07月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Characterization of (La, Sr)MnO3-d Films Deposited by Magnetron Sputtering on Si Substrate
T. Uemura, K. Sekine, K. Matsuda, M. Yamamoto
2004 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II)”, 2004年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Demonstration of Functional Magnetic Tunnel Junction with Negative Differential Resistance
T. Uemura, S. Honma, T. Marukame, M. Yamamoto
2004 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II)”, 2004年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Preparation and characterization of Co2Cr0.6Fe0.4Al Heusler alloy thin films grown on MgO substrate by magnetron sputtering
T. Kasahara, K. Matsuda, T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto
2004 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Program: “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II)”, 2004年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］ - Proposal and Experimental Demonstration of Novel MRAM Cell Using Magnetic Tunnel Junction in Combination with Negative Differential Resistance Device
M. Yamamoto, T. Uemura
1st Int. Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, 2003年11月, 英語, 口頭発表（基調）
Sapporo, Japan, ［招待講演］, ［国際会議］ - Demonstration of Enhanced Tunneling Magneto Resistance Ratio for a Magnetic Tunnel Junction Connected in Parallel with a Tunnel Diode
T. Uemura, S. Honma, T. Marukame, M. Yamamoto
2003 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2003年09月, 英語
Tokyo, Japan, ［国際会議］ - Observation of Large Room-temperature Negative Differential Resistance in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs Superlattices Grown on (001) GaAs
K. Uesugi, M. Kurimoto, I. Suemune, M. Yamamoto, T. Uemura, H. Machida, N. Shimoyama
The 11th Int’l. Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), 2003年07月, 英語
Nara, Japan, ［国際会議］ - Proposal of Four-Valued MRAM based on MTJ/RTD Structure
T. Uemura, M. Yamamoto
33rd Int’l Symp. on Multiple-Valued Logic, 2003年05月, 英語
Tokyo, Japan, ［国際会議］ - Proposal and Analysis of a Ferromagnetic Triple-Barrier Resonant-Tunneling Spin Filter
T. Uemura, T. Marukame, M. Yamamoto
Int’l Magnetics Conf. (INTERMAG2003), 2003年04月, 英語
Boston, Massachusetts, U.S.A., ［国際会議］ - Analysis of a Triple Barrier Structure Consisting of Ferromagnetic and Non-magnetic Quantum Wells
T. Marukame, T. Uemura, M. Yamamoto
2003 RCIQE Int. Seminar on “Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies”, 2003年02月, 英語
Sapporo, Japan, ［国際会議］
共同研究・競争的資金等の研究課題
- 磁性ワイル半金属磁気トンネル接合
科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽)
2022年06月 - 2025年03月
山ノ内 路彦, 植村 哲也
日本学術振興会, 挑戦的研究(萌芽), 北海道大学, 研究分担者, 22K18961 - ワイル半金属を用いた電流誘起スピン軌道トルクの解明とそのデバイス応用
科学研究費助成事業 基盤研究(B)
2020年04月 - 2023年03月
植村 哲也, 近藤 憲治
本研究の目的は，磁性ワイル半金属材料において発現する強いスピン軌道相互作用を利用した強磁性体磁化制御の学理を確立し，高速性・低消費電力性に優れたスピントロニクスデバイスを実現することである．そのため，ワイル半金属であることが理論的に指摘されているホイスラー合金（以下，ワイル型ホイスラー合金とよぶ）をスピン源としたスピン軌道トルク(SOT)の特性を理論および実験により明らかにするとともに，これを利用した強磁性体磁化制御を確立する．
2020年度は主に，ワイル型ホイスラー合金の探索とその異常ホール効果を活用した強磁性体の磁化制御に取り組んだ．具体的には，フェルミ準位近傍にワイル点があることが理論的に示され，また実験的にも大きな異常ホール効果が観測されているCo2MnAlやCo2MnGaのホイスラー合金薄膜に着目し，それらの結晶構造解析，及び異常ホール効果や縦磁気抵抗効果などの磁気輸送特性評価を通じて，薄膜の成膜条件を最適化した．さらにこれらをスピン源として，MnGa/Co2MnSi強磁性体二層膜のSOT磁化反転を実証した．
また，磁性ワイル半金属の磁気伝導率を理論的に検討した．有効モデルとして，Type-IとType-IIの両方のタイプを表現できる有効ハミルトニアンを使用し，このモデルの磁気伝導率をBerry曲率が考慮された古典ボルツマン方程式によって計算したところ，Type-Iのワイル半金属では従来から知られた，カイラルアノマリによる負の磁気抵抗効果が得られたが，Type-IIのワイル半金属では，カイラルアノマリによる負の磁気抵抗効果のみならず，正の磁気抵抗効果がカイラルアノマリによっておこることが分かった．これは，Type-IIでは磁場印可によって形成されるランダウ準位の曲率が変わらず，Type-Iではランダウ準位の曲率が反転することが原因であることを見出した．
日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究代表者, 20H02174 - スピン軌道トルクによるハーフメタル強磁性体磁化制御とそのデバイス応用
科学研究費助成事業 基盤研究(B)
2017年04月 - 2020年03月
植村 哲也, 近藤 憲治
本研究の目的は，スピン軌道相互作用の大きい非磁性層と，スピン偏極率が本質的に100%となるハーフメタル強磁性体からなる積層構造において生じるスピン軌道トルクの学理を解明し，高速性・低消費電力性に優れた新規スピントロニクスデバイス実現のための基盤技術を創出することである．そのため，優れたハーフメタル性が実証されているCo基ホイスラー合金を電極とした強磁性トンネル接合と強いスピン軌道相互作用を有する非磁性材料を組み合わせた，新規磁気抵抗素子ならびに高周波自励発振デバイスを開拓し，Co基ホイスラー合金に対する明瞭なSOT磁化反転を実証した．
日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究代表者, 17H03225 - スピン軌道相互作用が強い物質及び現象のトポロジーに基づく研究とスピン素子への応用
科学研究費助成事業 基盤研究(C)
2016年10月 - 2019年03月
近藤 憲治, 植村 哲也
多くの研究者が、グラフェンのようなハニカム構造の量子スピンホール効果を研究してきた。しかしながら、その多くは開放端条件において、エッジをzigzag型であると仮定して電子構造を計算していた。その理由はarmchairのエッジ形状だと、バルクが量子スピンホール相であっても電子構造をよく見るとフェルミ・レベルにおいてギャップが存在するからである。一般的にバルク・エッジ対応によって、バルクで計算した量子スピンホール相の成立条件とリボンで計算した量子スピンホール相の成立条件は一致することになっている。しかしながら、ナノリボンにおいては、成立していないことを具体的な計算で確かめた。
日本学術振興会, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究分担者, 16K04872 - 核電気共鳴を用いた全電気的核スピン制御法の確立
科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究
2015年04月 - 2017年03月
植村 哲也, 近藤 憲治
半導体中の核スピンは量子力学的な重ね合わせ状態を長く維持することができ，量子計算機の量子ビットとして有望である．本研究では，強磁性電極から半導体への電気的スピン注入と核電気共鳴(NER)効果を併用し、電気的制御のみで核スピンをナノメートルスケールの空間分解能で選択的に制御できる素子を開発した．具体的には，高いスピン偏極率を有するCo2MnSi電極からGaAsへの高効率スピン注入と，スピン注入信号のゲート電圧による高効率制御を実証した．さらに，注入した電子スピンを用いて，GaおよびAs原子の核スピンを高効率に偏極し，ゲート電極に印加した高周波電場により核スピンに対するNER操作を実証した．
日本学術振興会, 挑戦的萌芽研究, 北海道大学, 研究代表者, 15K13960 - 半導体スピン注入を利用した核スピン制御と量子情報デバイスの基盤構築
科学研究費補助金(基盤研究(B))
2013年 - 2015年
植村 哲也
半導体中の核スピンは量子力学的な重ね合わせ状態を比較的長く維持することができ，量子計算機の量子ビットとして有望である．本研究では，強磁性体から半導体へのスピン注入を用いた新たな核磁気共鳴(NMR)デバイスを開発した．高いスピン偏極率を有するハーフメタル強磁性体Co2MnSiからGaAsへの高効率スピン注入を実証し，さらに注入した電子スピンを用いて，GaおよびAs原子の核スピンを高効率に偏極できること，および，核スピンに対するNMR操作を電気的に高感度に検出できることを示した．さらに，Ga原子の核スピン準位間のラビ振動を実証し，核スピンのコヒーレント制御にスピン注入素子で初めて成功した．
文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 25286039 - ハーフメタルと高移動度半導体の高品質ヘテロ構造の製作と半導体スピン輸送特性の研究
科学研究費助成事業 基盤研究(A)
2011年05月 - 2014年03月
山本 眞史, 植村 哲也, 松田 健一
本研究の目的は本質的に大きなスピン偏極率を有するハーフメタル材料のCo基ホイスラー合金と，高移動度半導体チャネル(Ge等)を融合する高品質エピタキシャルヘテロ構造の実現を通して，次世代半導体スピントロニクスの基盤を構築することである．平成24年度は，強磁性CoFe電極からMgOバリアを通したn-Geチャネルへのスピン注入の特性を実験的に詳細に検討し，以下の知見を明らかにした．
CoFe/MgO/n-Ge接合に対して，2.25 nmから2.75 nm の範囲のMgOバリア厚み(t_MgO)に対して，室温で，3端子配置により明瞭なHanle信号(磁化は面内，磁場を面に垂直に印加)および逆Hanle信号(磁場を面内に印加)を観測した(スピン注入の方向: 強磁性体から半導体チャネルへのスピン注入)．また，スピン信号ΔVの大きさ(Hanle信号と逆Hanle信号の和)から見積もったspin-RA積(ΔRsA=(ΔV/I_bias)A)は，例えばt_MgO=2.4 nmの接合に対して，半導体へのスピン注入の標準理論(Fert and Jaffres, 2001)の値の4桁大きな値であった．さらに，spin-RA積はt_MgOに対して指数関数的な依存性を示すことを見出した．一方，標準理論では，spin-RA積はt_MgOに対して依存性を示さない．このように，これらの実験結果は，観測されたHanle信号が半導体Geチャネルでのスピン蓄積によるというモデルでは説明できない．この結果を説明するため，トンネル接合界面に存在する局在状態での，磁場によるスピンの歳差運動によりスピン偏極率が低下し，このためフェルミレベルでのアップスピンとダウンスピンの波数が変化し，結果として，トンネル確率が磁場によって変調されるというモデルを提案した．
日本学術振興会, 基盤研究(A), 北海道大学, 研究分担者, 23246055 - ハーフメタル強磁性体/超伝導体接合を用いた高効率スピン偏極電流注入源の創出
科学研究費助成事業 基盤研究(C)
2010年 - 2012年
松田 健一, 山本 眞史, 植村 哲也
本研究では、Co 基ホイスラー合金ハーフメタル強磁性体と超伝導体からなるエピタキシャルへテロ構造の作製に成功した。また、このヘテロ構造についてその電気伝導特性測定から、スピン偏極超伝導成分の存在を示唆する結果を得た。
日本学術振興会, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究分担者, 22560001 - ハーフメタル強磁性体/半導体ハイブリッド構造を用いたスピン機能デバイスの基盤構築
科学研究費補助金(基盤研究(B))
2009年 - 2011年
植村 哲也, 山本 眞史, 松田 健一
半導体中の伝導電子のスピンを操作し、これまでにない新しい機能を有する電子/光デバイスを創出するための基盤技術を確立することを目的に、スピン偏極率の高いハーフメタル材料として知られているCo系ホイスラー合金をスピン注入源とし、GaAsやSiなど種々の半導体への高効率スピン注入を実証した。さらに、注入した電子の半導体中におけるスピン緩和時間の見積もりや核スピンとの相互作用を解明し、スピン依存伝導特性を明らかにした。
文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 21360140 - ハーフメタル高品質ヘテロ構造の製作とスピントンネル制御デバイスの研究
科学研究費助成事業 基盤研究(A)
2008年 - 2010年
山本 眞史, 植村 哲也, 松田 健一
ハーフメタル特性に由来する潜在的に高いスピン偏極率を有するホイスラー合金薄膜は,スピントロニクスデバイスの強磁性電極材料として有望である.本研究では,ホイスラー合金薄膜のハーフメタル特性を十分に活用するための高品質ヘテロ構造を開発すると共に,優れたデバイス特性を実証した.さらに,ホイスラー合金薄膜を上部・下部両電極に用い,MgOバリアを用いるエピタキシャル強磁性トンネル接合デバイスのスピン依存トンネル抵抗が室温においてMgOバリア厚に対し顕著な振動的依存性を示すことを見出した.
日本学術振興会, 基盤研究(A), 北海道大学, 20246054 - ハーフメタル系材料を用いた高効率スピン源の探索と創出
科学研究費助成事業 特定領域研究
2007年 - 2010年
山本 眞史, 植村 哲也, 松田 健一
電子の電荷に加えて,電子のスピンを併せて活用するスピントロニクスにおいてスピン源が必須である.本研究では,ホイスラー合金が潜在的に有する,スピン源として理想的なハーフメタル特性を,デバイス構造の中で実現するための重要な知見を明らかにした.具体的には,ホイスラー合金薄膜組成の適切な制御により,ハーフメタル特性に対して特に有害となる欠陥の抑制が可能となり,ハーフメタル特性が顕著に増大することを明らかにした.さらに,これに合わせてホイスラー合金とMgOバリアからなるエピタキシャルヘテロ界面構造の向上により,優れたデバイス特性が得られることを明らかにした.
日本学術振興会, 特定領域研究, 北海道大学, 19048001 - 強磁性体/半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導の研究
科学研究費補助金(基盤研究(C))
2007年 - 2008年
植村 哲也
半導体中の伝導電子のスピンを操作し、これまでにない新しい機能を有する電子/光デバイスの研究が盛んに行われている。その実現の第一歩は、スピン偏極した電子を半導体内に発生させることであり、強磁性電極から半導体にスピン偏極した電子を電気的に注入する方法(スピン注入)が有効である。本研究では、高効率スピン注入の実現に向け、スピン偏極率の高いハーフメタル材料であるCo系ホイスラー合金薄膜を半導体GaAs上に高品質に形成するとともに、ホイスラー合金/GaAsヘテロ接合構造におけるスピン依存伝導特性を明らかにした。このことにより、将来の新しいスピン機能デバイスの創出にむけた基盤技術を確立した。
文部科学省, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 19560307 - ハーフメタル系強磁性エピタキシャルヘテロ構造の製作とスピン制御デバイスの研究
科学研究費助成事業 基盤研究(B)
2006年 - 2007年
山本 眞史, 植村 哲也, 松田 健一, 齊藤 敏明
本研究では、Co系ホイスラー合金(Co_2YZ)のハーフメタル特性を活用する室温動作のスピントロニクスデバイス基盤技術を構築することを目的とした。急峻で、かつ、原子レベルで平坦なCo_2YZ薄膜とMgOトンネルバリアの界面を実現するとともに、 Co_2YZ/MgOを用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合(MTJ)デバイス技術を開発した。さらに、試作したMTJに対して室温において良好なトンネル磁気抵抗(TMR)特性を実証した。
1)本技術の特徴は以下の通りである:a)MTJ3層構造のすべての層の単結晶エピタキシャル成長,b)急峻で、かつ、原子レベルで平坦なCo_2YZ/MgOバリア界面,c)MgOバリアとの界面領域において、酸化のない、優れた電子的・磁気的状態を有するCo_2YZ薄膜。
2)Co_2Cr_0.6Fe_0.4Al/MgO/CoFe MTJについて、室温において109%(4.2Kにおいて317%)の比較的高いTMR比を実証した。
3)Co_2MnSi(CMS)薄膜を下部・上部両電極に用いた全層エピタキシャル構造の交換バイアス型CMS/MgO/CMS MTJ製作技術を開発した。上部CMS電極堆積後のin situアニールにおけるアニール温度(T_a)を高くするとともに、TMR比が高くなることを明らかにした。また、典型的なTMR
比として、T_a=600℃に対して、室温で179%(4.2Kで683%)の高い値を実証した。
以上、Co系ホイスラー合金とMgOバリアからなる単結晶エピタキシャルヘテロ構造が、ハーフメタル特性を活用する室温動作のスピントロニクスデバイスの基本構造として高い可能性を有していることを示した。
日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 18360143 - 強磁性エピタキシャピル多重障壁構造の製作とスピン共鳴トンネルデバイスの基盤構築
科学研究費助成事業 基盤研究(B)
2004年 - 2005年
山本 眞史, 植村 哲也, 松田 健一
本研究では、強磁性エピタキシャル多重障壁構造の製作技術を確立すると共に、スピン共鳴トンネルデバイスの基盤技術を構築することを目的とした。本研究では,強磁性電極材料として,ハーフメタル強磁性特性に由来する高いスピン偏極率が理論的に指摘され、かつ、キュリー温度が室温よりも十分に高いCo系フルホイスラー合金を検討対象とした。さらに,Co系ホイスラー合金とMgOとの間の格子ミスマッチが数%と比較的小さいことに着目し、MgO基板上へのCo系ホイスラー合金薄膜のエピタキシャル成長を実現した。具体的には、Co_2(Cr_<0.6>Fe_<0.4>)Al(CCFA)とCo_2MnGe(CMG)のエピタキシャル薄膜を製作し、優れた表面平坦性(表面粗さのrms値が、約0.25nm程度)を実現した。さらに、このホイスラー合金エピタキシャル薄膜の上への2nm程度のMgOバリア、さらに、その上への強磁性Co_<50>Fe_<50>薄膜のエピタキシャル成長を実現した。すなわち、Co系ホイスラー合金薄膜と、MgOバリアを用いた全層エピタキシャルの強磁性トンネル接合(MTJ)を実現した。これらのエピタキシャル構造を用いてMTJを試作評価し、室温において、良好なトンネル磁気抵抗(TMR)特性が得られることを示した(CCFA-MTJに対して、室温で42%のTMR比)。さらに、エピタキシャル構造の2重障壁構造を製作し、単一障壁構造と同程度のTMR比(室温で42%程度)を有すること、TMR比が1/2となるバイアス電圧の値が単一障壁構造の約2倍程度と、良好な特性を有することを示した。以上、ハーフメタル強磁性体としてスピン偏極率が大きいと予想されるCo系ホイスラー合金薄膜を用いた強磁性エピタキシャル多重障壁構造の製作技術、および、スピン共鳴トンネルデバイスの基盤技術を構築した。
日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究分担者, 16360143 - 強磁性トンネル接合/負性低抗素子融合回路の開発
科学研究費補助金(基盤研究(C))
2004年 - 2005年
植村 哲也
本研究の目的は、高い読み出し信号比を有するMRAMの創出に向け、共鳴トンネルダイオード(RTD)やバンド間トンネルダイオード(ITD)をはじめとする負性抵抗(NDR)素子と、強磁性トンネル接合(MTJ)を組み合わせた融合回路を開発することである。具体的には、MTJとNDR素子の直列または並列接続集積構造を有するMRAMセルを構成し、そのピーク電圧もしくはピーク電流がMTJの磁化状態により明確に変化することを利用する。まず、NDR素子としてGaAsバンド間トンネルダイオード、MTJとしてCoFe/AlOx系MTJを用い、その磁気抵抗(MR)比が最大890%と飛躍的に増大できることを実証し、本研究の基本原理を確認した。次に、MTJ素子ならびにNDR素子の構造最適化を図り、MTJ素子では、Co系ホイスラー合金やペロブスカイト型Mn酸化物、さらには、強磁性半導体を用いたMTJを試作し、室温で、最大90%におよぶ大きなMR比を得た。これにより、実用的なバイアス電源の設定マージンを確保できる見通しが得られた。また、NDR素子としてRTDを検討し、ピーク・バレイ電流比の大きい2重量子井戸型RTDを分子線エピタキシャル成長法により作製し、その構造と電気的特性の関係を実験的に明らかにした。メモリセルの構成として、RTDとMTJを直列接続した場合と並列接続した場合、また、セル選択用トランジスタを用いる場合と用いない場合のそれぞれについて、回路性能と作製プロセスの両面から各方式の特徴を明らかにした。また、実験的に得られたMTJおよびRTDの素子特性を組み入れたSPICEモデルを構築し、試作したプロトタイプセルの評価結果をベースに、セル占有面積、アクセス速度、消費電力、動作マージン、などのメモリ性能が集積度向上につれてどのように推移するかを回路シミュレーションにより解析した。これにより、高速・大容量のMRAM実現の観点から、本研究のRTD/MTJ融合システムのポテンシャリティの高さを示した。
文部科学省, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 16560289 - 強磁性多重トンネル接合デバイスの研究
科学研究費助成事業 基盤研究(B)
2001年 - 2002年
山本 眞史, 植村 哲也, 雨宮 好仁
不揮発で高速・高密度のランダムアクセスメモリは次世代のユビキタス情報ネットワークに必須のデバイスである。強磁性トンネル接合デバイスを用いるMRAMは有力な候補の一つである。従来の研究では、MRAM応用を目指したトンネル磁気抵抗デバイスとして、強磁性単一障壁構造を用いている。本研究では、MRAMの高性能化のための重要な課題であるトンネル磁気抵抗比の増大に対して、強磁性多重障壁構造におけるスピン共鳴トンネル現象の活用の可能性を追求した。具体的に、強磁性3重障壁構造におけるスピン共鳴トンネル現象に着目し、電流-電圧(I-V)特性を理論的に解析した。この結果、I-V特性は、スピンの磁化方向に依存するそれぞれピーク型のI-V特性となること、すなわち、スピンの共鳴トンネル現象に由来する非常に強い非線形性を示すことを明らかにした。メモリとしては、エミッタ/コレクタ電極および第一の強磁性量子井戸の磁化方向を固定し、第2の強磁性量子井戸の磁化方向を第一の強磁性量子井戸磁化方向に対して、平行(メモリ"1")あるいは反平行("0")に制御することにより、非揮発性メモリを構成できる。交換分裂エネルギー(2h_0)および保持力の大きさの観点から、材料系について検討し、室温で強磁性を示す遷移金属強磁性体の中では、Ni系材料が適することを明らかにした。本デバイスの有する強い非線形I-V特性により、"1"と"0"の読み出し電流比が従来に比較して飛躍的に大きくなり、MRAMの高集積化、高集積化に有望である。具体的に、本デバイスとMOSトランジスタを組み合わせた回路シミュレーションにより、読み出し電流比が、10^4%程度の非常に大きな値になることを示した。以上、強磁性多重障壁構造におけるスピンに依存する共鳴トンネル現象が、MRAMの高性能化に新しい可能性を与えることを示した。
日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究分担者, 13450132
