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谷田部　然治 (ヤタベ　ゼンジ)

量子集積エレクトロニクス研究センター准教授

2001年新疆ウイグル自治区Muztagh Ata（7,509 m）登頂。2005年度日仏共同博士課程派遣学生としてÉcole normale supérieure de Cachan（ENS Cachan）に留学。2008年東京農工大学大学院連合農学研究科生物工学専攻 博士課程修了。博士（農学）。Université de Pau et des Pays de l'Adour（UPPA）研究員、北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター研究員、同特任助教を経て2015年熊本大学 大学院先導機構助教。以降、同大学大学院先端科学研究部准教授、同大学半導体・デジタル研究教育機構准教授を歴任し、2025年北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター准教授。GaN系半導体を中心とした化合物半導体界面の電子物性評価とミスト化学気相成長（CVD）法を用いたゲート絶縁膜堆積プロセスに関する研究に従事。2016年度応用物理学会優秀論文賞受賞、熊本大学Top 10 研究者 2024（Citation部門、Top%部門）。応用物理学会会員。

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研究者基本情報

■ 学位
  • 博士（農学）, 東京農工大学, 2008年
  • 修士（農学）, 東京農工大学, 2005年
  • 学士（農学）, 東京農工大学, 2003年
■ URL
researchmap URLホームページURL■ ID 各種
研究者番号
  • 00621773
ORCID IDResearcher ID
  • A-5506-2012
J-Global ID■ 研究キーワード・分野
研究キーワード
  • 化合物半導体
  • 表面・界面
  • ミスト化学気相成長法
  • ゆらぎ
研究分野
  • ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
  • 自然科学一般, 半導体、光物性、原子物理
  • 自然科学一般, 生物物理、化学物理、ソフトマターの物理

経歴

■ 経歴
経歴
  • 2025年 - 現在
    北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター 量子知能デバイス研究分野, 准教授, 日本国
  • 2023年 - 2025年
    熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構 半導体部門 基礎分野, 准教授, 日本国
  • 2020年 - 2023年
    熊本大学, 大学院先端科学研究部 情報・エネルギー部門 電気電子材料分野, 准教授, 日本国
  • 2015年 - 2020年
    熊本大学, 大学院先導機構, 助教, テニュアトラック, 日本国
  • 2015年 - 2015年
    北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 特任助教, 日本国
  • 2011年 - 2015年
    北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 研究員, 日本国
  • 2009年 - 2010年
    Université de Pau et des Pays de l'Adour (UPPA), Laboratoire des Fluides Complexes et leurs Réservoirs (LFC-R), 研究員, フランス共和国
学歴
  • 2005年 - 2008年, 東京農工大学, 大学院連合農学研究科, 生物工学専攻, 博士(農学), 日本国
  • 2005年 - 2006年, École normale supérieure de Cachan (ENS Cachan), Laboratoire de Photophysique et Photochime Supramoléculaires et Macromoléculaire (PPSM), 日仏共同博士課程派遣学生, フランス共和国
  • 2003年 - 2005年, 東京農工大学, 大学院農学教育部, 環境資源物質科学専攻, 修士(農学), 日本国
  • 1999年 - 2003年, 東京農工大学, 農学部, 環境資源科学科, 学士(農学), 日本国
委員歴
  • 2026年04月 - 現在
    応用物理学会 北海道支部, 庶務幹事 (副), 学協会
  • 2025年 - 現在
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026), Member of Program Committee (Electron Devices)
  • 2025年 - 現在
    Compound Semiconductor Week 2026 (CSW2026), Local Arrangement, CSW Steering Committee
  • 2024年 - 現在
    応用物理学会, 学術講演会プログラム編集委員 (13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価), 学協会
  • 2023年 - 現在
    電気学会 電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス技術委員会 化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会, 委員, 学協会
  • 2020年 - 2025年
    文部科学省 科学技術･学術政策研究所 科学技術予測・政策基盤調査研究センター, 専門調査員, 政府
  • 2023年 - 2023年
    応用物理学会, 第84回応用物理学会秋季学術講演会 現地実行委員, 学協会
  • 2022年 - 2022年
    第13回 半導体材料・デバイスフォーラム, 実行委員
  • 2021年 - 2021年
    日本表面真空学会, 2021年学術講演会 実行委員, 学協会
  • 2018年 - 2021年
    日本表面真空学会 関西支部, 幹事, 学協会
  • 2020年 - 2020年
    日本表面真空学会, 2020年学術講演会 実行委員, 学協会
  • 2019年 - 2019年
    応用物理学会 九州支部, 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会 現地実行委員, 学協会

研究活動情報

■ 受賞
  • 2024年12月, 熊本大学 大学院先導機構 URA推進室, 熊本大学Top 10 研究者 2024
    Citation部門、Top%部門
    谷田部 然治, 日本国, 13160044
  • 2016年09月, 応用物理学会, 第38回応用物理学会論文賞 (応用物理学会優秀論文賞)
    Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
    谷田部 然治;堀 祐臣;Joel T. Asubar;赤澤 正道;佐藤 威友;橋詰 保, 学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国
■ 論文
  • Deposition of ternary hafnium aluminum oxide alloy thin films via single-source mist chemical vapor deposition
    Thin Nu Soe; Yusui Nakamura; Zenji Yatabe
    Journal of the Ceramic Society of Japan, 134, 5, 341, 346, The Ceramic Society of Japan, 2026年02月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国内誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, In this study, hafnium aluminum oxide (Hf1-xAlxOy) alloy thin films were successfully deposited using a fine-channel, single-source mist chemical vapor deposition (mist-CVD) system. The precursor solution was prepared by co-dissolving hafnium (Hf) and aluminum (Al) precursors in methanol. Hf1-xAlxOy films with different Al compositions in the range 0 ≤ x ≤ 1 were prepared and then characterized using grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD), spectroscopic ellipsometry, and X-ray reflectivity measurements. GIXRD analysis confirmed that the incorporation of Al in HfO2 led to the formation of amorphous alloy films (x > 0.38). Increasing the Al content in the film decreased the refractive index and mass density while widening the bandgap, reflecting the compositional change from HfO2 to Al2O3. Moreover, the properties of the mist-CVD-derived Hf1-xAlxOy films were comparable to those reported in the literature, which were prepared via conventional vacuum-based atomic layer deposition. These findings suggest that mist-CVD is a promising solution-processed and non-vacuum technique for depositing high-quality Hf1-xAlxOy alloy films., 42033928
  • Low interface state density in Al2O3/n-GaN MOS capacitors with rapid deposition of Al2O3 gate insulator fabricated via mist-CVD
    Hadirah A. Radzuan; Masaya Fukumitsu; Ryota Ochi; Yusui Nakamura; Taketomo Sato; Zenji Yatabe
    Japanese Journal of Applied Physics, 64, 7, 070906-1, 5, IOP Publishing, 2025年07月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, This study highlights the potential of mist chemical vapor deposition (mist-CVD) as an eco-friendly, cost-effective gate insulator deposition method for GaN-based metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. We deposited an Al2O3 gate insulator on homoepitaxial n-GaN structures via mist-CVD. We found that mist-CVD achieved a deposition rate of 30 nm min−1. From an admittance analysis, quantitative characterizations confirmed low interface state density at the Al2O3/n-GaN interface near the conduction band edge, in the range of 1010 cm−2eV−1. These findings demonstrate that mist-CVD exhibits performance comparable to the conventional deposition method, atomic layer deposition, highlighting the potential of mist-CVD for GaN-based MOS device applications., 42033928
  • Interface state density in mist chemical vapor deposited Al2O3/AlGaN/GaN structure
    Keigo Bito; Masaki Ishiguro; Hadirah A. Radzuan; Hikaru Hiroshige; Tomohiro Motoyama; Yusui Nakamura; Joel T. Asubar; Zenji Yatabe
    Japanese Journal of Applied Physics, 63, 8, 080905-1, 4, IOP Publishing, 2024年08月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, Uniform thickness Al2O3 thin films have been deposited by eco-friendly mist chemical vapor deposition (CVD). The obtained Al2O3 film have optical band gap value of more than 6.5 eV and refractive index of 1.64 at 633 nm (≈ 2.0 eV). The combination of capacitance–voltage (C–V) fitting method with non-linear least-squares algorithm, frequency dispersion, photo-assisted and proposed reverse bias-assisted C–V methods revealed interface state densities ranging from 1 × 1012 to 3 × 1013 cm−2eV−1 along the mist-Al2O3/AlGaN interface. These values are comparable to those reported for atomic layer deposited Al2O3 thin films., 42033928;42033915
  • Evidence of reduced interface states in Al2O3/AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer
    Ali Baratov; Shinsaku Kawabata; Shun Urano; Itsuki Nagase; Masaki Ishiguro; Shogo Maeda; Takahiro Igarashi; Toi Nezu; Zenji Yatabe; Maciej Matys; Tetsu Kachi; Boguslawa Adamowicz; Akio Wakejima; Masaaki Kuzuhara; Akio Yamamoto; Joel T. Asubar
    Applied Physics Express, 15, 10, 104002-1, 5, IOP Publishing, 2022年09月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, We report on the impact of the 3-nm-thick ex-situ AlGaN regrown layer prior to insulator deposition on the interfacial properties of Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) structures. MIS-capacitors (MIScaps) with regrown AlGaN layer exhibited anomalously excessive threshold voltage shift compared to reference sample without regrown AlGaN, suggesting highly reduced interface states density (Dit). Moreover, MIScaps with regrown AlGaN layer exhibited “spill-over” in the capacitance-voltage (C-V) profiles, further evidencing the improved Al2O3/AlGaN interfaces. Fabricated three-terminal MIS-HEMTs with regrown AlGaN showed less hysteresis in transfer curves, enhanced maximum drain current, and increased linearity over the reference device., 13160044
  • Ornstein–Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation
    Zenji Yatabe; Joel T. Asubar
    Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, 582, 126286-1, 6, Elsevier BV, 2021年11月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation
    Joel T. Asubar; Zenji Yatabe; Dagmar Gregusova; Tamotsu Hashizume
    Journal of Applied Physics, 129, 12, 121102-1, 28, AIP Publishing, 2021年03月, ［査読有り］, ［招待有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, Invited Tutorials Article

    Gallium nitride (GaN) is one of the front-runner materials among the so-called wide bandgap semiconductors that can provide devices having high breakdown voltages and are capable of performing efficiently even at high temperatures. The wide bandgap, however, naturally leads to a high density of surface states on bare GaN-based devices or interface states along insulator/semiconductor interfaces distributed over a wide energy range. These electronic states can lead to instabilities and other problems when not appropriately managed. In this Tutorial, we intend to provide a pedagogical presentation of the models of electronic states, their effects on device performance, and the presently accepted approaches to minimize their effects such as surface passivation and insulated gate technologies. We also re-evaluate standard characterization methods and discuss their possible pitfalls and current limitations in probing electronic states located deep within the bandgap. We then introduce our own photo-assisted capacitance–voltage (C–V) technique, which is capable of identifying and examining near mid-gap interface states. Finally, we attempt to propose some directions to which some audience can venture for future development., 13160044
  • GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique
    Rui Shan Low; Joel T. Asubar; Ali Baratov; Shunsuke Kamiya; Itsuki Nagase; Shun Urano; Shinsaku Kawabata; Hirokuni Tokuda; Masaaki Kuzuhara; Yusui Nakamura; Kenta Naito; Tomohiro Motoyama; Zenji Yatabe
    Applied Physics Express, 14, 3, 031004-1, 5, IOP Publishing, 2021年02月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, We report on the fabrication and characterization of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors and high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) using a 5 nm thick Al2O3 dielectric deposited by cost-effective and environmental-friendly mist chemical vapor deposition (mist-CVD) technique. Practically hysteresis-free capacitance–voltage profiles were obtained from the fabricated two-terminal MIS-capacitors indicating high quality of the mist-Al2O3/AlGaN interface. Compared with reference Schottky-gate HEMTs, mist MIS-HEMTs exhibited much improved performance including higher drain current on-to-off ratio, much lower gate leakage current in both forward and reverse directions and lower subthreshold swing. These results demonstrate the potential and viability of non-vacuum mist-CVD Al2O3 in the development of high-performance GaN-based MIS-HEMTs., 13160044
  • Inverse integral transformation method to derive local viscosity distribution measured by optical tweezers
    Ruri Hidema; Zenji Yatabe; Hikari Takahashi; Ryusei Higashikawa; Hiroshi Suzuki
    Soft Matter, 16, 29, 6826, 6833, Royal Society of Chemistry (RSC), 2020年07月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, Complex fluids have a non-uniform local inner structure; this is enhanced under deformation, inducing a characteristic flow, such as an abrupt increase in extensional viscosity and drag reduction. However, it is challenging to derive and quantify the non-uniform local structure of a low-concentration solution. In this study, we attempted to characterize the non-uniformity of dilute and semi-dilute polymer and worm-like micellar solutions using the local viscosity at the micro scale. The power spectrum density (PSD) of the particle displacement, measured using optical tweezers, was analyzed to calculate the local viscosity, and two methods were compared. One is based on the PSD roll-off method, which yields a single representative viscosity of the solution. The other is based on our proposed method, called the inverse integral transformation method (IITM), for deriving the local viscosity distribution. The distribution obtained through the IITM reflects the non-uniformity of the solutions at the micro scale, i.e., the distribution widens above the entanglement concentrations of the polymer or viscoelastic worm-like micellar solutions., 13376278
  • Structural characterization of mist chemical vapor deposited amorphous aluminum oxide films using water-free solvent
    Zenji Yatabe; Koshi Nishiyama; Takaaki Tsuda; Yusui Nakamura
    Journal of the Ceramic Society of Japan, 127, 8, 590, 593, The Ceramic Society of Japan, 2019年08月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, Excellent quality amorphous aluminum oxide (AlOx) thin films have been obtained by atmospheric pressure solution-processed mist chemical vapor deposition (mist-CVD) technique at 400°C using water-free solvent. X-ray fluorescence investigations verified the formation of AlOx film by the mist-CVD. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, ellipsometry and X-ray reflectivity analyses revealed that the synthesized amorphous AlOx films have bandgap of 6.5 eV, refractive index of 1.64 and mass density of 2.78 g/cm3. These values are comparable to those reported for high-quality amorphous Al2O3 thin films deposited by atomic layer deposition method.
  • Synthesis and characterization of mist chemical vapor deposited aluminum titanium oxide films
    Zenji Yatabe; Koshi Nishiyama; Takaaki Tsuda; Kazuki Nishimura; Yusui Nakamura
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, 7, 070905-1, 4, 2019年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, 13160044
  • On the presence of Ga2O sub-oxide in high-pressure water vapor annealed AlGaN surface by combined XPS and first-principles methods
    Mary Clare S. Escaño; Joel T. Asubar; Zenji Yatabe; Melanie Y. David; Mutsunori Uenuma; Hirokuni Tokuda; Yukiharu Uraoka; Masaaki Kuzuhara; Masahiko Tani
    Applied Surface Science, 481, 1120, 1126, Elsevier BV, 2019年07月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, We conducted X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and first-principles calculations based on density functional theory (DFT) to confirm the presence of Ga2O sub-oxide in high-pressure water vapor annealed AlGaN surface. We note that the Ga 3d XPS peak broadens and shifts towards higher binding energies, which suggests surface oxide formation. Deconvoluted Ga 3d XPS profiles between HPWVA-treated and reference samples reveal reasonable inclusion of Ga2O peak, suggesting formation of Ga2O sub-oxide. To theoretically confirm the presence of Ga2O, we calculated the Ga 3d core-level shift using initial state approximation. We obtained a 0.74 eV shift, in reasonable agreement with that of Ga2O. Moreover, based on the calculation of net charge on Ga using DFT, we also obtained a +1 oxidation state for Ga, indicating its existence in Ga2O form. By combining theory and experiment, therefore, we have explored the possibility of the formation of Ga2O sub-oxide, which may provide new avenues for obtaining highly stable operation in GaN-based devices.
  • Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
    Joel Tacla Asubar; Hirokuni Tokuda; Masaaki Kuzuhara; Zenji Yatabe; Kenya Nishiguchi; Tamotsu Hashizume
    PISIKA - Journal of the Physics Society of the Philippines, 1, 1, 11-1, 6, Physics Society of the Philippines (Samahang Pisika ng Pilipinas), 2018年12月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, With its wide bandgap of 3.4 eV, gallium nitride (GaN) is considered as a key semiconductor material for realizing ultra-low-loss power devices. However, GaN-based devices is still plagued by current collapse, which is the temporary reduction of current after application of electrical stress. In this work, we present the state-of-art Multi-Mesa-Channel (MMC) AlGaN/GaN HEMT being developed in our laboratory. The MMC HEMT is fabricated in a way to realize parallel mesa-shaped nano-channels separated by trenches. Investigations have revealed that the MMC HEMT is highly resistant to current collapse and other instabilities, making it a leading power electronics prospect.
  • Structural characteristics of a non-polar ZnS layer on a ZnO buffer layer formed on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition
    Koshi Okita; Katsuhiko Inaba; Zenji Yatabe; Yusui Nakamura
    Japanese Journal of Applied Physics, 57, 6, 065503-1, 7, IOP Publishing, 2018年05月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs
    Tamotsu Hashizume; Kenya Nishiguchi; Shota Kaneki; Jan Kuzmik; Zenji Yatabe
    Materials Science in Semiconductor Processing, 78, 85, 95, Elsevier BV, 2018年05月, ［査読有り］, ［招待有り］, ［最終著者］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Analytical derivation of charge relaxation time distribution in transistor from current noise spectrum using inverse integral transformation method
    Zenji Yatabe; Shinya Inoue; Joel T. Asubar; Seiya Kasai
    Applied Physics Express, 11, 3, 031201-1, 4, IOP Publishing, 2018年02月, ［査読有り］, ［筆頭著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction
    R. Stoklas; D. Gregušová; M. Blaho; K. Fröhlich; J. Novák; M. Matys; Z. Yatabe; P. Kordoš; T. Hashizume
    Semiconductor Science and Technology, 32, 4, 045018-1, 8, 2017年04月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Improvement of m-plane ZnO films formed on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
    Hironobu Tanoue; Masato Takenouchi; Tatsuya Yamashita; Shohei Wada; Zenji Yatabe; Shoji Nagaoka; Yoshihiro Naka; Yusui Nakamura
    Physica Status Solidi A – Applications and Materials Science, 214, 3, 1600603-1, 5, Wiley, 2017年03月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, The crystal quality of ZnO films grown by mist chemical vapor deposition (mist-CVD) was improved by introducing ZnO buffer layers on sapphire substrates. The ZnO films were grown by high-speed rotation-type mist-CVD with a ZnCl2 aqueous solution, which provided uniform epitaxial layers over 2-inch wafers. To grow the ZnO buffer layers, it is necessary to form small grains of polycrystal. Therefore, we attempted to grow the ZnO buffer layers using a Zn(CH3COO)2 aqueous solution, which provides a small grain size of about 100 nm. By using the buffer layers, the full width at half-maximum of an X-ray ω-rocking curve for the ZnO film was reduced from 0.69° to 0.38°, showing improvement of the crystal quality.
  • Single crystalline SnO2 thin films grown on m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition
    Zenji Yatabe; Takaaki Tsuda; Junya Matsushita; Takehide Sato; Tatsuya Otabe; Koji Sue; Shoji Nagaoka; Yusui Nakamura
    Physica Status Solidi C – Current Topics in Solid State Physics, 14, 1-2, 1600148-1, 4, Wiley, 2017年01月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 11191314
  • On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces
    M. Matys; B. Adamowicz; A. Domanowska; A. Michalewicz; R. Stoklas; M. Akazawa; Z. Yatabe; T. Hashizume
    Journal of Applied Physics, 120, 22, 225305-1, 11, 2016年12月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Highly-stable and low-state-density Al2O3/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates
    Shota Kaneki; Joji Ohira; Shota Toiya; Zenji Yatabe; Joel T. Asubar; Tamotsu Hashizume
    Applied Physics Letters, 109, 16, 162104-1, 5, 2016年10月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors
    Zenji Yatabe; Joel T. Asubar; Tamotsu Hashizume
    Journal of Physics D: Applied Physics, 49, 39, 393001-1, 19, 2016年10月, ［査読有り］, ［招待有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures
    M. Matys; R. Stoklas; J. Kuzmik; B. Adamowicz; Z. Yatabe; T. Hashizume
    Journal of Applied Physics, 119, 20, 205304-1, 7, 2016年05月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching
    Yusuke Kumazaki; Zenji Yatabe; Taketomo Sato
    Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4S, 04EJ12-1, 5, 2016年03月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, 10390615
  • Large photocurrents in GaN porous structures with a redshift of the photoabsorption edge
    Taketomo Sato; Yusuke Kumazaki; Hirofumi Kida; Akio Watanabe; Zenji Yatabe; Soichiro Matsuda
    Semiconductor Science and Technology, 31, 1, 014012-1, 6, 2016年01月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, 10390615
  • Impact of oxygen plasma treatment on the dynamic on-resistance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    Joel T. Asubar; Yoshiki Sakaida; Satoshi Yoshida; Zenji Yatabe; Hirokuni Tokuda; Tamotsu Hashizume; Masaaki Kuzuhara
    Applied Physics Express, 8, 11, 111001-1, 4, 2015年11月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination
    Taketomo Sato; Hirofumi Kida; Yusuke Kumazaki; Zenji Yatabe
    ECS Transactions, 69, 2, 161, 166, The Electrochemical Society, 2015年10月, ［査読有り］, ［最終著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 10390615
  • Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High Pressure Water Vapor Annealing
    Joel T. Asubar; Yohei Kobayashi; Koji Yoshitsugu; Zenji Yatabe; Hirokuni Tokuda; Masahiro Horita; Yukiharu Uraoka; Tamotsu Hashizume; Masaaki Kuzuhara
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62, 8, 2423, 2428, 2015年08月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Interface trap states in Al2O3/AlGaN/GaN structure induced by inductively coupled plasma etching of AlGaN surfaces
    Zenji Yatabe; Joel T. Asubar; Taketomo Sato; Tamotsu Hashizume
    Physica Status Solidi (a) - Applications and Materials Science, 212, 5, 1075, 1080, 2015年05月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Formation of GaN-Porous Structures Using Photo-Assisted Electrochemical Process in Back-Side Illumination Mode
    Akio Watanabe; Yusuke Kumazaki; Zenji Yatabe; Taketomo Sato
    ECS Electrochemistry Letters, 4, 5, H11, H13, 2015年03月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, 10390615
  • Calculating relaxation time distribution function from power spectrum based on inverse integral transformation method
    Zenji Yatabe; Toru Muramatsu; Joel T. Asubar; Seiya Kasai
    Physics Letters A, 379, 7, 738, 742, 2015年03月, ［査読有り］, ［筆頭著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
    Zenji Yatabe; Yujin Hori; Wan-Cheng Ma; Joel T. Asubar; Masamichi Akazawa; Taketomo Sato; Tamotsu Hashizume
    Japanese Journal of Applied Physics, 53, 10, 100213-1, 10, 2014年09月, ［査読有り］, ［筆頭著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Correlation between Structural and Photoelectrochemical Properties of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-Assisted Electrochemical Etching
    Yusuke Kumazaki; Akio Watanabe; Zenji Yatabe; Taketomo Sato
    Journal of The Electrochemical Society, 161, 10, 705, 709, 2014年08月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, 10390615
  • Reduced thermal resistance in AlGaN/GaN multi-mesa-channel high electron mobility transistors
    Joel T. Asubar; Zenji Yatabe; Tamotsu Hashizume
    Applied Physics Letters, 105, 5, 053510-1, 5, 2014年04月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • 窒化物半導体異種接合の界面評価と制御
    橋詰 保; 谷田部 然治; 佐藤 威友
    表面科学, 35, 2, 96, 101, Surface Science Society Japan, 2014年02月, ［査読有り］, ［国内誌］
    日本語, 研究論文（学術雑誌）, Interface properties of GaN-based heterostructures have been characterized. Schottky contacts on dry-etched n-GaN layers showed leaky I-V characteristics. An anneal process at 400°C was effective in recovering the rectifying characteristics. To characterize interface properties of Al2O3 insulated gates on AlGaN/GaN structures with and without the inductively coupled plasma (ICP) etching of AlGaN, we have developed a C-V calculation method taking into account electronic state charges at the Al2O3/AlGaN interface and a photoassisted C-V technique utilizing photons with energies less than the bandgap of AlGaN. It was found that the ICP etching caused the monolayer-level interface roughness, disorder of the chemical bonds and formation of various types of defect complexes at the AlGaN surface, resulting in poor C-V characteristics due to high-density interface states at the Al2O3/AlGaN interface.
  • Characterization of interface states in Al2O3/AlGaN/GaN structures for improved performance of high-electron-mobility transistors
    Y. Hori; Z. Yatabe; T. Hashizume
    Journal of Applied Physics, 114, 24, 244503-1, 8, AIP Publishing, 2013年12月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices
    Yusuke Kumazaki; Tomohito Kudo; Zenji Yatabe; Taketomo Sato
    Applied Surface Science, 279, 116, 120, Elsevier BV, 2013年07月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）, 10390615
  • Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures
    Ryohei Jinbo; Yusuke Kumazaki; Zenji Yatabe; Taketomo Sato
    ECS Transactions, 50, 37, 247, 252, 2013年03月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 10390615
  • Effects of Cl2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al2O3/AlGaN/GaN Heterostructures
    Zenji Yatabe; Yujin Hori; Sungsik Kim; Tamotsu Hashizume
    Applied Physics Express, 6, 1, 016502-1, 4, IOP Publishing, 2012年12月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator
    Toru Muramatsu; Kensuke Miura; Yuta Shiratori; Zenji Yatabe; Seiya Kasai
    Japanese Journal of Applied Physics, 51, 6S, 06FE18-1, 5, 2012年06月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure
    Ryohei Jinbo; Tomohito Kudo; Zenji Yatabe; Taketomo Sato
    Thin Solid Films, 520, 17, 5710, 5714, 2012年06月, ［査読有り］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Contraction behaviors of Vorticella sp. stalk investigated using high-speed video camera. II: Viscosity effect of several types of polymer additives
    Junko Kamiguri; Noriko Tsuchiya; Ruri Hidema; Zenji Yatabe; Masahiko Shoji; Chihiro Hashimoto; Robert Bernard Pansu; Hideharu Ushiki
    BIOPHYSICS, 8, 11, 19, Biophysical Society of Japan, 2012年01月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Contraction behaviors of Vorticella sp. stalk investigated using high-speed video camera. I: Nucleation and growth model
    Junko Kamiguri; Noriko Tsuchiya; Ruri Hidema; Masatoshi Tachibana; Zenji Yatabe; Masahiko Shoji; Chihiro Hashimoto; Robert Bernard Pansu; Hideharu Ushiki
    BIOPHYSICS, 8, 1, 9, Biophysical Society of Japan, 2012年01月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国内誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Image analysis of thickness in flowing soap films. I: effects of polymer
    Ruri Hidema; Zenji Yatabe; Masahiko Shoji; Chihiro Hashimoto; Robert Pansu; Gabriel Sagarzazu; Hideharu Ushiki
    Experiments in Fluids, 49, 3, 725, 732, 2010年09月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Size evolution of onion structure under oscillatory shear flow
    Zenji Yatabe; Ruri Hidema; Chihiro Hashimoto; Robert Bernard Pansu; Hideharu Ushiki
    Chemical Physics Letters, 475, 1-3, 101, 104, 2009年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Formation process of shear-induced onion structure made of quaternary system SDS/octanol/water/NaCl
    Zenji Yatabe; Yasufumi Miyake; Masatoshi Tachibana; Chihiro Hashimoto; Robert Pansu; Hideharu Ushiki
    Chemical Physics Letters, 456, 1-3, 31, 35, 2008年04月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
  • Fluorescence lifetime imaging microscopy for in situ observation of the nanocrystallization of rubrene in a microfluidic set-up
    Serge Desportes; Zenji Yatabe; Sébastien Baumlin; Valérie Génot; Jean-Pierre Lefèvre; Hideharu Ushiki; Jacques Alexis Delaire; Robert Bernard Pansu
    Chemical Physics Letters, 446, 1-3, 212, 216, 2007年09月, ［査読有り］, ［国際共著］, ［国際誌］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
■ その他活動・業績
  • Cover
    Thin Nu Soe; Yusui Nakamura; Zenji Yatabe, Journal of the Ceramic Society of Japan, 134, 5, H5, 1, 2026年05月, ［招待有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
    The Ceramic Society of Japan, 英語, 42033928
  • 逆積分変換法を用いた1/f雑音の電子トラップ時定数分布の抽出と評価
    谷田部 然治; 葛西 誠也, 電気学会研究会資料 (電子デバイス研究会), EDD-26-037, 11, 14, 2026年03月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    電気学会, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）, 42033928
  • GaN表面のミスト熱酸化
    谷田部 然治; 濵砂 涼介; 平倉 拓海; Thin Nu Soe; 中村有水, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 125, 257, 53, 56, 2025年11月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    安価でエコフレンドリーなミスト化学気相成長（CVD）法は，主に酸化物半導体の結晶成長技術として研究が進められているが，近年ではゲート絶縁膜堆積プロセスへの応用など，結晶成長以外のプロセスへの展開も進められている．本研究では，ミストCVD法をGaN系半導体の表面酸化プロセスへ応用するとともに，ミストCVD法における酸化物薄膜堆積メカニズムの解明を目的とした．SiおよびGaN表面に対してミストCVD法を用いた熱酸化を試みた結果，ミスト熱酸化SiO₂は一般的な熱酸化SiO₂と同等の屈折率および絶縁破壊電界を示した．また，GaNに対しては800 °C以上でGa₂O₃酸化膜が得られた．さらに酸化プロセスの解析結果から，ミスト熱酸化はドライ酸化よりもウェット酸化に近い特性を有する可能性が示唆された．, 電子情報通信学会, 日本語, 42033928
  • ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術
    谷田部 然治; 福光 将也; 大竹 浩史; 平倉 拓海; ラズアン ハディラ; 越智 亮太; 中村 有水; 佐藤 威友, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 124, 278, 69, 72, 2024年11月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    エコフレンドリーで安価なミスト化学気相成長(CVD)法は主に酸化物半導体の結晶成長技術として研究が進められており，ゲート絶縁膜堆積プロセスに用いた研究例は比較的少ない．本研究ではミストCVD法をGaN系半導体のゲート絶縁膜堆積プロセスに適用し，ゲート絶縁膜の膜質，金属-酸化膜-半導体(MOS)界面特性の評価を行った．原子層堆積(ALD)法で堆積したゲート絶縁膜を有するデバイスと詳細に比較することにより，ミストCVD法により堆積したゲート絶縁膜はALD法と同等の特性を有することが明らかとなった．ミストCVD法は比較的に低エネルギーな絶縁膜堆積プロセスであり，GaN系半導体のゲート絶縁膜堆積技術として有望であると考えられる．, 電子情報通信学会, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 42033928;42033915
  • ミストCVD法によるGaN系半導体向け絶縁ゲート構造の作製と評価
    谷田部 然治; ラズアン ハディラ; 尾藤 圭悟; 福光 将也; 越智 亮太; 中村 有水; 佐藤 威友, 電気学会研究会資料 (電子デバイス研究会), EDD-24-032, 13, 17, 2024年06月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    窒化ガリウム(GaN)系半導体は次世代のパワー・高周波デバイスとして期待されている。順バイアス動作時のゲートリーク電流抑制のために金属-絶縁体-半導体(MIS)構造が用いられる。本研究では原料溶液の超音波霧化と熱分解反応によって大気圧下で低コストに酸化物薄膜が堆積可能なミスト化学気相成長(CVD)法をGaN系MISデバイスのゲート絶縁膜堆積プロセスに適用した。ミストCVD法で堆積したmist-Al2O3薄膜の膜質、及びmist-Al2O3/GaN界面特性について報告をする。, 電気学会, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）, 42033928;42033915
  • Mist chemical vapor deposited-gate insulators for GaN-based MIS devices applications
    Zenji Yatabe; Yusui Nakamura; Joel T. Asubar, 2022 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 1, 3, 2022年11月, ［招待有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    Mist chemical vapor deposition (mist-CVD) is a non-vacuum technique for depositing various metal oxide/sulfite films from relative non-toxic and nonpyrophoric aqueous solution, resulting in relatively simple, low-cost and fast deposition rate under atmospheric pressure. Recent reports have demonstrated the capability of mist-CVD as an able replacement for conventional vacuum deposition methods in some applications. In this work, firstly state-of-the-art literature reports on mist-CVD techniques are reviewed. Finally, we highlight the important progress in mist-CVD deposited-gate insulators for GaN-based metal-insulator-semiconductor (MIS) devices applications., Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
    Tomohiro Motoyama; Zenji Yatabe; Yusui Nakamura; Ali Baratov; Rui Shan Low; Shun Urano; Joel T. Asubar; Masaaki Kuzuhara, 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 1, 2, 2021年11月, ［責任著者］, ［国際誌］
    Amorphous Al2O3 gate insulator on AlGaN/GaN structure have been deposited by cost-effective mist chemical vapor deposition (mist-CVD) technique. The properties of deposited mist-Al2O3 gate insulators are comparable to those reported for high-quality amorphous Al2O3 films deposited by atomic layer deposition (ALD) method. In addition, we have fabricated AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor (MIS) diodes using Al2O3 gate insulator deposited by mist-CVD. We obtained practically hysteresis-free with spill-over behavior in capacitance–voltage (C–V) characteristics from the fabricated mist-Al2O3 MIS diodes suggesting high interfacial quality of the mist-Al2O3/AlGaN interface., Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 13160044
  • Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
    M. Ishiguro; S. Urano; R. S. Low; M. Faris; I. Nagase; A. Baratov; J. T. Asubar; T. Motoyama; Y. Nakamura; Z. Yatabe; M. Kuzuhara, 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 1, 2, 2021年11月, ［国際誌］
    We report on the fabrication of recessed gate AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) high-electron-mobility transistors (HEMTs) with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method. The fabricated device exhibited a high positive threshold voltage of 1.5 V in combination of high maximum drain current of 450 mA/mm, demonstrating robust enhancement-mode operation., Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 13160044
  • Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques
    S. Urano; R. S. Low; M. Faris; M. Ishiguro; I. Nagase; A. Baratov; J. T. Asubar; T. Motoyama; Y. Nakamura; Z. Yatabe; M. Kuzuhara, 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 1, 2, 2021年11月, ［国際誌］
    In this work, we compare the performance of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistors (MIS-HEMTs) with gate dielectric Al2O3 prepared by either ALD or mist-CVD. While for MIS-HEMTS with ALD-Al2O3 gate insulator, the threshold voltage becomes more negative with increasing thickness of Al2O3 as expected, we found that for MIS-HEMTS with mist-Al2O3 gate insulator, the threshold voltage is anomalously almost independent of Al2O thickness. We believe that these findings have potential exciting applications for achieving normally-off operation in AlGaN/GaN MIS-HEMTs., Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 13160044
  • Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
    ロー ルイ シャン; 永瀬 樹; バラトフ アリ; アスバル ジョエル タクラ; 徳田 博邦; 葛原 正明; 谷田部 然治; 内藤 健太; 本山 智洋; 中村 有水, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 120, 254, 49, 52, 2020年11月, ［責任著者］, ［国内誌］
    近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成例が報告されている。本研究ではmist-CVD 法により堆積したAl2O3をゲート絶縁膜に採用した AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製した。Mist₋Al2O3 MIS-HEMTはフォワードゲートリーク電流を抑制することができ、SG-HEMTより高い最大ドレイン電流が得られた。さらにmist-Al2O3 MIS キャパシタを試作し、絶縁膜/AlGaN界面特性の評価を行った。ヒステリシスのない伝達特性と容量–電圧特性が得られ、mist-Al2O3/AlGaN界面は良好な特性を有していることが示唆された。, 電子情報通信学会, 日本語, 13160044
  • Epitaxial Tin Oxide Films on Sapphire Substrate Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
    Thant Zin Win; Takumi Furukawa; Yuki Kanetake; Katsuhiko Inaba; Zenji Yatabe; Yusui Nakamura, Proceedings of 10th International Conference on Science and Engineering 2019, ICSE2019, EE-2, 2019年12月
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Synthesis and characterization of AlTiO films by mist-CVD
    Zenji Yatabe; Koshi Nishiyama; Takaaki Tsuda; Kazuki Nishimura; Yusui Nakamura, 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), TuP-H-3, 2019年05月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 13160044
  • Effect of Buffer Layer on Improvement of SnO2 Thin Film on Sapphire Substrate Formed by Mist Chemical Vapor Deposition
    Thant Zin Win; Takumi Furukawa; Yudai Tanaka; Koshi Okita; Koji Sue; Zenji Yatabe; Yusui Nakamura, 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), TuP-H-5, 2019年05月, ［国際誌］
    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Characterization of amorphous aluminium oxide thin films synthesized by mist-CVD
    Zenji Yatabe; Koshi Nishiyama; Takaaki Tsuda; Kazuki Nishimura; Yusui Nakamura, 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), TuP-H-6, 2019年05月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 13160044
  • Effect of Buffer Layer on the Structural Properties of Tin Oxide Thin Film on Sapphire Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition
    Thant Zin Win; Takumi Furukawa; Yudai Tanaka; Koshi Okita; Kensuke Minami; Koji Sue; Zenji Yatabe; Yusui Nakamura, Proceedings of the Engineering Workshop 2018, OC- 6, 2018年11月, ［国内誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Formation of N-doped ZnO thin films formed by annealing in NH3 gas ambient
    Takumi Furukawa; Masato Takenouchi; Yudai Tanaka; Koji Sue; Shoji Nagaoka; Zenji Yatabe; Yusui Nakamura, Proceedings of the Engineering Workshop 2018, PC- 6, 2018年11月, ［国内誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Epitaxial growth of non-polar ZnO films on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
    Yudai Tanaka; Yuki Nagao; Takumi Furukawa; Zenji Yatabe; Koji Sue; Shoji Nagaoka; Yusui Nakamura, Proceedings of the Engineering Workshop 2018, PC-9, 2018年11月, ［国内誌］
    英語
  • Mist-CVD deposition of AlTiO thin films for potential applications in AlGaN/GaN MOS-HEMTs
    K. Nishiyama; K. Nishimura; T. Tsuda; Z. Yatabe; K. Sue; Y. Nakamura, Proceedings of the Engineering Workshop 2018, PC- 3, 2018年11月, ［責任著者］, ［国内誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Mist-chemical vapor deposition grown-single crystalline oxide semiconductors
    Zenji Yatabe; Hironobu Tanoue; Koshi Okita; Masato Takenouchi; Takahiro Ishida; Takaaki Tsuda; Tomoki Mikuriya; Shoji Nagaoka; Koji Sue; Yusui Nakamura, Proceedings of the 35th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference, 35, 1, INV-1B-01-1, 4, 2017年06月, ［招待有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Cover Picture: Phys. Status Solidi C 1–2/2017
    Zenji Yatabe; Takaaki Tsuda; Junya Matsushita; Takehide Sato; Tatsuya Otabe; Koji Sue; Shoji Nagaoka; Yusui Nakamura, Physica Status Solidi C – Current Topics in Solid State Physics, 14, 1-2, 1770012-1, 1, 2017年01月, ［招待有り］, ［筆頭著者］, ［国際誌］
    In order to obtain good crystallographic properties of tin dioxide, a candidate for realizing next-generation electrical and optical devices, relatively expensive film formation methods such as MOCVD or MBE are required. One alternative approach is a mist chemical vapour deposition (mist-CVD), which can form various oxide semiconductors under atmospheric pressure with a simple and less expensive technique. Yatabe et al. (article No. 1600148) have grown SnO2 thin films on 2-inch diameter m-plane sapphire substrates by mist-CVD at atmospheric pressure. From XRD and EBSD measure¬ments the authors found that the SnO2 films were epitaxially grown on the substrates under optimised growth condition. Epitaxial growth of the SnO2 thin film at three typical areas on the substrate was confirmed by EBSD measurements. Finally, a second SnO2 layer was overgrown on the single-crystalline SnO2 thin film, which functioned as a buffer layer (see cover image). This method drastically improved the surface rough¬ness of the second SnO2 layer., Wiley, 英語, その他, 11191314
  • Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
    Joel T. Asubar; Hirokuni Tokuda; Masaaki Kuzuhara; Zenji Yatabe; Kenya Nishiguchi; Tamotsu Hashizume, Proceedings of the 34th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress, 34, INV-1B-01-1, 4, 2016年08月, ［招待有り］, ［国際誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • Improvement of m-plane ZnO films formed on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
    Hironobu Tanoue; Tatsuya Yamashita; Shohei Wada; Zenji Yatabe; Shoji Nagaoka; Yusui Nakamura, 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 53, MoP-ISCS-103, 34, 2016年06月, ［国際誌］
    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • SnO2 thin films grown on m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition
    Tatsuya Otabe; Takehide Sato; Junya Matsushita; Zenji Yatabe; Koji Sue; Shoji Nagaoka; Yusui Nakamura, 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), MoP-ISCS-101, 2016年06月, ［責任著者］, ［国際誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 11243091
  • 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性
    喜田 弘文; 熊崎 祐介; 谷田部 然治; 佐藤 威友, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 115, 170, 51, 54, 2015年07月, ［国内誌］
    分光電気化学測定法を用いて，GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した．構造のもつ大きな表面積と低い光反射率特性により，GaN多孔質電極はプレーナ電極と比べて大きな光電流特性を示した． GaNのバンドギャップより小さな光子エネルギーを持つ照射光に対して，明瞭な光電流特性を観測した．バンド端吸収のレッドシフト量は強い電界依存性を示したことから，得られた光吸収特性には，Franz-Keldysh効果が関与していると考えられる．, 電子情報通信学会, 日本語, 10390615
  • Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
    谷田部 然治; 橋詰 保, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 115, 108, 1, 4, 2015年06月, ［招待有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室温での容量－電圧（C-V）測定と任意の準位密度分布と電子放出時定数を考慮した数値計算とを組み合わせた手法により、伝導帯近傍の界面準位密度分布を求めた．また禁制帯中央近傍の準位密度評価には光支援C-V法を用いた．エッチングされたAlGaN面に形成した試料では、エッチングを行なわない場合と比較して、界面準位密度が増加することが明らかになり、AlGaN表面における原子層レベルのステップ、表面結晶欠陥などが、Al2O3/AlGaN界面の高密度電子準位の生成に関与している可能性が示唆された．, 電子情報通信学会, 日本語, 10958502
  • Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
    T. Hashizume; Z. Yatabe; K. Nishiguchi, Proceedings of the 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2015), 51, 54, 2015年06月, ［国際誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用
    熊崎 祐介; 渡部 晃生; 谷田部 然治; 佐藤 威友, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 115, 63, 63, 66, 2015年05月, ［国内誌］
    電子情報通信学会, 日本語, 10390615
  • GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御
    橋詰 保; 谷田部 然治; 佐藤 威友, 電気学会研究会資料 (電子デバイス研究会), EDD-14, 39-49, 13, 16, 2014年03月, ［招待有り］, ［国内誌］
    最近は絶縁ゲート構造を持つ電力スイッチング用AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の報告が急激に増加し、様々な絶縁膜が利用されている。パワートランジスタ応用に重要な、GaN系半導体の絶縁膜界面に関連する問題点を概説し、さらに、AlGaN/GaNヘテロ構造に形成した絶縁ゲート界面の電子準位を評価する手法を紹介し、いくつかの結果を報告する。, 電気学会, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
  • 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
    熊崎, 祐介; 渡部 晃生; 谷田部 然治; 佐藤威友, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 113, 329, 113, 116, 2013年11月, ［国内誌］
    電子デバイス研究会 論文発表奨励賞

    太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として，電気化学的手法による多孔質構造の形成と，その光学特性の評価を行った．多孔質構造の形成には光支援電気化学エッチングを適用し，電気化学条件により孔の形状および寸法が大きく変化することを見出した．作製した試料の光学特性評価を行ったところ，特性が多孔質構造の表面形状や孔の深さに大きく依存することを明らかにし，多孔質構造の形状制御が重要課題であることを示した．さらに，多孔質構造の形成により光電変換効率の大幅な向上を確認し，光電極応用に有望な結果を得た．, 電子情報通信学会, 日本語, 10390615
  • 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換
    熊崎, 祐介; 神保 亮平; 谷田部 然治; 佐藤威友, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 113, 39, 61, 64, 2013年05月, ［国内誌］
    電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を,pn接合基板に形成した光電流測定素子を用いて評価した.得られる光電流値は構造に強く依存し,多孔質構造はプレーナ構造と比べて大きな光吸収特性を示すことを見いだした.また,多孔質構造を基盤とする光電変換素子を提案し,その基本特性を評価した.光照射下における電流-電圧特性から,多孔質素子はプレーナ型素子と比べて大きな光電流と高い光応答特性を示すことを明らかにした., 電子情報通信学会, 日本語, 10390615
  • プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響
    堀 祐臣; 谷田部 然治; 馬 万程; 橋詰 保, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 112, 327, 37, 40, 2012年11月, ［国内誌］
    原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセス条件がAl2O3/AlGaN界面準位に与える影響についての評価を行った。オーミック熱処理時にSiN膜による表面保護を行うことで、熱処理によるAlGaN表面のN空孔関連の化学結合状態の乱れを抑制し、Al2O3/AlGaN界面準位の低減が可能であった。Al2O3膜堆積前にN2Oラジカル表面処理を行うことで界面準位の制御が可能であることを、光支援C-V測定法によって確認した。N2Oラジカル処理を行ったAl2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTは順バイアス領域における伝達特性の改善を示し、界面準位の低減による効果であると思われる。, 電子情報通信学会, 日本語
  • Effects of ICP etching of AlGaN on interface properties of Al2O3/AlGaN/GaN structures
    Zenji Yatabe; Yujin Hori; Sungsik Kim; Tamotsu Hashizume, Proceedings of the 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2012), 24, 25, 2012年05月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価
    谷田部 然治; 堀 祐臣; 金 聖植; 橋詰 保, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 112, 32, 49, 52, 2012年05月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国内誌］
    ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った.ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた.ドライエッチ後、原子層堆積法を用いてAlGaN/GaN表面にAl2O3層を堆積し、絶縁ゲート構造を作製した.その界面特性を容量-電圧(C-V)、及び光支援C-V法により評価した.光照射に起因するしきい値電圧平行シフト量がICPエッチング後には大きくなっていることから、ICPエッチングによりAl2O3/AlGaN界面準位密度が増加することが明らかになった.またX線光電子分光法(XPS)による評価から、界面準位密度増加の原因はドライエッチング後のAlGaN表面の窒素欠乏である可能性が示唆された., 電子情報通信学会, 日本語
  • SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
    村松 徹; 葛西 誠也; 谷田部 然治, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 111, 425, 89, 93, 2012年01月, ［最終著者］, ［国内誌］
    FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積回路スイッチングデバイスの1つであるIII-V族化合物半導体絶縁ゲートナノワイヤトランジスタをとりあげ,低周波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った.本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された.ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に,スペクトル形状が1/fから1/f^2に連続的に変化した.電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い,特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する., 電子情報通信学会, 日本語
  • ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
    金 聖植; 堀 祐臣; 谷田部 然治; 橋詰 保, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 111, 290, 25, 28, 2011年11月, ［国内誌］
    ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N2/ArガスによるECR支援プラズマ法とCl2/BCl3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた。ドライエッチング後は表面の化学結合状態が乱れ、その後のMOS構造形成により、1xl0^ 12cm^-2eV^-1以上の密度の界面準位が生成されることが明らかになった。特にECR支援プラズマプロセス試料では高密度の界面準位が観測された400 ºCの熱処理により界面特性は回復し、ICP支援プラズマプロセス試料では、5x10^11 cm^-2eV^-1程度まで密度が低減した。一方、AlGaN/GaN構造のAlGaN表面をエッチングした場合、アニール後でも1x10^12 cm^-2eV^-1以上のMOS界面準位が観測された。, 電子情報通信学会, 日本語
  • Onion Formation Process of Oil/Water/Surfactant System under Shear Flow
    Zenji Yatabe; Chihiro Hashimoto; Robert Pansu; Hideharu Ushiki, Proceedings of the 8th Asian Thermophysical Properties Conference (ATPC 2007), Paper No. 081, 2007年08月, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際共著］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
  • New Approach to Effects of Polymer in Flowing Soap Films - Some Methods of Image Processing -
    Ruri Hidema; Zenji Yatabe; Chihiro Hashimoto; Robert Pansu; Hideharu Ushiki, Proceedings of the 8th Asian Thermophysical Properties Conference (ATPC 2007), Paper No. 079, 2007年08月, ［国際共著］
    英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
■ 書籍等出版物
  • 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術
    喜多 浩之; 谷田部 然治; 佐藤 威友; 藤井 茉美; 水野 潤; 松下 智裕; 中塚 理; 大澤 健男; 田辺 克明; 後藤 和泰; 伊澤 誠一郎; 冨岡 克広; 脇坂 聖憲; 高石 慎也; 山下 正廣; 垣尾 省司; 谷川 兼一; 三谷 誠司; レ デゥックアイン; 浜屋 宏平; 谷山 智康; 村上 修一; 日暮 栄治; 重川 直輝; 梁 剣波; 松前 貴司; 梅沢 仁; 倉島 優一; 高木 秀樹; 庄司 一郎; 高 燕林; 丸山 実那; 岡田 晋; 岩﨑 拓哉; 山本 真人; 坂井 伸行; 佐々木 高義; 西尾 和記; 一杉 太郎; 土屋 敬志; 高柳 真; 樋口 透; 寺部 一弥, 第1章パワー半導体の界面現象と制御技術, 第2節GaN半導体デバイスのMIS界面評価と制御
    S&T出版, 2024年, 9784911146040, 241, 11-19, 日本語, 学術書, 42033928;42033915, ［分担執筆］
■ 講演・口頭発表等
■ 所属学協会
  • 応用物理学会
■ 共同研究・競争的資金等の研究課題
  • ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用
    科学研究費助成事業
    2023年04月 - 2027年03月
    谷田部 然治; Joel Asubar; 中村 有水
    ゲート絶縁膜/半導体界面特性は金属-酸化物-半導体(MOS)トランジスタ特性に大きな影響を与える。
    本研究では次世代高周波・高出力半導体デバイス材料である窒化物半導体MOSデバイス用のゲート絶縁膜堆積プロセスを低コストで酸化物薄膜が堆積可能なミスト化学気相成長(ミストCVD)法を用いて、開発・発展させる。さらにMOS界面特性を独自の詳細な解析手法により明らかにし、ゲート絶縁膜堆積プロセスにフィードバックをし、界面準位密度を極限まで低減した、低コストかつ良質な窒化物半導体MOSデバイス向けゲート絶縁膜堆積プロセス技術の確立を目的とする。
    日本学術振興会, 基盤研究(C), 熊本大学, 研究代表者, 競争的資金, 23K03973
  • Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors
    科学研究費助成事業
    2023年04月 - 2026年03月
    Joel Asubar; 谷田部 然治; 葛原 正明
    GaNの広いバンドギャップに起因する望ましい物性値により、GaN 系デバイスは、これまでにないパワー、効率、周波数レベルを実現することが可能であり、現代社会で重要な役割を担う。ただし、この優れた2DEGにより、AlGaN/GaN HEMTは、負のしきい値電圧VTHを持つノーマリーオンとなってしまう。つまりゲートに電圧が印加されていない場合でも、電流が端子(ソース-ドレイン)間に流れてしまう。このため、フェイルセーフを確保し、複雑なゲート駆動回路を組み込む必要のない、正のしきい値電圧VTHを備えた「ノーマリーオフ」デバイスの実現が必須である。
    日本学術振興会, 基盤研究(C), 福井大学, 研究分担者, 競争的資金, 23K03971
  • 研究機器・設備整備
    令和6年度 研究機能強化促進費
    2024年09月 - 2025年03月
    谷田部 然治
    熊本大学 半導体・デジタル研究教育機構, 熊本大学, 研究代表者
  • 高分子溶液の流動挙動を相転移の観点から明らかにする積分変換法の提案
    科学研究費助成事業
    2019年06月 - 2022年03月
    日出間 るり; 谷田部 然治; 鈴木 洋
    低濃度高分子溶液や界面活性剤溶液が示す特異な流動挙動を相転移の観点から解明するため，溶液内部の構造の相互作用と関連する物理量を定量化した上で，それが流動場全体の挙動に与える影響を調べた．溶液内部の状態は，マイクロレオロジー測定により溶液の局所粘度や弾性率を分布として表す方法と，伸長流動場の緩和時間計測により定量化した．さらに，これらの溶液の流動挙動を観察すると，速度場変動に溶液内部の構造を反映した特徴がみられた．
    日本学術振興会, 挑戦的研究(萌芽), 神戸大学, 研究分担者, 競争的資金, 19K22083
  • ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発
    科学研究費助成事業
    2019年04月 - 2022年03月
    谷田部 然治; Joel Asubar; 末吉 哲郎; 中村 有水
    ミスト化学気相成長(CVD)法を利用した、AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のゲート絶縁膜堆積プロセスを開発した。堆積プロセスを最適化をすることにより、平坦かつ従来手法である原子層堆積(ALD)法と同程度の物性値を持つ絶縁膜の堆積が可能であることを見出した。さらに実際にミストCVD法により堆積したゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN(金属-絶縁膜-半導体)MOS-HEMT作製し、従来デバイスと比べても遜色のない界面準位密度分布を有するゲート絶縁膜/AlGaN界面を得ることに成功した。
    日本学術振興会, 基盤研究(C), 熊本大学, 研究代表者, 競争的資金, 19K04473
  • 絶縁膜/窒化物半導体界面の評価・制御とトランジスタ応用への基礎的研究
    科学研究費助成事業
    2015年04月 - 2018年03月
    谷田部 然治
    絶縁ゲート構造を有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(AlGaN/GaN MIS HEMT)の、しきい値変動などの動作安定性・信頼性に係わる問題を解決するため、絶縁膜/AlGaN界面の界面準位密度の特性評価をおこない、AlGaN/GaN MIS HEMTをパワーデバイスへと応用する上で重要な知見を得た．容量―電圧特性の実験結果および理論的考察をもとに解析し、しきい値電圧変動は絶縁膜/AlGaN界面の界面準位に依存することが示唆された。また低ダメージの絶縁膜形成手法として有望なミスト化学気相成長法により、チタン酸アルミニウム薄膜を成膜することに成功した。
    日本学術振興会, 若手研究(B), 北海道大学・熊本大学, 研究代表者, 競争的資金, 15K18034
  • 低温・大気圧におけるプラスチック基板上透明導電膜の作製
    マッチングプランナープログラム「企業ニーズ解決試験」
    2016年06月 - 2017年03月
    谷田部 然治
    科学技術振興機構 (JST), 研究代表者, 競争的資金
  • パワーデバイス応用に向けた絶縁膜/酸化物半導体界面の評価と制御
    平成28年度研究助成
    2016年04月 - 2017年03月
    谷田部 然治
    材料科学技術振興財団 (MST), 研究代表者, 競争的資金
  • 酸化物を用いた新型パワートランジスタの開発
    研究資金
    2015年12月 - 2016年03月
    谷田部 然治
    熊本大学 エコ・エネ研究会, 熊本大学, 研究代表者
  • 低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング
    科学研究費助成事業
    2013年04月 - 2016年03月
    佐藤 威友; 橋詰 保; 本久 順一; 谷田部 然治
    窒化物半導体イオン感応性電界効果トランジスタ（ISFET）のさらなる高感度化に向けて、多孔質構造をゲート検出部に持つ新しいISFETを提案しその基盤技術を確立した。電気化学酸化とエッチングにより、高いアスペクト比を有する直径数10nm程度の微細孔を高密度に形成することに成功し、その精密な寸法制御を達成した。大きな孔内壁表面と構造により変調された急峻な内部ポテンシャルが、光電気化学反応の高感度検出に有望であることを明らかにした。孔内部のイオン拡散と電気二重層への電荷充放電について、実験結果および理論的考察をもとに分析し、化学センサの高速化・高感度化に向け新しい知見を得た。
    日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究分担者, 競争的資金, 25289079
  • Onion Formation Process of Oil/Water/Surfactant System Under Shear Flow
    同窓会学生援助事業
    2007年08月 - 2007年08月
    谷田部 然治
    東京農工大学同窓会, 東京農工大学, 研究代表者, その他
  • 自在ズリ流動場下での玉葱構造の形成過程について
    日仏共同博士課程
    2005年09月 - 2006年08月
    谷田部 然治
    日仏共同博士課程日本コンソーシアム, 研究代表者, 競争的資金
■ 産業財産権
■ 学術・社会貢献活動／その他
学術貢献活動社会貢献活動メディア報道
  • 北海道大学、半導体研究者60人が結集 九州からも人材獲得
    2025年10月
    本人以外
    日本経済新聞
    ラピダスと北の変革 ミライの半導体人材㊦
    ［新聞・雑誌］
  • 次世代半導体で「熱くならない（高効率な）パワーデバイス」を
    2025年04月
    フロムページ 夢ナビ編集部
    夢ナビ
    ［インターネットメディア］
  • 2024 TSMC Semiconductor Day in Japan
    2025年02月
    本人以外
    YouTube
    TSMC
    Join us for TSMC Semiconductor Day in Japan, a dynamic event hosted by TSMC that brings together top experts from TSMC, TSMC Japan Design Technology, TSMC Japan 3DIC R&D Center, and JASM. Discover cutting-edge advancements in the semiconductor industry, learn about TSMC's groundbreaking work in Japan, and explore diverse career opportunities in this field.

    Don't miss the chance to connect with industry leaders and ignite your passion for semiconductors!, ［インターネットメディア］
  • 【キャリア支援室】令和６年度熊本大学工学部編入学説明会を実施しました
    2024年12月
    本人以外
    阿南工業高等専門学校 キャリア支援室
    お知らせ, 2024年12月18日(水)に熊本大学工学部情報電気工学科准教授の谷田部然治先生をお招きしてオンラインで編入学説明会を開催しました。谷田部先生からは、熊本大学工学部に関する全体説明や大学編入学試験の説明などをしていただきました。大学編入学に興味のある本科4年生9名が参加しました。
    参加者は谷田部先生からの説明を熱心に聞き、自分の進路について真剣に考える良い機会となりました。谷田部先生からは、各学科、土木建築学科、機械数理工学科、情報電気工学科、材料・応用化学科について詳細に説明していただき、また、半導体デバイス工学課程についても説明していただきました。谷田部先生には、説明会後にも学生の質問を気さくに応えていただきました。誠にありがとうございました。
  • 「世界を変える」次世代半導体デバイスの研究
    2024年06月
    本人以外
    熊本大学 工学部
    熊本大学 工学部案内
    教員特集, ［会誌・広報誌］
  • エネルギー効率の未来 次世代半導体デバイスの探求
    2024年01月
    本人
    熊本大学
    熊大通信 Vol. 91
    半導体の可能性を探求する研究者たち—DX時代におけるイノベーションをおこす—, 身の回りの電子機器や電気自動車には「パワーデバイス」と呼ばれる重要な部品が使われており、これらは主にシリコンという半導体材料で作られています。シリコンパワーデバイスは既に高度に進化しており、その性能をこれ以上大幅に向上させるのは難しくなっています。私たちの研究グループは、新しい半導体材料を使用した次世代のデバイス開発のほか、デバイスの表面や界面の制御技術、新しい評価方法の開発などにも取り組んでいます。これらの新しいデバイスは、省エネルギーにも大きく貢献する可能性があり、新たな半導体の研究には、世界初の成果を目指す大きなやりがいがあります。私たちの研究が、広く社会で活用されることを目指しています。, ［会誌・広報誌］
  • 大学院先端科学研究部 情報・エネルギー部門 電気電子材料分野 准教授 谷田部 然治
    2021年08月
    熊本大学工業会会報
    昇任のご挨拶, ［会誌・広報誌］
  • Mist-CVD enhances MIS-HEMTs
    2021年05月
    本人以外
    Compound Semiconductor
    27(3) 53, Thanks to mist CVD, pyrophoric materials and vacuum pumps are no longer needed to deposit insulators on GaN HEMTs., 13160044, ［新聞・雑誌］
  • 薄膜・表面界面物性
    2018年02月
    本人
    熊本大学 大学院先導機構 URA推進室
    Tenure Track
    テニュア教員・テニュアトラック教員, ［会誌・広報誌］
  • 情報電気電子工学科
    2017年08月
    本人
    熊本大学工業会会報
    教室だより, ［会誌・広報誌］
  • 大学院先導機構／情報電気工学科 助教 谷田部 然治
    2016年08月
    本人
    熊本大学工業会会報
    新任の挨拶, ［会誌・広報誌］
  • 第38回（2016年度）応用物理学会論文賞受賞者紹介
    2016年08月
    応用物理学会
    応用物理
    受賞者紹介, 高性能パワーデバイス実現への要請が急速に高まる中で，AlGaN/GaN ヘテロ構造を利用する電力スイッチング用トランジスタの開発が急速に進展しているが，インバータ応用に必須となる絶縁ゲート構造を用いたデバイスは，しきい値電圧変動や電流変動の抑制が実現できていないため，いまだに実用化には至っていない．その根本原因は，絶縁膜/AlGaN/GaN 構造におけるヘテロ界面構造制御の基盤である電子準位の評価法が確立されていないことに由来する．本論文は，1）任意の準位密度分布と電子放出時定数を考慮した数値計算を行い，絶縁膜/AlGaN/GaN 構造の容量 − 電圧（C-V）特性に与える界面準位の影響と室温評価の限界について初めて統一的な見解を示したこと，2）独自に開発した光支援 C-V 法を併用して，AlGaN の禁制帯内の広いエネルギー範囲で絶縁膜/AlGaN 界面の電子準位密度分布を決定することに初めて成功したことが大きなポイントである．このように，電子物性的側面が必ずしも十分に解明されていなかった絶縁膜/AlGaN/GaN ヘテロ構造に対して界面電子密度分布を求めることができた点は，同構造の実用化に大きく貢献する．GaN MOS-HEMT のインバータ応用に必須であるゲート絶縁膜の不明な領域に新たな重要知見を見いだした功績は大きく，本手法を駆使することにより，高性能 AlGaN/GaN ヘテロ構造の実現が加速されると期待される．以上より，本論文を応用物理学会優秀論文賞にふさわしい論文として推薦する．, ［会誌・広報誌］
  • 化合物及び酸化物半導体の表面・界面の評価と制御
    2016年
    本人
    熊本大学 大学院先導機構 マーケティング推進部 研究推進課
    平成28年度版 熊本大学 テニュアトラック事業
    テニュアトラック教員紹介, ［会誌・広報誌］
  • ムズターグ・アタ遠征記
    2003年05月
    東京農工大学山岳会 ムスターグアタ登山隊
    MUZTAG-ATA 2001 慕士塔格山
    ［会誌・広報誌］
その他
  • 2001年08月 - 2001年08月
    ムスタグアタ山 (7,509 m) 登頂
    岡林 良一, 宮本 美貴夫, 桂木 行人, 水野 暢夫, 小口 順史, 谷田部 然治
    東京農工大学山岳会