2007年03月, 東北大学大学院工学研究科, 「電気・情報優秀賞」(博士)　　　　　　　　　　　　　　　
山ノ内 路彦

2006年09月, 応用物理学会, 第20回応用物理学会 講演奨励賞　　　　　　　　　　　　　　　
山ノ内 路彦

2005年12月, 財団法人青葉工学振興会, 第11回研究奨励賞　　　　　　　　　　　　　　　
山ノ内 路彦

Current-induced effective magnetic field acting on a domain wall in perpendicularly magnetized Pd/Co2MnGa
Takaya Koyama, Yuki Nishioka, Tetsuya Uemura, Michihiko Yamanouchi
AIP Advances, 15, 3, AIP Publishing, 2025年03月12日
研究論文（学術雑誌）, We investigated the current-induced effective magnetic field Heff acting on a domain wall (DW) under an in-plane magnetic field H// along the current direction in a perpendicularly magnetized heterostructure composed of a Pd and Weyl ferromagnet Co2MnGa (CMG) layer. Heff is equivalent to a perpendicular magnetic field to move the DW. The magnitude of Heff per current density had a local maximum with respect to H// and decreased at large |H//|. This relationship cannot be explained only by Heff originating from the conventional spin-orbit torque and/or orbit torque (SOT/OT). Assuming that the residual component of Heff excluding the contribution of SOT/OT originates from the conventional field-like spin-transfer torque, the lower bound of the nonadiabaticity parameter characterizing the torque, which is usually much less than 1, is estimated to be 1.9. These results suggest that unconventional and energy-efficient mechanisms are superposed on the SOT/OT in Pd/CMG.

Spin injection and detection using perpendicularly magnetized Mn/Co bilayers grown on GaAs via all electrical methods
Mineto Ogawa, Kotaro Nara, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
APPLIED PHYSICS LETTERS, 126, 2, 2025年01月13日
英語, 研究論文（学術雑誌）

Effect of an ultrathin Fe interlayer on the growth of MnGa and spin-orbit-torque induced magnetization switching
Mineto Ogawa, Takuya Hara, Shun Hasebe, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
Applied Physics Express, 16, 6, 063002, 063002, IOP Publishing, 2023年06月14日, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）, Abstract

We investigated the effect of an ultrathin Fe interlayer on the growth of MnGa and spin–orbit torque (SOT) induced magnetization switching. MnGa was epitaxially grown on Fe at room temperature without thermal annealing. The MnGa/Fe bilayer was perpendicularly magnetized, and clear magnetization switching of the MnGa/Fe bilayer using the spin current, mainly from the adjacent Ta, was observed. The insertion of the Fe layer reduced the switching current density and increased a SOT-originated effective magnetic field. These results indicate that the MnGa/Fe bilayer is a promising spin source, capable of both perpendicular spin injection into GaAs and electrical manipulation of its spin direction.

Deterministic field-free switching of perpendicular magnetization by spin–orbit torques originating from in-plane magnetized Co2MnAl
Daimu Morita, Takuya Hara, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
AIP Advances, 13, 1, AIP Publishing, 2023年01月30日, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）, Spin–orbit torques (SOTs) induced magnetization switching in a perpendicularly magnetized CoFeB film deposited on a Ti/in-plane magnetized Co2MnAl stack was investigated. Deterministic switching of the CoFeB magnetization was demonstrated by applying a current pulse to the stack in a direction parallel or antiparallel to the Co2MnAl magnetization. We found that the hysteresis loops of the anomalous Hall resistance for CoFeB under the constant current is shifted in the out-of-plane magnetic field axis direction depending on the directions of both the applied current and the magnetization of Co2MnAl. The shift amount exhibits an almost linear increase as the current magnitude increases. These results are consistent with the effects caused by SOTs originating from spin currents having an in-plane polarization orthogonal to the Co2MnAl magnetization.

Effect of off-stoichiometric composition on half-metallic character of Co₂Fe(Ga,Ge) investigated using saturation magnetization and giant magnetoresistance effect
Yuki Chikaso, Masaki Inoue, Tessei Tanimoto, Keita Kikuchi, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura, Kazuumi Inubushi, Katsuyuki Nakada, Hikari Shinya, Masafumi Shirai
Journal of Physics D: Applied Physics, 55, 34, 345003, 345003, IOP Publishing, 2022年08月25日
研究論文（学術雑誌）, Abstract

We investigated the Ge-composition (γ) dependence of the saturation magnetization of Co₂Fe(Ga, Ge) (CFGG) thin films and the magnetoresistance (MR) ratio of CFGG-based current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) devices together with first-principles calculations of the electronic states of CFGG. Theoretical calculations showed that spin polarization is highest at the stoichiometric composition γ = 0.56 in Co₂Fe_1.03Ga_0.41Ge_γ and that it decreases in off-stoichiometric CFGG, mainly due to the formation of Co_Fe antisites for Ge-deficient compositions and Fe_Co antisites for Ge-rich compositions, where Co_Fe (Fe_Co) indicates that Co (Fe) atoms replace the Fe (Co) sites. The saturation magnetic moment (μ_s) per formula unit decreased monotonically as γ increased from 0.24 to 1.54 in Co₂Fe_1.03Ga_0.41Ge_γ. The μ_s was closest to the Slater–Pauling value predicted for half-metallic CFGG at the stoichiometric composition γ = 0.56, indicating that stoichiometric CFGG has a half-metallic nature. This is consistent with the result for the theoretical spin polarization. In contrast, the MR ratio of CFGG-based CPP-GMR devices increased monotonically as γ increased from 0.24 to 1.10 and reached an MR ratio of 87.9% at the Ge-rich composition γ = 1.10. Then, the MR ratio decreased rapidly as γ increased from 1.10 to 1.48. Possible origins for the slight difference between the Ge composition at which the highest MR ratio was obtained (γ = 1.10) and that at which the highest spin polarization was obtained (γ = 0.56) are improved atomic arrangements in a Ge-rich CFGG film and the reduction of effective Ge composition due to Ge diffusion in the GMR stacks.

Spin-Orbit Torque in Structures With Magnetization-Compensated MnGa/Co2MnSi Bilayer
Takuya Hara, Kohey Jono, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
IEEE Transactions on Magnetics, 58, 8, 2022年08月01日
研究論文（学術雑誌）

Observation of topological Hall torque exerted on a domain wall in the ferromagnetic oxide SrRuO ₃
Michihiko Yamanouchi, Yasufumi Araki, Takaki Sakai, Tetsuya Uemura, Hiromichi Ohta, Jun’ichi Ieda
Science Advances, 8, 15, American Association for the Advancement of Science (AAAS), 2022年04月15日
研究論文（学術雑誌）, In a ferromagnetic Weyl metal SrRuO ₃ , a large effective magnetic field H_eff exerted on a magnetic domain wall (DW) by current has been reported. We show that the ratio of H_eff to current density exhibits nonmonotonic temperature dependence and surpasses those of conventional spin-transfer torques and spin-orbit torques. This enhancement is described well by topological Hall torque (THT), which is exerted on a DW by Weyl electrons emerging around Weyl points when an electric field is applied across the DW. The ratio of the H_eff arising from the THT to current density is over one order of magnitude higher than that originating from spin-transfer torques and spin-orbit torques reported in metallic systems, showing that the THT may provide a better way for energy-efficient manipulation of magnetization in spintronics devices.

Spin–orbit torque induced magnetization switching for an ultrathin MnGa/Co2MnSi bilayer
Kohey Jono, Fumiaki Shimohashi, Michihiko Yamanouchi, Tetsuya Uemura
AIP Advances, 11, 2, 025205, 025205, AIP Publishing, 2021年02月01日, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）

Current-induced effective magnetic field in La0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3/SrTiO3 structures　　　　　　　　　　　　　　　
Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Hiromichi Ohta
AIP Advances, 10, 015129, 2020年01月14日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Magnetic properties and spin-orbit-torque-induced magnetization switching in Ta/MnGa grown on Cr and NiAl buffer layers
Michihiko Yamanouchi, Nguyen Viet Bao, Fumiaki Shimohashi, Kohey Jono, Masaki Inoue, Tetsuya Uemura
AIP ADVANCES, 9, 12, 2019年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Interaction between spin-orbit torque and domain walls in a Ta/MnGa/NiAl structure
Michihiko Yamanouchi, Nguyen Viet Bao, Masaki Inoue, Tetsuya Uemura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58, 10, 2019年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Peculiar magnetotransport properties in La0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3/SrTiO3　　　　　　　　　　　　　　　
Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Hiromichi Ohta
AIP Advances, 9, 035129, 2019年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Current-induced modulation of coercive field in the ferromagnetic oxide SrRuO3　　　　　　　　　　　　　　　
Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Koichi Sato, Hiromichi Ohta, Jun’ichi Ieda
IEEE Transactions on Magnetics, 1400604, 2019年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Gate tunable spin-orbit coupling and weak antilocalization effect in an epitaxial La2/3Sr1/3MnO3 thin film
Shao-Pin Chiu, Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Hiromichi Ohta, Juhn-Jong Lin
PHYSICAL REVIEW B, 96, 8, 085143-1, 085143-7, 2017年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Adiabatic spin-transfer-torque-induced domain wall creep in a magnetic metal
S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno
NATURE PHYSICS, 12, 4, 333, U167, 2016年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Solid-Phase Epitaxial Growth of A-Site-Ordered Perovskite Sr4-xErxCo4O12-delta: A Room Temperature Ferrimagnetic p-Type Semiconductor
Takayoshi Katase, Hidefumi Takahashi, Tetsuya Tohei, Yuki Suzuki, Michihiko Yamanouchi, Yuichi Ikuhara, Ichiro Terasaki, Hiromichi Ohta
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 1, 12, 1500199, 2015年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Dependence of magnetic properties of MgO/CoFeB/Ta stacks on CoFeB and Ta thicknesses
Kyota Watanabe, Shinya Ishikawa, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54, 4, 04EM04, 2015年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

In-plane anisotropy of a nano-scaled magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis
Eriko Hirayama, Shun Kanai, Koji Sato, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54, 4, 04EM03, 2015年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO based magnetic tunnel junctions scaling down to 1X nm
S. Ikeda, H. Sato, H. Honjo, E. C.I. Enobio, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, T. Endoh, H. Ohno
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2015-, February, 33.2.1, 33.2.4, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2015年02月20日, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

Localized precessional mode of domain wall controlled by magnetic field and dc current
Ryo Hiramatsu, Kab-Jin Kim, Takuya Taniguchi, Takayuki Tono, Takahiro Moriyama, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 8, 2, 023003, 2015年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Domain Wall Motion Device for Nonvolatile Memory and Logic - Size Dependence of Device Properties
Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 50, 11, 6971556, 2014年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Properties of magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure down to junction diameter of 11nm
H. Sato, E. C.I. Enobio, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno
Applied Physics Letters, 105, 6, 2014年08月11日
英語, 研究論文（学術雑誌）

Interface control of the magnetic chirality in CoFeB/MgO heterostructures with heavy-metal underlayers
Jacob Torrejon, Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno
NATURE COMMUNICATIONS, 5, 2014年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electric-field effects on magnetic anisotropy and damping constant in Ta/CoFeB/MgO investigated by ferromagnetic resonance
A. Okada, S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 105, 5, 2014年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Influence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions
Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 61, 4, 1710, 1716, 2014年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis
C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno
Journal of Applied Physics, 115, 17, 2014年05月07日
研究論文（学術雑誌）

Anomalous temperature dependence of current-induced torques in CoFeB/MgO heterostructures with Ta-based underlayers
Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Masamitsu Hayashi, Saburo Takahashi, Sadamichi Maekawa, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno
PHYSICAL REVIEW B, 89, 17, 174424, 2014年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Magnetization switching in a CoFeB/MgO magnetic tunnel junction by combining spin-transfer torque and electric field-effect
S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 104, 21, 212406, 2014年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with a CoFeB/Ta insertion layer
S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115, 17, 17C719, 2014年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion
S. Fukami, M. Yamanouchi, Y. Nakatani, K. -J. Kim, T. Koyama, D. Chiba, S. Ikeda, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115, 17, 17D508, 2014年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junctions for nonvolatile spintronics VLSIs
Hideo Sato, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Shinya Ishikawa, Michihiko Yamanouchi, Kotaro Mizunuma, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53, 4, 04EM02, 2014年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Quantitative characterization of the spin-orbit torque using harmonic Hall voltage measurements
Masamitsu Hayashi, Junyeon Kim, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno
PHYSICAL REVIEW B, 89, 14, 144425, 2014年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low intrinsic critical current and high thermal stability
H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno
Journal of the Magnetics Society of Japan, 38, No. 2-2, 56, 60, 2014年03月20日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Effect of spin Hall torque on current-induced precessional domain wall motion
Yoko Yoshimura, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Kab-Jin Kim, Takahiro Moriyama, Teruo Ono
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 7, 3, 033005, 2014年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Advances in Spintronics Devices for Microelectronics - From Spin-transfer Torque to Spin- orbit Torque
S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno
2014 19TH ASIA AND SOUTH PACIFIC DESIGN AUTOMATION CONFERENCE (ASP-DAC), 684, 691, 2014年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electric Field-Induced Magnetization Switching in CoFeB-MgO-Static Magnetic Field Angle Dependence
Shun Kanai, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Yoshinobu Nakatani, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 50, 1, article number 4200103, 2014年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO
Chaoliang Zhang, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 103, 26, 262407, 2013年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Influence of heavy ion irradiation on perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions
Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno
Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS, 2013年10月28日, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

Demonstration of a Nonvolatile Processor Core Chip with Software-Controlled Three-Terminal MRAM Cells for Standby-Power Critical Applications　　　　　　　　　　　　　　　
R. Nebashi, Y. Tsuji, H. Honjo, N. Sakimura, A. Morioka, K. Tokutome, S. Miura, S. Fukami, M. Yamanouchi, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), M-8-3, 1102, 1103, 2013年09月24日, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

In-plane magnetic field dependence of electric field-induced magnetization switching
S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 103, 7, 072408, 2013年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents
S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno
NATURE COMMUNICATIONS, 4, 2293, 2013年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

CoNi Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy Prepared by Alternate Monoatomic Layer Deposition
Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 6, 7, 073010, 2013年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO Recording Structure in Magnetic Tunnel Junctions With Perpendicular Easy Axis
Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 49, 7, 4437, 4440, 2013年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device
S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno
Applied Physics Letters, 102, 22, 222410, 2013年06月03日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Size dependence of magnetic properties of nanoscale CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic easy axis observed by ferromagnetic resonance
Kotaro Mizunuma, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Shun Kanai, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
Applied Physics Express, 6, 6, 063002, 2013年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta vertical bar CoFeB vertical bar MgO using nitrogen doped Ta underlayers
Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Andrew J. Kellock, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Seiji Mitani, See-hun Yang, Stuart S. P. Parkin, Hideo Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 102, 24, 242405, 2013年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Two-barrier stability that allows low-power operation in current-induced domain-wall motion
Kab-Jin Kim, Ryo Hiramatsu, Tomohiro Koyama, Kohei Ueda, Yoko Yoshimura, Daichi Chiba, Kensuke Kobayashi, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Hiroshi Kohno, Gen Tatara, Teruo Ono
NATURE COMMUNICATIONS, 4, 2011, 2013年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper
Michihiko Yamanouchi, Lin Chen, Junyeon Kim, Masamitsu Hayashi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 102, 21, 212408, 2013年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer
S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 113, 17, 17C721, 2013年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta vertical bar CoFeB vertical bar MgO
Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Seiji Mitani, Hideo Ohno
NATURE MATERIALS, 12, 3, 240, 245, 2013年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Low-current domain wall motion MRAM with perpendicularly magnetized CoFeB/MgO magnetic tunnel junction and underlying hard magnets
T. Suzuki, H. Tanigawa, Y. Kobayashi, K. Mori, Y. Ito, Y. Ozaki, K. Suemitsu, T. Kitamura, K. Nagahara, E. Kariyada, N. Ohshima, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, M. Hayashi, M. Sakao, H. Ohno
Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology, 2013年
研究論文（国際会議プロシーディングス）

Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm
H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno
2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 6724550, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

Spin
S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. Gan, K. Miura, K. Mizunuma, S. Kanai, S. Fukami, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno
Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile VLSI, 2, 3, 1240003(1), 1240003(12), 2012年12月04日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile VLSI　　　　　　　　　　　　　　　
S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. Gan, K. Miura, K. Mizunuma, S. Kanai, S. Fukami, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno
SPIN, 2, 1240003, 2012年12月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）

Boron Composition Dependence of Magnetic Anisotropy and Tunnel Magnetoresistance in MgO/CoFe(B) Based Stack Structures
Shoji Ikeda, Ryohei Koizumi, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Huadong Gan, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 48, 11, 3829, 3832, 2012年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electric field-induced magnetization reversal in a perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction
S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 101, 12, 022414, 2012年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Scalability Prospect of Three-Terminal Magnetic Domain-Wall Motion Device
Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 48, 7, 2152, 2157, 2012年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Observation of magnetic domain-wall dynamics transition in Co/Ni multilayered nanowires
Kab-Jin Kim, D. Chiba, K. Kobayashi, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, Soong-Geun Je, Sug-Bong Choe, T. Ono
APPLIED PHYSICS LETTERS, 101, 2, 022407, 2012年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Current-Induced Domain Wall Motion in Perpendicularly Magnetized Co/Ni Nanowire under In-Plane Magnetic Fields
Yoko Yoshimura, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Teruo Ono
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 5, 6, 063001, 2012年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Spatial control of magnetic anisotropy for current induced domain wall injection in perpendicularly magnetized CoFeB vertical bar MgO nanostructures
Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Hideo Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 100, 19, 192411, 2012年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Domain wall dynamics driven by spin transfer torque and the spin–orbit field
M. Hayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Mitani, H. Ohno
Journal of Physics Condensed Material, 24, 2, 024221, 2012年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

CoFeB Thickness Dependence of Thermal Stability Factor in CoFeB/MgO Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions
H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno
IEEE MAGNETICS LETTERS, 3, 3000204, 2012年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Origin of the collapse of tunnel magnetoresistance at high annealing temperature in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions
H. D. Gan, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, K. Miura, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 99, 25, 252507, 2011年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Junction size effect on switching current and thermal stability in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions
H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, H. D. Gan, K. Mizunuma, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 99, 4, 042501, 2011年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Tunnel Magnetoresistance Properties of Double MgO-Barrier Magnetic Tunnel Junctions With Different Free-Layer Alloy Compositions and Structures
Huadong Gan, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Jun Hayakawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 47, 6, 1567, 1570, 2011年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Tunnel magnetoresistance properties and annealing stability in perpendicular anisotropy MgO-based magnetic tunnel junctions with different stack structures
K. Mizunuma, S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. D. Gan, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109, 7, 07C711, 2011年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Current-induced effective field in perpendicularly magnetized Ta/CoFeB/MgO wire
T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98, 14, 142502, 2011年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Dependence of magnetic anisotropy on MgO thickness and buffer layer in Co20Fe60B20-MgO structure
M. Yamanouchi, R. Koizumi, S. Ikeda, H. Sato, K. Mizunuma, K. Miura, H. D. Gan, F. Matsukura, H. Ohno
Journal of Applied Physics, 109, 7, 07C712-(1), 07C712-(3), 2011年04月01日, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers
Kotaro Mizunuma, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Hiroyuki Yamamoto, Hua-Dong Gan, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 4, 2, 023002, 2011年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized CoFeB nanowire
S. Fukami, T. Suzuki, Y. Nakatani, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98, 8, 082504, 2011年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Domain Structure in CoFeB Thin Films With Perpendicular Magnetic Anisotropy
Michihiko Yamanouchi, Albrecht Jander, Pallavi Dhagat, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
IEEE MAGNETICS LETTERS, 2, 3000304, 2011年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

CoFeB/MgO based perpendicular magnetic tunnel junctions with stepped structure for symmetrizing different retention times of "0" and "1" information　　　　　　　　　　　　　　　
K. Miura, S. Ikeda, M. Yamanouchi, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, J. Hayakawa, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno
Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology, 214, 215, 2011年
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

A 32-Mb SPRAM With 2T1R Memory Cell, Localized Bi-Directional Write Driver and '1'/'0' Dual-Array Equalized Reference Scheme
Riichiro Takemura, Takayuki Kawahara, Katsuya Miura, Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Nozomu Matsuzaki, Kazuo Ono, Michihiko Yamanouchi, Kenchi Ito, Hiromasa Takahashi, Shoji Ikeda, Haruhiro Hasegawa, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 45, 4, 869, 879, 2010年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

SPRAM with large thermal stability for high immunity to read disturbance and long retention for high-temperature operation　　　　　　　　　　　　　　　
K. Ono, T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, M. Yamanouchi, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, H. Matsuoka, S. Ikeda, H. Ohno
2009 Symposium on VLSI Technology, 228, 229, 2009年06月, ［査読有り］
英語

32-Mb 2T1R SPRAM with localized bi-directional write driver and ‘1’/‘0’ dual-array equalized reference cell　　　　　　　　　　　　　　　
R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Hasegawa, H. Matsuoka, H. Ohno
2009 Symposium on VLSI Circuits, 84, 85, 2009年06月, ［査読有り］
英語

A disturbance-free read scheme and a compact stochastic-spin-dynamics-based MTJ circuit model for Gb-scale SPRAM
K. Ono, T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, H. Yamamoto, M. Yamanouchi, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Hasegawa, H. Matsuoka, H. Ohno
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 9.3.4, 9.3.4, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）

Current-induced magnetization switching in MgO barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers
Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Michihiko Yarnanouchi, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Masahiko Ichimura, Kenchi Ito, Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 44, 7, 1962, 1967, 2008年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

TMR Design Methodology for SPin-Transfer Torque RAM (SPRAM) with Nonvolatile and SRAM Compatible Operations
R. Takemura, T. Kawahara, J. Hayakawa, K. Miura, K. Ito, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Takahashi, H. Matsuoka, H. Ohno
Joint Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2008, and 2008 International Conference on Memory Technology and Design (NVSMW/ICMTD), 54, 54, 56, 2008年05月, ［査読有り］
英語

Universality classes for domain wall motion in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As
M. Yamanouchi, J. Ieda, F. Matsukura, S. E. Barnes, S. Maekawa, H. Ohno
SCIENCE, 317, 5845, 1726, 1729, 2007年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Switching of tunnel magnetoresistance by domain wall motion in (Ga,Mn)As-based magnetic tunnel junctions
M. Fukuda, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno
APPLIED PHYSICS LETTERS, 91, 5, 052503, 2007年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Domain wall resistance in perpendicularly magnetized (Ga,Mn) As
D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 310, 2, 2078, 2083, 2007年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Current-assisted domain wall motion in ferromagnetic semiconductors
Michihiko Yamanouchi, Daichi Chiba, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45, 5A, 3854, 3859, 2006年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Velocity of domain-wall motion induced by electrical current in the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
M Yamanouchi, D Chiba, F Matsukura, T Dietl, H Ohno
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 96, 9, 096601, 2006年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Domain-wall resistance in ferromagnetic (Ga,Mn)As
D Chiba, M Yamanouchi, F Matsukura, T Dietl, H Ohno
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 96, 9, 096602, 2006年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure
M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno
Nature, 428, 6982, 539, 541, 2004年04月01日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Control of magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors by electrical means
Chiba, D, Yamanouchi, M, Matsukura, F, Ohno, H
Journal of Physics-Condensed Matter, 16, 48, S5693, S5696, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electrical magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors
Matsukura, F, Chiba, D, Yamanouchi, M, Ohno, H, Badawy, W, Moussa, W
2004 International Conference on Mems, Nano and Smart Systems, Proceedings, 128, 128, 2004年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）

Electrical manipulation of magnetization reversal in a ferromagnetic semiconductor
D. Chiba, H. Yamanouchi, F. Hatsukura, H. Ohno
Science, 301, 5635, 943, 945, 2003年08月15日, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electric field effect on the magnetic properties of III-V ferromagnetic semiconductor (In, Mn)As and ((Al),Ga,Mn)As
D Chiba, M Yamanouchi, F Matsukura, E Abe, Y Ohno, K Ohtani, H Ohno
JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY, 16, 1, 179, 182, 2003年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electric field effect on the magnetic properties of III-V ferromagnetic semiconductor (In,Mn)As and ((Al),Ga,Mn)As　　　　　　　　　　　　　　　
D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, E. Abe, Y. Ohno, K. Ohtani, H. Ohno
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 16, 1, 179, 182, 2003年
英語, 研究論文（学術雑誌）

Electric Field Control of Ferromagnetism in III-V Ferromagnetic Semiconductor　　　　　　　　　　　　　　　
D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, Y. Ohno, K. Ohtani, H. Ohno
Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductor, F2.2, 2002年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, <RIEC><DUMMY>あ</DUMMY><BIBID>2003500425</BIBID></RIEC>

強磁性酸化物SrRuO₃におけるワイル電子に起因したスピントルク
山ノ内路彦, 日本物理学会講演概要集(CD-ROM), 78, 2, 2023年

Pt/SrRuO₃積層構造におけるスピン軌道トルクと磁壁の相互作用
酒井貴樹, 野土翔登, 長浜太郎, 植村哲也, 山ノ内路彦, 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集, 56th-17th (CD-ROM), 2021年

Spin-orbit-torque induced magnetization switching for an ultra-thin MnGa grown on NiAl buffer layer
Shimohashi Fumiaki, Nguyen Bao, Yamanouchi Michihiko, Uemura Tetsuya, JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2019.2, 2176, 2176, 2019年09月04日
The Japan Society of Applied Physics, 英語

Sign reversal of current-induced effective magnetic field in La_0.67Sr_0.33MnO₃ heterostructures
Yamanouchi Michihiko, Oyamada Tatsuro, Ohta Hiromichi, JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2019.1, 1900, 1900, 2019年02月25日
The Japan Society of Applied Physics, 英語

La_0.67Sr_0.33MnO₃/2DES-LaAlO₃/SrTiO₃における特異な磁気輸送特性
小山田 達郎, 太田 裕道, 山ノ内 路彦, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2018.2, 2021, 2021, 2018年09月05日
公益社団法人 応用物理学会, 日本語

La_0.67Sr_0.33MnO₃/SrTiO₃ヘテロ構造における電流誘起有効磁場の膜厚依存性
小山田 達郎, 片瀬 貴義, 太田 裕道, 山ノ内 路彦, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2017.1, 2047, 2047, 2017年03月01日
公益社団法人 応用物理学会, 日本語

La_0.67Sr_0.33MnO₃/SrTiO₃におけるスイッチング磁界への電流誘起効果
山ノ内 路彦, 小山田 達郎, 片瀬 貴義, 太田 裕道, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2016.2, 1933, 1933, 2016年09月01日
公益社団法人 応用物理学会, 日本語

27aKF-1 垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動におけるスピンホール効果の影響(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
吉村 瑶子, 小山 知弘, 森山 貴広, Kim Kab-Jin, 千葉 大地, 仲谷 栄伸, 深見 俊輔, 山ノ内 路彦, 大野 英男, 小野 輝男, 日本物理学会講演概要集, 68, 2, 415, 415, 2013年08月26日
一般社団法人日本物理学会, 日本語

27pXA-6 Current pulse width dependence of magnetic domain wall motion in the presence of bias magnetic field
Kim Kab-Jin, Chiba D., Nakatani Y., Fukami S., Yamanouchi M., Ohno H., Ono T., 日本物理学会講演概要集, 68, 1, 540, 540, 2013年03月26日
一般社団法人日本物理学会, 英語

20aCC-10 垂直磁化Co/Ni細線における面内磁場下の磁壁電流駆動(II)(20aCC スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
吉村 瑤子, 小山 知弘, 千葉 大地, 深見 俊輔, 山ノ内 路彦, 大野 英男, 仲谷 栄伸, 小野 輝男, 日本物理学会講演概要集, 67, 2, 427, 427, 2012年08月24日
一般社団法人日本物理学会, 日本語

27aAA-9 垂直磁化Co/Ni細線における面内磁場下の磁壁電流駆動(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
吉村 瑤子, 小山 知弘, 千葉 大地, 深見 俊輔, 山ノ内 路彦, 大野 英男, 仲谷 栄伸, 小野 輝男, 日本物理学会講演概要集, 67, 0, 533, 533, 2012年
一般社団法人 日本物理学会, 日本語

High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application
S. Fukami, M. Yamanouchi, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, K. J. Kim, D. Chiba, H. Honjo, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Kato, Y. Tsuji, A. Morioka, K. Kinoshita, S. Miura, T. Suzuki, H. Tanigawa, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno, Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology, 61, 62, 2012年
英語

強磁性半導体における磁壁の電流駆動
千葉 大地, 山ノ内 路彦, 松倉 文[ヒロ], 大野 英男, まぐね = Magnetics Japan, 4, 8, 390, 395, 2009年08月01日
日本磁気学会, 日本語

22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
松倉 文礼, 山ノ内 路彦, 大野 英男, 日本物理学会講演概要集, 62, 2, 452, 452, 2007年08月21日
一般社団法人日本物理学会, 日本語

積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減
三浦 勝哉, 河原 尊之, 竹村 理一郎, 早川 純, 山ノ内 路彦, 池田 正二, 佐々木 龍太郎, 伊藤 顕知, 高橋 宏昌, 松岡 秀行, 大野 英男, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 107, 194, 135, 138, 2007年08月16日
磁性体メモリの一つであるSPin-transf torque RAM(SPRAM)は,高速動作,低電力化が可能な不揮発メモリとして期待されている.SPRAMはメモリセルとして,MgO障壁層を備えたトンネル磁気抵抗(TMR)素子を用いる.このTMR素子は,自由層に用いる磁性体の熱安定性を大きくすることによって,読み出しの際の誤書き込み(ディスターブ)および書き込み電流のばらつきを低減することができる.熱安定性の大きいと期待される積層フェリ(SyF)自由層を用いた場合,他の構造と比べて読み出しディスターブと書き込み電流のばらつきがともに抑制されており,読み出しと書き込み動作が安定化することが明らかとなった.さらに,syF自由層の記録保持時間,読み出し電流,読み出し時間の関係を調査した結果,1.5ns以下の高速な読み出しが可能であることがわかった., 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語

強磁性半導体における磁壁と伝導
千葉 大地, 山ノ内 路彦, 松倉 文礼, 固体物理, 42, 2, 99, 106, 2007年02月
アグネ技術センタ-, 日本語

(Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
千葉 大地, 北 智洋, 山ノ内 路彦, 松倉 文〓, 大野 英男, 日本応用磁気学会研究会資料, 145, 7, 12, 2006年01月30日
日本語

27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
山ノ内 路彦, 千葉 大地, 松倉 文礼, 大野 裕三, 大野 英男, 日本物理学会講演概要集, 60, 1, 481, 481, 2005年03月04日
一般社団法人日本物理学会, 日本語

強磁性の電界制御
千葉 大地, 山ノ内 路彦, 松倉 文礼, 固体物理, 38, 9, 612, 618, 2003年09月
アグネ技術センタ-, 日本語

強磁性酸化物SrRuO3におけるワイル電子に起因したスピントルク　　　　　　　　　　　　　　　
山ノ内路彦
日本物理学会第78回年次大会, 2023年09月17日, シンポジウム・ワークショップパネル（指名）
［招待講演］

Effects of spin-orbit torque on domain wall motion in Ta/MnGa/NiAl structure　　　　　　　　　　　　　　　
M. Yamanouchi, N. V. Bao, M. Inoue, T. Uemura
64th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2019 MMM Conference), 2019年11月08日, 口頭発表（一般）

Current-induced effective magnetic field in La0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3/SrTiO3　　　　　　　　　　　　　　　
M. Yamanouchi, T. Oyamada, H. Ohta
64th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2019 MMM Conference), 2019年11月05日, 口頭発表（一般）

強磁性酸化物における電流誘起有効磁場　　　　　　　　　　　　　　　
山ノ内路彦
強的秩序とその操作に関わる第9回研究会－若手夏の学校－, 2019年09月16日, 口頭発表（招待・特別）

Effects of current on domain wall motion in SrRuO3　　　　　　　　　　　　　　　
M. Yamanouchi, T. Oyamada, K. Sato, H. Ohta, J. Ieda
2019 Joint MMM-Intermag Conference, 2019年01月, ポスター発表
2019年01月14日 - 2019年01月18日

Anomalous magnetotransport properties of La0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3/SrTiO3　　　　　　　　　　　　　　　
M. Yamanouchi, T. Oyamada, H. Ohta
2019 Joint MMM-Intermag Conference, ポスター発表
2019年01月14日 - 2019年01月18日

Current-induced modulation of switching magnetic field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3 structures　　　　　　　　　　　　　　　
M. Yamanouchi, T. Oyamada, T. Katase, H. Ohta
61st Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2016 MMM Conference), 2016年, 口頭発表（一般）
2016年10月31日 - 2016年11月04日

Quantitative determination of intrinsic energy barrier for current induced domain wall motion　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

Influence of in-plane magnetic fields on current-induced domain wall motion in a perpendicularly magnetized Co/Ni nanowire　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

Current-induced effective field vector in Ta│CoFeB│MgO with various layer thicknesses　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

Temperature dependence of spin polarization in Co/Ni nanowires with different Co and Ni thicknesses determined from magnetic domain wall dynamics　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年

Monoatomically-layered CoNi film with perpendicular magnetic anisotropy　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

(Co100-xFex)80B20 composition dependence of interface anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low critical current and high thermal stability　　　　　　　　　　　　　　　
JSPS York-Tohoku Symposium on Magnetic Materials and Spintronic Devices, 2013年

Low-Current Domain Wall Motion MRAM with Perpendicularly Magnetized CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction and Underlying Hard Magnets　　　　　　　　　　　　　　　
2013 Symposia on VLSI Circuits, 2013年

垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性の温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
第32回電子材料シンポジウム(EMS32), 2013年, ポスター発表

Electric-field induced magnetization switching in CoFeB-MgO with different magnetic field angles　　　　　　　　　　　　　　　
International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013年

Electrical reliability of Co/Ni wire for domain wall motion devices　　　　　　　　　　　　　　　
International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013年

CuIrチャネルを用いた3端子磁気トンネル接合　　　　　　　　　　　　　　　
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設研究発表会, 2013年

Spin hall effect in switching of three terminal magnetic tunnel junction with culr channel　　　　　　　　　　　　　　　
Joint European Magnetic Symposia (JEMS), 2013年

垂直磁気異方性CoNi超格子膜の作製と磁気特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年

Co/Ni細線における磁壁デピニング確率の測定と計算　　　　　　　　　　　　　　　
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年

Tuneable chiral domain wall motion by intertwined spin Hall effect and spin transfer torque in ultrathin TaN/CoFeB/MgO　　　　　　　　　　　　　　　
Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications (ICNMA), 2013年

Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junction for novolatile spintronics VLSIs　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2013年

Demonstration of a nonvolatile processor core chip with software-controlled trhee-terminal MRAM cells for standby-power critical applications　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2013年

垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動におけるスピンホール効果の影響　　　　　　　　　　　　　　　
日本物理学会秋季大会, 2013年

Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with thin Ta spacer layer　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Temperature dependence of thermal stability factor of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy-axis　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Two-barrier stability in current-induced domain-wall motion device　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年, ポスター発表

Cuベースチャネル3端子磁気トンネル接合　　　　　　　　　　　　　　　
応用物理学会スピントロニクス研究会・日本磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会共同主催研究会「元素戦略、環境調和を視野に入れたスピントロニクスの新展開」, 2013年

垂直磁化容易CoFeB-MgO磁気トンネル接合における電流誘起磁化反転の面内磁場依存性　　　　　　　　　　　　　　　
応用物理学会東北支部講演会, 2013年

MgO/Fe(B)/MgO積層膜の磁気特性　　　　　　　　　　　　　　　
応用物理学会東北支部講演会, 2013年

Temperature dependence of electric-field effects on magnetic anisotropies in Ta-CoFeB-MgO　　　　　　　　　　　　　　　
Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-18), 2013年, ポスター発表

20-nm magnetic domain wall motion memory with ultralow-power operation　　　　　　　　　　　　　　　
2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013年

Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm　　　　　　　　　　　　　　　
2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013年

Quantitative determination of intrinsic energy barrier for current induced domain wall motion　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

Influence of in-plane magnetic fields on current-induced domain wall motion in a perpendicularly magnetized Co/Ni nanowire　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

Current-induced effective field vector in Ta│CoFeB│MgO with various layer thicknesses　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

Temperature dependence of spin polarization in Co/Ni nanowires with different Co and Ni thicknesses determined from magnetic domain wall dynamics　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年

Monoatomically-layered CoNi film with perpendicular magnetic anisotropy　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

(Co100-xFex)80B20 composition dependence of interface anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013年, ポスター発表

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low critical current and high thermal stability　　　　　　　　　　　　　　　
JSPS York-Tohoku Symposium on Magnetic Materials and Spintronic Devices, 2013年

Low-Current Domain Wall Motion MRAM with Perpendicularly Magnetized CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction and Underlying Hard Magnets　　　　　　　　　　　　　　　
2013 Symposia on VLSI Circuits, 2013年

垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性の温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
第32回電子材料シンポジウム(EMS32), 2013年, ポスター発表

Electric-field induced magnetization switching in CoFeB-MgO with different magnetic field angles　　　　　　　　　　　　　　　
International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013年

Electrical reliability of Co/Ni wire for domain wall motion devices　　　　　　　　　　　　　　　
International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013年

CuIrチャネルを用いた3端子磁気トンネル接合　　　　　　　　　　　　　　　
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設研究発表会, 2013年

Spin hall effect in switching of three terminal magnetic tunnel junction with culr channel　　　　　　　　　　　　　　　
Joint European Magnetic Symposia (JEMS), 2013年

垂直磁気異方性CoNi超格子膜の作製と磁気特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年

Co/Ni細線における磁壁デピニング確率の測定と計算　　　　　　　　　　　　　　　
第37回日本磁気学会学術講演会, 2013年

Tuneable chiral domain wall motion by intertwined spin Hall effect and spin transfer torque in ultrathin TaN/CoFeB/MgO　　　　　　　　　　　　　　　
Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications (ICNMA), 2013年

Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junction for novolatile spintronics VLSIs　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2013年

Demonstration of a nonvolatile processor core chip with software-controlled trhee-terminal MRAM cells for standby-power critical applications　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2013年

垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動におけるスピンホール効果の影響　　　　　　　　　　　　　　　
日本物理学会秋季大会, 2013年

Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with thin Ta spacer layer　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Temperature dependence of thermal stability factor of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy-axis　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年

Two-barrier stability in current-induced domain-wall motion device　　　　　　　　　　　　　　　
58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM), 2013年, ポスター発表

Cuベースチャネル3端子磁気トンネル接合　　　　　　　　　　　　　　　
応用物理学会スピントロニクス研究会・日本磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会共同主催研究会「元素戦略、環境調和を視野に入れたスピントロニクスの新展開」, 2013年

垂直磁化容易CoFeB-MgO磁気トンネル接合における電流誘起磁化反転の面内磁場依存性　　　　　　　　　　　　　　　
応用物理学会東北支部講演会, 2013年

MgO/Fe(B)/MgO積層膜の磁気特性　　　　　　　　　　　　　　　
応用物理学会東北支部講演会, 2013年

Temperature dependence of electric-field effects on magnetic anisotropies in Ta-CoFeB-MgO　　　　　　　　　　　　　　　
Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-18), 2013年, ポスター発表

20-nm magnetic domain wall motion memory with ultralow-power operation　　　　　　　　　　　　　　　
2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013年

Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm　　　　　　　　　　　　　　　
2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013年

Thickness dependence of thermal stability factor in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions　　　　　　　　　　　　　　　
International Magnetics Conference (INTERMAG), 2012年

CoFeB composition dependence of magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in CoFeB/MgO stack structures　　　　　　　　　　　　　　　
International Magnetics Conference (INTERMAG), 2012年

Factors Determining Thermal Stability in CoFeB-MgO Perpendicular Junctions　　　　　　　　　　　　　　　
9th RIEC International Workshop on Spintronics, 2012年

Electromotive Forces in (Ga, Mn)As-based Structures　　　　　　　　　　　　　　　
9th RIEC International Workshop on Spintronics, 2012年

Magnetic Anisotropy of Co/Pt based Electrodes for Magnetic Tunnel Junctions with perpendicular Magnetic Easy Axis　　　　　　　　　　　　　　　
9th RIEC International Workshop on Spintronics, 2012年, ポスター発表

High-Speed and Reliable Domain Wall Motion Device: Material Design for Embedded Memory and Logic Application　　　　　　　　　　　　　　　
2012 Symposium on VLSI Technology, 2012年

Retention time under currents and magnetic fields in a CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junction　　　　　　　　　　　　　　　
19th International Conference on Magnetism (ICM2012), 2012年, ポスター発表

垂直磁気トンネル接合におけるCo/Pt電極の磁気異方性のPt膜厚および熱処理温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
第31回電子材料シンポジウム, 2012年

Perpendicular CoFeB-MgO magnetic tunnel junction　　　　　　　　　　　　　　　
SPIE Nanoscience+Engineering 2012, 2012年

CoFeB-MgO垂直磁化容易磁気トンネル接合における強磁性共鳴のホモダイン検出　　　　　　　　　　　　　　　
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO構造を用いた垂直磁気容易磁気トンネル接合　　　　　　　　　　　　　　　
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年, ポスター発表

垂直磁気異方性CoFeB-MgO接合における電界誘起磁化反転　　　　　　　　　　　　　　　
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年

Domain wall depinning probability - Experiment and Theory　　　　　　　　　　　　　　　
21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS), 2012年, ポスター発表

Ferromagnetic resonance by means of homodyne detection technique in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis　　　　　　　　　　　　　　　
21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS), 2012年, ポスター発表

Magnetic Anisotropy in CoFe(B)/MgO Stack Structures　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS), 2012年, ポスター発表

Spintronics devices for nonvolatile memory and logic　　　　　　　　　　　　　　　
12th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), 2012年

Thickness dependence of thermal stability factor in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions　　　　　　　　　　　　　　　
International Magnetics Conference (INTERMAG), 2012年

CoFeB composition dependence of magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in CoFeB/MgO stack structures　　　　　　　　　　　　　　　
International Magnetics Conference (INTERMAG), 2012年

Factors Determining Thermal Stability in CoFeB-MgO Perpendicular Junctions　　　　　　　　　　　　　　　
9th RIEC International Workshop on Spintronics, 2012年

Electromotive Forces in (Ga, Mn)As-based Structures　　　　　　　　　　　　　　　
9th RIEC International Workshop on Spintronics, 2012年

Magnetic Anisotropy of Co/Pt based Electrodes for Magnetic Tunnel Junctions with perpendicular Magnetic Easy Axis　　　　　　　　　　　　　　　
9th RIEC International Workshop on Spintronics, 2012年, ポスター発表

High-Speed and Reliable Domain Wall Motion Device: Material Design for Embedded Memory and Logic Application　　　　　　　　　　　　　　　
2012 Symposium on VLSI Technology, 2012年

Retention time under currents and magnetic fields in a CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junction　　　　　　　　　　　　　　　
19th International Conference on Magnetism (ICM2012), 2012年, ポスター発表

垂直磁気トンネル接合におけるCo/Pt電極の磁気異方性のPt膜厚および熱処理温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
第31回電子材料シンポジウム, 2012年

Perpendicular CoFeB-MgO magnetic tunnel junction　　　　　　　　　　　　　　　
SPIE Nanoscience+Engineering 2012, 2012年

CoFeB-MgO垂直磁化容易磁気トンネル接合における強磁性共鳴のホモダイン検出　　　　　　　　　　　　　　　
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO構造を用いた垂直磁気容易磁気トンネル接合　　　　　　　　　　　　　　　
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年, ポスター発表

垂直磁気異方性CoFeB-MgO接合における電界誘起磁化反転　　　　　　　　　　　　　　　
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年

Domain wall depinning probability - Experiment and Theory　　　　　　　　　　　　　　　
21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS), 2012年, ポスター発表

Ferromagnetic resonance by means of homodyne detection technique in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis　　　　　　　　　　　　　　　
21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS), 2012年, ポスター発表

Magnetic Anisotropy in CoFe(B)/MgO Stack Structures　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS), 2012年, ポスター発表

Spintronics devices for nonvolatile memory and logic　　　　　　　　　　　　　　　
12th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), 2012年

磁性ワイル半金属磁気トンネル接合
科学研究費助成事業
2022年06月30日 - 2025年03月31日
山ノ内 路彦, 植村 哲也
日本学術振興会, 挑戦的研究(萌芽), 北海道大学, 22K18961

ワイル点を有する強磁性体における電流誘起磁壁移動
科学研究費助成事業 基盤研究(B)
2020年04月 - 2023年03月
山ノ内 路彦
本研究では、ワイル点を有する強磁性体においてワイル点が電流誘起磁壁移動に与える効果を明らかにすることを主目的としている。本年度は、フェルミ準位近傍にワイル点を有する強磁性体SrRuO3において、前年度より広い範囲で温度を変え、ワイル点とフェルミ準位の相対的位置を系統的に変化させた時に電流が磁壁に及ぼす有効磁場がどのように変化するかを詳細に調べることにより、本研究の目的の達成をめざした。その結果、単位電流当たりに誘起される有効磁場は温度に対して2つのピークをもつ特異な温度依存性を示し、かつその大きさは強磁性金属で報告されている値よりも2桁程度大きいことがわかった。これらの結果は従来機構では説明できないため、SrRuO3における電流誘起磁壁移動はこれまでに観測されていない新たな機構に関係していると推察された。そのような中で、最近になって、フェルミ準位近傍にワイル点を有する強磁性体においては、磁壁を横切るように電界を印加すると、ワイル点近傍のワイルフェルミオンによってトポロジカルホールトルクと呼ばれる新規のトルクが磁壁に作用することが理論的に示され、本研究で観測された有効磁場との関連が期待された。実験結果とトポロジカルホールトルクによる有効磁場の理論計算を比較したところ、この有効磁場の特異な温度依存性、及び大きさは、ともにトポロジカルホールトルクで説明できることがわかった。これらの結果から、ワイル点を有する強磁性体においては、ワイルフェルミオンに起因したトポロジカルホールトルクによって、高効率な電流誘起磁壁移動や特異な温度依存性を示す電流誘起磁壁移動が発現すると考えられる。
日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 20H02598

原子層制御による新しい材料機能探索
科学研究費助成事業
2013年06月28日 - 2018年03月31日
太田 裕道, 平松 秀典, 片瀬 貴義, 山ノ内 路彦
原子レベルで厚さ制御された薄膜「ナノ層」を作製し、新しい材料機能の探索を行うとともに、作製した試料を他班に提供することでナノ構造情報の開拓に取り組んだ。主な結果を列挙する。1. 酸化物人工超格子で熱を電気に変換する性能をバルク比2倍の増強に成功した、2. 透明酸化物半導体薄膜の電子移動度抑制の起源を解明し、高電子移動度を実現した、3. 半導体二次元電子ガスが高い熱電変換出力因子を示すことを見出した、4. 光透過率・電気抵抗率・磁気的性質を同時に変えられる薄膜デバイスを実現した、5. 金属テープ基板上で、実用レベルに匹敵する臨界電流密度を示す鉄系超伝導薄膜を実現した。
日本学術振興会, 新学術領域研究(研究領域提案型), 北海道大学, 25106007

酸化物ヘテロ構造におけるスピン軌道トルク　　　　　　　　　　　　　　　
科学研究費補助金(若手研究(A) )
2015年04月 - 2017年03月
山ノ内路彦
文部科学省, 研究代表者, 競争的資金

ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子細線構造におけるスピン永久旋回状態の形成とスピン輸送
科学研究費助成事業
2012年04月01日 - 2014年03月31日
大野 裕三, 山ノ内 路彦
スピン軌道相互作用（SOI)はスピントロニクスにおいて非常に重要な働きをする。なぜなら，SOIによる有効磁界によってスピンを操作したり，またスピン緩和の原因となるからである。本研究では、時間分解カー回転測定法を用いて，Rashba SOIとDresselhaus SOIがきわめて近い変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸を用い，幅1～10ミクロン幅に加工した細線構造におけるスピンアンサンブルのダイナミクスを調べた．また，時空間分解カー回転顕微鏡を構築し，ゲート付きGaAs/AlGaAs量子井戸において永久スピン旋回状態を実証した.
日本学術振興会, 挑戦的萌芽研究, 筑波大学, 24656003

半導体・磁性体ハイブリッド構造におけるスピン制御とスピンダイナミクスの光検出
科学研究費助成事業
2011年11月18日 - 2014年03月31日
大野 裕三, 山ノ内 路彦
本研究では，垂直磁化を有するCoFeBを強磁性層とするCoFeB/MgO/GaAs磁気トンネル接合を有する３端子阻止を作製し，磁気輸送特性測定，および顕微カー回転測定を行い，半導体GaAsにおけるスピン蓄積とスピン検出を実施した．磁気輸送測定では，スピン注入・蓄積を示唆するHanle効果を確認した．一方で，顕微カー回転測定においては±2Tの強い面内磁界を印加してもカー回転信号が残った．以上の結果から，明瞭なスピン注入・蓄積の光検出はできなかった．本研究を通じて，MgOとGaAs界面が面直スピン注入において重要であることがわかった．
日本学術振興会, 基盤研究(A), 23246002

面内磁化膜における内因性ピニング
科学研究費補助金(若手研究(B))
2012年 - 2013年
山ノ内 路彦
面内磁化膜において電流誘起磁壁移動の閾値電流の内因性ピニング、及び外因性ピニング依存性を調べるため、必要な積層膜の作製方法と素子構造を検討した。そして外因性ピニングが内因性ピニングより小さい面内磁化膜細線の作製方法、及び面内磁化膜細線において電流磁場を利用して細線内に磁壁を初期配置する構造を提案した。また、それらの知見をもとに面内磁化膜において電流誘起磁壁移動を調べるための素子を試作した。
文部科学省, 若手研究(B), 東北大学, 研究代表者, 競争的資金, 24760249

スピン注入磁壁移動の機構と応用に関する研究
科学研究費助成事業
2003年 - 2005年
山ノ内 路彦
今年度は、強磁性半導体ガリウムマンガン砒素における電流誘起磁壁移動の機構を調べるために、面直方向に磁化容易軸をもつガリウムマンガン砒素において、電流誘起磁壁移動速度の電流密度依存性および温度依存性を測定し、現在提案されている理論との比較を行った。まず、磁壁移動速度を評価するための素子作成を行った。バッファ層として、徐々にインジウム組成を変えたインジウムアルミニウム砒素を用いることにより、転位に起因した表面の凹凸を低減した。幅5μmのチャネルを形成した後、チャネル表面を部分的にエッチングすることにより、面内に保磁力の異なる2つの領域を作製した。磁壁移動速度の評価は以下のように行った。保磁力差を利用して外部磁場により、領域境界に磁壁を配置した後、電流パルスを印加して磁壁を移動させた。磁壁の位置はカー効果偏光顕微鏡を用いて観察した。磁壁が掃引した面積をチャネル幅で割ったものを実効磁壁移動距離d_と定義し、d_のパルス幅w_p依存性を測定した。d_はw_pに対してほぼ線形に変化することが分かった。そこで、その傾きを実効磁壁移動速度v_と定義し、v_の電流密度jおよび温度T_a依存性を測定した。v_はjとT_aの関数で10^<-4>〜10^1m/sオーダにわたって制御可能であり、そのj依存性には少なくとも2つの領域があることが分かった。高電流密度領域(>3x10^5 A/cm^2)においては、v_はjにほぼ線形に変化し、最高で22m/sの磁壁移動速度が得られた。理論との比較から、この領域の電流誘起磁壁移動機構はキャリアスピンから局在磁気スピンへのスピンのトランスファによって説明できることが分かった。低電流密度領域においては、v_のj依存性は現象論的なスケーリング則に従い、電流により磁壁のクリープが誘起されていると考えられる
日本学術振興会, 特別研究員奨励費, 東北大学, 03J50091