研究者基本情報

• https://researchmap.jp/Fumihiro.Inoue

• https://orcid.org/0000-0003-2292-846X
• https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=202101011495564458
• https://inoue.ynu.ac.jp/
• https://inoue.ynu.ac.jp/en/

• 00908303

• https://orcid.org/0000-0003-2292-846X

• 202101011495564458

• ハイブリッド接合
• ウエハ接合
• 化学機械研磨
• チップレット
• 三次元実装

• ナノテク・材料, 複合材料、界面
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
• ナノテク・材料, ナノマイクロシステム

研究活動情報

• 2024年06月, 先端技術大賞 社会人部門 最優秀賞 経済産業大臣賞
• 2024年06月, 第30回 半導体・オブ・ザ・イヤー2024 半導体製造装置部門 優秀賞
• 2024年04月, 科学技術分野 文部科学大臣表彰 若手研究者表彰
• 2022年06月, IEEE Electronics Packaging Society, Outstanding Young Engineer Award
• 2022年05月, 2021 International Conference on Electronics Packaging, Outstanding Technical Paper Award
• 2017年05月, 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, Best presentation award

• Material-Mechanistic Interplay in SiCN Wafer Bonding for 3D Integration
  Hayato Kitagawa; Ryosuke Sato; Sodai Ebiko; Atsushi Nagata; Chiwoo Ahn; Yeounsoo Kim; Jiho Kang; Akira Uedono; Fumihiro Inoue
  ACS OMEGA, 10, 25, 27575, 27584, 2025年06月23日
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Assessing Queue Time in D2w Hybrid Bonding Through Precise Bond Strength Measurements
  Yoshihara Yuki; Junya Fuse; Shimpei Aoki; Takashi Hare; Kentaro Mihara; Takayuki Miyoshi; Naoko Yamamoto; Shunsuke Teranishi; Takafumi Fukushima; Akira Uedono; Fumihiro Inoue
  2025 IEEE 75th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 878, 884, IEEE, 2025年05月27日
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Within-Wafer and Within-Die Uniformity of Bond Strength for Hybrid Bonding
  Daiki Kobayashi; Junya Fuse; Yusuke Kondo; Yuki Yoshihara; Marie Sano; Fumihiro Inoue
  2025 International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC), 287, 288, IEEE, 2025年04月15日
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Direct Physical Vapor Deposition of Liquid Metal on Treated Metal Surface
  Ryosuke Matsuda; Yuji Isano; Koki Onishi; Hiroki Ota; Fumihiro Inoue
  ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 7, 9, 3656, 3666, 2025年04月15日
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Factors determining bond wave speed in wafer bonding
  Ryosuke Sato; Atsushi Nagata; Hayato Kitagawa; Ryota Ogata; Anton Myalitsin; Fumihiro Inoue
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 64, 3, 2025年03月01日
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Annealing behaviors of open spaces and gas desorption in chemical vapor deposited SiO2 studied with monoenergetic positron beams
  Akira Uedono; Ryu Hasunuma; Koki Onishi; Hayato Kitagawa; Fumihiro Inoue; Koji Michishio; Nagayasu Oshima
  Journal of Applied Physics, 2024年07月28日
  研究論文（学術雑誌）
• D2W Hybrid Bonding System Achieving High-Accuracy and High-Throughput With Minimal Configurations
  Kentaro Mihara; Takashi Hare; Hirofumi Sakai; Shimpei Aoki; Toyoharu Terada; Mariappan Murugesan; Hiryuki Hashimoto; Hisashi Kino; Tetsu Tanaka; Takafumi Fukushima; Fumihiro Inoue; Akira Uedono
  2024 IEEE 74th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 60, 420, 426, IEEE, 2024年05月28日
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• In-Depth Analysis of Bonding Interface at Die Level Hybrid Bonding
  Yuki Yoshihara; Junya Fuse; Tomoya Iwata; Shunsuke Teranishi; Naoko Yamamoto; Akihito Kawai; Shimpei Aoki; Takashi Hare; Marie Sano; Fumihiro Inoue
  2024 International Conference on Electronics Packaging (ICEP), 3, 4, IEEE, 2024年04月17日
• Bond Strength Measurement for Wafer-Level and Chip-Level Hybrid Bonding
  Junya Fuse; Yuki Yoshihara; Marie Sano; Fumihiro Inoue
  2024 IEEE 10TH ELECTRONICS SYSTEM-INTEGRATION TECHNOLOGY CONFERENCE, ESTC 2024, 2024年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Electrochemical Deposition of Indium for Scalable 3D Quantum Chiplets
  Jowesh Avisheik Goundar; La Thi Ngoc Mai; Moris Yuki; Otake Yugi; Hideo Kosaka; Fumihiro Inoue
  2024 International 3D Systems Integration Conference, 3DIC 2024, 2024年
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Exploring Bond Strength for Advanced Chiplet with Hybrid Bonding
  Junya Fuse; Tomoya Iwata; Yuki Yoshihara; Marie Sano; Fumihiro Inoue
  2023 IEEE 25th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 199, 203, IEEE, 2023年12月05日
• Origin of Voids at the SiO2/SiO2 and SiCN/SiCN Bonding Interface Using Positron Annihilation Spectroscopy and Electron Spin Resonance
  F. Nagano; F. Inoue; A. Phommahaxay; L. Peng; F. Chancerel; H. Naser; G. Beyer; A. Uedono; E. Beyne; S. De. Gendt; S. Iacovo
  ECS Journal of Solid State Science and Technology, 12, 3, 2023年03月
  研究論文（学術雑誌）
• Robust Measurement of Bonding Strength for Wafer-to-Wafer 3D Integration
  Junya Fuse; Tomoya Iwata; Sodai Ebiko; Fumihiro Inoue
  2023 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2023, 105, 106, 2023年
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Surface Topography Control on Cu Pad for Hybrid Bonding
  Kohei Nakayama; Tomoya Iwata; Sodai Ebiko; La Thi Ngoc Mai; Ken Harada; Masahiro Yokoyama; Yasuhiro Kawase; Fumihiro Inoue
  2023 IEEE International Interconnect Technology Conference and IEEE Materials for Advanced Metallization Conference, IITC/MAM 2023 - Proceedings, 2023年
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Inorganic Temporary Direct Bonding for Collective Die to Wafer Hybrid Bonding
  Fumihiro Inoue; Shunsuke Teranishi; Tomoya Iwata; Koki Onishi; Naoko Yamamoto; Akihito Kawai; Shimpei Aoki; Takashi Hare; Akira Uedono
  Proceedings - Electronic Components and Technology Conference, 2023-May, 556, 563, 2023年
  研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Void Formation Mechanism Related to Particles during Wafer-to-Wafer Direct Bonding
  F. Nagano; S. Iacovo; A. Phommahaxay; F. Inoue; F. Chancerel; H. Naser; G. Beyer; E. Beyne; S. De. Gendt
  ECS Journal of Solid State Science and Technology, 11, 6, 2022年06月
  研究論文（学術雑誌）
• Electrochemical deposition of indium from chloride bath for low-temperature microbump bonding
  Kimoon Park; Fumihiro Inoue; Jaber Derakhshandeh; Bongyoung Yoo
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 61, 4, 2022年04月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Application of the surface planer process to Cu pillars and wafer support tape for high-coplanarity wafer-level packaging
  Fumihiro Inoue; Alain Phommahaxay; Yohei Gokita; Berthold Moeller; Eric Beyne
  INTERNATIONAL JOURNAL OF ADVANCED MANUFACTURING TECHNOLOGY, 119, 5-6, 3427, 3435, 2022年03月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Area-Selective Electroless Deposition of Cu for Hybrid Bonding
  Fumihiro Inoue; Serena Iacovo; Zaid El-Mekki; Soon-Wook Kim; Herbert Struyf; Eric Beyne
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 42, 12, 1826, 1829, 2021年12月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Fine-pitch bonding technology with surface-planarized solder micro-bump/polymer hybrid for 3D integration
  Fumihiro Inoue; Jaber Derakhshandeh; Melina Lofrano; Eric Beyne
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 60, 2, 2021年02月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Characterization of bonding activation sequences to enable ultra-low Cu/SiCN wafer level hybrid bonding
  Serena Iacovo; Lan Peng; Fuya Nagano; Thomas Uhrmann; Jurgen Burggraf; Andreas Fehkuhrer; Thierry Conard; Fumihiro Inoue; Soon-Wook Kim; Joeri De Vos; Alain Phommahaxay; Eric Beyne
  IEEE 71ST ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC 2021), 2097, 2104, 2021年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Cobalt-Tin Intermetallic Compounds as Alternative Surface Finish for Low Temperature Die-to-Wafer Solder Stacking
  Fumihiro Inoue; Jaber Derakhshandeh; Carine Gerets; Eric Beyne
  2021 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP 2021), 9, 10, 2021年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Morphological characterization and mechanical behavior by dicing and thinning on direct bonded Si wafer
  Fumihiro Inoue; Arnita Podpod; Lan Peng; Alain Phommahaxay; Kenneth June Rebibis; Akira Uedono; Eric Beyne
  JOURNAL OF MANUFACTURING PROCESSES, 58, 811, 818, 2020年10月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• 10 and 7 mu m Pitch Thermo-compression Solder Joint, Using A Novel Solder Pillar And Metal Spacer Process
  Jaber Derakhshandeh; Giovanni Capuz; Vladimir Cherman; Fumihiro Inoue; Inge De Preter; Lin Hou; Pieter Bex; Carine Gerets; Fabrice Duval; Tomas Webers; Julien Bertheau; Stefaan Van Huylenbroeck; Alain Phommahaxay; Ehsan Shafahian; Geert Van der Plas; Eric Beyne; Andy Miller; Gerald Beyer
  2020 IEEE 70TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC 2020), 617, 622, 2020年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Film Characterization of Low-Temperature Silicon Carbon Nitride for Direct Bonding Applications
  Nagano, F.; Iacovo, S.; Phommahaxay, A.; Inoue, F.; Sleeckx, E.; Beyer, G.; Beyne, E.; De. Gendt, S.
  ECS Journal of Solid State Science and Technology, 9, 12, 2020年
  研究論文（学術雑誌）
• Protective Layer for Collective Die to Wafer Hybrid Bonding
  Fumihiro Inoue; Julien Bertheau; Samuel Suhard; Alain Phommahaxay; Takuya Ohashi; Tetsuro Kinoshita; Yohei Kinoshita; Eric Beyne
  IEEE 2019 International 3D Systems Integration Conference, 3DIC 2019, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2019年10月01日
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Influence of Composition of SiCN as Interfacial Layer on Plasma Activated Direct Bonding
  Fumihiro Inoue; Lan Peng; Serena Iacovo; Alain Phommahaxay; Patrick Verdonck; Johan Meersschaut; Praveen Dara; Erik Sleeckx; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne
  ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 8, 6, P346, P350, 2019年06月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Direct bonding of low temperature heterogeneous dielectrics
  Serena Iacovo; Lan Peng; Alain Phommahaxay; Fumihiro Inoue; Patrick Verdonck; Soon-Wook Kim; Erik Sleeckx; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne
  2019 IEEE 69TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC), 2206, 2212, 2019年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Defect Identification in Bonding Surface Layers by Positron Annihilation Spectroscopy
  Fumihiro Inoue; Lan Peng; Serena Iacovo; Fuya Nagano; Erik Sleeckx; Gerald Beyer; Akira Uedono; Eric Beyne
  PROCEEDINGS OF 2019 6TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D), 15, 15, 2019年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Advanced Dicing Technologies for Combination of Wafer to Wafer and Collective Die to Wafer Direct Bonding
  Fumihiro Inoue; Alain Phommahaxay; Arnita Podpod; Samuel Suhard; Erik Sleeckx; Kenneth June Rebibis; Andy Miller; Eric Beyne; Hitoshi Hoshino; Berthold Moeller
  2019 IEEE 69TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC), 437, 445, 2019年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Pre-bonding Characterization of SiCN Enabled Wafer Stacking
  Lan Peng; Soon-Wook. Kim; Serena Iacovo; Fumihiro Inoue; Joeri De Vos; Erik Sleeckx; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne
  PROCEEDINGS OF 2019 6TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D), 14, 14, 2019年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Enabling Ultra-Thin Die to Wafer Hybrid Bonding for Future Heterogeneous Integrated Systems
  Alain Phommahaxay; Samuel Suhard; Pieter Bex; Serena Iacovo; John Slabbekoorn; Fumihiro Inoue; Lan Peng; Koen Kennes; Erik Sleeckx; Gerald Beyer; Eric Beyne
  2019 IEEE 69TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC), 607, 613, 2019年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Etch process modules development and integration in 3D-SOC applications
  Nina Tutunjyan; Stefano Sardo; Joeri De Vos; Stefaan Van Huylenbroeck; Anne Jourdain; Lan Peng; Fumihiro Inoue; Nouredine Rassoul; Gerald Beyer; Eric Beyne; Andy Miller; Daniele Piumi
  MICROELECTRONIC ENGINEERING, 196, 38, 48, 2018年09月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• RIE dynamics for extreme wafer thinning applications
  Nouredine Rassoul; Anne Jourdain; Nina Tutunjyan; Joeri De Vos; Stefano Sardo; Fumihiro Inoue; Daniele Piumi; Gerald Beyer; Andy Miller; Eric Beyne; Edward Walsby; Jash Patel; Oliver Ansel; Huma Ashraf; Janet Hopkins; Dave Thomas
  MICROELECTRONIC ENGINEERING, 192, 30, 37, 2018年05月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Extreme Thinned-Wafer Bonding Using Low Temperature Curable Polyimide for Advanced Wafer Level Integrations
  Julien Bertheau; Fumihiro Inoue; Alain Phommahaxay; Lan Peng; Serena Iacovo; Nouredine Rassoul; Erik Sleeckx; Kenneth Rebibs; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne; Atsushi Nakamura
  2018 IEEE 68TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC 2018), 86, 91, 2018年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Edge trimming induced defects on direct bonded wafers
  Inoue, F.; Jourdain, A.; Peng, L.; Phommahaxay, A.; Kosemura, D.; De Wolf, I.; Rebibis, K.J.; Miller, A.; Sleeckx, E.; Beyne, E.
  Journal of Electronic Packaging, Transactions of the ASME, 140, 3, 2018年
  研究論文（学術雑誌）
• 3-D sequential stacked planar devices featuring low-temperature replacement metal gate junctionless top devices with improved reliability
  Vandooren, A.; Franco, J.; Parvais, B.; Wu, Z.; Witters, L.; Walke, A.; Li, W.; Peng, L.; Deshpande, V.; Bufler, F.M.; Rassoul, N.; Hellings, G.; Jamieson, G.; Inoue, F.; Verbinnen, G.; Devriendt, K.; Teugels, L.; Heylen, N.; Vecchio, E.; Zheng, T.; Rosseel, E.; Vanherle, W.; Hikavyy, A.; Chan, B.T.; Ritzenthaler, R.; Besnard, G.; Schwarzenbach, W.; Gaudin, G.; Radu, I.; Nguyen, B.-Y.; Waldron, N.; De Heyn, V.; Mocuta, D.; Collaert, N.
  IEEE Transactions on Electron Devices, 65, 11, 2018年
  研究論文（学術雑誌）
• Influence of Si wafer thinning processes on (sub)surface defects
  Fumihiro Inoue; Anne Jourdain; Lan Peng; Alain Phommahaxay; Joeri De Vos; Kenneth June Rebibis; Andy Miller; Erik Sleeckx; Eric Beyne; Akira Uedono
  APPLIED SURFACE SCIENCE, 404, 82, 87, 2017年05月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Nucleation and growth kinetics of electrodeposited Ni films on Si(100) surfaces
  Harold Philipsen; Hannes Jehoul; Fumihiro Inoue; Kevin Vandersmissen; Liu Yang; Herbert Struyf; Dennis van Dorp
  ELECTROCHIMICA ACTA, 230, 407, 417, 2017年03月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Edge trimming for surface activated dielectric bonded wafers
  Fumihiro Inoue; Anne Jourdain; Jakob Visker; Lan Peng; Berthold Moeller; Kaori Yokoyama; Alain Phommahaxay; Kenneth June Rebibis; Andy Miller; Eric Beyne; Erik Sleeckx
  MICROELECTRONIC ENGINEERING, 167, 10, 16, 2017年01月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• 3D stacking using bump-less process for sub 10um pitch interconnects
  Jaber Derakhshandeh; Inge De Preter; Carine Gerets; Lin Hou; Nancy Heylen; Eric Beyne; Gerald Beyer; John Slabbekoorn; Vikas Dubey; Anne Jourdain; Goedele Potoms; Fumihiro Inoue; Geraldine Jamieson; Kevin Vandersmissen; Samuel Suhard; Tomas Webers; Giovanni Capuz; Teng Wang; Kenneth June Rebibis; Andy Miller
  2016 IEEE 66TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC), 128, 133, 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Die to wafer 3D stacking for below 10um pitch microbumps
  Jaber Derakhshandeh; Lin Hou; Inge De Preter; Carine Gerets; Samuel Suhard; Vikas Dubey; Geraldine Jamieson; Fumihiro Inoue; Tomas Webers; Pieter Bex; Giovanni Capuz; Eric Beyne; John Slabbekoorn; Teng Wang; Anne Jourdain; Gerald Beyer; Kenneth June Rebibis; Andy Miller
  2016 IEEE INTERNATIONAL 3D SYSTEMS INTEGRATION CONFERENCE (3DIC), 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Characterization of Extreme Si Thinning Process for Wafer-to-Wafer Stacking
  Fumihiro Inoue; Anne Jourdain; Joeri De Vos; Erik Sleeckx; Eric Beyne; Jash Pate; Oliver Anse; Huma Ashraf; Janet Hopkins; Dave Thomas; Akira Uedono
  2016 IEEE 66TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC), 2095, 2102, 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Extreme Wafer Thinning Optimization for Via-Last Applications
  Anne Jourdain; Joeri De Vos; Fumihiro Inoue; Kenneth Rebibis; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne; Edward Walsby; Jash Patel; Oliver Ansell; Janet Hopkins; Huma Ashraf; Dave Thomas
  2016 IEEE INTERNATIONAL 3D SYSTEMS INTEGRATION CONFERENCE (3DIC), 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Development of Multi-stack Dielectric Wafer Bonding
  Lan Peng; Soon-Wook Kim; Fumihiro Inoue; Teng Wang; Alain Phommahaxay; Patrick Verdonck; Anne Jourdain; Joeri De Vos; Erik Sleeckx; Herbert Struyf; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne; Mike Soules; Stefan Lutter
  2016 17TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY (ICEPT), 22, 25, 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• On the Feasibility of Die-to-Wafer Inorganic Dielectric Bonding
  Teng Wang; Arnita Podpod; Giovanni Capuz; Lan Peng; Alain Phommahaxay; Fumihiro Inoue; Pieter Bex; Vikas Dubey; Kenneth June Rebibis; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne
  2016 6TH ELECTRONIC SYSTEM-INTEGRATION TECHNOLOGY CONFERENCE (ESTC), 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• 3D IC assembly using thermal compression bonding and wafer-level underfill - strategies for quality improvement and throughput enhancement
  Teng Wang; Pieter Bex; Giovanni Capuz; Fabrice Duval; Fumihiro Inoue; Carine Gerets; Julien Bertheau; Kenneth June Rebibis; Andy Miller; Gerald Beyer; Eric Beyne; Masanori Natsukawa; Kazuyuki Mitsukura; Keiichi Hatakeyama
  PROCEEDINGS OF THE 2016 IEEE 18TH ELECTRONICS PACKAGING TECHNOLOGY CONFERENCE (EPTC), 791, 796, 2016年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Cu displacement plating on electroless plated CoWB layer on SiO<inf>2</inf> and its adhesion property
  Kohei Ohta; Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimizu; Shoso Shingubara
  ECS Transactions, 64, 40, 57, 61, Electrochemical Society Inc., 2015年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Stability evaluation of non-agglomerated Pd nanoparticle catalyst dispersion for electroless deposition
  Noriaki Nakamura; Junichi Taniuchi; Takayuki Sone; Kotoe Sasaki; Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimzu; Shoso Shingubara
  ECS Transactions, 64, 40, 77, 84, Electrochemical Society Inc., 2015年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Glyoxylic acid as reducing agent for electroless copper deposition on cobalt liner
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Marleen H. Van Der Veen; Stefaan Van Huylenbroeck; Silvia Armini; Herbert Struyf; Shoso Shingubara; Tetsu Tanaka
  ECS Transactions, 64, 40, 63, 75, Electrochemical Society Inc., 2015年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Development of glyoxylic acid based electroless copper deposition on ruthenium
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Marleen H. Van Der Veen; Stefaan Van Huylenbroeck; Silvia Armini; Herbert Struyf; Shoso Shingubara; Tetsu Tanaka
  ECS Transactions, 64, 40, 41, 55, Electrochemical Society Inc., 2015年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Role of Bath Composition in Electroless Cu Seeding on Co Liner for through-Si Vias
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Marleen H. van der Veen; Stefaan Van Huylenbroeck; Silvia Armini; Herbert Struyf; Tetsu Tanaka
  ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 4, 1, N3108, N3112, 2015年
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Cu Seeding Using Electroless Deposition on Ru Liner for High Aspect Ratio Through-Si Vias
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Marleen H. van der Veen; Kevin Vandersmissen; Stefaan Van Huylenbroeck; Herbert Struyf; Tetsu Tanaka
  2014 INTERNATIONAL 3D SYSTEMS INTEGRATION CONFERENCE (3DIC), 2014年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Improvement of adhesion strength of electroless barrier layer and its application to TSV process
  Shoichiro Nishizawa; Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimizu; Shoso Shingubara
  PROCESSING, MATERIALS, AND INTEGRATION OF DAMASCENE AND 3D INTERCONNECTS 5, 58, 17, 59, 65, 2014年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Nucleation Kinetics of Electroless Cu Deposition on Ruthenium Using Glyoxylic Acid as a Reducing Agent
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Marleen H. van der Veen; Stefaan Van Huylenbroeck; Silvia Armini; Herbert Struyf; Tetsu Tanaka
  JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 161, 14, D768, D774, 2014年
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Electroless Cu deposition on atomic layer deposited Ru as novel seed formation process in through-Si vias
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Aleksandar Radisic; Silvia Armini; Yann Civale; Peter Leunissen; Muneharu Kondo; Eric Webb; Shoso Shingubara
  ELECTROCHIMICA ACTA, 100, 203, 211, 2013年06月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Highly adhesive electroless barrier/Cu-seed formation for high aspect ratio through-Si vias
  Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimizu; Hiroshi Miyake; Ryohei Arima; Toshihiko Ito; Hirofumi Seki; Yuko Shinozaki; Tomohiko Yamamoto; Shoso Shingubara
  MICROELECTRONIC ENGINEERING, 106, 164, 167, 2013年06月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Control of Crystal Orientation and Diameter of Silicon Nanowire Using Anodic Aluminum Oxide Template
  Tomohiro Shimizu; Fumihiro Inoue; Chonge Wang; Shintaro Otsuka; Yoshihiro Tada; Makoto Koto; Shoso Shingubara
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52, 6, 2013年06月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Control of Adhesion Strength and TSV Filling Morphology of Electroless Barrier Layer
  R. Arima; F. Inoue; H. Miyake; T. Shimizu; S. Shingubara
  PROCESSING MATERIALS OF 3D INTERCONNECTS, DAMASCENE AND ELECTRONICS PACKAGING 4, 50, 32, 13, 18, 2013年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• AgNO3-Dependent Morphological Change of Si Nanostructures Prepared by Single-Step Metal Assisted Etching Method
  Tomohiro Shimizu; Takuya Yamaguchi; Fumihiro Inoue; Mitsuru Inada; Shoso Shingubara
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51, 11, 2012年11月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Adsorption of Pd nanoparticles catalyst in high aspect ratio through-Si vias for electroless deposition
  Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimizu; Hiroshi Miyake; Ryohei Arima; Toshihiko Ito; Hirofumi Seki; Yuko Shinozaki; Tomohiko Yamamoto; Shoso Shingubara
  ELECTROCHIMICA ACTA, 82, 372, 377, 2012年11月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Evaluation of morphology and crystal structure of Si nanowires prepared by singlestep metal assisted etching
  Takuya Yamaguchi; Tomohiro Shimizu; Fumihiro Inoue; Chounge Wang; Mitsuru Inada; Tadashi Saitoh; Shoso Shingubara
  IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 1439. AA03-02, 84, 85, 2012年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• All-wet Cu-filled TSV Process Using Electroless Co-alloy Barrier and Cu Seed
  Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimizu; Hiroshi Miyake; Ryohei Arima; Shoso Shingubara; Kansai University
  2012 IEEE 62ND ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC), 810, 815, 2012年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Electroless Copper Bath Stability Monitoring with UV-VIS Spectroscopy, pH, and Mixed Potential Measurements
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Alex Radisic; Silvia Armini; Yann Civale; Shoso Shingubara; Peter Leunissen
  JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 159, 7, D437, D441, 2012年
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Fabrication of an array of Ni/NiO nanowire-ReRAM using AAO template on Si
  Shimizu, T.; Sumita, Y.; Inoue, F.; Minokuchi, T.; Shingubara, S.; Otsuka, S.; Takase, K.
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 10, 476, 479, 2012年
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Formation of electroless barrier and seed layers in a high aspect ratio through-Si vias using Au nanoparticle catalyst for all-wet Cu filling technology
  Fumihiro Inoue; Tomohiro Shimizu; Takumi Yokoyama; Hiroshi Miyake; Kazuo Kondo; Takeyasu Saito; Taro Hayashi; Shukichi Tanaka; Toshifumi Terui; Shoso Shingubara
  ELECTROCHIMICA ACTA, 56, 17, 6245, 6250, 2011年07月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Formation and Evaluation of Electroless-Plated Barrier Films for High-Aspect-Ratio Through-Si Vias
  Hiroshi Miyake; Fumihiro Inoue; Takumi Yokoyama; Tomohiro Shimizu; Shukichi Tanaka; Toshifumi Terui; Shoso Shingubara
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50, 5, 2011年05月
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Low temperature through-Si via fabrication using electroless deposition
  Fumihiro Inoue; Harold Philipsen; Alex Radisic; Silvia Armini; Peter Leunissen; Hiroshi Miyake; Ryohei Arima; Tomohiro Shimizu; Toshiaki Ito; Hirofumi Seki; Yuko Shinozaki; Tomohiko Yamamoto; Shoso Shingubara
  2011 IEEE International 3D Systems Integration Conference, 3DIC 2011, 2011年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Control of crystal orientation of epitaxial Si nanowires on Si substrate using AAO template
  Tomohiro Shimizu; Qi Wang; Chonge Wang; Fumihiro Inoue; Makoto Koto; Minsung Jeon; Shoso Shingubara
  Materials Research Society Symposium Proceedings, 1350, 59, 62, 2011年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Cu filling characteristics in through-Si via holes by electroless plating with addition of inhibitors
  F. Inoue; M. Koyanagi; T. Fukushima; K. Yamamoto; S. Tanaka; Z. Wang; S. Shingubara
  ECS Transactions, 16, 22, 27, 32, 2009年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Perfect conformal deposition of electroless Cu for high aspect ratio through-Si Vias
  Inoue, F.; Harada, Y.; Koyanagi, M.; Fukushima, T.; Yamamoto, K.; Tanaka, S.; Wang, Z.; Shingubara, S.
  Electrochemical and Solid-State Letters, 12, 10, 2009年
  研究論文（学術雑誌）

• 直接接合応用へ向けた低温堆積CVD-SiO₂膜の界面近傍解析
  北川颯人; 大西洸輝; 岩田知也; 布施淳也; 上殿明良; 井上史大, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 70th, 2023年
• ウエハ薄化技術
  井上 史大, エレクトロニクス実装学会誌, 26, 1, 172, 177, 2023年01月01日
  一般社団法人エレクトロニクス実装学会, 日本語

• 前工程/後工程の融合による高エネルギー効率Beyond2nmデバイスの研究開発
  産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) ステージII(本格フェーズ)
  2024年 - 2028年
  井上 史大
  デジタル社会の基盤技術であるAI半導体の高エネルギー効率化が急務となっており、半導体の前工程と後工程の融合による「3D集積技術」が革新的解決策とされている。半導体チップ上の電源電圧降下を効果的に抑制可能な裏面電源供給ネットワーク(BSPDN)はその代表的アーキテクチャであるが、歩留まりと放熱に課題を抱えており、設計、集積、プロセスに係る各基盤技術のシステム・製造協調最適化による解決が求められている。本研究開発では、3D集積関連の技術シーズをベースに半導体製造装置企業と連携して前工程/後工程の融合エコシステム型共同研究開発体制を構築し、革新的な解決策の提案と実用化を目指す。
  科学技術振興機構, 横浜国立大学
• 原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用
  科学研究費助成事業
  2023年04月01日 - 2026年03月31日
  井上 史大; 多喜川 良; 藤野 真久
  微小ピッチ化したハイブリッド接合では Cuパッドのリセスを5 nm以下に抑えることを満たす必要がある。ALDやE-ALDを検討するにしても最低限のCMPの精度とハイブリッド接合の界面に関する基礎検討が必要である。2023年度はそれらの表面、界面における現象理解に着目し開発を進めた。ハイブリッド接合におけるCu-Cu接続のメカニズムはCuとILDの間の線熱膨張係数(CTE)の差に起因する接合後のアニーリング中のCuパンピング(またはCuバルジアウト)であることが知られている。Cuパッドが接続面の両側で大きく凹んでいる場合、Cuパッド間の隙間は閉じられないか、少なくとも塞ぐために許容される温度をはるかに超える温度域での熱処理が必要になる。ゆえにバリアCMP中Cu、バリアメタル SiCNの研磨速度の選択性は、高い接合率を実現するために非常に重要である。さらにCMP後の洗浄工程(P-CMP)では、Cu表面を変化させることなく残留スラリーや残留物、汚染を除去または低減することが求められる。Cu CMPのスラリーには通常、ベンゾトリアゾール(BTA)などの腐食防止剤が使用されている。これは高い不溶解性を持つため、CMP後もCu表面に残る可能性がある。腐食防止剤は、長い間Cu ダマシンプロセス用に研究されてきたが、Cu-Cu 結合の阻害剤となる可能性があるためハイブリッド接合に対しては、さらなる研究が必要である。BTAは、P-CMP工程で使用される洗浄液によって除去される可能性がある。しかし、洗浄液はCu表面に深刻な凹みを引き起こす可能性がある。したがって、私たちはCu/SiCNハイブリッド接合で用いられるCMP工程、特にCuパッド表面の凹みの低減に焦点を当てて、研究を行なった。
  日本学術振興会, 基盤研究(B), 横浜国立大学, 23K26388
• 3Dチップレット型ヘテロ量子デバイスの創生
  戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ
  2022年 - 2025年
  井上 史大
  3Dチップレット技術を量子コンピュータ集積技術に取り込み、さらなる高集積量子ビット、高温動作、長デコヒーレンス時間の3Dチップレット型ヘテロ量子コンピュータを創出します。ヘテロ量子コンピュータ創成を見据えた直接接合技術の理解深化と小径ウエハの新規スケールアップ手法、超伝導ボトムアップ配線形成技術の確立を目指します。
  科学技術振興機構, 横浜国立大学, 研究代表者
• ボトムアップ型選択成長技術のハイブリッド接合への応用
  科学研究費助成事業
  2021年08月30日 - 2023年03月31日
  井上 史大
  本研究の目的はリソグラフィ、エッチング、研磨、圧着といった従来の半導体製造技術の延長にない新規なボトムアップ堆積手法と表面活性化接合を用いて、三次元実装のハイブリッド接合を実証、またその選択堆積や接合のメカニズムを明らかにし、挟ピッチダイ接
  合の実用化を加速させることにある。
  本研究の独創的な点は自己組織化(ボトムアップ)を用いて、機械的な加工に依存せずハイブリッド接合を達成することにある。これにより狭ピッチの接合が可能になるだけにとどまらず、低コスト、低温にて異種デバイスの積層が可能となる。さらにはSAM膜の表面機能化機構を利用したセルフアライメントも期待でき、自己集積といった自動化工程の可能性さえも秘めている。プロセスの狭ピッチ化や低温化は接合できるデバイスのさらなる拡大を意味し、新規な融合デバイスの創成に寄与する技術革新となり得る。
  2021年度は無電解めっきと化学機械研磨を中心に研究を進めた。無電解めっきでは毒性の低いグリオキシル酸を使用し、かつpH調整剤にTMAHを使用することで半導体プロセスに互換性のある薬品を見出いし、実験を行った。今のところ温度にて反応を調整することで、Cu、Pt、Ru、Co上にめっき可能であると判明しているが、同時に溶存酸素の影響も観察された。CMPに関しては各金属基板上でバリアスラリーがどのような電気化学挙動を示すか解析した。研磨圧力を加えることによって腐食電位や腐食電流が大きくことなると分かった。
  日本学術振興会, 研究活動スタート支援, 横浜国立大学, 21K20426

• IEEE国際賞、横浜国立大学の井上史大准教授が日本人初受賞
  2022年07月
  https://univ-journal.jp/171520/, ［インターネットメディア］
• 横滨国立大学井上副教授荣获IEEE国际奖杰出青年工程师奖，为日本人首位
  https://www.keguanjp.com/kgjp_keji/kgjp_kj_etc/pt20220711000003.html