研究者基本情報

• 博士（工学）, 北海道大学, 1998年03月

• https://researchmap.jp/K-crystalgrowth

• https://orcid.org/0000-0002-3606-0596
• https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=202401017486130313

• 00393736

• https://orcid.org/0000-0002-3606-0596

• C-2432-2011

• 202401017486130313

• 半導体結晶成長
• 半導体電子デバイス
• 光電気化学
• 人工光合成
• 光水分解

• ナノテク・材料, 結晶工学, 半導体
• ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性, 半導体結晶成長

研究活動情報

• 2000年09月, 応用物理学会, 第8回（2000年春季）応用物理学会講演奨励賞
  高ホール濃度MgドープInGaNおよびInGaN/GaN超格子の実現
  熊倉 一英

• n-type AlN/AlGaN Superlattice Cladding Layer for Ultraviolet Laser Diodes
  Kazuaki Ebata; Kouta Tateno; Kazuyuki Hirama; Kazuhide Kumakura; Yoshitaka Taniyasu
  physica status solidi (a), 2025年12月
  研究論文（学術雑誌）
• In-polar InN growth diagram by MOVPE
  Yudai Yamashita; Kazuhide Kumakura; Kazuyuki Hirama; Yoshitaka Taniyasu
  Journal of Applied Physics, 2025年09月21日
  研究論文（学術雑誌）
• Vicinal GaAs(111)B substrates suppress rotational domains in InSe van der Waals epitaxy
  Koji Onomitsu; Hiroki Hibino; Hideki Yamamoto; Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2025年06月01日
  研究論文（学術雑誌）
• AlN-based polarization-doped field-effect transistors with downward-graded AlGaN underlayers
  Masanobu Hiroki; Kazuyuki Hirama; Kazuhide Kumakura; Yoshitaka Taniyasu
  Applied Physics Letters, 2025年05月19日
  研究論文（学術雑誌）
• Ferromagnetic permalloy/p-type boron-doped diamond Schottky barrier diodes
  Makoto Kawano; Carlos Cunha; Kazuyuki Hirama; Kazuhide Kumakura; Yoshitaka Taniyasu
  Applied Physics Letters, 2025年01月06日
  研究論文（学術雑誌）
• Effects of Thermal Annealing on V‐Based Ohmic Contacts on n‐Type AlGaN with High Al Content
  Kazuaki Ebata; Masanobu Hiroki; Kouta Tateno; Kazuhide Kumakura; Yoshitaka Taniyasu
  physica status solidi (a), 2024年11月
  研究論文（学術雑誌）
• Light Emission Characteristics in Nitride Semiconductor Nanowires Fabricated by Top‐down Method
  Kouta Tateno; Masato Takiguchi; Kazuaki Ebata; Satoshi Sasaki; Kazuhide Kumakura; Yoshitaka Taniyasu
  physica status solidi (a), 2024年05月15日
  英語, 研究論文（学術雑誌）, Nanophotonic devices made from nitride semiconductors are promising for various applications, especially those utilizing ultraviolet‐visible light with low‐power consumption and high driving speed. Herein, nanowire structures are fabricated from a light‐emitting diode  epitaxial wafer and demonstrates the effectiveness of wet etching in top‐down fabrication. Spontaneous emission from active layers and unanticipated lasing derived from a GaN layer in a single nanowire are observed by microphotoluminescence measurement. Lastly, the lasing mode through a 3D simulation of the eigenmodes in this nanowire structure is clarified.
• Growth mechanism of Mn-doped diamond (111) layers in microwave plasma chemical vapor deposition
  Makoto Kawano; Kazuyuki Hirama; Yoshitaka Taniyasu; Kazuhide Kumakura
  Journal of Applied Physics, 2024年02月21日
  研究論文（学術雑誌）
• Photoelectrochemical Properties of Gallium-nitride-based Photoanode in Tandem Cell Analyzed by AC Impedance Method
  Yuya UZUMAKI; Yoko ONO; Kazuhide KUMAKURA; Takeshi KOMATSU; Atsushi ARATAKE; Hironobu MINOWA
  Electrochemistry, 2024年
  研究論文（学術雑誌）
• High blocking temperature of Fe nanoparticles embedded in diamond thin films
  M. Kawano; K. Hirama; K. Kumakura
  AIP Advances, 12, 4, 045022, 045022, {AIP} Publishing, 2022年04月01日
  研究論文（学術雑誌）
• High-Temperature Performance of AlN MESFETs With Epitaxially Grown n-Type AlN Channel Layers
  Kazuhide Kumakura
  IEEE Electron Device Letters, 2022年
  研究論文（学術雑誌）
• Control of n-type electrical conductivity for cubic boron nitride (c-BN) epitaxial layers by Si doping
  Kazuyuki Hirama; Yoshitaka Taniyasu; Hideki Yamamoto; Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2020年04月20日
  研究論文（学術雑誌）
• Ohmic contact to AlN:Si using graded AlGaN contact layer
  M. Hiroki; K. Kumakura
  Applied Physics Letters, 115, 19, 192104, 192104, {AIP} Publishing, 2019年11月04日
  研究論文（学術雑誌）
• Plasmon Control Driven by Spatial Carrier Density Modulation in Graphene
  Kazuhide Kumakura
  2019年04月17日
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Wurtzite GaP nanowire grown by using tertiarybutylchloride and used to fabricate solar cell
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2019年
  研究論文（学術雑誌）
• Structural analysis of cubic boron nitride (111) films heteroepitaxially grown on diamond (111) substrates
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Applied Physics, 2019年
  研究論文（学術雑誌）
• Infinite-layer phase formation in the Ca1-xSrxCuO2 system by reactive molecular beam epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Applied Physics, 2018年
  研究論文（学術雑誌）
• N-face (0001) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-infrared photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Express, 2018年
  研究論文（学術雑誌）
• Surface structures of graphene covered Cu(103)
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2018年
  研究論文（学術雑誌）
• High hole concentration in Mg-doped AlN/AlGaN superlattices with high Al content
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2018年
  研究論文（学術雑誌）
• Terahertz spectroscopy of graphene complementary split ring resonators with gate tunability
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Surface morphology control of nonpolar m-plane AlN homoepitaxial layers by flow-rate modulation epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (B), 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Molecular beam epitaxy of Nd2PdO4 thin films
  Kazuhide Kumakura
  AIP Advances, 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Initial stage of hexagonal boron nitride growth in diffusion and precipitation method
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Heteroepitaxial growth of single-domain cubic boron nitride films by ion-beam-assisted MBE
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Express, 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technique
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (a), 2017年
  研究論文（学術雑誌）
• Enhancement of performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by transfer from sapphire to a copper plate
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2016年
  研究論文（学術雑誌）
• Epitaxial growth of monolayer MoSe₂ on GaAs
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Express, 2016年
  研究論文（学術雑誌）
• Flow-rate modulation epitaxy of nonpolar m-plane AlN homoepitaxial layers grown on AlN bulk substrates
  Nishinaka, J.; Taniyasu, Y.; Akasaka, T.; Kumakura, K.
  2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)], 1, 1, 2016年
  研究論文（学術雑誌）
• A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2015年
  研究論文（学術雑誌）
• Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2014年
  研究論文（学術雑誌）
• GaN on h-BN technology for release and transfer of nitride devices
  Hiroki, M.; Kumakura, K.; Kobayashi, Y.; Akasaka, T.; Yamamoto, H.; Makimoto, T.
  2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D), 31, 31, 2014年
  研究論文（学術雑誌）
• Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2013年
  研究論文（学術雑誌）
• Influence of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Regrowth on Characteristics of InAlN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2013年
  研究論文（学術雑誌）
• Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices
  Kazuhide Kumakura
  2012年04月11日
  研究論文（学術雑誌）
• A Vertical InGaN/GaN Light-Emitting Diode Fabricated on a Flexible Substrate by a Mechanical Transfer Method Using BN
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Express, 2012年
  研究論文（学術雑誌）
• High-Power Characteristics of GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors with a Regrown p-InGaN Base Layer
  Kazuhide Kumakura
  MRS Proceedings, 2011年
  研究論文（学術雑誌）
• Epitaxial Heusler alloy Co2FeSi films on Si(111) substrates grown by molecular beam epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  British Journal of Applied Physics, 2010年
  研究論文（学術雑誌）
• Long-range order and thermal stability of thin Co2FeSi films on GaAs(111)B
  Kazuhide Kumakura
  British Journal of Applied Physics, 2010年
  研究論文（学術雑誌）
• High-temperature characteristics up to 590 °C of a pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2009年
  研究論文（学術雑誌）
• Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double-heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2009年
  研究論文（学術雑誌）
• Carrier transport mechanisms of Pnp AlGaN∕GaN heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2008年
  研究論文（学術雑誌）
• High-temperature (300 degrees C) operation of npn-type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2008年
  研究論文（学術雑誌）
• High performance pnp AlGaN∕GaN heterojunction bipolar transistors on GaN substrates
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2008年
  研究論文（学術雑誌）
• High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2008年
  研究論文（学術雑誌）
• High breakdown field of pnp GaN/InGaN/AlGaN DHBTs with AlGaN collector
  Kazuhide Kumakura
  Phys. Stat. Sol. (a), 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Low-resistance graded AlxGa1-xN buffer layers for vertical conducting devices on n-SiC substrates
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Pnp AlGaN/InGaN/GaN Double Heterojunction Bipolar Transistors With Low-Base-Resistance (<100 Ω/square)
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Temperature dependence of current-voltage characteristics of npn-type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Low on-resistance of GaN p-i-n vertical conducting diodes grown on 4H-SiC substrates
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Oxygen ion implantation isolation planar process for AlGaN/GaN HEMTs
  Kazuhide Kumakura
  IEEE Electron Device Letters, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• High critical electric field exceeding 8 MV/cm measured using an AlGaN p-i-n vertical conducting diode on n-SiC substrate
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Minority carrier diffusion lengths in MOVPE-grown n- and p-InGaN and performance of AlGaN/InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• DC and microwave performance of AlGaN/GaN HEMTs passivated with sputtered SiN _x
  Kazuhide Kumakura
  Semiconductor Science and Technology, 2007年
  研究論文（学術雑誌）
• Influence of Lattice Constants of GaN and InGaN on npn-Type GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• High critical electric field of AlxGa1-xN p-i-n vertical conducting diodes on n-SiC substrates
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n(+)-SiC substrate for high power electronic device applications
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• Growth of GaN on sapphire substrates using novel buffer layers of ECR-plasma-sputtered Al2O3/graded-AlON/AlN/Al2O3
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• High breakdown voltage with low on-state resistance of p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n-GaN substrates
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• Growth of nitride semiconductors and its application to heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Electronics and Communications in Japan Part Ii-electronics, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• Critical electric fields of AlGaN in AlGaN-based vertical conducting diodes on n-SiC substrates
  Kazuhide Kumakura
  Superlattices and Microstructures, 2006年
  研究論文（学術雑誌）
• Strained Thick p-InGaN Layers for GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors on Sapphire Substrates
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2005年
  研究論文（学術雑誌）
• Minority carrier diffusion length in GaN: Dislocation density and doping concentration dependence
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2005年
  研究論文（学術雑誌）
• High power operation of Pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2005年
  研究論文（学術雑誌）
• Current-voltage characteristics of p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n(+)-SiC substrates
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2005年
  研究論文（学術雑誌）
• High-voltage operation with high current gain of pnp AlGaN∕GaN heterojunction bipolar transistors with thin n-type GaN base
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2005年
  研究論文（学術雑誌）
• Growth of nitride semiconductors and its application to heterojunction bipolar transistors
  Makimoto, T.; Kumakura, K.
  Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers C, vol.J88-C, no.7, 2005年
  研究論文（学術雑誌）
• Extrinsic Base Regrowth of p-InGaN for Npn-Type GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2004年
  研究論文（学術雑誌）
• Fabrication of GaN/Alumina/GaN structure to reduce dislocations in GaN
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2004年
  研究論文（学術雑誌）
• Al2O3 insulated-gate structure for AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors having thin AlGaN barrier layers
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics, 2004年
  研究論文（学術雑誌）
• High-power characteristics of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2004年
  研究論文（学術雑誌）
• Schottky barrier heights of Au, Pd and Ni on n-GaN evaluated using mesa-structure diodes
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• Ohmic Contact to p -GaN Using a Strained InGaN Contact Layer and Its Thermal Stability
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• Mg-acceptor activation mechanism and transport characteristics in p -type InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Applied Physics, 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• Systematic investigation of minority carrier diffusion length in n-and p-GaN for nitride heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  International Symposium on Compound Semiconductors (Cat. No.03TH8675), 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• High current gain (>2000) of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors using base regrowth of p-InGaN
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• High breakdown electric field for Npn-type AlGaN/InGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2002, 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80%
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (a), 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• High current gain (>2000) and reduced common-emitter offset voltage of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
  Makimoto, T.; Kumakura, K.; Kobayashi, N.
  61st Device Research Conference. Conference Digest (Cat. No.03TH8663), 2003年
  研究論文（学術雑誌）
• Pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors operating at 300degC
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (a), 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• Valence-band discontinuities between InGaN and GaN evaluated by capacitance-voltage characteristics of p-InGaN/n-GaN diodes
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Electronic Materials, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• Polarization charge densities at p-GaN/n-AlGaN heterojunctions evaluated by capacitance-voltage characteristics
  Kazuhide Kumakura
  International Workshop on Nitride Semiconductors, Proceedings, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• Polarization charge densities at p-GaN/n-AlGaN heterojunctions evaluated by capacitance-voltage characteristics
  Makimoto, T.; Kumakura, K.; Kobayashi, N.
  Physica Status Solidi C, no.1, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• N-AlGaN/p-InGaN/n-GaN heterojunction bipolar transistors for high power operation
  Kazuhide Kumakura
  International Workshop on Nitride Semiconductors, Proceedings, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• Npn InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors with high common-emitter current gains
  Kazuhide Kumakura
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• Common-emitter current–voltage characteristics of a pnp GaN bipolar junction transistor
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• Common-emitter current–voltage characteristics of a Pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with a low-resistance base layer
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• High common-emitter current gains obtained by pnp GaN bipolar junction transistors
  Kazuhide Kumakura
  Materials Research Society Symposium - Proceedings, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• N-AlGaN/p-InGaN/n-GaN heterojunction bipolar transistors for high power operation
  Makimoto, T.M.; Kumakura, K.; Kobayashi, N.
  Physica Status Solidi C, no.1, 2002年
  研究論文（学術雑誌）
• p-InGaN/n-GaN heterojunction diodes and their application to heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  GaN and Related Alloys - 2000. Symposium (Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.639), 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• Optical and electron devices using nitride semiconductors
  Kazuhide Kumakura
  Oyo Buturi, 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• High current gains obtained by InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (a), 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• Low resistance non-alloy ohmic contact to p-type GaN using Mg-doped InGaN contact layer
  Kazuhide Kumakura
  Physica Status Solidi (a), 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• Low-resistance nonalloyed ohmic contact to p-type GaN using strained InGaN contact layer
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• High current gains obtained by InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors with p-InGaN base
  Kazuhide Kumakura
  Applied Physics Letters, 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• High room-temperature hole concentrations above 1019 cm-3 in Mg-doped InGaN/GaN superlattices
  Kazuhide Kumakura
  Wide-Bandgap Electronic Devices. Symposium (Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.622), 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• Heavily p-type doping into group-III nitrides and their application to heterojunction bipolar transistors
  Kazuhide Kumakura
  Ntt R & D, 2001年
  研究論文（学術雑誌）
• Short period alloy superlattice for transparent conductive layer of UV-emitter
  Kazuhide Kumakura
  Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• High hole concentrations in Mg-doped InGaN grown by MOVPE
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistor grown by metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• Activation Energy and Electrical Activity of Mg in Mg-Doped InxGa1-xN (x<0.2)
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• Selectively enhanced Mg incorporation into AlGaN barrier layer of strained layer superlattice
  Kazuhide Kumakura
  Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• Low p-type contact resistance using Mg-doped InGaN and InGaN/GaN superlattices
  Kazuhide Kumakura
  Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• Reduced damage of electron cyclotron resonance etching by In doping into p-GaN
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• Efficient Hole Generation above 1019 cm-3 in Mg-Doped InGaN/GaN Superlattices at Room Temperature
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• Enhanced Hole Generation in Mg-Doped AlGaN/GaN Superlattices Due to Piezoelectric Field
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 2000年
  研究論文（学術雑誌）
• GaAs Single Electron Transistors Fabricated by Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Their Application to Single Electron Logic Circuits
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 1999年
  研究論文（学術雑誌）
• Quantum dots fabricated by selective area MOVPE and their application to single electron devices
  Kazuhide Kumakura
  Bulletin of Materials Science, 1999年
  研究論文（学術雑誌）
• Increased Electrical Activity of Mg-Acceptors in AlxGa1-xN/GaN Superlattices
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 1999年
  研究論文（学術雑誌）
• AlGaAs nano-meter scale network structures fabricated by selective area MOVPE
  Kazuhide Kumakura
  Compound Semiconductors 1998. Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors, 1999年
  研究論文（学術雑誌）
• Fabrication and transport characterization of GaAs quantum dots connected with quantum wires fabricated by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 1998年
  研究論文（学術雑誌）
• InAs quantum dot formation on GaAs pyramids by selective area MOVPE
  Kazuhide Kumakura
  Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 1998年
  研究論文（学術雑誌）
• Transport characterization of GaAs quantum dots connected with quantum wires fabricated by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Solid-State Electronics, 1998年
  研究論文（学術雑誌）
• Fabrication of III-V semiconductor low-dimensional structures
  Kazuhide Kumakura
  Oyo Buturi, 1998年
  研究論文（学術雑誌）
• Selective growth of MOVPE on AlGaAs/GaAs patterned substrates for quantum nano-structures
  Kazuhide Kumakura
  Control of Semiconductor Surfaces and Interfaces, 1997年
  研究論文（学術雑誌）
• Selective growth of MOVPE on AlGaAs/GaAs patterned substrates for quantum nanostructures
  Kazuhide Kumakura
  Control of Semiconductor Surfaces and Interfaces. Symposium, 1997年
  研究論文（学術雑誌）
• Formation and characterization of coupled quantum dots (CQDs) by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 1997年
  研究論文（学術雑誌）
• Pyramidal quantum dot structures by self-limited selective area metalorganic vapor phase epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Solid-State Electronics, 1996年
  研究論文（学術雑誌）
• Fabrication of GaAs/AlGaAs Quantum Dots by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Patterned GaAs Substrates
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 1995年
  研究論文（学術雑誌）
• Novel Formation Method of Quantum Dot Structures by Self-Limited Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
  Kazuhide Kumakura
  Japanese Journal of Applied Physics - Special Issues, 1995年
  研究論文（学術雑誌）
• Dynamics of selective metalorganic vapor phase epitaxy growth for GaAs/AlGaAs micro-pyramids
  Kazuhide Kumakura
  Journal of Crystal Growth, 1994年
  研究論文（学術雑誌）

• 窒化物半導体ナノワイヤのトップダウン法による作製
  舘野功太; 舘野功太; 滝口雅人; 滝口雅人; 佐々木智; 江端一晃; 熊倉一英; 谷保芳孝, 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 84th, 2023年

• NiO助触媒を担持したGaN系光陽極を用いた光水分解特性
  熊倉 一英; 山下 雄大; 平間 一行; 谷保 芳孝; 佐藤 威友
  電子情報通信学会 研究会（ED, CPM, LQE）, 2025年11月21日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年11月20日 - 2025年11月21日
• GaNAsシェル膜厚によるGaAs/GaNAsコアーシェルナノワイヤ光学特性制御
  塩見 悠介; 佐野 真浩; 峰久 恵輔; 山下 雄大; 谷保 芳孝; 平間 一行; 熊倉 一英; 石川 史太郎
  第61回応用物理学会 北海道支部, 2025年11月01日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年11月01日 - 2025年11月02日
• 電気化学測定法によるud-AlGaN/n-GaN構造の電気的評価
  高橋 円空; 嶋﨑 喬大; 赤澤 怜明; 熊倉 一英; 谷保 芳孝; 佐藤 威友
  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月10日, 日本語, ポスター発表
  2025年09月07日 - 2025年09月10日
• c-BScNエピタキシャル薄膜のスパッタリング成長機構
  前田 亮太; 谷保 芳孝; 熊倉 一英; 二宮 翔; 西堀 麻衣子; 平間 一行
  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月09日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年09月07日 - 2025年09月10日
• InGaN光電極とNiO助触媒界面のバンドアライメント
  山下 雄大; 熊倉 一英; 平間 一行; 谷保 芳孝
  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月09日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年09月07日 - 2025年09月10日
• I-V, C-V測定から求めたAlNショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性
  佐々木 一晴; 廣木 正伸; 熊倉 一英; 平間 一行; 谷保 芳孝; 前田 拓也
  第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2025年09月08日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年09月07日 - 2025年09月10日
• GaAs/GaNAsコア－シェルナノワイヤ光吸収特性のGaNAsシェル膜厚依存性
  塩見 悠介; 佐野 真浩; 峰久 恵輔; 山下 雄大; 谷保 芳孝; 平間 一行; 熊倉 一英; 石川 史太郎
  第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2025年07月18日, 日本語, ポスター発表
  2025年07月17日 - 2025年07月19日
• AlN基板上AlNショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性
  佐々木 一晴; 廣木 正伸; 熊倉 一英; 平間 一行; 谷保 芳孝; 前田 拓也
  第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2025年07月17日, 日本語, ポスター発表
  2025年07月17日 - 2025年07月19日
• AlN系分極ドープFETの高周波特性
  川崎 晟也; 廣木 正伸; 平間 一行; 熊倉 一英; 谷保 芳孝
  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年03月14日 - 2025年03月17日
• 組成傾斜 AlGaN コンタクト層を有する AlN SBD における電流輸送機構の解明
  前田 拓也; 若本 裕介; 佐々木 一晴; 棟方 晟啓; 廣木 正伸; 平間 一行; 熊倉 一英; 谷保 芳孝
  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年03月14日 - 2025年03月17日
• 順バイアス印加AlNショットキーバリアダイオードのエミッション顕微鏡観察
  佐々木 一晴; 廣木 正伸; 熊倉 一英; 平間 一行; 谷保 芳孝; 田中 敦之; 本田 善央; 中野 義昭; 前田 拓也
  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年03月14日 - 2025年03月17日
• 立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)薄膜のマグネトロンスパッタリング成長
  前田 亮太; 谷保 芳孝; 熊倉 一英; 平間 一行
  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年03月14日 - 2025年03月17日
• III族極性InNのMOVPE成長における結晶成長相図
  山下 雄大; 熊倉 一英; 平間 一行; 谷保 芳孝
  第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025年03月16日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年03月14日 - 2025年03月17日

• 2018年11月 - 現在
  電気化学会
• 1993年08月 - 現在
  応用物理学会
• 現在
  Materials Research Society

• 窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ
  科学研究費助成事業
  2016年04月01日 - 2019年03月31日
  赤坂 哲也; 熊倉 一英; 後藤 秀樹; 西中 淳一; 鈴木 恭一
  原子レベルで平坦なヘテロ界面（ステップフリー界面）を有する窒化物半導体（窒化ガリウム GaN，窒化インジウム InN，窒化アルミニウム AlN）の作製を目的として、新原理に基づく分子層エピタキシを提案した。結晶成長が難しいInN単結晶薄膜の結晶成長条件を最適化し、GaN/InN/GaNダブルヘテロ構造を作製した。さらに、GaN/AlNヘテロ構造で形成される２次元電子ガスの極低温下の輸送特性を測定し、同構造の高品質さの証明となるランダウレベル分離を観測した。
  日本学術振興会, 基盤研究(B), 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 16H03862
• 層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写
  科学研究費助成事業
  2014年04月01日 - 2018年03月31日
  小林 康之; 岡本 浩; 中澤 日出樹; 熊倉 一英; 廣木 正伸
  我々は、プラズマ支援分子線エピタキシーにより(0001)サファイア基板上の3nmの膜厚の六方晶窒化ホウ素(h-BN)上に成長した100nmの膜厚のAlNバッファ層上に単結晶GaN薄膜を成長した。このh-BN/AlNバッファ層上に成長したGaN薄膜のX線回折は、h-BN層上のAlN層がGaN薄膜の結晶性を著しく向上させることを明らかにした。GaN薄膜のストリークな反射高速電子回折パターンは、平坦な表面を有する単結晶(0001)GaN薄膜がこのh-BN/AlNバッファ層上に成長したことを示した。MBEは、h-BNバッファ層上に高品質GaN薄膜を成長する手法として有望である。
  日本学術振興会, 基盤研究(A), 弘前大学, 26246015
• AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究
  科学研究費助成事業
  2013年04月01日 - 2017年03月31日
  谷保 芳孝; 熊倉 一英; 平間 一行; 山本 秀樹
  AlN系半導体の結晶成長機構、電気伝導機構、発光機構を研究し、高品質単結晶成長技術、高効率ドーピング技術、発光制御構造、デバイス作製技術を開発した。これらの学術的知見、基盤技術をベースに、AlN系深紫外LEDの高効率化、光励起による深紫外レーザ発振を達成した。さらに、新規材料として立方晶窒化ボロン（c-BN）の単結晶薄膜成長を世界に先駆け実現した。本研究成果は、AlN系材料・デバイス応用分野を進展させるともに、新規材料・構造の創出に繋がる結晶成長技術の開発に貢献することが期待される。
  日本学術振興会, 基盤研究(A), 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 25246022