研究者基本情報

• 博士（工学）, 北海道大学

• https://researchmap.jp/makazawa

• 30212400

• 201201021966719061

• GaN
• 表面不活性化
• 界面
• 表面
• XPS
• MOS
• Al2O3
• InAlN
• 窒化物半導体
• 界面準位
• InGaAs
• GaAs
• MIS
• テラヘルツ
• InP
• デバイス
• ヘテロ界面

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学
• ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
• ナノテク・材料, 結晶工学
• ナノテク・材料, 応用物性

• 学士課程, 工学部
• 修士課程, 情報科学院
• 博士課程, 情報科学院

研究活動情報

• 2024年09月, 第10回北大・部局横断シンポジウム実行委員会, ベストポスター賞
  窒化ガリウムのMOSトランジスタ応用のための界面制御の研究
  赤澤正道, 国内学会・会議・シンポジウム等の賞, 日本国
• 2024年03月, 16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3–7, 2024), The Best Poster Presentation Award
  "Effects of SiO₂-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al₂O₃/p-type GaN Interfaces"
  Yining Jiao;Takahide Nukariya;Umi Takatsu;Taketomo Sato;Masamichi Akazawa, 国際学会・会議・シンポジウム等の賞, 日本国
• 2023年03月, 15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2023/IC-PLANTS2023, Gifu University, Gifu, Japan, March 5–9, 2023), The Best Poster Presentation Awards
  "Impact of ultra-high-pressure annealing on interface state density distribution near conduction band at Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface"
  Y. Hatakeyama;M. Akazawa;T. Narita;M. Bockowski;T. Kachi, 国際学会・会議・シンポジウム等の賞, 日本国, 33660220;13864903
• 2016年09月, 応用物理学会, 応用物理学会優秀論文賞
  "Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors"
  Zenji Yatabe;Yujin Hori;Wan-Cheng Ma;Joel T. Asubar;Masamichi Akazawa;Taketomo Sato;Tamotsu Hashizume
• 2013年05月, CSManTech, 2013 Paper Awards (He Bong Kim Award)
  "Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces"
  Tamotsu Hashizume;Masamichi Akazawa
• 1998年10月, the 5th International Conference on Soft Computing and Information/ Intelligent Systems (IIZUKA '98), Best Paper Award
  "A Functional Neuro-MOS Circuit for Implementing Cellular-Automaton Picture-Processing Devices"
  M. Ikebe;M. Akazawa;Y. Amemiya
• 1990年08月, International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM Young Researcher Award
  "In_0.53Ga_0.47As MISFETs Having an Ultrathin MBE Si Interface Control Layer and Photo-CVD SiO₂ Insulator"
  M. Akazawa

• Effects of 600 °C annealing prior to activation annealing of Mg-ion-implanted GaN on subsequently formed MOS interfaces
  Yuliu Luo; Yuki Hatakeyama; Hinata Karasawa; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 65, 2, 026502-1, 026502-8, IOP Publishing, 2026年01月27日, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, Abstract
  
  We have investigated the effects of annealing at 600 °C for 3 h prior to rapid thermal annealing (RTA) of Mg-ion-implanted GaN at 1250 °C for 1 min on the properties of subsequently formed metal-oxide-semiconductor (MOS) interfaces. We found that this two-step cap annealing can reduce the gap state density ( D _T ) at the subsequently formed GaN MOS interfaces compared with one-step high-temperature RTA. Based on the capacitance–voltage method, the measured D _T of a two-step-annealing sample was on the order of 10 ¹⁰ cm ^–2 eV ^–1 at 0.40–0.45 eV below the conduction band edge. In addition, the interface charges originating from near-surface defects were also reduced by adding 600 °C/3 h pre-annealing to conventional RTA. The effects of cap material used in 600 °C annealing were also examined. We found that AlON was superior to Al ₂ O ₃ and SiN concerning interface states and near-surface defects in the final MOS structures., 47958768;44494238;33660220;13864903
• Detection of charge transition level of near-surface hydrogen interstitials introduced into Mg-ion-implanted GaN by annealing
  Yuki Hatakeyama; Tetsuo Narita; Tetsu Kachi; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 64, 9, 090905-1, 090905-5, IOP Publishing, 2025年09月01日, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, Abstract
  
  Excellent properties were obtained for metal-oxide-semiconductor structures fabricated on n-type GaN after light Mg-ion implantation and subsequent ultrahigh-pressure annealing. However, a small bump caused by near-surface defects was detected in capacitance–voltage (C–V) characteristics. Nevertheless, conventional C–V methods for evaluating interface states cannot evaluate the charge transition of near-surface defect states. By analyzing the plot of d C/d V versus the surface Fermi level, we detected bulk defect states at 0.5 eV below the conduction band edge with the (+/–) charge transition. The defects were assigned to hydrogen interstitials., 47958768;44494238;33660220
• Effects of 850 °C annealing on near-surface defects in Mg-ion-implanted GaN examined using MOS structures
  Genta Shindo; Yuki Hatakeyama; Hajime Fujikura; Shota Kaneki; Masafumi Yokoyama; Fumimasa Horikiri; Masamichi Akazawa
  AIP Advances, 15, 8, 085007-1, 085007-7, AIP, 2025年08月01日, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, The effects of annealing at 850 °C on the near-surface defects in Mg-ion-implanted GaN were examined using subsequently formed metal–oxide–semiconductor structures. Here, Mg ions were implanted at 50 keV at a modest dose of 1.5 × 1011 or 1.5 × 1012 cm−2 into n-type GaN so as to not compensate fully for the doping density of 3.8 × 1017 cm−3 to maintain the n-type conduction of GaN for investigating the defect states near the conduction band. In the lower-dose sample, annealing at 850 °C for 30 min was effective in improving the capacitance–voltage (C–V) characteristics compared to those of the as-implanted samples. However, in the higher-dose sample, the improvement in the C–V characteristics was limited by acceptor-type defect states even after annealing at 850 °C for 60 min. Considering the results of the analysis of the interface state density distributions and doping profiles, we found that simple native defects were annealed out at 850 °C, whereas divacancy defects were detected even after annealing at 850 °C for up to 60 min. Nevertheless, the experimental results indicated the possibility that prolonging the annealing at 850 °C or raising the annealing temperature might lead to the elimination of divacancy defects through diffusion toward the GaN surface, where the vacancy defects can be distinguished., 47958768;47958870;44494238
• Effects of SiO₂ cap annealing at 800 °C on Ga-polar n-type and p-type GaN (0001) surfaces compared by X-ray photoelectron spectroscopy
  Masanobu Takahashi; Yining Jiao; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 63, 11, 110905-1, 110905-4, 2024年11月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 47958768;44494238;33660220;13864903
• Effects of SiO₂ cap annealing on MOS interfaces formed on Mg-doped p-type GaN surface
  Yining Jiao; Masanobu Takahashi; Taketomo Sato; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 63, 9, 09SP19-1, 09SP19-6, IOP Publishing, 2024年09月02日, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, Abstract
  
  In this paper, we report the effects of 800 °C SiO₂ cap annealing on the Al₂O₃/p-type GaN (p-GaN):Mg and SiO₂/p-GaN:Mg interfaces formed at relatively low temperatures, as determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and sub-bandgap-light-assisted capacitance–voltage (C–V) measurement. For the sample with capless annealing at 800 °C and subsequent HF treatment before the Al₂O₃/p-GaN interface formation by atomic layer deposition at 300 °C, its C–V characteristics indicated the existence of high-density midgap states. By SiO₂ cap annealing and subsequent HF treatment to remove the cap layer, we found that the Al₂O₃/p-GaN interface showed a reduction in midgap state density. The same effect was confirmed at the SiO₂/p-GaN interface. Taking this finding and XPS results together, we consider the possibility that SiO₂ cap annealing at 800 °C and the subsequent HF treatment prior to the formation of the Al₂O₃/p-GaN and SiO₂/p-GaN interfaces led to the reduction of interface disorder., 47958768;44494238;33660220;13864903
• Reduction in Gap State Density near Valence Band Edge at Al2O3/p-type GaN Interface by Photoelectrochemical Etching and Subsequent SiO2 Cap Annealing
  Yining Jiao; Takahide Nukariya; Umi Takatsu; Tetsuo Narita; Tetsu Kachi; Taketomo Sato; Masamichi Akazawa
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2400025-1, 2400025-9, Wiley, 2024年03月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 33660220;13864903
• Effects of low-temperature annealing on net doping profile of Mg-ion-implanted GaN studied by MOS capacitance–voltage measurement
  Yuliu Luo; Yuki Hatakeyama; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 62, 12, 126501-1, 126501-6, IOP, 2023年10月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 33660220
• Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques
  Ryota Ochi; Takuya Togashi; Yoshito Osawa; Fumimasa Horikiri; Hajime Fujikura; Kazunari Fujikawa; Takashi Furuya; Ryota Isono; Masamichi Akazawa; Taketomo Sato
  Applied Physics Express, 16, 9, 091002-1, 091002-2, IOP, 2023年09月, ［査読有り］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Investigation of gap states near conduction band edge in vicinity of interface between Mg-ion-implanted GaN and Al2O3 deposited after ultra-high-pressure annealing
  Y. Hatakeyama; T. Narita; M. Bockowski; T. Kachi; M. Akazawa
  Jpn. J. Appl. Phys., 62, SN, SN1002-1, SN1002-7, IOP, 2023年07月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際共著］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 33660220;13864903
• Interface state density distribution near conduction band edge at Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface formed after activation annealing using AlN cap layer
  Yuki Hatakeyama; Masamichi Akazawa
  AIP Advances, 12, 12, 125224-1, 125224-7, AIP Publishing, 2022年12月01日, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, An interface state density ( D _it) distribution near the conduction band edge ( E _C) at the Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface was measured after ion implantation, annealing with an AlN protective cap, and cap layer removal. Mg ions were implanted into n-GaN with a Si concentration of 6 × 10¹⁷ cm⁻³ at a maximum Mg concentration of 2 × 10¹⁷ cm⁻³, resulting in the maintenance of the n-type conduction in GaN even after the activation of Mg dopants. Activation annealing was carried out at 1250 °C for 1 min using an AlN cap layer. The complete removal of the AlN cap layer was accomplished by wet etching, which was confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy. The photoluminescence spectrum showed donor–acceptor-pair emission after annealing, indicating the activation of Mg acceptors. By applying the capacitance–voltage method to a completed metal–oxide–semiconductor diode, we derived a continuous distribution of relatively low D _it below 5 × 10¹² cm⁻² eV⁻¹, which increased monotonically toward E _C in the range from E _C − 0.15 to E _C − 0.45 eV. Compared with the D _it distribution of the as-implanted sample, the density of the discrete level at E _C − 0.25 eV generated by divacancies markedly decreased upon 1250 °C annealing., 33660220;13864903
• Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/ p-type GaN interface using sub-bandgaplight- assisted capacitance–voltage method
  Masamichi Akazawa; Yuya Tamamura; Takahide Nukariya; Kouta Kubo; Taketomo Sato; Tetsuo Narita; Tetsu Kachi
  Journal of Applied Physics, 132, 19, 195302-1, 195302-10, 2022年11月16日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 33660220;13864903
• Encapsulant-Dependent Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing on Interstitial Defects in Mg-Ion-Implanted GaN
  Masamichi Akazawa; Shunta Murai; Tetsu Kachi
  Journal of Electronic Materials, 51, 4, 1731, 1739, Springer Science and Business Media LLC, 2022年03月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 33660220
• Formation of thermally grown SiO2/GaN interface
  Masamichi Akazawa; Yuya Kitawaki
  AIP Advances, 11, 8, 085020-1, 085020-5, AIP Publishing, 2021年08月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 33660382
• X-ray photoelectron spectroscopy study on effects of ultra-high-pressure annealing on surface of Mg-ion-implanted GaN
  Masamichi Akazawa; Encheng Wu; Hideki Sakurai; Michal Bockowski; Tetsuo Narita; Tetsu Kachi
  Japanese Journal of Applied Physics, 60, 3, 036503-1, 036503-8, IOP Publishing, 2021年03月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際共著］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 13864903
• Erratum: Impact of surface treatment on metal-work-function dependence of barrier height of GaN-on-GaN Schottky barrier diode (AIP Advances (2018) 8 (115011) DOI: 10.1063/1.5057401)
  Kazuki Isobe; Masamichi Akazawa
  AIP Advances, 11, 2, American Institute of Physics Inc., 2021年02月01日
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Erratum: Effects of surface treatment on Fermi level pinning at metal/GaN interfaces formed on homoepitaxial GaN layers (Japanese Journal of Applied Physics (2020) 59 (046506))
  Kazuki Isobe; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 60, 1, IOP Publishing Ltd, 2021年01月01日
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Low-temperature annealing behavior of defects in Mg-ion-implanted GaN studied using MOS diodes and monoenergetic positron beam
  Masamichi Akazawa; Ryo Kamoshida; Shunta Murai; Tetsu Kachi; Akira Uedono
  Japanese Journal of Applied Physics, 60, 1, 016502-1, 016502-8, IOP Publishing, 2021年01月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際誌］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 13864903
• Analysis of simultaneous occurrence of shallow surface Fermi level pinning and deep depletion in MOS diode with Mg-ion-implanted GaN before activation annealing
  Masamichi Akazawa; Ryo Kamoshida
  Japanese Journal of Applied Physics, 59, 9, 096502, 096502, IOP Publishing, 2020年09月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 13864903;11970278
• Effects of surface treatment on Fermi level pinning at metal/GaN interfaces formed on homoepitaxial GaN layers
  Kazuki Isobe; Masamichi Akazawa
  Japanese Journal of Applied Physics, 59, 4, 046506, 046506, IOP Publishing, 2020年04月01日, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 11970278
• Effects of Dosage Increase on Electrical Properties of Metal‐Oxide‐Semiconductor Diodes with Mg‐Ion‐Implanted GaN Before Activation Annealing
  Masamichi Akazawa; Ryo Kamoshida; Shunta Murai; Tetsuo Narita; Masato Omori; Jun Suda; Tetsu Kachi
  physica status solidi (b), 257, 2, 1900367, 1900367, Wiley, 2020年02月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 13864903
• Control of plasma-CVD SiO2/InAlN interface by N2O plasma oxidation
  M. Akazawa; S. Kitajima; Y. Kitawaki
  Jpn. J. Appl. Phys., 58, 10, 106504-1, 106504-7, 2019年10月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 11191356;11970278
• Control of plasma-CVD SiO2/InAlN interface by ultrathin atomic-layer-deposited Al2O3 interlayer
  Masamichi Akazawa; Shouhei Kitajima
  Jpn. J. Appl. Phys., 58, SI, SIIB06-1, SIIB06-8, 2019年08月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 11191356;11970278
• Impact of Low-Temperature Annealing on Defect Levels Generated by Mg-Ion-Implanted GaN
  Masamichi Akazawa; Kei Uetake
  Jpn. J. Appl. Phys., 58, SC, SCCB10-1, SCCB10-6, 2019年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 13864903
• Impact of surface treatment on metal-work-function dependence of barrier height of GaN-on-GaN Schottky barrier diode
  Kazuki Isobe; Masamichi Akazawa
  AIP Advances, 8, 11, 115011-1, 115011--6, 2018年11月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 11970278
• Effect of Insertion of Ultrathin Al2O3 Interlayer at Metal/GaN Interfaces
  Masamichi Akazawa; Taito Hasezaki
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, 255, 5, 1700382- 1, 1700382- 6, Wiley-VCH Verlag, 2018年05月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Detection of deep-level defects and reduced carrier concentration in Mg-ion-implanted GaN before higherature annealing
  Masamichi Akazawa; Naoshige Yokota; Kei Uetake
  AIP Advances, 8, 2, 025310-1, 025310-7, American Institute of Physics Inc., 2018年02月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 13864903
• Reduction of interface state density at SiO2/InAlN interface by inserting ultrathin Al2O3 and plasma oxide interlayers
  Masamichi Akazawa; Atsushi Seino
  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 254, 8, 1600691-1, 1600691-6, 2017年08月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, 11191356
• On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces
  M. Matys; B. Adamowicz; A. Domanowska; A. Michalewicz; R. Stoklas; M. Akazawa; Z. Yatabe; T. Hashizume
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 120, 22, 225305-1, 225305-12, 2016年12月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Interface control technologies for high-power GaN transistors - Self-stopping etching of p-GaN layers utilizing electrochemical reactions
  Taketomo Sato; Yusuke Kumazaki; Masaaki Edamoto; Masamichi Akazawa; Tamotsu Hashizume
  GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, 9748, 97480Y-1, 97480Y-7, 2016年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
  Zenji Yatabe; Yujin Hori; Wan-Cheng Ma; Joel T. Asubar; Masamichi Akazawa; Taketomo Sato; Tamotsu Hashizume
  Japanese Journal of Applied Physics, 53, 10, 100213-1, 10, Japan Society of Applied Physics, 2014年10月01日, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Process-dependent properties of InAlN surface and ALD-Al2O3/InAlN interface
  M. Akazawa; M. Chiba; T. Nakano
  Extended Abstracts of 2014 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CSMANTECH 2014, Sheraton Downtown Denver, Denver, Colorado, USA, May 19-22, 2014), 313, 316, 2014年05月, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Control of Al2O3/InAlN interface by two-step atomic layer deposition combined with high-temperature annealing
  Takuma Nakano; Masahito Chiba; Masamichi Akazawa
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53, 4, 04EF06-1, 04EF06-5, 2014年04月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Interface investigation of high-temperature-annealed ultrathin-ALD-Al 2O3/InAlN structures
  Masamichi Akazawa; Takuma Nakano
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 12, 83, 88, Surface Science Society of Japan, 2014年03月01日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Characterization of midgap interface states at Al2O3/InAlN interface formed by atomic layer deposition
  Masamichi Akazawa
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53, 2, 2014年02月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Appropriate fabrication procedure for InAlN metal-oxide-semiconductor structures with atomic-layer-deposited Al2O3
  Masahito Chiba; Takuma Nakano; Masamichi Akazawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4, 11, 3-4, 902, 905, 2014年, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Effects of High-Temperature Annealing on Properties of Al2O3/InAlN Interface Formed by Atomic Layer Deposition
  T. Nakano; M. Chiba; M. Akazawa
  Extended Abstracts of 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Sept. 25-27, 2013), PS-6-3-1, PS-6-3-2, 2013年09月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Effects of Chemical Treatments and Ultrathin Al2O3 Deposition on InAlN Surface Investigated by X-ray Photoelectron Spectroscopy
  Masamichi Akazawa; Takuma Nakano
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52, 8, 08JN23-1, 08JN23-3, 2013年08月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Measurement of interface-state-density distribution near conduction band at interface between atomic-layer-deposited Al2O3 and silicon-doped InAlN
  Masamichi Akazawa; Masahito Chiba; Takuma Nakano
  Applied Physics Letters, 102, 23, 231605-1, 231605-3, 2013年06月10日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Native Oxide Removal from InAlN Surfaces by Hydrofluoric Acid Based Treatment
  Takuma Nakano; Masamichi Akazawa
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C, 5, 686, 689, 2013年05月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Characterization and control of insulated gate interfaces on GaN-based heterostructures
  Tamotsu Hashizume; Masamichi Akazawa
  2013 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, CS MANTECH 2013, 329, 332, 2013年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Valence band offset at Al2O3/In0.17Al0.83N interface formed by atomic layer deposition
  M. Akazawa; T. Nakano
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 101, 12, 122110-122110-4, 2012年09月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価 (招待講演)
  橋詰 保; 堀 祐臣; 赤澤 正道
  電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 112, 154, 17, 20, 電子情報通信学会, 2012年07月, ［招待有り］, ［最終著者］
  日本語, 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
• Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces
  T. Nakano; M. Akazawa
  Workshop Digest of 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012, Naha, Okinawa, Japan, June 27-29, 2012), 242, 246, 2012年06月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Optimization of AlGaN-based spacer layer for InAlN/GaN interfaces
  M. Akazawa; B. Gao; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, 9, 3-4, 592, 595, 2012年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Investigation of Native Oxide Layers on Untreated and Chemically Treated InAlN Surfaces by X-ray Photoelectron Spectroscopy
  M. Akazawa; T. Nakano
  ECS SOLID STATE LETTERS, 1, 1, P4, P6, 2012年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures
  M. Akazawa; B. Gao; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 98, 14, 142117, 2011年04月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Investigation of polarization-induced electric field in ultrathin InAlN layers on GaN by X-ray photoelectron spectroscopy
  M. Akazawa; B. Gao; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8, 8, 7-8, 2139, 2141, 2011年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy
  M. Akazawa; B. Gao; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109, 1, 013703, 2011年01月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Surface passivation of III–V semiconductors for future CMOS devices – Past research, present status and key issues for future
  H. Hasegawa; M. Akazawa; A. Domanowska; B. Adamowicz
  Appl. Surf. Sci., 256, 19, 5698, 5707, 2010年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• High-k Al2O3 MOS structures with Si interface control layer formed on air-exposed GaAs and InGaAs wafers
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  APPLIED SURFACE SCIENCE, 256, 19, 5708, 5713, 2010年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Small valence-band offset of In0.17Al0.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy
  M. Akazawa; T. Matsuyama; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 96, 13, 132104, 2010年03月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Control of interface between HfO2 and air-exposed InGaAs by ultrathin Si interface control layer
  Masamichi Akazawa; H. Hasegawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 2, 7, 2, 351, 354, 2010年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Optimization of Si interface control layer thickness for high-k GaAs metal–insulator–semiconductor structures
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  Materials Science and Engineering B, 165, 1-2, 122, 125, 2009年11月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Current Transport, Fermi Level Pinning, and Transient Behavior of Group-III Nitride Schottky Barriers
  Hideki Hasegawa; Masamichi Akazawa
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 55, 3, 1167, 1179, 2009年09月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Current collapse transient behavior and its mechanism in submicron-gate AlGaN/GaN heterostructure transistors
  Hideki Hasegawa; Masamichi Akazawa
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 27, 4, 2048, 2054, 2009年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer
  Masamichi Akazawa; Alina Domanowska; Boguslawa Adamowicz; Hideki Hasegawa
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 27, 4, 2028, 2035, 2009年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］, ［国際共著］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Distributed pinning spot model for high-k insulator - III-V semiconductor interfaces
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 7, 122, 128, 2009年01月10日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Surface passivation technology for III–V semiconductor nanoelectronics," Applied Surface Science
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  Applied Surface Science, 255, 3, 628, 632, 2008年11月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Interface models and processing technologies for surface passivation and interface control in III-V semiconductor nanoelectronics
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  APPLIED SURFACE SCIENCE, 254, 24, 8005, 8015, 2008年10月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Admittance study of GaAs high-k metal-insulator-semiconductor capacitors with Si interface control layer
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 26, 4, 1569, 1578, 2008年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Steady state and transient behavior of currents in AlGaN/GaN planar Schottky diodes and mechanism of current collapse
  Hideki Hasegawa; Masamichi Akazawa
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 26, 4, 1542, 1550, 2008年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Mechanism and control of current transport in GaN and AlGaN Schottky barriers for chemical sensor applications
  Hideki Hasegawa; Masamichi Akazawa
  APPLIED SURFACE SCIENCE, 254, 12, 3653, 3666, 2008年04月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• PERFORMANCE COMPARISON OF InP AND AlGaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa
  2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM), 473, 476, 2008年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• GaAs high-k dielectric metal-insulator-semiconductor structure having silicon interface control layer
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9, 5, 9, 2729, +, 2008年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• High temperature sensing characteristics of a high performance Pd/AlGaN/GaN Schottky diode hydrogen sensor obtained by oxygen gettering
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 5, 6, 1959, 1961, 2008年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Formation of ultrathin SiNx∕Si interface control double layer on (001) and (111) GaAs surfaces for ex situ deposition of high-k dielectrics
  Akazawa Masamichi; Hasegawa Hideki
  Journal of Vacuum Science & Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures, 25, 4, 1481, 1490, AVS Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing, 2007年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, In order to realize pinning-free high-k dielectric metal-insulator-semiconductor (MIS) gate stack on (001) and (111)B oriented GaAs surfaces using the Si interface control layer (Si ICL) concept, formation of a SiNx/Si ICL double layer was investigated as a chemically stable structure on (001) and (111)B surfaces which allows ex situ deposition of HfO2 high-k dielectric films without losing the benefit of Si ICL. First, Si ICLs grown by molecular beam epitaxy (MBE) on (001) and (111)B GaAs surfaces with various initial surface reconstructions were investigated in detail by reflection high e...
• Hydrogen sensing characteristics and mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky diodes subjected to oxygen gettering
  Hasegawa Hideki; Akazawa Masamichi
  Journal of Vacuum Science & Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures, 25, 4, 1495, 1503, AVS Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing, 2007年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）, Hydrogen sensing characteristics in vacuum and in air were investigated on Pd Schottky diodes that were formed on AlGaN/GaN two-dimensional electron gas wafer and subjected to a surface control process for oxygen gettering. By applying the surface control process, leakage currents in Pd/AlGaN/GaN Schottky diode were greatly reduced. Such diodes showed high hydrogen detection sensitivities and fast turn-on and -off characteristics in air, although they showed very slow turn-off behavior in vacuum. From detailed measurements of current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), and current tra...
• Hydrogen sensing characteristics and mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky diodes subjected to oxygen gettering
  Hideki Hasegawaa; Masamichi Akazawa
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 25, 4, 1495, 1503, 2007年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Formation of ultrathin SiNx/Si interface control double layer on (001) and (111) GaAs surfaces for ex situ,deposition of high-k dielectrics
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 25, 4, 1481, 1490, 2007年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa; Rui Jia
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 204, 4, 1034, 1040, 2007年04月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (111)B surfaces for passivation of GaAs quantum wire devices
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 301, 951, 954, 2007年04月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa; Rui Jia
  Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 204, 4, 1034, 1040, 2007年04月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Sensing dynamics and mechanism of a Pd/AlGaN/GaN Schottky diode type hydrogen sensor
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007, 4, 7, 2629, +, 2007年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Transmission characteristics through two-dimensional periodic hole arrays perforated in perfect conductors
  T Tanaka; M Akazawa; E Sano; M Tanaka; F Miyamaru; M Hangyo
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45, 5A, 4058, 4063, 2006年05月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• X-ray photoelectron spectroscopy study of silicon interlayer based surface passivation for AlGaAs/GaAs quantum structures on (111) B surfaces
  M Akazawa; N Shiozaki; H Hasegawa
  JOURNAL DE PHYSIQUE IV, 132, 0, 95, 99, 2006年03月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Precisely controlled anodic etching for processing of GaAs-based quantum nanostructures and devices
  N Shiozaki; T Sato; M Akazawa; H Hasegawa
  JOURNAL DE PHYSIQUE IV, 132, 0, 249, 253, 2006年03月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化
  赤沢正道; 塩崎奈々子; 佐藤威友; 長谷川英機
  電子情報通信学会技術研究報告, 105, 110(ED2005 58-66), 25, 30, 一般社団法人電子情報通信学会, 2005年06月03日, ［筆頭著者, 責任著者］
  日本語, 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）, GaAs(111)B面上に形成した量子構造の表面を, Si界面制御層を用いて不活性化する方法について検討した.試料作製工程各段階における試料表面に対するXPSと, 作製された構造に対するPL測定を行った.GaAsおよびAlGaAs(111)B面の表面フェルミ準位位置はSi界面制御層の形成により伝導帯側へ移動した.また, 表面を不活性化していない試料においては, 表面と量子構造との距離の縮小に伴い量子構造からのPL発光強度が低下したが, Si界面制御層を用いて表面を不活性化した試料においては, 量子構造からのPL発光強度の回復が見られた.
• Effect of a thin dielectric layer on terahertz transmission characteristics for metal hole arrays
  M Tanaka; F Miyamaru; M Hangyo; T Tanaka; M Akazawa; E Sano
  OPTICS LETTERS, 30, 10, 1210, 1212, 2005年05月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Terahertz transmission property of a thin metal hole-array filter
  M Akazawa; Y Yamazaki; E Sano
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44, 46-49, L1481, L1483, 2005年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• 金属薄膜による表面周期構造を利用したTHz波フィルタ
  田中毅; 赤澤正道; 佐野栄一
  信学技報, 109, 296, 51, 56, 2004年09月
  日本語, 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
• Terahertz wave filter from cascaded thin-metal-film meshes with a triangular array of hexagonal holes
  T Tanaka; M Akazawa; E Sano
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 43, 2B, L287, L289, 2004年02月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• RF CMOS inductor shielded by a high-impedance surface
  Eiichi Sano; Koji Inafune; Masamichi Akazawa
  IEICE Electronics Express, 1, 8, 233, 236, 2004年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング
  赤澤正道
  電子情報通信学会和文論文誌, J86-C, 7, 718, 725, 一般社団法人電子情報通信学会, 2003年07月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  日本語, 研究論文（学術雑誌）, 単電子デバイスの準静的動作の極限において,消費電力がかからない無損失の,断熱的なスイッチング動作となることがあり得るかどうかについて考察した.通常,トランジスタに代表されるスイッチング素子においてはしきい値が存在し,そのしきい値において急激なエネルギー変化を伴うことから準静的動作による消費電力の低減には限界がある.しかし,単電子デバイスでは,デバイスの設計次第で,準静的な電圧変化に対して急激なエネルギー変化を伴わないスイッチングが可能である.本論文では,単電子デバイスの準静的動作について,その消費電力特性を数値計算により予測した結果を示す.
• Adiabatic switching by quasistatic operation of single-electron-tunneling devices
  M Akazawa
  ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS, 86, 12, 1, 9, 2003年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• A UHV contactless capacitance-voltage characterization method applicable to semiconductor layers grown on insulating substrates
  M Akazawa; H Hasegawa
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 195, 1, 248, 254, 2003年01月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Preparation of carbon nanoparticles by plasma-assisted pulsed laser deposition method - size and binding energy dependence on ambient gas pressure and plasma condition
  Y Suda; T Ono; M Akazawa; Y Sakai; J Tsujino; N Homma
  THIN SOLID FILMS, 415, 1-2, 15, 20, 2002年08月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Effects of oxygen and substrate temperature on properties of amorphous carbon films fabricated by plasma-assisted pulsed laser deposition method
  T Ono; Y Suda; M Akazawa; Y Sakai; K Suzuki
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 41, 7A, 4651, 4654, 2002年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Effects of oxygen and substrate temperature on properties of amorphous carbon films fabricated by plasma-assisted pulsed laser deposition method
  T Ono; Y Suda; M Akazawa; Y Sakai; K Suzuki
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 41, 7A, 4651, 4654, 2002年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Boltzmann machine neural network devices using single-electron tunnelling
  T. Yamada; M. Akazawa; T. Asai; Y. Amemiya
  Nanotechnology, 12, 1, 60, 67, 2001年03月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• CxFy polymer film deposition in rf and dc C₇F₁₆ vapor plasmas
  Y. Sakai; M. Akazawa; Y. Sakai; H. Sugawara; M. Tabata; C. P. Lungu; A. M. Lungu
  Transactions of Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, 2, 1, 1, 6, 2001年03月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• A Three-Dimensional Cellular Neural Network Circuit System Using A νMOS Circuit
  M. Akazawa; T. Fujiwara; Y. Amemiya
  Proceedings of 2000 IEEE International Symposium on Intelligent Signal Processing and Communication Systems (ISPACS 2000, Honolulu, Hawaii, U.S.A., November 5-8, 2000), 1061, 1066, 2000年11月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Deposition of fine carbon particles using pulsed ArF laser ablation assisted by inductively coupled plasma
  Y. Suda; T. Nishimura; T. Ono; M. Akazawa; Y. Sakai; N. Homma
  Thin Solid Films, 374, 2, 287, 290, Elsevier Sequoia SA, 2000年10月17日, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• CxFy polymer film deposition in DC and RF fluorinert vapor plasmas
  C. P. Lungu; A. M. Lungu; Y. Sakai; H. Sugawara; M. Tabata; M. Akazawa; M. Miyamoto
  Vacuum, 59, 1, 210, 219, Elsevier Science Ltd, 2000年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Quantum Hopfield Network Using Single-Electron Circuits－A Novel Hopfield Network Free from the Local-Minimum Difficulty
  M. Akazawa; E. Tokuda; N. Asahi; Y. Amemiya
  Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 24, 1, 51, 57, 2000年01月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Fluorinated carbon films with low dielectric constant made from novel fluorocarbon source materials by RF plasma enhanced chemical vapor deposition
  CP Lungu; AM Lungu; M Akazawa; Y Sakai; H Sugawara; M Tabata
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 38, 12B, L1544, L1546, 1999年12月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Multiple-valued inverter using a single-electron-tunneling circuit
  M Akazawa; K Kanaami; T Yamada; Y Amemiya
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E82C, 9, 1607, 1614, 1999年09月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Single-Flux-Quantum Logic Devices Based on the Binary Decision Diagram
  赤澤正道
  Advances in Superconductivity XI, Eds. N. Koshizuka and S. Tajima, 1271, 1274, 1999年04月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Single-electron majority logic circuits
  H Iwamura; M Akazawa; Y Amemiya
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E81C, 1, 42, 48, 1998年01月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Single-electron logic systems based on the binary decision diagram
  N Asahi; M Akazawa; Y Amemiya
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E81C, 1, 49, 56, 1998年01月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• v-MOS cellular-automaton devices for intelligent image sensors
  M Ikebe; M Akazawa; Y Amemiya
  1998 SECOND INTERNATIONAL CONFERENCE ON KNOWLEDGE-BASED INTELLIGENT ELECTRONIC SYSTEMS, KES '98, PROCEEDINGS, VOL, 3, 447, 453, 1998年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Annealing method for operating quantum-cellular-automaton systems
  M. Akazawa; Y. Amemiya; N. Shibata
  Journal of Applied Physics, 82, 10, 5176, 5184, American Institute of Physics Inc., 1997年11月15日, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• A Functional νMOS Circuit For Implementing Cellular- Automaton Picture-Processing Devices
  M. Ikebe; M. Akazawa; Y. Amemiya
  Computer Elect. Engineering, 23, 6, 439, 451, Elsevier Ltd, 1997年11月01日, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Quantum Hopfield Network Using Single-Electron Circuits
  AKAZAWA Masamichi
  Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 1997, 0, 306, 307, 1997年09月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Eliciting the potential functions of single-electron circuits
  M Akazawa; Y Amemiya
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E80C, 7, 849, 858, 1997年07月, ［査読有り］, ［招待有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Single-electron logic device based on the binary decision diagram
  N Asahi; M Akazawa; Y Amemiya
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 44, 7, 1109, 1116, 1997年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Boltzmann machine neuron circuit using single-electron tunneling
  M Akazawa; Y Amemiya
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 70, 5, 670, 672, 1997年02月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Computer-aided design of single-electron Boltzmann machine neuron circuit
  M Akazawa; T Yamada; Y Amemiya
  SISPAD '97 - 1997 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 201, 204, 1997年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Directional single-electron-tunneling junction
  M Akazawa; Y Amemiya
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 35, 6A, 3569, 3575, 1996年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• BINARY-DECISION-DIAGRAM DEVICE
  N ASAHI; M AKAZAWA; Y AMEMIYA
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 42, 11, 1999, 2003, 1995年11月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Contactless and Nondestructive Characterization of Silicon Surfaces by Capacitance-Voltage and Photoluminescence Methods
  KOYANAGI Satoshi; AKAZAWA Masamichi; HASEGAWA Hideki
  Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 1995, 0, 833, 835, 1995年08月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Investigation of Valence Band Offset Modification at GaAs-AlAs and InGaAs-InAlAs Heterointerfaces Induced by Si Interlayer
  M. Akazawa; H. Hasegawa; H. Tomozawa; H. Fujikura
  Inst. Phys. Conf. Ser., 129, 253, 258, 1993年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• INTERFACE PROFILE OPTIMIZATION IN NOVEL SURFACE PASSIVATION SCHEME FOR INGAAS NANOSTRUCTURES USING SI INTERFACE CONTROL LAYER
  S KODAMA; M AKAZAWA; H FUJIKURA; H HASEGAWA
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 22, 3, 289, 295, 1993年03月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• CONTROL OF STRUCTURE AND PROPERTIES OF COMPOUND SEMICONDUCTOR INTERFACES BY SI INTERFACE CONTROL LAYER
  H HASEGAWA; S KODAMA; K KOYANAGI; M AKAZAWA
  FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 289, 292, 1993年, ［査読有り］, ［招待有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• REAPPRAISAL OF SI-INTERLAYER-INDUCED CHANGE OF BAND DISCONTINUITY AS GAAS-ALAS HETEROINTERFACE TAKING ACCOUNT OF DELTA-DOPING
  M AKAZAWA; H HASEGAWA; H TOMOZAWA; H FUJIKURA
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 31, 8A, L1012, L1014, 1992年08月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Fabrication process and properties of InGaAs wires having Si interface control layers for removal of Fermi level pinning
  H. Fujikura; H. Tomozawa; M. Akazawa; H. Hasegawa
  Applied Surface Science, 60-61, C, 702, 709, 1992年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• CONTROL OF SURFACE AND INTERFACE FERMI-LEVEL PINNING FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOMETER-SCALE STRUCTURES
  H HASEGAWA; H FUJIKURA; M AKAZAWA; H TOMOZAWA
  INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 127, 127, 115, 118, 1992年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• CONTROL OF SURFACE AND INTERFACE FERMI-LEVEL PINNING FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOMETER-SCALE STRUCTURES
  H HASEGAWA; H FUJIKURA; M AKAZAWA; H TOMOZAWA
  QUANTUM EFFECT PHYSICS, ELECTRONICS AND APPLICATIONS, 127, 115, 118, 1992年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• CONTROL OF GAAS AND INGAAS INSULATOR-SEMICONDUCTOR AND METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES BY ULTRATHIN MOLECULAR-BEAM EPITAXY SI LAYERS
  M AKAZAWA; H ISHII; H HASEGAWA
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 30, 12B, 3744, 3749, 1991年12月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• Control of GaAs and InGaAs insulator-semiconductor and metal-semiconductor interfaces by ultrathin MBE Si layers
  Masamichi Akazawa; Hirotatsu Ishii; Hideki Hasegawa
  Conference on Solid State Devices and Materials, 686, 688, Publ by Business Cent for Acad Soc Japan, 1991年
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• PASSIVATION TECHNOLOGY USING AN ULTRATHIN SI INTERFACE CONTROL LAYER FOR AIR-EXPOSED INGAAS SURFACES
  H HASEGAWA; M AKAZAWA; E OHUE
  INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS : THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, 630, 633, 1991年, ［査読有り］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• Characterization of InGaAs Surface Passivation Structure Having an Ultathin Si Interface Control Layer
  H. Hasagawa; M. Akazawa; H. Ishii; A.Uraie; H.Iwadate; E.Ohue
  J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 4, 867, 873, 1990年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• CHARACTERIZATION OF INGAAS SURFACE PASSIVATION STRUCTURE HAVING AN ULTRATHIN SI INTERFACE CONTROL LAYER
  H HASEGAWA; M AKAZAWA; H ISHII; A URAIE; H IWADATE; E OHUE
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 8, 4, 867, 873, 1990年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• SURFACE PASSIVATION OF IN0.53GA0.47AS USING THIN SI-LAYERS BY NOVEL INSITU INTERFACE CONTROL PROCESSES
  M AKAZAWA; E OHUE; H ISHII; H IWADATE; H HASEGAWA
  SECOND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 88, 91, 1990年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
• CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR INSULATOR INTERFACES BY AN ULTRATHIN MOLECULAR-BEAM EPITAXY SI LAYER
  H HASEGAWA; M AKAZAWA; H ISHII; K MATSUZAKI
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 7, 4, 870, 878, 1989年07月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• In0.53Ga0.47As MISFETs having an ultrathin mbe si interface control layer and photo-CVD SiO2 Insulator
  Masamichi Akazawa; Hideki Hasegawa; Eiji Ohue
  Japanese Journal of Applied Physics, 28, 11 A, L2095, L2097, 1989年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
  英語, 研究論文（学術雑誌）
• GAAS AND IN0.53GA0.47AS MIS STRUCTURES HAVING AN ULTRATHIN PSEUDOMORPHIC INTERFACE CONTROL LAYER OF SI PREPARED BY MBE
  H HASEGAWA; M AKAZAWA; KI MATSUZAKI; H ISHII; H OHNO
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 27, 12, L2265, L2267, 1988年12月, ［査読有り］
  英語, 研究論文（学術雑誌）

• 光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
  JIAO Yining; 忽滑谷崇秀; 高津海; 佐藤威友; 赤澤正道, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 71st, 2024年
• p型GaN表面に発生する電荷についての検討
  JIAO Y.; 高橋尚伸; 島崎喬大; 佐藤威友; 赤澤正道, 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 85th, 2024年
• 窒化物半導体異種接合の評価と制御
  佐藤威友; 赤澤正道; 橋詰保, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 61st, 2014年
• ALD-Al₂O₃を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 (電子デバイス)
  千葉 勝仁; 中野 拓真; 赤澤 正道, 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 113, 329, 101, 105, 2013年11月28日
  原子層堆積(ALD)によるAl_2O_3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を調べた。ALD Al_2O_3膜堆積前に、保護膜を用いずに窒素雰囲気で850℃のオーミックアニールを行った試料は、低い絶縁破壊電圧と容量変化の小さなC-V特性を示し、X線光電子分光法(XPS)により、InAlNの表面がアニール炉内の微量な汚染によって酸化したことがわかった。また、Al_2O_3堆積後にオーミックアニールを行った試料は、アニール中にInAlN表面を保護したのにもかかわらず特性が改善せず、10^<13>cm^<-2>eV^<-1>台の界面準位が発生した。この結果は高温アニールによってAl_2O_3が結晶化したことに起因した可能性が高い。一方、SiN_x層を保護膜としてオーミックアニールを行い、その後ALDでAl_2O_3を堆積した試料は電気的特性が大幅に改善し、界面準位密度も伝導帯側で10^<12>cm^<-2>eV^<-1>台まで低減した。また、この試料に関して400℃で低温アニールを行ったところ、さらなる界面準位の低減が確認された。これらの結果より、作製プロセスの最適化によってAl_2O_3/InAlNの界面特性を向上させることが可能であることがわかった。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価
  山崎 雄介; 稲船 浩司; 赤澤 正道; 佐野 栄一, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 104, 693, 41, 46, 2005年02月24日
  電磁バンドギャップ(EBG)を観測するため、低温成長GaAs層上にサブテラヘルツ領域のコプレーナストリップ線路(CPS)と周期構造を設けた。最適な構造寸法を得るために有限差分時間領域(FDTD)法を用いてフルウェーブ解析を行ったところ、金属層の厚さもEBGの特性に影響することがわかった。この結果をふまえてサンプルを設計・作成し、光導電サンプリング(PCS)測定法により評価した。その結果、0.5THzに至るまでに2本のストップバンドが現れ、その間にパスバンドが観測された。またFDTD法によるシミュレーションと比較検討した結果、両者は良く一致した。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用
  稲船 浩司; 赤澤 正道; 佐野 栄一, 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 104, 296, 45, 49, 2004年09月07日
  コプレーナ導波路(CPW)の放射損失を低減する構造、及びそれをEBGフィルタへ応用した構造の数値解析の結果について報告する。CPWとフィルタのフルウェーブ解析のために、有限差分時間領域(FDTD)法を用いた。低誘電率絶縁体を用いて補強したGaAs薄膜上に構成したCPWは、放射損失を大きく低減できることが予想された。同じ基板構造のCPWをEBGフィルタへ応用した結果、この構造は高周波側のパスバンドで高い透過率を維持するために有効であることが分かった。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
  赤澤 正道; 長谷川 英機, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2002, 2, 59, 59, 2002年08月20日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価
  小野 智之; 須田 善行; 赤澤 正道; 菅原 広剛; 酒井 洋輔; 鈴木 薫, 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan, 2001, 381, 386, 2001年09月21日
  日本語
• C_7F_<16>を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果
  鉾井 耕司; 赤澤 正道; 菅原 広剛; 須田 善行; 酒井 洋輔, 電気学会研究会資料. ED, 放電研究会, 2001, 111, 13, 18, 2001年08月07日
  日本語
• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
  庄子 亮平; 橋詰 保; 吉田 俊幸; 赤澤 正道; 長谷川 英機, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 100, 641, 45, 52, 2001年02月21日
  水素終端処理を施したn-Si(001)上に種々の低温プロセスにより、極薄絶縁膜を形成し、界面特性を超高真空対応非接触C-V法およびXPS法を用いて評価した。ドライ熱酸化法では、酸化温度が低くなるに従い、著しく界面準位密度は増加し、ミッドギャップ付近に離散準位が発生することがわかった。ECR-N_2Oプラズマを用いて直接酸窒化により形成した極薄酸窒化膜/Si界面では、400℃の低温プロセスでありながら、比較的良好な界面特性が得られ、低温ドライ熱酸化法では発生した離散準位は観測されなかった。また、900℃のUHVアニールによって界面準位密度は大幅に減少することが明らかになった。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• QMESFETの提案と試作
  赤澤 正道; 葛西 誠也; 橋詰 保; 長谷川 英機, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 100, 641, 89, 96, 2001年02月21日
  極微細MOSFETの極薄ゲート酸化膜におけるトンネル電流を、高誘電体を導入せずに低減するための素子構造を提案し、その試作結果を報告する。金属ゲート電極と半導体表面との間に極薄SiO_2膜を介在させ、高濃度の極薄SOIをチャネルとし、擬似的なMESFETとして動作させる。本素子をQMESFETと呼ぶ。QMESFETにおいては、半導体表面の空乏層が擬似的なトンネルバリアとして働き、極薄ゲート酸化膜におけるトンネル電流を大幅に低減する。また、本素子を微細化することにより、ULSI素子として十分な特性を得ることができる。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• C-12-3 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワークLSI
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2000, 2, 83, 83, 2000年09月07日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• C-11-8 SOIを用いた絶縁ゲート型MESFETの試作
  赤澤 正道, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2000, 2, 76, 76, 2000年09月07日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子インバータ回路の設計と多値特性の導出
  金編 健太郎; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. CAS, 回路とシステム, 99, 550, 1, 8, 2000年01月19日
  単電子回路を用いると高機能で極低電力の集積回路を構成できる可能性がある。しかし、単電子回路は、CMOS回路と異なりパラメータ設計が複雑となることが多い。本稿では、単電子回路の基本であるインバータ回路について, 簡易的なパラメータ設計法を提案する。この簡易設計法によって、所望の特性を持つような単電子インバータ回路を簡潔に設計することができる。この簡易設計法の応用例として、多値論理システムに用いる多値インバータ回路を設計した。CMOS回路では実現困難な多値伝達特性(階段特性)のインバータを容易に得ることができた。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワーク回路
  藤原孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 信学総合大会, 2000, 128, 128, 2000年
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• Arプラズマ雰囲気中でのレーザアブレーション炭素薄膜堆積
  西村 卓真; 水野 学; 須田 善行; 酒井 洋輔; 赤澤 正道, 電気学会研究会資料. ED, 放電研究会, 1999, 148, 79, 84, 1999年10月19日
  日本語
• レーザアブレーションプルーム(カーボン)の観測
  須田 善行; 水野 学; 西村 卓真; BRATESCU M. A.; 酒井 洋輔; 赤澤 正道, 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan, 1999, 324, 329, 1999年09月08日
  日本語
• レーザアブレーション法による炭素薄膜の堆積
  西村 卓真; 水野 学; 須田 善行; 酒井 洋輔; 赤澤 正道, 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan, 1999, 317, 317, 1999年09月08日
  日本語
• C-8-2 多種の終端を持つBDDにもとづく磁束転送論理回路
  赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1999, 2, 25, 25, 1999年08月16日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• C-12-33 νMOSを用いた三次元セルラーニューラルネットワーク回路
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1999, 2, 103, 103, 1999年08月16日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術, 99, 107, 109, 116, 1999年06月10日
  CMOS LSIプロセスにより、3次元セルラーニューラルネットワーク(CNN)回路を構成する方法について報告する。ニューロンMOSを用いることにより、近傍のセルと相互作用する単位ニューロン回路を、コンパクトに構成することができる。チップ上に単位ニューロンセルを2次元配列することにより、3次元CNNを実現できる。3次元CNNの最近傍相互作用の性質により、整然とした配線が可能である。例として、強化学習問題を解く3次元CNN回路を設計した。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
  徳田 恵理子; 朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング, 98, 674, 77, 82, 1999年03月19日
  量子ホップフィールドネットワークとは、量子相関を用いてローカルミニマム現象を除去したホップフィールドネットワークである。単電子回路の協同トンネル現象を用いることで実現することができる。ここでは、単電子回路によるホップフィールドネットワークの構成法を述べる。そして協同トンネル現象による最小エネルギー状態への収束動作について説明する。次に組合せ最適化問題の例題についてネットワーク回路を設計した。動作シミュレーションによりその回路が任意の初期状態から出発して必ず最小エネルギー状態に収束することを確認した。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子回路によるボルツマンマシンデバイス
  山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング, 98, 673, 115, 120, 1999年03月18日
  単電子回路の確率性を利用したボルツマンマシンデバイスを提案する。ボルツマンマシンは確率動作のニューラルネットワークであり、最適化問題の求解などに応用分野が広い。しかし多数の確率ニューロンを必要とするので、普通の電子デバイスでつくると回路規模が膨大になって実用的ではない。ここに単電子トンネルの確率的な性質を利用すると、簡単な構成でボルツマンマシンを実現できる可能性がある。単電子回路による確率ニューロンの構成法を提案するとともに、max cut問題のネットワーク構成例と動作シミュレーションを行った。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• C-12-45 多値信号を利用したカラーペトリネットの回路化
  幸谷 真人; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1999, 2, 143, 143, 1999年03月08日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 三次元セルラーニューラルネットワーク回路
  藤原孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 信学総合大会, 1999, 144, 144, 1999年
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 二分決定グラフにもとづく磁束転送論理回路 : 32ビット加算器の回路設計
  朝日 昇; 山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス, 98, 399, 43, 50, 1998年11月16日
  二分決定グラフ(BDD)にもとづく磁束転送回路により32ビット加算器を構成する手法を述べる。BDDは有向グラフによる論理表現法であり、LSI設計で使われる種々の論理関数を簡潔に表現することができる。ここでは、同形部分グラフ置換の手法を用いて簡単化した共有BDD表現にもとづいて、高速の磁束転送形加算回路を実現した。回路を効率的に構成するために、磁束量子駆動形のBDDデバイスを提案した。シミュレーションによれば、設計した32ビット加算器の動作速度は350psであった。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 二分決定グラフ形の磁束転送論理回路
  朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998, 2, 28, 28, 1998年09月07日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• パルス幅変調にもとづく多値論理処理
  深澤 芳幸; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998, 2, 127, 127, 1998年09月07日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子ボルツマンマシンのネットワーク動作
  山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998, 7, 7, 1998年09月07日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
  徳田 恵理子; 朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998, 8, 8, 1998年09月07日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 二分決定グラフ形の磁束転送論理回路
  朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス, 98, 222, 49, 56, 1998年07月28日
  二分決定グラフ(BDD)にもとづいた磁束転送論理回路の構成方法について述べる。BDDは有向グラフによる論理表現法であり、LSI設計で使われる種々の論理関数を簡潔に表現することができる。磁束転送を利用してこのBDDを回路化することにより、高速に動作する各種の論理システムを構成することが可能である。ここでは一例として、8ビット加算器の設計と動作シミュレーションの結果を記述する。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子回路による量子ホップフィールドネットワーク : ローカルミニマム問題のないホップフィールドネットワーク
  赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング, 97, 624, 265, 271, 1998年03月20日
  ホップフィールドネットワークは組み合わせ最適化問題を解くための計算手法である。ネットワークのエネルギー関数を最適化問題のコスト関数と対応させ、ネットワークが最小エネルギー状態に収束した状態をみて問題の解を求める。しかし多くのローカルミニマムが存在するため、正解が常に得られるという保証はない。このローカルミニマムの問題を解決するため、単電子回路によりホップフィールドネットワークを構成することを提案する。単電子回路においては、2つかそれ以上の接合においてトンネル事象が同時に(コヒーレントな結合として一体的に)起こる「協同トンネル現象」がある。これを利用すれば、ローカルミニマムのない「量子ホップフィールドネットワーク」をつくることができる。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• パルス幅変調による多値論理
  深澤 芳幸; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1998, 2, 201, 201, 1998年03月06日
  一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子回路による多数決論理デバイス
  岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 97, 273, 39, 44, 1997年09月26日
  多数決論理はしきい論理のひとつであり, プール代数よりも簡単な構成で複雑な論理を実現できる. ここでは単電子回路による多数決ゲートの構成法を提案した. この多数決ゲートは, 入力の総和をとるキャパシタアレイと, しきい動作を行う単電子インバータによって構成される. 多数のゲートを組み合わせて加算器やパリティ発生器などのサブシステムを設計し, その動作をシュミレーションで確認した. 熱雑音によって引き起こされる誤動作についての見積もりも行った., 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子ステップインバータ
  朝日 昇; 赤澤 正道, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997, 2, 77, 77, 1997年08月13日
  単電子回路では、輸送電荷の離散性とクーロンブロッケード現象とが相まって、通常の電子回路には見られない様々な特性が現れる。そのためCMOS回路では得られない種々の機能が実現可能となる。たとえば、インバータ回路を例にとってパラメータ探索を行ったところ、入出力の伝達特性がステップ的に変化する「ステップインバータ」の機能が得られることが判明した。これは、しきい論理回路や多値論理回路を低電力設計するときに不可欠のものである。以下に結果を報告する。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子論理回路による擬似CMOS型可変論理デバイス
  新田 秀彦; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997, 2, 131, 131, 1997年08月13日
  単電子回路を用いてCMOS型の論理回路が構成されており, 擬似CMOS型単電子回路と呼ばれている. ところで, 単電子回路の性質を上手に利用すれば, 本来のCMOSにはない新しい機能を付加することができる. ここでは, 入力の組合わせにより論理を切り換えられる可変論理デバイスを提案する., 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 決定グラフにもとづくνMOS多値論理回路
  山田 崇史; 岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997, 2, 135, 135, 1997年08月13日
  決定グラフとはディジタル論理を有向グラフで表す手法であり、論理設計や論理検証などのCADで使われている。本研究では、多値論理の決定グラフ(MDD:Multiple-valued Decision Diagram)を実際のデバイスで構成することを提案する。具体例として、4値論理MDDをシリコン機能デバイスのνMOSで構成してみた。加算器を例にとってシミュレーション解析を行い、正しい論理動作を確認した。以下に結果を述べる, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• νMOSセルオートマトン回路の低電力設計
  池辺 将之; 本間 久仁彦; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997, 2, 134, 134, 1997年08月13日
  νMOSインバータは、多入力しきい論理に適したデバイスである。これを用いると画像処理用セルオートマトン回路をコンパクトに構成できる。しかし、しきい論理回路ではνMOSをオンとオフの中間状態で使うことが多く、そのため貫通電流を生じて消費電力が大きくなりやすい。 ここではνMOS回路の低電力設計を考える。雑音除去・輪郭抽出セルオートマトン回路を例にとり、ダイナミック形と高しきい値MOS形の2つの構成法によって低電力設計行った。以下にその詳細を示す。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子BDDデバイスによる論理回路の構成
  赤澤 正道; 朝日 昇; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 96, 573, 9, 16, 1997年03月14日
  BDD(二分決定グラフ)に基づいた単電子論理回路の構成について述べる。単位となる論理デバイス(BDDデバイス)を4つのトンネル接合で構成し、それを電子に対する2分岐スイッチとして使用する。いかなる組み合わせ論理もこのBDDデバイスの相互接続によって構成することができる。ここでは一例として、基本論理回路(NAND、NOR、XOR)と組み合わせ論理回路(4変数論理回路、4ビット加算器)を設計し、その動作をシミュレーションによって確かめた。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• BDDデバイスによるアナログ論理回路
  深澤 芳幸; 赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1997, 2, 192, 192, 1997年03月06日
  二分決定グラフ(BDD)は, ブール代数式や真理値表とは異なる方法, 有向グラフによってディジタル論理を表す手法である。もともと論理設計や論理検証に使われていたが, 最近になって実際のデバイスでBDD論理を組むという研究が報告されるようになった。ここでは, BDDの適用範囲をアナログに拡大することを提案する。これによって新しい応用が生まれる可能性がある。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 単電子回路によるアナログ信号処理
  赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1997, 2, 196, 196, 1997年03月06日
  単電子現象は本質的に離散現象なので, それを利用した単電子回路も本来はデジタル論理に適したものである。しかしアナログ回路の開発も将来に向けて必要とされる。ここでは電子密度変調によるアナログ表現法を提案し, そのための回路構成を考えてみた。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 量子セルオートマトンによる論理回路の動作可能性
  赤澤 正道; 雨宮 好仁, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1996, 2, 253, 254, 1996年09月18日
  量子セルの近接相互作用を利用したセルオートマトン(QCA)が提案されている。しかしこれまでのところセル配列の静的な安定状態を考察するに留まり、システム全体として動作するかどうかは理論的にも実験的にも検証されていない。そこで著者は種々の観点からその動作可能性を検討し、アニーリングによる駆動を行えばシステム動作が可能であろう、との予測を行った。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• PMOSFETのSiO_2-Si界面における燐のパイルアップモデル
  青木 隆宏; 赤澤 正道; 田澤 聡, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1996, 2, 127, 127, 1996年09月18日
  計算機上でプロセス・デバイス・回路をシミュレートし、デバイスの特性を予測するTechnology CAD技術は短TATな製造技術の開発に必要である。特性予測をより正確に行うには地道な実験データの蓄積とモデリングが必須である。一般にpチャネルMOSFETにおいて、nウェル形成用の燐ドーパントにはパイルアップ現象があることが知られており、この現象を取り扱っていない従来のシミュレータでは、デバイス特性予測を大きく狂わすことが知られている。また、SiO2-Si界面において酸化工程、アニール工程後の燐ドーパントの再分布(偏析)があることも一般的に知られている。本報告では、燐ドーパントのパイルアップ現象をモデル化し、種々のプロセス水準に対するpチャネルMOSFETのしきい値電圧の実測結果と比較した結果を述べる。, 一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
• 量子効果デバイスでLSIをつくるには-量子現象と情報処理をいかに結びつけるか-
  雨宮 好仁; 赤澤 正道, 應用物理, 64, 8, 765, 768, 1995年08月10日
  応用物理学会, 日本語
• 半絶縁性基板の表面電気伝導および表面不活性化
  佐々木 恵二; 赤沢 正道; 塩原 俊助; 長谷川 英機, 北海道大学工学部研究報告, 170, p35, 43, 1994年07月
  北海道大学 = Hokkaido University, 日本語
• シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用
  大植 英司; 赤沢 正道; 児玉 聡; 長谷川 英機, 北海道大学工学部研究報告, 156, p51, 58, 1991年07月
  北海道大学 = Hokkaido University, 日本語
• DLTS法によるInGaAs MIS構造の評価
  浦家 淳博; 赤沢 正道; 長谷川 英機, 釧路工業高等専門学校紀要, 24, 53, 58, 1990年12月20日
  釧路工業高等専門学校, 日本語

• 第２版 応用物理ハンドブック 応用物理学会編
  赤澤正道, 第9章 半導体デバイス 9.12半導体センサとトランスデューサ 9.12.1 磁電効果デバイス, p.643; 9.12.2 熱電効果デバイス, p.644; 9.12.4 放射線検出デバイス, p.645.
  丸善, 2002年04月, ［分担執筆］
• 電子情報通信ハンドブック 6-13編 新概念集積回路
  雨宮好仁; 宮永喜一; 赤澤正道, pp. 808 - 814
  オーム社, 1998年06月, ［分担執筆］

• Mgイオン注入GaNに対する活性化RTA前の850℃先行熱処理が活性化後に形成されたMOS構造の特性に及ぼす影響
  唐沢 陽向; 高橋 尚伸; 赤澤 正道; 金木 奨太; 横山 正史; 藤倉 序章
  2026年春季応用物理学会学術講演会, 2026年03月16日, 応用物理学会, 日本語, 口頭発表（一般）
  2026年03月15日 - 2026年03月18日, 東京, 日本国, 47958768;44494238;33660220;47958870, ［国内会議］
• p-GaN MOS構造に生じる界面近傍ドナー欠陥の起源
  高橋 尚伸; 嶋崎 喬大; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2026年春季応用物理学会学術講演会, 2026年03月16日, 応用物理学会, 日本語, 口頭発表（一般）
  2026年03月15日 - 2026年03月18日, 東京, 日本国, 47958768;44494238;33660220, ［国内会議］
• MOS界面とオーム性接触に対する同時低温熱処理を適用した反転型GaN MOSFETの試作
  赤羽 陽斗; 唐沢 陽向; 高橋 尚伸; 赤澤 正道
  2026年春季応用物理学会学術講演会, 2026年03月15日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2026年03月15日 - 2026年03月18日, 東京, 日本国, 47958768;44494238;33660220, ［国内会議］
• Effects of long-term 850℃ pre-annealing prior to rapid activation annealing at 1250℃ on Mg-ion implanted GaN studied by using MOS structures
  H. Karasawa; M. Takahashi; M. Akazawa
  18th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 19th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2026/IC-PLANTS2026, Meijo University, Nagoya, Aichi, Japan, March 2–6, 2026)., 2026年03月05日, 英語, 口頭発表（一般）
  2026年03月02日 - 2026年03月06日, 名古屋, 日本国, 47958870;33660220, ［国際会議］
• p型GaNを用いたMOS構造における界面近傍欠陥の低損傷エッチングと熱処理による制御
  高橋尚伸; 嶋崎喬大; 佐藤威友; 赤澤正道
  電子情報通信学会ED/CMP/LQE 合同研究会, 2025年11月21日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年11月20日 - 2025年11月21日, 47958768;44494238;33660220, ［国内会議］
• 光電気化学エッチングと850℃アニールを組み合わせた p-GaN MOS界面の制御の試み
  高橋 尚伸; 嶋崎 喬大; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2025年秋季応用物理学会学術講演会, 2025年09月10日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2025年09月07日 - 2025年09月10日, 名古屋, 日本国, 47958768;44494238;33660220, ［国内会議］
• Mgイオン注入GaNに対する活性化熱処理前の850℃熱処理の効果についてのMOS構造を用いた評価
  唐沢 陽向; 高橋 尚伸; 赤澤 正道
  2025年秋季応用物理学会学術講演会, 2025年09月10日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2025年09月07日 - 2025年09月10日, 名古屋, 日本国, 47958768;44494238;47958870, ［国内会議］
• [招待講演] GaN MOS界面制御の重要性
  赤澤正道; 佐藤威友
  IEICE-SDM IEICE-ICD ITE-IST 合同研究会, 2025年08月08日, 電子情報通信学会、映像情報メディア学会, 日本語, 口頭発表（一般）
  2025年08月06日 - 2025年08月08日, 札幌, 日本国, 47958768;44494238;33660220, ［招待講演］, ［国内会議］
• Suppression of hole injection into near-interface traps by inserting AlN interfacial layer between AlSiO and GaN
  M. Akazawa; M. Takahashi; K. Itoh; T. Narita
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15, Clarion Hotel Malmö Live, Malmö, Sweden, July 6–11, 2025), 2025年07月09日, 英語, 口頭発表（一般）
  2025年07月06日 - 2025年07月11日, マルメ, スウェーデン王国, 47958768;44494238;33660220, ［国際会議］
• Investigation of GaN MOS structures with SiO2 formed by atomic layer deposition using bis (ethyl-methyl-amino) silane and ozone
  M. Takahashi; Y. Jiao; M. Akazawa
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15, Clarion Hotel Malmö Live, Malmö, Sweden, July 6–11, 2025), 2025年07月07日, 英語, ポスター発表
  2025年07月06日 - 2025年07月11日, マルメ, スウェーデン王国, 47958768;44494238;33660220, ［国際会議］
• Effects of Pre-Annealing at 850 ℃ Using AlON Cap Layer on Properties of GaN MOS Interfaces
  M. Akazawa; G. Shindo; M. Takahashi
  Compound Semiconductor Week 2025 (CSW2025, Banff Centre for Arts and Creativity, Banff, Alberta, Canada, May 27–30, 2025), 2025年05月29日, 英語, 口頭発表（一般）
  2025年05月27日 - 2025年05月30日, 47958768;44494238;47958870, ［国際会議］
• AlON表面保護膜を用いた脱水素アニールがp-GaN MOS界面に与える影響
  高橋 尚伸; 焦 一寧; 赤澤 正道
  2025年春季応用物理学会学術講演会, 2025年03月14日, 日本語, ポスター発表
  2025年03月14日 - 2025年03月17日, 47958768;33660220;44494238, ［国内会議］
• Reduction of positive fixed charges at Al2O3/p-GaN interface by pre-annnealing using AlON cap layer
  Masanobu Takahashi; Yining Jiao; Masamichi Akazawa
  17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 18th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2025/IC-PLANTS2025, Chubu University, Kasugai, Aichi, Japan, March 3–7, 2025)., 2025年03月05日, 英語, ポスター発表
  2025年03月03日 - 2025年03月07日, 47958768;44494238;33660220, ［国際会議］
• Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing Prior to Activation Annealing on Near-Conduction-Band-Edge Gap States in Vicinity of Mg-Ion-Implanted GaN Surface
  Y. Luo; Y. Hatakeyama; M. Akazawa
  32nd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM32, Hotel Monterey Edelhof Sapporo, Sapporo, Japan, Nov. 18–20, 2024), 2024年11月18日, 英語, ポスター発表
  2024年11月18日 - 2024年11月20日, 日本国, 33660220;13864903, ［国際会議］
• X-Ray Photoelectron Spectroscopy Monitoring of Fermi Level Position at Mg-Doped p-Type GaN Surface During MOS Interface Formation
  Y. Jiao; M. Takahashi; M. Akazawa
  32nd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM32, Hotel Monterey Edelhof Sapporo, Sapporo, Japan, Nov. 18–20, 2024), 2024年11月18日, 英語, ポスター発表
  2024年11月18日 - 2024年11月20日, 日本国, 47958768;33660220, ［国際会議］
• Investigation of Charges Originated from Near-Surface Defects I p-type GaN Using X-ray Photoelectron Spectroscopy and MOS Diodes
  M. Akazawa; Y. Jiao; M. Takahashi; T. Shimazaki; T. Sato
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024, Hilton Hawaiian Village, O’ahu, Hawai’i, USA, Nov. 3–8, 2024), 2024年11月05日, 英語, 口頭発表（一般）
  2024年11月03日 - 2024年11月08日, ホノルル, アメリカ合衆国, 47958768;44494238;33660220, ［国際会議］
• Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(3)
  新藤 源大; 畠山 優希; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2024年09月16日 - 2024年09月20日, 新潟, 日本国, 47958768;44494238;40296562, ［国内会議］
• Mgイオン注入後2段階アニールを行ったGaN中の伝導帯付近禁制帯内準位のMOS構造を用いた評価 (2)
  羅 宇瀏; 畠山 優希; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日, 日本語, ポスター発表
  2024年09月16日 - 2024年09月20日, 33660220;47958768;44494238
• GaNに対するSiO2キャップアニールの効果についてのXPS評価
  高橋 尚伸; 焦 一寧; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2024年09月16日 - 2024年09月20日, 新潟, 日本国, 33660220;47958768;44494238, ［国内会議］
• p型GaN表面に発生する電荷についての検討
  焦 一寧; 高橋 尚伸; 島崎 喬大; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日, 応用物理学会, 日本語, 口頭発表（招待・特別）
  2024年09月16日 - 2024年09月20日, 新潟, 日本国, 33660220;47958768;44494238, ［国内会議］
• Effects of Moderate-Temperature Annealing on Near-Surface Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using MOS Structures
  G. Shindo; Y. Hatakeyama; M. Akazawa
  2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024, Arcrea Himeji, Himeji, Hyogo, Japan, Sept. 1 – 4, 2024)., 2024年09月03日, 英語, ポスター発表
  2024年09月01日 - 2024年09月04日, 47958870
• Investigation of Charges Originated from Near-Surface Defects in p-type GaN Using X-ray Photoelectron Spectroscopy and MOS Diodes
  M. Akazawa; Y. Jiao; M. Takahashi; T. Shimazaki; T. Sato
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024, Lund University, Lund, Sweden, June 3–6, 2024)., 2024年06月03日, 英語, ポスター発表
  2024年06月03日 - 2024年06月06日, ルンド, スウェーデン王国, 47958768;33660220;13864903;44494238, ［国際会議］
• Mgイオン注入後2段階アニールを行ったGaN中の伝導帯付近禁制帯内準位のMOS構造を用いた評価
  羅 宇瀏; 畠山 優希; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年03月22日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2024年03月22日 - 2024年03月25日, 東京, 日本国, 44494238;33660220, ［国内会議］
• MgとNのイオン共注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価
  畠山 優希; 加地徹; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年03月22日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2024年03月22日 - 2024年03月25日, 東京, 33660220;44494238, ［国内会議］
• Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(2)
  新藤 源大; 畠山 優希; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年03月22日, 日本語, ポスター発表
  2024年03月22日 - 2024年03月25日, 44494238;47958870
• 光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
  焦 一寧; 忽滑谷 崇秀; 高津 海; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2024年応用物理学会秋季学術講演会, 2024年03月22日, 応用物理学会, 日本語, ポスター発表
  2024年03月22日 - 2024年03月25日, 東京, 日本国, 33660220, ［国内会議］
• Effects of SiO₂-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al₂O₃/p-type GaN Interfaces
  Yining Jiao; Takahide Nukariya; Umi Takatsu; Taketomo Sato; Masamichi Akazawa
  16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3–7, 2024), 2024年03月04日, 英語, ポスター発表
  2024年03月03日 - 2024年03月07日, 日本国, 33660220, ［国際会議］
• MOS-structure based study of defects in Mg-ion-implanted GaN
  Y. Hatakeyama; Y. Luo; G. Shindo; M. Akazawa
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023, Nagoya University, Nagoya, Japan, December 1-3, 2023), 2023年12月02日, 英語, 口頭発表（一般）
  2023年12月01日 - 2023年12月03日, 33660220, ［国際会議］
• MOS interface technologies for high-power and high-frequency GaN transistors (invited)
  T. Hashizume; M. Akazawa
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023), 2023年11月14日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  2023年11月12日 - 2023年11月17日, ［招待講演］, ［国際会議］
• Interface Properties of p-type GaN MOS Structures Examined by Sub-Bandgap-Light-Assisted Capacitance–Voltage Measurement
  T. Nukariya; J. Yining; U. Takatsu; T. Sato; M. Akazawa
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023)., 2023年11月14日, 英語, ポスター発表
  2023年11月12日 - 2023年11月17日, 33660220, ［国際会議］
• Detection of Gap States Originated from Ga-Interstitial and Divacancy Defects in Mg-Implanted GaN Using MOS Structures
  Y. Hatakeyama; G. Shindo; Y. Luo; M. Akazawa
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023)., 2023年11月14日, 英語, 口頭発表（一般）
  2023年11月12日 - 2023年11月17日, 33660220, ［国際会議］
• AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御
  富樫拓也; 沖勇吾; 大澤由斗; 越智亮太; 赤澤正道; 佐藤威友
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月22日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2023年09月20日 - 2023年09月23日
• 光電気化学エッチングを施したp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C–V測定
  忽滑谷 崇秀; 焦 一寧; 高津 海; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月22日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2023年09月20日 - 2023年09月23日, 33660220
• MgとNのイオン共注入を行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価
  畠山 優希; 赤澤 正道
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月22日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2023年09月20日 - 2023年09月23日, 33660220
• GaNの コンタクトレス光電気化学（ CL-PEC）エッチングにおける溶液 pHの影響
  大澤 由斗; 赤澤 正道; 佐藤 威友
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月21日, 日本語, ポスター発表
  2023年09月20日 - 2023年09月23日
• Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価
  新藤 源大; 畠山 優希; 赤澤 正道
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月21日, 日本語, ポスター発表
  2023年09月20日 - 2023年09月23日
• Mgイオン注入後低温アニールを行ったGaNのMOS構造を用いた評価
  羅 宇瀏; 畠山 優希; 赤澤 正道
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月21日, 日本語, ポスター発表
  2023年09月20日 - 2023年09月23日, 33660220
• p-GaN MOS構造界面特性の絶縁膜依存性
  焦 一寧; 忽滑谷 崇秀; 赤澤 正道
  2023年秋季応用物理学会学術講演会, 2023年09月21日, 日本語, ポスター発表
  2023年09月20日 - 2023年09月23日, 33660220
• Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing on Lightly Mg-Implanted GaN
  M. Akazawa; Y. Luo; Y. Hatakeyama
  21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023, Kyoto University, Kyoto, Japan, June 8-9, 2023), 2023年06月08日, 応用物理学会, 英語, 口頭発表（一般）
  2023年06月08日 - 2023年06月09日, 京都大学、京都, 日本国, 33660220, ［国際会議］
• AlGaN/GaN HEMTs におけるフェルミレベルピンニングに対する PEC エッチングの効果
  越智 亮太; 富樫 拓也; 大澤 由斗; 堀切 文正; 福原 昇; 赤澤 正道; 佐藤 威友
  2023年秋春応用物理学会学術講演会, 2023年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2023年03月15日 - 2023年03月18日
• Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V特性
  忽滑谷 崇秀; 玉村 祐也; 久保 広大; 高津 海; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2023年秋春応用物理学会学術講演会, 2023年03月16日, 日本語, ポスター発表
  2023年03月15日 - 2023年03月18日, 33660220
• Mgイオン注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価
  畠山 優希; 赤澤 正道; 成田 哲生; Michal Bockowski; 加地 徹
  2023年秋春応用物理学会学術講演会, 2023年03月16日, 日本語, ポスター発表
  2023年03月15日 - 2023年03月18日, 33660220, ［国内会議］, ［国際共著］
• Impact of ultra-high-pressure annealing on interface state density distribution near conduction band at Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface
  Y. Hatakeyama; M. Akazawa; T. Narita; M. Bockowski; T. Kachi
  15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2023/IC-PLANTS2023, Gifu University, Gifu, Japan, March 5–9, 2023), 2023年03月07日, 英語, ポスター発表
  2023年03月05日 - 2023年03月09日, 岐阜市, 日本国, 33660220;13864903, ［国際会議］, ［国際共著］
• Impact of photoelectrochemical etching on Al2O3/p-GaN interface
  M. Akazawa; T. Nukariya; Y. Tamamura; K. Kubo; T. Sato
  2022 Internationa Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022), 2022年10月10日, 英語, ポスター発表
  2022年10月09日 - 2022年10月14日, Berlin, ドイツ連邦共和国, 33660220, ［国際会議］
• GaN MOS界面制御とパワートランジスタ応用
  橋詰 保; 赤澤正道
  2022年秋季応用物理学会学術講演会シンポジウム, 2022年09月21日, 日本語, 口頭発表（招待・特別）
  2022年09月20日 - 2022年09月23日, 仙台市, ［招待講演］, ［国内会議］
• 低濃度Mgイオン注入後高温キャップアニールしたGaNにおける伝導帯付近界面準位のn-GaN MOS構造を利用した評価
  畠山 優希; 赤澤 正道
  2022年秋季応用物理学会学術講演会, 2022年09月20日, 日本語, ポスター発表
  2022年09月20日 - 2022年09月23日, 仙台市, 33660220, ［国内会議］
• Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果
  忽滑谷 崇秀; 玉村 祐也; 久保 広大; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  2022年秋季応用物理学会学術講演会, 2022年09月20日, 日本語, ポスター発表
  2022年09月20日 - 2022年09月23日, 33660220, ［国内会議］
• Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対するGaN表面近傍欠陥準位の影響 (2)
  玉村 祐也; 忽滑谷 崇秀; 赤澤 正道
  2022年秋季応用物理学会学術講演会, 2022年09月20日, 日本語, ポスター発表
  2022年09月20日 - 2022年09月23日, 仙台市, 33660220, ［国内会議］
• Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対するGaN表面近傍欠陥準位の影響
  玉村 祐也; 忽滑谷 崇秀; 赤澤 正道
  2022年春季応用物理学会学術講演会, 2022年03月24日, 日本語, ポスター発表
  2022年03月22日 - 2022年03月26日, 相模原市, 33660220, ［国内会議］
• Photo-assisted C–V measurement of p-GaN MOS diodes
  Y. Tamamura; T. Nukariya; M. Akazawa
  14th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials/15th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasam2022/IC-PLANTS2022), 2022年03月09日, 英語, ポスター発表
  2022年03月06日 - 2022年03月10日, 33660220, ［国際会議］
• Detection of Interstitial-Defect Levels in Mg-Ion-Implanted GaN Using MOS Diodes
  M. Akazawa; Shunta Murai; Yuya Tamamura
  31th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), 2021年07月29日, 英語, ポスター発表
  2021年07月26日 - 2021年07月30日, 33660220, ［国際会議］
• A Defect Level Generated in GaN by High-Temperature Annealing with AlN Encapsulation
  M. Akazawa; Yuya Tamamura; S. Murai
  13th International Symposium on Advanced Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasam2021/IC-PLANTS2021), 2021年03月09日, 英語, ポスター発表
  2021年03月07日 - 2021年03月11日, 13864903, ［国際会議］
• Mgイオン注入GaNに対する低温熱処理の効果における表面保護膜材料依存性
  村井 駿太; 呉 恩誠; 赤澤 正道; 加地 徹
  2020年秋季応用物理学会学術講演会, 2020年09月10日, 日本語, 口頭発表（一般）
  2020年09月08日 - 2020年09月11日, オンライン, 33660220
• Impact of Cap-Layer Materials Used in Long-Term Low-Temperature Annealing on Electrical Properties of Mg-Ion Implanted GaN
  M. Akazawa; S. Murai; R. Kamoshida; E. Wu; T. Kachi
  62nd Electronic Materials Conference (EMC2020, Virtual Holding, June 24-26, 2020), 2020年06月25日, 英語, ポスター発表
  2020年06月24日 - 2020年06月26日, 13864903
• Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing on Mg-Ion Implanted GaN
  Shunta Murai; Ryo Kamoshida; M. Akazawa
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, Nov. 10 – 15, 2019)., 2019年11月14日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Effects of Surface Oxide Reduction Prior to Metallization on Electrical Properties of GaN-on-GaN Schottky Diodes
  K. Isobe; M. Akazawa
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, Nov. 10 – 15, 2019)., 2019年11月12日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• InAlNプラズマ酸化膜のXPSによる評価
  北脇侑弥; 赤澤正道
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Mgイオン注入したGaNに対する長時間低温熱処理の効果
  村井駿太; 鴨志田亮; 赤澤正道
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Mgイオンを注入したGaNで構成したMOSダイオードの界面準位アドミッタンスの解析
  鴨志田亮; 村井駿太; 赤澤正道
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• GaNショットキー障壁ダイオードに対するフォトリソグラフィー現像工程の影響
  磯部一輝; 赤澤正道
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Effects of Deep Level States Generated by Mg-Ion Implantation on Electrical Properties of GaN MOS Diodes before Activation Annealing
  R. Kamoshida; S. Murai; M. Akazawa
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019, Nagoya University, Nagoya, Japan, Sept. 2 – 5, 2019), 2019年09月04日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Detection of Deep Level States Generated in GaN by Mg-Ion Implantation Using Conductance Method for MOS Diodes
  M. Akazawa; R. Kamoshida
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13, Hyatt Regency Bellevue, Bellevue, Washington, USA, July 7-12, 2019), 2019年07月09日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Investigation of Impact of Dosage on Electrical Properties of Mg-Ion-Implanted GaN before Activation Annealing Using MOS Structures
  Ryo Kamoshida; Kei Uetake; Shunta Murai; Masamichi Akazawa
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW219, Kasugano International Forum, Nara, Japan, May 19 – 23, 2019), 2019年05月21日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Control of SiO2/InAlN Interface by Plasma Surface Oxidation
  Shouhei Kitajima; Masamichi Akazawa
  11th International Symposium on Advanced Science and its Appliaction for Nitrides and Nanomaterials/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2019/IC-PLANTS2019, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan, March 17-20), 2019年03月18日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Mgイオン注入後高温熱処理前のGaNの電気的特性に対するドーズ量の影響(2)
  鴨志田亮; 植竹啓; 村井駿太; 赤澤正道
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• GaN on GaNショットキー障壁ダイオードに対する表面処理の効果
  磯部一輝; 赤澤正道
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Investigation of Effect of Low-Temperature Annealing and Dosage on Mg-Ion-Implanted GaN Using MOS Structure
  Kei Uetake; Ryo Kamoshida; Masamichi Akazawa
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018, Kanazawa, Ishikawa, Japan, November 11 - 16, 2018), 2018年11月11日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Investigation of Surface Pretreatment for Schottky Contacts on n-GaN on GaN Substrate
  Kazuki Isobe; Masamichi Akazawa
  14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 2018年10月23日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Control of SiO2/InAlN Interface Using Sub-nm-Thick Al2O3 Interlayer
  Shouhei Kitajima; Masamichi Akazawa
  14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 2018年10月22日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Investigation of Lightly Mg-Ion-Implanted GaN Using MOS Structure
  Masamichi Akazawa; Kei Uetake; Ryo Kamoshida
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月19日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国内会議］
• Al2O3超薄膜膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性(2)
  北嶋翔平; 赤澤正道
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Mgイオン注入後高温熱処理前のGaNの電気的特性に対するドーズ量の影響
  鴨志田亮; 植竹啓; 赤澤正道
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• GaNの表面フェルミ準位位置とショットキー障壁高金属仕事関数依存性
  磯部一輝; 赤澤正道
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Thermal behavior of defects generated in GaN by low-dose Mg-ion implantation
  Masamichi Akazawa; Naoshige Yokota; Kei Uetake
  Compound Semiconductor Week 2018, 2018年05月28日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Mgイオン注入したGaNの電気的特性の熱処理による変化(2)
  植竹啓; 横田直茂; 赤澤正道
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月19日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
  北嶋翔平; 赤澤正道
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月17日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Al2O3およびプラズマ酸化物超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
  北嶋翔平; 赤澤正道
  第53回応用物理学会北海道支部／第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 2018年01月06日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• Al2O3超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
  北嶋翔平; 赤澤正道
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月07日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Mgイオン注入したGaNの電気的特性の熱処理による変化
  横田直茂; 植竹啓; 赤澤正道
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月07日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• 絶縁体超薄膜挿入によるGaNショットキーダイオード特性の変化
  長谷崎泰斗; 赤澤正道
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月07日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Measurement of Electronic States Generated in GaN by Mg Ion Implantation
  N. Yokota; K. Uetake; M. Akazawa
  29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017, Matsue, Shimane, Japan, July 31 – Aug. 4, 2017), 2017年07月31日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Modification of Fermi-level pinning at metal/GaN interface by inserting ultrathin Al2O3 interlayers
  M. Akazawa; T. Hasezaki
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12, Strasbourg, France, July 24-28, 2017), 2017年07月24日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Al2O3超薄膜層を挿入したSiO2/InAlN界面の特性―Al2O3膜厚依存性―
  清野惇; 赤澤正道
  第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月16日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Mgイオン注入によりGaN中に発生する電子準位の電気的評価
  横田直茂; 赤澤正道
  第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月16日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• Al2O3超薄膜挿入によるGaNショットキー障壁高の変化
  長谷崎泰斗; 赤澤正道
  第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月16日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Reduction of Interface State Density at SiO2/InAlN Interface by Inserting Ultrathin Interlayers
  M. Akazawa; A. Seino; N. Yokota; T. Hasezaki
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016, Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA, October 2 - 7, 2016), 2016年10月05日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• プラズマ酸化層を挿入したSiO2/InAlN界面の特性
  清野 惇; 横田 直茂; 赤澤 正道
  2016年＜第77回＞応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月14日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• プラズマCVDSIO2/InAlN界面へのAl2O3超薄膜挿入の効果
  清野惇; 長谷崎泰斗; 横田直茂; 赤澤正道
  2016年<第63回>応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月20日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Characterization of Surfaces and Interfaces of InAlN
  Masamichi Akazawa
  2016 RCIQE International Seminar, 2016年03月08日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［国際会議］
• Nature and Origin of Interface States at Dielectric/III-N Heterojunction Interfaces
  Maciej Matys; Boguslawa Adamowicz; Roman Stoklas; Masamichi Akazawa; Zenji Yatabe; Tamotsu Hashizume
  2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, 2015年11月29日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• プラズマCVDにより形成されたSiO2/InAlN界面の評価
  清野 惇; 赤澤 正道
  2015年＜第76回＞応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月13日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• [Invited] Characterization of Surfaces and Interfaces of InAlN/GaN Heterostructures
  M. Akazawa; T. Hashizume
  11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11, Beijing, China, Aug. 30 - Sept. 4, 2015), 2015年08月30日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［国際会議］
• Al2O3/InAlN界面特性のプロセス依存性
  千葉 勝仁; 赤澤 正道
  2015年＜第62回＞応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月11日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• 2段階ALD成膜Al2O3/InAlN界面のMOSHEMTへの応用
  小棚木 陽一郎; 赤澤 正道; Joel T. Asubar; 谷田部 然治; 橋詰 保
  2014年＜第75回＞応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月17日, 日本語, ポスター発表
  ［国内会議］
• Impact of Annealing on Properties of ALD Al2O3/InAlN Interfaces
  M. Akazawa; T. Nakano; M. Chiba
  56th Electronic Materials Conference (EMC56, UCSB, Santa Barbara, California, USA, June 25-27, 2014), 2014年06月25日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Process-dependent properties of InAlN surface and ALD-Al2O3/InAlN interface
  M. Akazawa; M. Chiba; T. Nakano
  2014 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CSMANTECH 2014, Sheraton Downtown Denver, Denver, Colorado, USA, May 19-22, 2014), 2014年05月19日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 2 段階ALD により形成されたAl2O3/InAlN 界面の特性
  中野拓真; 千葉勝仁; 小棚木陽一郎; 赤澤正道
  2014年＜第61回＞応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• ALD Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの特性に対するアニールの効果
  千葉勝仁; 中野拓真; 赤澤正道
  2014年＜第61回＞応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月17日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• 窒化物半導体異種接合の評価と制御(招待講演)
  佐藤威友; 赤澤正道; 橋詰保
  2014年＜第61回＞応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月17日, 日本語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国内会議］
• Investigation of High-Temperature Annealed ALD-Al2O3/InAlN Interface
  M. Akazawa; T. Nakano; M. Chiba
  12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Conference on Scanning Probe Microscopy (ACSIN-12 & ICSPM21, Tsukuba, Japan, November 4 - 8, 2013), 2013年11月07日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• ALD-Al2O3 を有するInAlN MOS 構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響
  千葉勝仁; 中野拓真; 赤澤正道
  電子情報通信学会電子デバイス研究会, 2013年10月13日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• Effects of High-Temperature Annealing on Properties of Al2O3/InAlN Interface Formed by Atomic Layer Deposition
  T. Nakano; M. Chiba; M. Akazawa
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Sept. 25-27, 2013), 2013年09月26日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• ALD-Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討
  千葉勝仁; 中野拓真; 赤澤正道
  2013年＜第74回＞応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• 高温熱処理を挟む2 段階ALD プロセスによるAl2O3/InAlN 界面特性の向上
  中野拓真; 千葉勝仁; 赤澤正道
  2013年＜第74回＞応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• Dependence of ALD-Al2O3/InAlN interface properties on fabrication process
  T. Nakano; M. Chiba; M. Akazawa
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10, Washington, DC, Aug. 25-30, 2013), 2013年08月26日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Characterization and Control of insulated Gate Interface on GaN-Based heterostructures (invited)
  T. Hashizume; M. Akazawa
  2013 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, p.329-332 (CS MANTEC2013, Hilton New Orleans Riverside, New Orleans, Louisiana, USA, May 13-16, 2013), 2013年05月13日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• ALD-Al2O3/InAlN界面に対する熱処理の効果
  中野 拓真; 赤澤 正道
  2013年＜第60回＞応用物理学会春季学術講演解, 2013年03月28日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［国内会議］
• InAlN/GaNヘテロ構造の表面・界面の評価と制御
  赤澤正道; 橋詰保
  2013年＜第60回＞応用物理学会春季学術講演会シンポジウム, 2013年03月27日, 日本語, 口頭発表（一般）
  ［招待講演］, ［国内会議］
• Insulated gate technologies for high-performance GaN transistors (invited)
  T. Hashizume; Y. Hori; S. Kim; Z. Yatabe; M. Akazawa
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012, Sapporo, Japan, October 14 - 19, 2012), 2012年10月18日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Effects of surface treatment on InAlN investigated by X-ray photoelectron spectroscopy
  M. Akazawa; T. Nakano
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012, Sapporo, Japan, October 14 - 19, 2012), 2012年10月16日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• InAlN表面に対する弗化水素酸処理の効果
  中野拓真; 赤澤正道
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM), 2012年08月27日, 日本語
• AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価
  橋詰保; 堀祐臣; 赤澤正道
  電子情報通信学会技術研究報告, 2012年07月19日, 日本語
• 溶液処理によるInAlN表面自然酸化膜の除去
  中野拓真; 赤澤正道
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD−ROM), 2012年02月29日, 日本語
• Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces
  T. Nakano; M. Akazawa
  2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012, Naha, Okinawa, Japan, June 27-29, 2012), 2012年01月28日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• InドープしたMOVPE成長AlGaN膜の内部電界
  赤澤正道; 赤澤正道; GAO B; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM), 2011年08月16日, 日本語
• Al₂O₃/InAlN/AlGaN/GaN構造におけるAlGaNスペーサ層の検討
  GAO B; 赤澤正道; 赤澤正道; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM), 2011年08月16日, 日本語
• Optimum AlGaN Spacer Layer in Al2O3/InAlN/AlGaN/GaN Structures
  M. Akazawa; B. Gao; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9, Glasgow, UK, July 10-15, 2011), 2011年07月12日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Al₂O₃/InAlN/AlGaN/AlN/GaN構造のC‐V特性
  GAO B; 赤澤正道; 赤澤正道; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD−ROM), 2011年03月09日, 日本語
• InドープしたMOVPE成長AlGaN超薄膜内電界のXPSによる評価
  赤澤正道; 赤澤正道; GAO B; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD−ROM), 2011年03月09日, 日本語
• Investigation of polarization-induced electric field in ultrathin InAlN films on GaN by X-ray photoelectron spectroscopy
  M. Akazawa; B. Gao; T. Hashizume; M. Hiroki; S. Yamahata; N. Shigekawa
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010, Tampa, Florida, USA, September 19 - 24, 2010), 2010年09月23日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• XPSによるGaN上極薄InAlN内分極誘起電界の検出
  GAO MB; 赤澤正道; 赤澤正道; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM), 2010年08月30日, 日本語
• XPSによるIn_xAl_1−xN/GaN界面の価電子帯不連続量の評価
  赤澤正道; 赤澤正道; GAO MB; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM), 2010年08月30日, 日本語
• In_0.17Al_0.83N/GaNヘテロ界面のXPS観察
  赤澤正道; 赤澤正道; 橋詰保; 橋詰保; 廣木正伸; 山幡章司; 重川直輝
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD−ROM), 2010年03月03日, 日本語
• MOS Interface Control on III-V High Mobility Channel Materials (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  37th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-35, Santa Fe, New Mexico, USA, January 10-14, 2010), 2010年01月11日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Fermi level Pinning and Its Removal at III-V MOS Interfaces (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (Key Bridge Marriott Hotel, Arlington, VA, USA, December 3-5, 2009), 2009年12月03日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Surface Passivation of III-V Semiconductors for More Moore and Beyond CMOS Devices - present status and key issues – (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  6th International Workshop on Semiconductor Surface Passivation (Zakopane, Poland, September 13-18, 2009), 2009年09月17日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Formation of High-k MOS Structures with Si Interface Control Layer on Air-Exposed GaAs and InGaAs Wafers
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  6th International Workshop on Semiconductor Surface Passivation (Zakopane, Poland, September 13-18, 2009), 2009年09月16日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Slow Dispersive Hopping Transport of Electrons on Surfaces of AlGaN/GaN HEMTs and Planar Schottky Diodes
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12, Weimar, Germany, July 5-10, 2009), 2009年07月09日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of Interface between HfO2 and Air-Eexposed InGaAs by Ultrathin Si Interface Control Layer
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12, Weimar, Germany, July 5-10, 2009), 2009年07月08日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• On the Frequency Dispersion of III-V MOS C-V Curves
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  33rd Workshop on Compound Semiconductor Device and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE2009, Málaga, Spain, May 17-20, 2009), 2009年05月19日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Anomalous Admittance Behavior of III-V Insulator-Semiconductor Interfaces and Its Mechanism
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  Symposium on Surface and Nano Science 2009 (SSNS’09, Shizukuishi Prince Hotel, Shizukuishi, Iwate, Japan, January 27-30, 2009), 2009年01月28日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Current Collapse Transient Behavior and Its Mechanism in Submicron-Gate AlGaN /GaN Heterostructure Transistors
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-36, Santa Barbara, California, USA, January 11-15, 2009), 2009年01月13日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Capacitance-Voltage and Photoluminescence Study of High-k /III-V Semiconductor Interfaces Controlled by Si Interface Control Layer
  M. Akazawa; M. Miczek; B. Adamowicz; H. Hasegawa
  36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-36, Santa Barbara, California, USA, January 11-15, 2009), 2009年01月13日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Distributed Pinning Spot Model for High-k Insulator - III-V Semiconductor Interface
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  International Symposium on Surface Science and Technology (ISSS-5, Waseda University, Tokyo, Japan, November 9-13, 2008), 2008年11月11日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Characterization and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics [invited]
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA2008, Jeju, Korea, August 26-29, 2008), 2008年08月27日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Anomalous Behavior of Capacitance and Conductance of III-V Metal- Insulator- Semiconductor Capacitors
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  2008 Electronic Material Conference (EMC2008, University of California Santa Barbara, California, USA, June 25-27, 2008), 2008年06月27日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Slow Response Instability in the Planar Pd Schottky Diode Hydrogen Sensor Formed on AlGaN/GaN Wafer
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  2008 Electronic Material Conference (EMC2008, University of California Santa Barbara, California, USA, June 25-27, 2008), 2008年06月25日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Optimization of Si Interface Control Layer Thickness for High-k GaAs Metal-Insulator-Semiconductor Structures
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC2008, Lodz, Poland, June 1- 4, 2008), 2008年06月03日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of Surfaces and Interfaces for III-V Semiconductor Nanoelectronics [invited]
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC2008, Lodz, Poland, June 1- 4, 2008), 2008年06月02日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• SURFACE STATE EFFECTS AND SURFACE PASSIVATION WITH A SILICON INTERFACE CONTROL LAYER FOR III-V NANOWIRE TRANSISTORS
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  32nd Workshop on Compound Semiconductor Device and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE2008, Leuven, Belgium, May 18-21, 2008), 2008年05月19日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• AlGaN/GaNプレーナ・ショットキダイオードの低速分散性過渡応答‐電流コラプスの新モデル‐
  長谷川英機; 赤澤正道
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年03月27日, 日本語
• シリコン界面制御層を有するGaAs高誘電体MISキャパシタのアドミッタンス
  赤澤正道; 長谷川英機
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年03月27日, 日本語
• Interface Control of High-k MOS Gate Stack for GaAs nanowire Transistors
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  Symposium on Surface and Nano Science 2008 (SSNS’08, Appi-Kougen, Iwate, Japan, January 22-25, 2008), 2008年01月23日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on AlGaN /GaN Heterostructures
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-35, Santa Fe, New Mexico, USA, January 13-17, 2008),, 2008年01月15日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Layer
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-35, Santa Fe, New Mexico, USA, January 13-17, 2008), 2008年01月15日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Silicon Interface Control Layer Based Surface Passivation Method and Related High-k MIS Gate Stack for GaAs Nanowire MISFETs
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  International Symposium on Advanced nanodevices and Nanotechnology (ISANN2007, Waikoloa, Hawaii, USA, December 2-7, 2007), 2007年12月06日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• GaAs High-k Dielectric MOS Structure Having Silicon Interface Control Layer
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  34th International Symposium on Compound Semiconductor (iscs2007, Kyoto, Japan, October 15-18, 2007), 2007年10月16日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Dynamic behavior of metal contacts formed on AlGaN/GaN heterostructure
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  7th International Conference on Nitride Semiconductor (ICNS-7, Las Vegas, Nevada, USA, September 16-21, 2007), 2007年09月20日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Sensing and current transport mechanisms of a high performance Pd/AlGaN/GaN Schottky diode hydrogen sensor
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  7th International Conference on Nitride Semiconductor (ICNS-7, Las Vegas, Nevada, USA, September 16-21, 2007), 2007年09月18日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Interface Control Technology for Surface Passivation of III-V Semiconductor Nanostructures (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  5th International Workshop on Semiconductor Surface Passivation (Zakopane, CRC Geovita, Poland, September 16-19, 2007), 2007年09月17日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Pd/AlGaN/GaNショットキーダイオード形水素センサの大気中動作特性
  赤澤正道; 長谷川英機
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年09月04日, 日本語
• Si界面制御層によるHfO₂/GaAs界面の制御
  赤澤正道; 長谷川英機
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年09月04日, 日本語
• Surface passivation technology for III-V semiconductor nanoelectronics (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-11, Manaus-Amazonas, Brazil, August 19-24, 2007), 2007年08月20日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Complete Removal of Fermi Level Pinning at High-k Dielectric/GaAs (001) and (111)B Interfaces by a Silicon Interface Control Layer
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  2007 Electronic Material Conference (EMC2007, University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA, June 20-22, 2007), 2007年06月21日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Performance Enhancement and Sensing Mechanism of Pd/AlGaN/GaN Hydrogen Sensors Subjected to Oxygen Gettering
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  2007 Electronic Material Conference (EMC2007, University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA, June 20-22, 2007), 2007年06月21日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Passivation of III-V Surface by Si Interface Control Layer and Its Application of high-k MIS Gate Stack (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  Interntional Workshop on High-k Dielectrics on High Speed Channel Materials, Hinsiu, Taiwan, May 24-25, 2007, 2007年05月24日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• MBE growth and in-situ XPS characterization of silicon interlayers for surfaces passivation of GaAs quantum devices
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  2007 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices," (Sapporo, Japan, February 8-9, 2007), 2007年02月09日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Control of Schottky Interfaces of AlGaN/GaN system for hydrogen sensor applications (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  Symposium on Surface and Nano Science 2007 (SSNS’07, Appi-Kougen, Iwate, Japan, January 23-26, 2007), 2007年01月24日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Hydrogen Response Characteristics and Mechanism of Pd/ AlGaN/ GaN Schottky Diodes Subjected to Oxygen Gettering
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  34th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-34, Salt Lake City, Utah, USA, January 14-18, 2007), 2007年01月17日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Growth Mechanism and Fermi Level Unpinning in Silicon Interface Control Layers for Surface Passivation of (001) and (111) GaAs and AlGaAs Surfaces
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  34th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-34, Salt Lake City, Utah, USA, January 14-18, 2007), 2007年01月16日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Understanding and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  5th Solid State Surfaces and Interfaces (SSSI2006, Smolenice Castle, Slovak Republic, November 19-24, 2006), 2006年11月20日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN /GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor
  H. Hasegawa; M. Akazawa
  2006 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006, Kyoto, Japan, October 22-27, 2006), 2006年10月24日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• MBE Growth and In-Situ XPS Characterization of Silicon Interlayers on (111)B Surfaces for Passivation of GaAs Quantum Wire Devices
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006, Tokyo, Japan, September 3-8, 2006), 2006年09月07日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Characterization and Control of AlGaN Schottky Diodes for Performance Enchancement of Hydrogen Sensors
  H. Hasegawa; K. Matsuo; T. Kimura; J. Kotani; M. Akazawa; T. Hashizume
  8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC'06, Cádiz, Spain, May 14- 17, 2006), 2006年05月16日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors
  M. Akazawa; H. Hasegawa; R. Jia
  8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC'06, Cádiz, Spain, May 14- 17, 2006), 2006年05月15日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• THz Transmission Properties of Metal Hole-Array Filters
  Y. Yamazaki; M. Akazawa; E. Sano
  2006 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)" (Sapporo, February 9-10, 2006), 2006年02月10日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Passivation for GaAs and AlGaAs (111) B Surfaces
  M. Akazawa; N. Shiozaki; H. Hasegawa
  2006 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV)" (Sapporo, February 9-10, 2006), 2006年02月09日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111) B Surfaces
  M. Akazawa; N. Shiozaki; H. Hasegawa
  10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-10, Aix-en-Provence, France, July 3-8, 2005), 2005年07月07日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Precisely Controlled Anodic Etching for Processing of GaAs-based Quantum Nanostructures and Devices
  N. Shiozaki; T. Sato; M. Akazawa; H. Hasegawa
  10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-10, Aix-en-Provence, France, July 3-8, 2005), 2005年07月06日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
  赤澤 正道; 塩崎 奈々子; 佐藤 威友; 長谷川 英機
  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2005年06月03日, 日本語
  GaAs(111)B面上に形成した量子構造の表面を, Si界面制御層を用いて不活性化する方法について検討した.試料作製工程各段階における試料表面に対するXPSと, 作製された構造に対するPL測定を行った.GaAsおよびAlGaAs(111)B面の表面フェルミ準位位置はSi界面制御層の形成により伝導帯側へ移動した.また, 表面を不活性化していない試料においては, 表面と量子構造との距離の縮小に伴い量子構造からのPL発光強度が低下したが, Si界面制御層を用いて表面を不活性化した試料においては, 量子構造からのPL発光強度の回復が見られた.
• MBE Growth and Si-interlayer Based Surface Passivation of GaAs Quantum Wires
  N. Shiozaki; T. Sato; M. Akazawa; H. Hasegawa
  29th Workshop on Compound Semiconductor Device and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE2005, May 16-18, 2005, Cardiff), 2005年05月17日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
  山崎 雄介; 稲船 浩司; 赤澤 正道; 佐野 栄一
  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2005年02月24日, 日本語
  電磁バンドギャップ(EBG)を観測するため、低温成長GaAs層上にサブテラヘルツ領域のコプレーナストリップ線路(CPS)と周期構造を設けた。最適な構造寸法を得るために有限差分時間領域(FDTD)法を用いてフルウェーブ解析を行ったところ、金属層の厚さもEBGの特性に影響することがわかった。この結果をふまえてサンプルを設計・作成し、光導電サンプリング(PCS)測定法により評価した。その結果、0.5THzに至るまでに2本のストップバンドが現れ、その間にパスバンドが観測された。またFDTD法によるシミュレーションと比較検討した結果、両者は良く一致した。
• Transmission Characteristics of THz Perfect-Conductor PerforatedPlate Filters with Two-Dimensional Periodic Holes
  T. Tanaka; M. Akazawa; E. Sano
  2005 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (III)" (Sapporo, February 8-10, 2005), 2005年02月09日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Photoconductive Sampling of Electromagnetic Periodic Structures in Subterahertz Coplanar Striplines
  Y. Yamazaki; K. Inafune; M. Akazawa; J. Motohisa; E. Sano
  2005 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (III)" (Sapporo, February 8-10, 2005), 2005年02月09日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Using FDTD Method to Design Millimeter-Wave Active Integrated Antena
  K. Inafune; M. Akazawa; E. Sano
  2005 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (III)" (Sapporo, February 8-10, 2005), 2005年02月09日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• 金属薄膜による表面周期構造を利用したTHz波フィルタ(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
  田中 毅; 赤澤 正道; 佐野 栄一
  電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 2004年09月07日, 日本語
  テラヘルツ波は多様な分野における新しい技術への応用が期待されており、その利用のためにTHz領域用素子の開発が必要である。本報告では、マイクロエレクトロニクスに適したテラヘルツ波フィルタの構造とその設計法について、FDTDシミュレーションにより検討した。金属薄膜メッシュの透過特性は、表面プラズモン-ポラリトンの影響が明確である。しかし、誘電体膜と金属薄膜メッシュを重ねた構造においては、新たな透過現象が発現する。この特性を制御し、テラヘルツ波フィルタを構成するための指針を探った。
• テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
  稲船 浩司; 赤澤 正道; 佐野 栄一
  電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 2004年09月07日, 日本語
  コプレーナ導波路(CPW)の放射損失を低減する構造、及びそれをEBGフィルタへ応用した構造の数値解析の結果について報告する。CPWとフィルタのフルウェーブ解析のために、有限差分時間領域(FDTD)法を用いた。低誘電率絶縁体を用いて補強したGaAs薄膜上に構成したCPWは、放射損失を大きく低減できることが予想された。同じ基板構造のCPWをEBGフィルタへ応用した結果、この構造は高周波側のパスバンドで高い透過率を維持するために有効であることが分かった。
• 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング(半導体材料・デバイス)
  赤澤 正道
  電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス, 2003年07月01日, 日本語
  単電子デバイスの準静的動作の極限において,消費電力がかからない無損失の,断熱的なスイッチング動作となることがあり得るかどうかについて考察した.通常,トランジスタに代表されるスイッチング素子においてはしきい値が存在し,そのしきい値において急激なエネルギー変化を伴うことから準静的動作による消費電力の低減には限界がある.しかし,単電子デバイスでは,デバイスの設計次第で,準静的な電圧変化に対して急激なエネルギー変化を伴わないスイッチングが可能である.本論文では,単電子デバイスの準静的動作について,その消費電力特性を数値計算により予測した結果を示す.
• Possibility of Adiabatic Switching of Single-Electron-Devices
  M. Akazawa
  2003 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies" (Sapporo, February 12-14, 2003), 2003年02月13日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Electromagnetic Field Simulation of 2-Dimensional Polygon-Array Photonic Crystals
  M. Akazawa; T. Tanaka; K. Inafune; E. Sano
  2003 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program: "Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies" (Sapporo, February 12-14, 2003), 2003年02月13日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• Properties of Electronic States at Free Surfaces and Schottky Barrier Interfaces of AlGaN/ GaN Heterostructure
  H. Hasegawa; T. Inagaki; S. Ootomo; M. Akazawa; T. Hashizume
  29th International Symposium on Compound Semiconductor (Lausanne, Switzerland, October 7-10, 2002), 2002年10月08日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
  赤澤 正道; 長谷川 英機
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2002年08月20日, 日本語
• A UHV Contactless Capacitance-Voltage Characterization Method Applicable to Semiconductor Layers Grown on Insulating Substrates
  M. Akazawa; H. Hasegawa
  6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC 2002, Budapest, Hungary, May 26-29, 2002), 2002年05月28日, 英語, ポスター発表
  ［国際会議］
• 酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価
  小野 智之; 須田 善行; 赤澤 正道; 菅原 広剛; 酒井 洋輔; 鈴木 薫
  電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan, 2001年09月21日, 日本語
• ナノデバイスによる断熱論理回路
  赤澤正道
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2001年09月11日, 日本語
• C_7F_<16>を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果
  鉾井 耕司; 赤澤 正道; 菅原 広剛; 須田 善行; 酒井 洋輔
  電気学会研究会資料. ED, 放電研究会, 2001年08月07日, 日本語
• C₇F₁₆を用いたa‐C:F膜のRFプラズマCVD
  鉾井耕司; 赤澤正道; 菅原広剛; 須田善行; 酒井洋輔
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2001年03月28日, 日本語
• QMESFETの作製と評価
  赤澤正道; 葛西誠也; 橋詰保; 長谷川英機
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2001年03月28日, 日本語
• プラズマ制御PLD法による炭素薄膜堆積—酸素プラズマのエッチング効果について—
  小野智之; 須田善行; 赤澤正道; 菅原広剛; 酒井洋輔
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2001年03月28日, 日本語
• プラズマ制御PLD法による炭素微粒子生成—プラズマ電力による微粒子形状変化—
  須田善行; 小野智之; 赤澤正道; 酒井洋輔
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2001年03月28日, 日本語
• 低温プロセスによるSi(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の非接触非破壊評価
  庄子亮平; 吉田俊幸; 橋詰保; 赤澤正道; 長谷川英機
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2001年03月28日, 日本語
• QMESFETの提案と試作
  赤澤 正道; 葛西 誠也; 橋詰 保; 長谷川 英機
  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 2001年02月21日, 日本語
  極微細MOSFETの極薄ゲート酸化膜におけるトンネル電流を、高誘電体を導入せずに低減するための素子構造を提案し、その試作結果を報告する。金属ゲート電極と半導体表面との間に極薄SiO_2膜を介在させ、高濃度の極薄SOIをチャンネルとし、擬似的なMESFETとして動作させる。本素子をQMESFETと呼ぶ。QMESFETにおいては、半導体表面の空乏層が擬似的なトンネルバリアとして働き、極薄ゲート酸化膜におけるトンネル電流を大幅に低減する。また、本素子を微細化することにより、ULSI素子として十分な特性を得ることができる。
• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
  庄子 亮平; 橋詰 保; 吉田 俊幸; 赤澤 正道; 長谷川 英機
  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 2001年02月21日, 日本語
  水素終端処理を施したn-Si(001)上に種々の低温プロセスにより、極薄絶縁膜を形成し、界面特性を超高真空対応非接触C-V法およびXPS法を用いて評価した。ドライ熱酸化法では、酸化温度が低くなるに従い、著しく界面準位密度は増加し、ミッドギャップ付近に離散準位が発生することがわかった。ECR-N_2Oプラズマを用いて直接酸窒化により形成した極薄酸窒化膜/Si界面では、400°Cの低温プロセスでありながら、比較的良好な界面特性が得られ、低温ドライ熱酸化法では発生した離散準位は観測されなかった。また、900°CのUHVアニールによって界面準位密度は大幅に減少することが明らかになった。
• QMESFETの提案と試作
  赤澤 正道; 葛西 誠也; 橋詰 保; 長谷川 英機
  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2001年02月21日, 日本語
  極微細MOSFETの極薄ゲート酸化膜におけるトンネル電流を、高誘電体を導入せずに低減するための素子構造を提案し、その試作結果を報告する。金属ゲート電極と半導体表面との間に極薄SiO_2膜を介在させ、高濃度の極薄SOIをチャネルとし、擬似的なMESFETとして動作させる。本素子をQMESFETと呼ぶ。QMESFETにおいては、半導体表面の空乏層が擬似的なトンネルバリアとして働き、極薄ゲート酸化膜におけるトンネル電流を大幅に低減する。また、本素子を微細化することにより、ULSI素子として十分な特性を得ることができる。
• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
  庄子 亮平; 橋詰 保; 吉田 俊幸; 赤澤 正道; 長谷川 英機
  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2001年02月21日, 日本語
  水素終端処理を施したn-Si(001)上に種々の低温プロセスにより、極薄絶縁膜を形成し、界面特性を超高真空対応非接触C-V法およびXPS法を用いて評価した。ドライ熱酸化法では、酸化温度が低くなるに従い、著しく界面準位密度は増加し、ミッドギャップ付近に離散準位が発生することがわかった。ECR-N_2Oプラズマを用いて直接酸窒化により形成した極薄酸窒化膜/Si界面では、400℃の低温プロセスでありながら、比較的良好な界面特性が得られ、低温ドライ熱酸化法では発生した離散準位は観測されなかった。また、900℃のUHVアニールによって界面準位密度は大幅に減少することが明らかになった。
• C-12-3 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワークLSI
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2000年09月07日, 日本語
• C-11-8 SOIを用いた絶縁ゲート型MESFETの試作
  赤澤 正道
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2000年09月07日, 日本語
• 低温プロセスによる形成した極薄絶縁膜/Si(001)界面の超高真空対応非接触C‐V法による評価
  庄子亮平; 吉田俊幸; 橋詰保; 赤澤正道; 長谷川英機
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2000年09月03日, 日本語
• プラズマ制御PLD法による炭素微粒子生成—プラズマによるC(1s)スペクトル変化—
  須田善行; 小野智之; 赤澤正道; 酒井洋輔
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2000年09月03日, 日本語
• C₇F₁₆/Heを用いたa‐C:F膜のRFプラズマCVD
  鉾井耕司; 赤澤正道; 菅原広剛; 須田善行; 酒井洋輔
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2000年09月03日, 日本語
• プラズマ制御PLD法による炭素微粒子生成
  西村卓真; 須田善行; 小野智之; 赤澤正道; 酒井洋輔
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2000年03月28日, 日本語
• C₇F₁₆,(C₃F₇)₃N/(C₄F₉)₃NおよびC₈F₁₈/C₈F₁₆Oを用いたa‐C:F膜のプラズマCVD
  赤澤正道; LUNGU C. P; LUNGU A; 田畑昌祥; 鉾井耕司; 菅原広剛; 酒井洋輔
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2000年03月28日, 日本語
• 高誘電体を有するMOS構造の容量—電圧特性における周波数分散
  赤澤正道; 谷井隆; 橋詰保
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2000年03月28日, 日本語
• ショットキーラップゲート構造を用いた単電子インバータの作製と評価
  赤澤正道; 金編健太郎; 葛西誠也; 雨宮好仁; 長谷川英機
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2000年03月28日, 日本語
• 低温プロセスによりn‐Si(100)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の非接触C‐V法による評価
  庄子亮平; 塩沢竜生; 吉田俊幸; 赤澤正道; 橋詰保; 長谷川英機
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2000年03月28日, 日本語
• 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワーク回路
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2000年03月07日, 日本語
• Pulsed Laser Deposition of Carbon Particles Controlled by ICP Plasma
  Y. Suda; T. Nishimura; T. Ono; M. Akazawa; Y. Sakai
  International Workshop on Basic Aspects of Non-equilibrium Plasmas Interacting with Surfaces (BANPIS-2000, Nagasaki, Japan, January 28 - 30, 2000), 2000年01月29日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 単電子インバータ回路の設計と多値特性の導出
  金編 健太郎; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. CAS, 回路とシステム, 2000年01月19日, 日本語
  単電子回路を用いると高機能で極低電力の集積回路を構成できる可能性がある。しかし、単電子回路は、CMOS回路と異なりパラメータ設計が複雑となることが多い。本稿では、単電子回路の基本であるインバータ回路について, 簡易的なパラメータ設計法を提案する。この簡易設計法によって、所望の特性を持つような単電子インバータ回路を簡潔に設計することができる。この簡易設計法の応用例として、多値論理システムに用いる多値インバータ回路を設計した。CMOS回路では実現困難な多値伝達特性(階段特性)のインバータを容易に得ることができた。
• Arプラズマ雰囲気中でのレーザアブレーション炭素薄膜堆積
  西村 卓真; 水野 学; 須田 善行; 酒井 洋輔; 赤澤 正道
  電気学会研究会資料. ED, 放電研究会, 1999年10月19日, 日本語
• CFx Polymer Film Deposition in DC and RF Fluorinert Vapor Plasmas
  C. P. Lungu; A. M. Lungu; Y. Sakai; H. Sugawara; M. Tabata; M. Akazawa; M. Miyamoto
  Second International Symposium on Applied Plasma Science (ISPAS'99, Osaka, Japan, September 20 -24, 1999), 1999年09月23日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• レーザアブレーションプルーム(カーボン)の観測
  須田 善行; 水野 学; 西村 卓真; BRATESCU M. A; 酒井 洋輔; 赤澤 正道
  電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan, 1999年09月08日, 日本語
• レーザアブレーション法による炭素薄膜の堆積
  西村 卓真; 水野 学; 須田 善行; 酒井 洋輔; 赤澤 正道
  電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan, 1999年09月08日, 日本語
• C-12-33 νMOSを用いた三次元セルラーニューラルネットワーク回路
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1999年08月16日, 日本語
• C-8-2 多種の終端を持つBDDにもとづく磁束転送論理回路
  赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1999年08月16日, 日本語
• ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術, 1999年06月10日, 日本語
  CMOS LSIプロセスにより、3次元セルラーニューラルネットワーク(CNN)回路を構成する方法について報告する。ニューロンMOSを用いることにより、近傍のセルと相互作用する単位ニューロン回路を、コンパクトに構成することができる。チップ上に単位ニューロンセルを2次元配列することにより、3次元CNNを実現できる。3次元CNNの最近傍相互作用の性質により、整然とした配線が可能である。例として、強化学習問題を解く3次元CNN回路を設計した。
• ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. DSP, ディジタル信号処理, 1999年06月10日, 日本語
  CMOS LSIプロセスにより、3次元セルラーニューラルネットワーク(CNN)回路を構成する方法について報告する。ニューロンMOSを用いることにより、近傍のセルと相互作用する単位ニューロン回路を、コンパクトに構成することができる。チップ上に単位ニューロンセルを2次元配列することにより、3次元CNNを実現できる。3次元CNNの最近傍相互作用の性質により、整然とした配線が可能である。例として、強化学習問題を解く3次元CNN回路を設計した。
• ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. CAS, 回路とシステム, 1999年06月10日, 日本語
  CMOS LSIプロセスにより、3次元セルラーニューラルネットワーク(CNN)回路を構成する方法について報告する。ニューロンMOSを用いることにより、近傍のセルと相互作用する単位ニューロン回路を、コンパクトに構成することができる。チップ上に単位ニューロンセルを2次元配列することにより、3次元CNNを実現できる。3次元CNNの最近傍相互作用の性質により、整然とした配線が可能である。例として、強化学習問題を解く3次元CNN回路を設計した。
• 28a-ZM-4 単電子多値しきい素子による全加算器の構成
  金編 健太郎; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1999年03月28日, 日本語
• 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
  徳田 恵理子; 朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング, 1999年03月19日, 日本語
  量子ホップフィールドネットワークとは、量子相関を用いてローカルミニマム現象を除去したホップフィールドネットワークである。単電子回路の協同トンネル現象を用いることで実現することができる。ここでは、単電子回路によるホップフィールドネットワークの構成法を述べる。そして協同トンネル現象による最小エネルギー状態への収束動作について説明する。次に組合せ最適化問題の例題についてネットワーク回路を設計した。動作シミュレーションによりその回路が任意の初期状態から出発して必ず最小エネルギー状態に収束することを確認した。
• 単電子回路によるボルツマンマシンデバイス
  山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング, 1999年03月18日, 日本語
  単電子回路の確率性を利用したボルツマンマシンデバイスを提案する。ボルツマンマシンは確率動作のニューラルネットワークであり、最適化問題の求解などに応用分野が広い。しかし多数の確率ニューロンを必要とするので、普通の電子デバイスでつくると回路規模が膨大になって実用的ではない。ここに単電子トンネルの確率的な性質を利用すると、簡単な構成でボルツマンマシンを実現できる可能性がある。単電子回路による確率ニューロンの構成法を提案するとともに、max cut問題のネットワーク構成例と動作シミュレーションを行った。
• C-12-46 三次元セルラーニューラルネットワーク回路
  藤原 孝信; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1999年03月08日, 日本語
• C-12-45 多値信号を利用したカラーペトリネットの回路化
  幸谷 真人; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1999年03月08日, 日本語
• Single-Flux-Quantum Logic Devices Based on the Binary Decision Diagram
  N. Asahi; T. Yamada; M. Akazawa; Y. Amemiya
  11th International Symposium on Superconductivity (ISS'98, Fukuoka, Japan, November 16-19, 1998), 1998年11月17日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 二分決定グラフにもとづく磁束転送論理回路 : 32ビット加算器の回路設計
  朝日 昇; 山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス, 1998年11月16日, 日本語
  二分決定グラフ(BDD)にもとづく磁束転送回路により32ビット加算器を構成する手法を述べる。BDDは有向グラフによる論理表現法であり、LSI設計で使われる種々の論理関数を簡潔に表現することができる。ここでは、同形部分グラフ置換の手法を用いて簡単化した共有BDD表現にもとづいて、高速の磁束転送形加算回路を実現した。回路を効率的に構成するために、磁束量子駆動形のBDDデバイスを提案した。シミュレーションによれば、設計した32ビット加算器の動作速度は350psであった。
• ν-MOS Cellular-Automaton Devices for Intelligent Image Sensors
  M. Ikebe; M. Akazawa; Y. Amemiya
  5th International Conference on Soft Computing and Information/ Intelligent Systems (IIZUKA'98, Iizuka, Fukuoka, Japan, October 16 - 20, 1998), 1998年10月19日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 単電子ボルツマンマシンのネットワーク動作
  山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998年09月07日, 日本語
• パルス幅変調にもとづく多値論理処理
  深澤 芳幸; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998年09月07日, 日本語
• 二分決定グラフ形の磁束転送論理回路
  朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998年09月07日, 日本語
• 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
  徳田 恵理子; 朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1998年09月07日, 日本語
• 二分決定グラフ形の磁束転送論理回路
  朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス, 1998年07月28日, 日本語
  二分決定グラフ(BDD)にもとづいた磁束転送論理回路の構成方法について述べる。BDDは有向グラフによる論理表現法であり、LSI設計で使われる種々の論理関数を簡潔に表現することができる。磁束転送を利用してこのBDDを回路化することにより、高速に動作する各種の論理システムを構成することが可能である。ここでは一例として、8ビット加算器の設計と動作シミュレーションの結果を記述する。
• [Invited] Binary-Decision-Diagram Logic Systems Using Single-Electron Circuits and Single-Flux-Quantum Circuits－Circuit Design and Simulation
  M. Akazawa
  Seventh Hitachi Cambridge Seminar (McCrum Lecture Theatre, Corpus Christi College, Cambridge, U.K., July 6, 1998), 1998年07月06日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• ν-MOS Cellular-Automaton Devices for Intelligent Image Sensors
  M. Ikebe; M. Akazawa; Y. Amemiya
  Second International Conference on Knowledge-Based Intelligent Electronic Systems (Adelaide, Australia, April 21 -23, 1998), 1998年04月22日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 31a-YE-9 単電子ボルツマンマシンのネットワーク動作
  山田 崇史; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年03月28日, 日本語
• 31a-YE-6 単電子多数決論理デバイスによる順序回路の構成
  岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年03月28日, 日本語
• 31a-YE-5 単電子アナログコンピューティングによるグラフ問題の求解
  徳田 恵理子; 朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年03月28日, 日本語
• 31a-YE-4 方向性トンネル接合の閉ループ回路を流れる循環電流
  金編 健太郎; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年03月28日, 日本語
• 31a-YE-2 Deutsch-Jozsa例題の量子計算を行う電子波回路
  赤澤 正道; 雨宮 好仁; 田部 道晴
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年03月28日, 日本語
• 単電子回路による量子ホップフィールドネットワーク : ローカルミニマム問題のないホップフィールドネットワーク
  赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング, 1998年03月20日, 日本語
  ホップフィールドネットワークは組み合わせ最適化問題を解くための計算手法である。ネットワークのエネルギー関数を最適化問題のコスト関数と対応させ、ネットワークが最小エネルギー状態に収束した状態をみて問題の解を求める。しかし多くのローカルミニマムが存在するため、正解が常に得られるという保証はない。このローカルミニマムの問題を解決するため、単電子回路によりホップフィールドネットワークを構成することを提案する。単電子回路においては、2つかそれ以上の接合においてトンネル事象が同時に(コヒーレントな結合として一体的に)起こる「協同トンネル現象」がある。これを利用すれば、ローカルミニマムのない「量子ホップフィールドネットワーク」をつくることができる。
• パルス幅変調による多値論理
  深澤 芳幸; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1998年03月06日, 日本語
• Single-Electron Logic Circuits Based on the Binary Decision Diagram
  N. Asahi; M. Akazawa; Y. Amemiya
  3rd International Workshop on Quantum Functional Devices (QFD'97, Gaithersberg, Maryland, U.S.A., November 5-7, 1997), 1997年11月06日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 単電子回路による多数決論理デバイス
  岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路, 1997年09月26日, 日本語
  多数決論理はしきい論理のひとつであり, プール代数よりも簡単な構成で複雑な論理を実現できる. ここでは単電子回路による多数決ゲートの構成法を提案した. この多数決ゲートは, 入力の総和をとるキャパシタアレイと, しきい動作を行う単電子インバータによって構成される. 多数のゲートを組み合わせて加算器やパリティ発生器などのサブシステムを設計し, その動作をシュミレーションで確認した. 熱雑音によって引き起こされる誤動作についての見積もりも行った.
• 単電子回路による多数決論理デバイス
  岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 1997年09月26日, 日本語
  多数決論理はしきい論理のひとつであり, プール代数よりも簡単な構成で複雑な論理を実現できる. ここでは単電子回路による多数決ゲートの構成法を提案した. この多数決ゲートは, 入力の総和をとるキャパシタアレイと, しきい動作を行う単電子インバータによって構成される. 多数のゲートを組み合わせて加算器やパリティ発生器などのサブシステムを設計し, その動作をシュミレーションで確認した. 熱雑音によって引き起こされる誤動作についての見積もりも行った.
• 単電子回路による多数決論理デバイス
  岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術, 1997年09月26日, 日本語
  多数決論理はしきい論理のひとつであり, プール代数よりも簡単な構成で複雑な論理を実現できる. ここでは単電子回路による多数決ゲートの構成法を提案した. この多数決ゲートは, 入力の総和をとるキャパシタアレイと, しきい動作を行う単電子インバータによって構成される. 多数のゲートを組み合わせて加算器やパリティ発生器などのサブシステムを設計し, その動作をシュミレーションで確認した. 熱雑音によって引き起こされる誤動作についての見積もりも行った.
• 単電子回路による多数決論理デバイス
  岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1997年09月26日, 日本語
  多数決論理はしきい論理のひとつであり, プール代数よりも簡単な構成で複雑な論理を実現できる. ここでは単電子回路による多数決ゲートの構成法を提案した. この多数決ゲートは, 入力の総和をとるキャパシタアレイと, しきい動作を行う単電子インバータによって構成される. 多数のゲートを組み合わせて加算器やパリティ発生器などのサブシステムを設計し, その動作をシュミレーションで確認した. 熱雑音によって引き起こされる誤動作についての見積もりも行った.
• [Invited] Quantum Hopfield Network Using Single-Electron Circuits
  M. Akazawa
  1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'97, Hamamatsu, Shizuoka, Japan, September 16-19, 1997), 1997年09月18日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Computer-Aided Design of Single-Electron Boltzmann Machine Neuron Circuit
  M. Akazawa; T. Yamada; Y. Amemiya
  1997 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'97, Boston, U.S.A., September 2-4,1997), 1997年09月03日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Computer-Aided Design of Single-Electron Boltzmann Machine Neuron Circuit
  M. Akazawa; T. Yamada; Y. Amemiya
  Second International research Workshop on Future Information Processing Technologies (Sapporo Kita-Hiroshima Prince Hotel, Kita-Hiroshima, August 25-28,1997), 1997年08月26日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 決定グラフにもとづくνMOS多値論理回路
  山田 崇史; 岩村 広樹; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997年08月13日, 日本語
  決定グラフとはディジタル論理を有向グラフで表す手法であり、論理設計や論理検証などのCADで使われている。本研究では、多値論理の決定グラフ(MDD:Multiple-valued Decision Diagram)を実際のデバイスで構成することを提案する。具体例として、4値論理MDDをシリコン機能デバイスのνMOSで構成してみた。加算器を例にとってシミュレーション解析を行い、正しい論理動作を確認した。以下に結果を述べる
• νMOSセルオートマトン回路の低電力設計
  池辺 将之; 本間 久仁彦; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997年08月13日, 日本語
  νMOSインバータは、多入力しきい論理に適したデバイスである。これを用いると画像処理用セルオートマトン回路をコンパクトに構成できる。しかし、しきい論理回路ではνMOSをオンとオフの中間状態で使うことが多く、そのため貫通電流を生じて消費電力が大きくなりやすい。 ここではνMOS回路の低電力設計を考える。雑音除去・輪郭抽出セルオートマトン回路を例にとり、ダイナミック形と高しきい値MOS形の2つの構成法によって低電力設計行った。以下にその詳細を示す。
• 単電子論理回路による擬似CMOS型可変論理デバイス
  新田 秀彦; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997年08月13日, 日本語
  単電子回路を用いてCMOS型の論理回路が構成されており, 擬似CMOS型単電子回路と呼ばれている. ところで, 単電子回路の性質を上手に利用すれば, 本来のCMOSにはない新しい機能を付加することができる. ここでは, 入力の組合わせにより論理を切り換えられる可変論理デバイスを提案する.
• 単電子ステップインバータ
  朝日 昇; 赤澤 正道
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1997年08月13日, 日本語
  単電子回路では、輸送電荷の離散性とクーロンブロッケード現象とが相まって、通常の電子回路には見られない様々な特性が現れる。そのためCMOS回路では得られない種々の機能が実現可能となる。たとえば、インバータ回路を例にとってパラメータ探索を行ったところ、入出力の伝達特性がステップ的に変化する「ステップインバータ」の機能が得られることが判明した。これは、しきい論理回路や多値論理回路を低電力設計するときに不可欠のものである。以下に結果を報告する。
• 29p-B-15 温度可変型の単電子ボルツマンニューロン回路
  山田 崇史; 赤澤 正道
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1997年03月28日, 日本語
• 29p-B-14 単電子ホップフィールドネットワークによる組合せ最適化問題の解析
  赤澤 正道
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1997年03月28日, 日本語
• 29p-B-13 単電子回路によるホップフィールドネットワーク
  徳田 恵理子; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1997年03月28日, 日本語
• 29p-B-12 類似CMOS型論理ゲートによる単電子論理回路
  新田 秀彦; 赤澤 正道
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1997年03月28日, 日本語
• 29a-B-3 単電子BDD論理回路における熱雑音の影響
  朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1997年03月28日, 日本語
• 29a-B-1 量子セルオートマトンのバックグラウンド電荷の配置
  李 学秀; 赤澤 正道; 呉 南建; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1997年03月28日, 日本語
• 単電子BDDデバイスによる論理回路の構成
  赤澤 正道; 朝日 昇; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 1997年03月14日, 日本語
  BDD(二分決定グラフ)に基づいた単電子論理回路の構成について述べる。単位となる論理デバイス(BDDデバイス)を4つのトンネル接合で構成し、それを電子に対する2分岐スイッチとして使用する。いかなる組み合わせ論理もこのBDDデバイスの相互接続によって構成することができる。ここでは一例として、基本論理回路(NAND、NOR、XOR)と組み合わせ論理回路(4変数論理回路、4ビット加算器)を設計し、その動作をシミュレーションによって確かめた。
• BDDデバイスによるアナログ論理回路
  深澤 芳幸; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1997年03月06日, 日本語
  二分決定グラフ(BDD)は, ブール代数式や真理値表とは異なる方法, 有向グラフによってディジタル論理を表す手法である。もともと論理設計や論理検証に使われていたが, 最近になって実際のデバイスでBDD論理を組むという研究が報告されるようになった。ここでは, BDDの適用範囲をアナログに拡大することを提案する。これによって新しい応用が生まれる可能性がある。
• 単電子回路によるアナログ信号処理
  赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会総合大会講演論文集, 1997年03月06日, 日本語
  単電子現象は本質的に離散現象なので, それを利用した単電子回路も本来はデジタル論理に適したものである。しかしアナログ回路の開発も将来に向けて必要とされる。ここでは電子密度変調によるアナログ表現法を提案し, そのための回路構成を考えてみた。
• PMOSFETのSiO_2-Si界面における燐のパイルアップモデル
  青木 隆宏; 赤澤 正道; 田澤 聡
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1996年09月18日, 日本語
  計算機上でプロセス・デバイス・回路をシミュレートし、デバイスの特性を予測するTechnology CAD技術は短TATな製造技術の開発に必要である。特性予測をより正確に行うには地道な実験データの蓄積とモデリングが必須である。一般にpチャネルMOSFETにおいて、nウェル形成用の燐ドーパントにはパイルアップ現象があることが知られており、この現象を取り扱っていない従来のシミュレータでは、デバイス特性予測を大きく狂わすことが知られている。また、SiO2-Si界面において酸化工程、アニール工程後の燐ドーパントの再分布(偏析)があることも一般的に知られている。本報告では、燐ドーパントのパイルアップ現象をモデル化し、種々のプロセス水準に対するpチャネルMOSFETのしきい値電圧の実測結果と比較した結果を述べる。
• 量子セルオートマトンによる論理回路の動作可能性
  赤澤 正道; 雨宮 好仁
  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 1996年09月18日, 日本語
  量子セルの近接相互作用を利用したセルオートマトン(QCA)が提案されている。しかしこれまでのところセル配列の静的な安定状態を考察するに留まり、システム全体として動作するかどうかは理論的にも実験的にも検証されていない。そこで著者は種々の観点からその動作可能性を検討し、アニーリングによる駆動を行えばシステム動作が可能であろう、との予測を行った。
• Phosphorus Pile-Up Model for SiO2-Si Interface of p-Channel MOSFETs
  M. Akazawa; T. Aoki; S. Tazawa; Y. Sato
  1996 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'96, Tokyo, Japan, September 2-4, 1996), 1996年09月03日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 27a-ZA-12 相互結合ニューロネットワークによる量子セルオートマトンの動作解析
  柴田 直人; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1996年03月26日, 日本語
• 27a-ZA-11 量子セルオートマトンの動作可能性
  赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1996年03月26日, 日本語
• 27a-ZA-9 二分決定グラフによるシングルエレクトロン論理回路
  朝日 昇; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1996年03月26日, 日本語
• 27a-ZA-7 単電子トンネル現象を利用したボルツマンマシン形ニューロン回路
  赤澤 正道; 雨宮 好仁
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1996年03月26日, 日本語
• Contactless and Nondestructive Characterization of Silicon Surfaces by Capacitance-Voltage and Photoluminescence Method
  S. Koyanagi; M. Akazawa; H. Hasegawa
  1995 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'95, Osaka, Japan, August 21-24, 1995), 1995年08月23日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• 量子効果デバイスでLSIをつくるには-量子現象と情報処理をいかに結びつけるか-
  雨宮 好仁; 赤澤 正道
  應用物理, 1995年08月10日, 日本語
• 29p-ZN-5 MBE低温成長GaAs層の表面電気伝導特性
  塩原 俊助; 鈴木 敏; 赤澤 正道; 橋詰 保; 長谷川 英機
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1995年03月28日, 日本語
• 29p-ZN-1 化合物半導体表面の電子的特性の非接触C-VおよびPL評価(1)
  赤澤 正道; 小柳 諭; 長谷川 英機; 坂井 高正
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1995年03月28日, 日本語
• 29a-PA-25 単結晶および多結晶シリコン表面準位の非接触C-VおよびPL評価(1)
  小柳 諭; 赤澤 正道; 長谷川 英機; 坂井 高正
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1995年03月28日, 日本語
• Control of Compound Semiconductor Interfaces by Si Interface Control Layer and Its Applications
  H. Hasegawa; S. Kodama; K. Koyanagi; M. Akazawa
  State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XVIII (SOTAPOCS XVIII, Honolulu, Hawaii, U.S.A., May 18, 1993), 1993年05月18日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• [Invited] Control of Structure and Properties of Compound Semiconductor Interfaces by Si Interface Control Layer
  H. Hasegawa; S. Kodama; K. Koyanagi; M. Akazawa
  5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'93, Paris, France, April 18-22, 1993), 1993年04月19日, 英語, 口頭発表（招待・特別）
  ［招待講演］, ［国際会議］
• Control of Compound Semiconductor Interfaces by Si Interface Control Layer and Its Applications
  H. Hasegawa; M. Akazawa; S. Kodama; K. Koyanagi; S. Suzuki; Y. G. Xie; T. Sawada
  Conference on Advanced Heterostructure Transistors (Keauhou, Kona, Hawaii, U.S.A., November 29- December 4, 1992), 1992年11月30日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• In-Situ Characterization and Control of GaAs and InGaAs Surfaces and Interfaces for Completely UHV-Based Nanostructure Fabrication
  H. Hasegawa; T. Sawada; T. Saitoh; S. Kodama; M. Akazawa; H. Fujikura
  International Conference on Scienece and Technology of Electron Devices (Kruger National Park, Republic of South Africa, November 16-18, 1992), 1992年11月17日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• In-Situ Characterization and Control of Compound Semiconductor Surfaces and Interfaces for Completely UHV-Based Nanostructure Fabrication
  H. Hasegawa; T. Saitoh; M. Akazawa; H. Fujikura; T. Sawada
  3rd International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSIT'92, Bejin, China, Oct. 18 - 24, 1992), 1992年10月20日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Investigation of Valence Band Offset Modification at GaAs-AlAs and InGaAs-InAlAs Heterointerfaces Induced by Si Interlayer
  M. Akazawa; H. Hasegawa; H. Tomozawa; H. Fujikura
  19th International Symposium on GaAs and Related Compounds (Karuisawa, Japan, September 28- October 2, 1992), 1992年09月30日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Removal of Fermi Level Pinning in InGaAs Nanostructures by Ultrathin MBE Si Interface Control Layer
  M. Akazawa; S. Kodama; H. Fujikura; H. Hasegawa
  Electronic Materials Conference (Cambridge, U.S.A., June 24-26, 1992), 1992年06月25日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of Compound Semiconductor Interfaces by an Ultrathin Pseudomorphic Si Layer
  H. Hasegawa; M. Akazawa; S. Kodama; K. Koyanagi
  1st International Workshop on Quantum Functional Devices (QFD'92, Nasu Heights, Japan, May 12-15, 1992), 1992年05月13日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of Surface and Interface Fermi Level Pinning for Compound Semiconductor Nanometer Scale Structures
  H. Hasegawa; M. Fujikura; M. Akazawa; H. Tomozawa
  International Workshop on Quantum-Effect Physics, Electronics and Applications (Luxor, Egypt, January 5-9, 1992), 1992年01月06日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Fabrication Process and Properties of InGaAs Wires Having Si Interface Control Layers for Removal of Fermi Level Pinning
  H. Fujikura; H. Tomozawa; M. Akazawa; H. Hasegawa
  1st International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-1, Tokyo, Japan, November 19-22, 1991), 1991年11月20日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of GaAs and InGaAs Insulator- Semiconductor and Metal-Semiconductor Interfaces by Ultrathin Molecular Beam Epitaxy Si Layers
  M. Akazawa; H. Ishii; H. Hasegawa
  1991 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'91, Yokohama, Japan, August 27-29, 1991), 1991年08月28日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Formation Mechanism of Schottky Barriers on MBE Grown GaAs Surface Subjected to Various Treatment
  H. Ishii; H. Hasegawa; M. Akazawa
  3rd International Conference on Formation of Surface and Interface (ICFSI-3, Rome, Italy, May, 1991), 1991年05月, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Surface Passivation Technology of InGaAs Using an MBE Si Layer Compatible with Standard Device Processing
  H. Hasegawa; M. Akazawa; E. Ohue
  3rd International Conference on InP and Related Materials (IPRM'91, Cardiff, Wales, U.K., April 8-11, 1991), 1991年04月09日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Surface Passivation of InGaAs Using Thin Si Layers by Novel In-situ Interface Control Process
  M. Akazawa; E. Ohue; H. Ishii; H. Iwadate; H. Hasegawa
  2nd International Conference on InP and Related Materials (IPRM'90, Denver, U.S.A., April23-25, 1990), 1990年04月24日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of GaAs and InGaAs Insulator-Semiconductor Interfaces by an Ultrathin MBE Si Layer
  H. Hasegawa; M. Akazawa; H. Iwadate; E. Ohue
  7th International Workshop on Future Electron Devices (Toba, Japan, October 2-4, 1989), 1989年10月03日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Surface Passivation of In0.53Ga0.47As by Ultra-thin Pseudomorphic MBE Si Layer Combined with Photo-CVD Insulator
  M. Akazawa; E. Ohue; H. Ishii; H. Iwadate; H. Hasegawa
  6th International Conference on Passivity (Passivity-6, Sapporo, Japan, Sept. 24-28, 1989), 1989年09月27日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• In0.53Ga0.47As MISFETs Having an Ultrathin MBE Si Interface Control Layer and Photo-CVD SiO2 Insulator
  M. Akazawa; H. Hasegawa; H. Ohno
  the 21st Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'89, Tokyo, Japan, August 28-30, 1989), 1989年08月29日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Control of Compound Semiconductor-Insulator Interfaces by an Ultra-thin MBE-Si Layer
  H. Hasegawa; M. Akazawa; H. Ishii; K. Matsuzaki
  The 16th Conference on Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-16, Boseman, Montana, U.S.A., February 7-9, 1989), 1989年02月08日, 英語, 口頭発表（一般）
  ［国際会議］
• Characterization and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics [invited]
  H. Hasegawa; M. Akazawa
• X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111) B Surfaces
  M. Akazawa; N. Shiozaki; H. Hasegawa
• Characterization of Surfaces and Interfaces of InAlN/GaN Heterostructures
  赤澤正道

• 応用デバイス回路学特論, 2024年, 修士課程, 情報科学院
• 先端デバイス学特論, 2024年, 博士後期課程, 情報科学研究科
• 応用デバイス回路学特論, 2024年, 博士後期課程, 情報科学院
• ディジタル回路, 2024年, 学士課程, 工学部
• 科学・技術の世界（1単位）, 2024年, 学士課程, 全学教育
• 科学・技術の世界（1単位）, 2024年, 学士課程, 全学教育
• 電気電子工学実験Ⅳ, 2024年, 学士課程, 工学部
• 電気電子工学実験Ⅴ, 2024年, 学士課程, 工学部

• 電気学会
• 電子情報通信学会
• 応用物理学会

• 界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
  科学研究費助成事業
  2024年04月 - 2027年03月
  赤澤 正道; 佐藤 威友
  日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 24K00934
• 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
  科学研究費助成事業
  2023年04月01日 - 2026年03月31日
  佐藤 威友; 赤澤 正道; 三好 実人
  (1) AlGaN/GaNヘテロ構造に対して界面準位の発生を抑制する絶縁体界面形成法を確立するために、AlGaN/GaNヘテロ構造に対して表面の電子状態を評価した。X線光電子分光（XPS）法によりAlGaN表面状態を分析した結果、結晶成長条件の違い（基板材料の違いによる成長条件の最適化状況の違い）により、フェルミレベルのピンニング位置が異なることを明らかにした。また、そのピンニング位置の違いに対応し、AlGaN表面に形成したオーミック電極の接触抵抗が増減し、さらに異常なピンニング位置を示したAlGaN表面に対して光電気化学エッチングを5 nm実施すると、接触抵抗は正常値に戻るように低減することを明らかにした。これは、結晶成長直後の表面状態が電極の電気的特性に影響を与え、その特性改善には光電気化学エッチングが有効であることを示す結果であり、ゲート絶縁膜界面形成条件の最適化に関する有用な知見を得た。
  (2) GaNおよびAlGaN表面に対して光電気化学酸化を利用した低損傷エッチングに取り組み、1 nm/min程度の低速エッチングを実現した。またエッチング溶液のpH値によって加工後の表面状態は大きく異なり、酸性溶液を利用した時に平坦性が最も良いことを明らかにした。中性溶液では、母体材料であるAlOxおよびGaOxが表面に形成されることをXPS分析により明らかにした。
  (3) AlGaN/GaNヘテロ構造上に作製したMISキャパシタの容量-電圧（C-V）評価により、2つの界面（絶縁膜/AlGaNとAlGaN/GaN）の電子密度分布を算出した。計算機シミュレーションによる理論解析の結果、AlGaN/GaN界面の２DEGチャネルが空乏し始める順方向ゲート電圧領域で絶縁膜/AlGaN界面に電子チャネルが形成される様子が確認され、実験結果をよく説明できることを明らかにした。
  日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 23K26131
• 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
  科学研究費助成事業
  2023年04月01日 - 2026年03月31日
  佐藤 威友; 三好 実人; 赤澤 正道
  日本学術振興会, 基盤研究(B), 北海道大学, 23H01437
• イオン注入したGaN結晶の表面近傍点欠陥評価
  共同研究
  2023年04月 - 2025年03月
  藤倉序章; 横山正史; 金木将太; 堀切文正
  住友化学株式会社, 北海道大学, 研究代表者
• 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（パワーデバイス領域）
  委託事業（再委託）
  2021年04月 - 2025年03月
  須田 淳
  文部科学省, 北海道大学, 研究代表者
• GaN結晶の表面近傍点欠陥の評価・低減に関する研究
  共同研究
  2022年04月 - 2023年03月
  赤澤正道; 藤倉序章、堀切文正、金木将太
  株式会社サイオクス, 北海道大学, 研究代表者
• パワーデバイス向け窒化物半導体上シリコン熱酸化膜形成技術の確立
  研究開発・調査助成
  2020年04月 - 2021年03月
  公益財団法人 八洲環境技術振興財団, 北海道大学, 研究代表者
• 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発（パワーデバイス・システム領域）
  科学技術試験研究委託事業
  2016年04月 - 2021年03月
  加地徹
  文部科学省, 北海道大学, 競争的資金
• 特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開
  科学研究費補助金（新学術領域研究）
  2016年04月 - 2021年03月
  橋詰 保
  文部科学省, 競争的資金
• 高温熱処理アルミナ超薄膜による絶縁体／窒化インジウムアルミニウム界面の制御と応用
  科学研究費補助金(基盤研究(C))
  2015年04月 - 2018年03月
  赤澤 正道
  文部科学省, 研究代表者, 競争的資金
• 窒化インジウムアルミニウム混晶表面・界面におけるフェルミ準位ピンニングの制御
  科学研究費補助金(基盤研究(C))
  2012年04月 - 2015年03月
  赤澤 正道
  窒化ガリウムに格子整合する窒化インジウムアルミニウム (InAlN)の表面、絶縁体/半導体界面、および金属/半導体界面におけるフェルミ準位ピンニングについて調べた。InAlN表面におけるピンニングは適切な絶縁体堆積を行うことで除去されること、および界面形成後の界面準位密度は、界面の形成方法や形成後の熱処理方法に依存して変化することがわかった。特に、酸化アルミニウムとInAlNとの界面の特性と形成方法について調べ、界面準位を低減する独自の方法を見出した。金属/InAlN界面においては、ショットキー障壁の強い金属仕事関数依存性が観測された。
  文部科学省, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 24560022
• 電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化
  科学研究費補助金(基盤研究(A))
  2009年 - 2012年
  橋詰 保; 古賀 裕明; 久保 俊晴; 佐藤 威友; 赤澤 正道
  窒化物半導体ヘテロ界面を利用した高電子移動度トランジスタ(HEMT)の劣化特性と表面・バルク電子準位との相関、表面・バルク電子準位の特性解明、電子準位制御構造の開発、新しく提案する多重台形チャネル構造の適用と評価を通して、真にロバストな窒化物半導体トランジスタ構造技術の構築を目的として研究を展開した。本年度の主な成果を以下にまとめる。1)2つのゲートを有するAlGaN/GaN HEMTを用いて、オフ状態電界ストレス後に生じる電流減少(コラプス)を詳細に評価し、ゲート端からの電子注入による表面帯電はドレインおよびソース側の両方向で生じていることを初めて明らかにした。また、多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTにおいては、チャネルインピーダンスが非常に高いため、この表面帯電による寄生抵抗増加の影響が非常に小さく、電流コラプスが生じにくいことがわかった。2)原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaN構造に、詳細な計算解析とバンドギャップ以下のエネルギーを持つ光支援測定法を適用し、Al_2O_3/AlGaN界面には1x10^<12>cm^<-2>eV^<-1>以上の密度を持つ電子準位が存在することを初めて明らかにした。3)AlGaN/GaN構造に選択電気化学酸化を適用し、ドライエッチングを用いずにリセス構造+MOSゲート構造を形成した。このプロセスにより、ノーマ...
  文部科学省, 基盤研究(A), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 21246007
• 化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル
  科学研究費補助金(萌芽研究)
  2008年 - 2008年
  長谷川 英機; 赤澤 正道
  本研究の目的は、III-V化合物半導体metal-insulator-semiconductor(MIS)構造の界面準位分布に関する「ピンニング・スポット面内分布(Dps)モデル」を、理論解析とSi超薄膜界面層(Si ICL)構造を用いた実験により定量的に検証することにあり、次の成果を得た。(重)従来界面準位は、面内で均一分布すると仮定されてきた。DSPモデルでは、界面準位分布は面内でナノスケール尺度の不均一性をもち、強いフェルミ準位ピンニングを引き起こすスポット状の領域「ピンニング・スポット」と、ピンニングが弱くバイアスにより電子蓄積層や反転電子層が形成され得るピンニング・フリー領域が共存すると考える。このモデルから期待されるMISアドミタンスのバイアス・周波数・温度依存性を定式化し、コンピュータを用い数値計算を行った。(2)化合物半導体およびsi ICLをMBE成長し、そのsi ICL一部をラジカル窒化したGaAsおよびInGaAsのSi ICL制御MIS試料を作製し、そのアドミタンスのバイアス・周波数・温度依存性を測定した。(3)Si ICLMIs試料について、バンド端フォトルミネセンス(PL)量子効率の励起光強度依存性を非接触測定し、その結果をポーランド・シレジアン工科大学物理学科のアダモヴィッチ教授の協力を得てコンピュータ解析し、マクロな界面準位密度(D_)...
  文部科学省, 萌芽研究, 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 20656006
• 窒化ガリウムナノ細線を用いた化学センサとその集積化センサチップへの展開
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  2006年 - 2007年
  長谷川 英機; 赤澤 正道; 池辺 将之
  本研究では、環境にやさしく化学的に安定な表面をもつAlGaN/GaNウエハ上に、将来オンチップ集積により、ユビキタス・センサ・ネットワークに組み込み可能な集積化センサを実現するための要素技術を基礎的な立場から検討し、次の成果を得た:(1)半導体界面のモデルを概観し、AlGaN/GaNのショットキ障壁について、フェルミ準位ピンニング、障壁高、逆方向リーク電流についての問題点を指摘した。さらに電流輸送機構を、代表者らのTSBモデルで説明し、逆方向リーク電流が、酸素ゲッタリング・プロセスで大幅に減少できることを示した。(2)HEMT用AlGaN/GaNウエハ上に、触媒金属Pdを障壁とし、酸素ゲッタリング・プロセルスを施したショットキ障壁型水素ガスセンサを製作し、それが空気中・室温でかってない高感度を実現することを示した。(3)この水素ガスセンサのセンシング機構は、Pd表面で発生した原子状水素がショットキ界面で界面ダイポールを形成し、障壁高を減少させることにあり、その応答が表面反応律速であることを示した。さらにセンシングの定常および過渡応答動作を記述する数式を確立した。(4)本水素センサが高温で感度が向上することを示すとともに、他の化合物半導体と比較し、AlGaN/GaNセンサの優位性を示した。(5)水素センサの示す遅い過渡応答が、表面準位を介した電子のホッピング分散性伝導によること...
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 18360002
• 電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究
  科学研究費補助金(萌芽研究)
  2006年 - 2006年
  長谷川 英機; 赤澤 正道
  量子デバイスの消費電力は極低温では小さいが、室温では電子エネルギーの熱的広がりによるスイッチ特性のだれにより増大する。本研究では、「量子ドットの空間的位置を電界で制御しトンネル確率を制御する」という原理にもとづく「電界移動型量子ドット単電子分岐スイッチ」について、その原理を確認することと、その効果を妨げる表面準位を低減することを目的として研究を推進し、次の成果を得た(1)3つのショットキ・ラップゲートにより、AlGaAs/GaAs量子細線T型分岐上に、量子ドットと3つのトンネル障壁を形成した「単電子分岐スイッチ」を試作し、その動作を測定した。その結果、低温で通常の単電子トンネル理論よりも急峻なスイッチ特性が得られた。しかしその急峻さは温度の上昇と共に急激に消失した。(2)デバイスの特性を量子ドットを円形近似した単純な解析モデルにもとづき解析して実験特性と比較した結果、ドットの電界移動によるトンネル確率の指数関数的変調が急峻なスイッチ特性を実現することが、確認された。また温度上昇による特性の劣化の主な理由は、低温では凍結している分岐スイッチの表面準位が、室温に近づくほど活性化し、ドットの電界移動を妨げることにあることが判明した。(3)その後の研究の大半は、「シリコン界面制御層(Si ICL)」を用いた代表者らの表面不活性化技術を、種々のファセット面をもつAlGaAs/GaAs量...
  文部科学省, 萌芽研究, 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 18656089
• テラヘルツ電磁波をキャリアとするユビキスチップ間通信回路の研究
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  2004年 - 2006年
  佐野 栄一; 赤澤 正道; 山本 眞史; 尾辻 泰一
  本研究は、数100GHzから1THz帯域の搬送波を利用した小型、低電力な送信・受信集積回路の実現に必要なデバイス、回路設計論、ピコ秒波形計測法を確立することを目的とする。得られた研究成果は次の通りである。(1)共鳴トンネルダイオード(RTD)や高電子移動度トランジスタ(HEMT)などの能動デバイスと受動デバイスを一括して時間領域にて電磁界解析するFDTDプログラムを開発した。(2)FDTDプログラムを用いてInP HEMT発振器とスロットアンテナからなるアクティブ集積化アンテナを設計、試作し、110GHz動作を確認するとともに、設計精度が1%以下であることを示した。(3)伝送線路上に周期構造を形成することにより急峻な周波数特性を有する帯域阻止フィルタを実現できることをFDTDプログラムにより示した。(4)数100GHz領域での計測を可能とする低温MBE成長GaAs光導電スイッチを用いたサンプリングシステム(THz TDS)を構築するとともに、上記の周期構造を試作・測定し、帯域阻止特性を得た。(5)周期的開口における異常透過現象をFDTDプログラムにより解析し、表面プラズモンが関与すること、Fano共鳴モデルで説明できることを明らかにした。また、THz TDSによりTHz領域において異常透過現象を確認した。(6)自然には存在しない特異な電磁特性(負屈折率や磁気壁など)を人工的構...
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 16360161
• 金属薄膜メッシュを用いた高効率半導体テラヘルツ波放射源の研究
  科学研究費補助金(基盤研究(C))
  2004年 - 2005年
  赤澤 正道; 佐野 栄一
  適切な構造の金属メッシュについて、テラヘルツ領域においても高い透過特性が得られることを実験的に確認した。特に、薄い金属メッシュにおいては、個々の孔の導波管的特性が消失して遮断周波数が無くなり、斜め方向の入射に対しても高い透過率が得られる。その透過特性には表面プラズモンが関与していることをシミュレーションと実験により確かめた。したがって、半導体THz波エミッタ表面に金属薄膜で構成された金属メッシュを形成することで、表面プラズモンを含む表面波モードの寄与により、電磁波に対する境界条件の変化を実現できることが予測された。実際に、新しいTHz波エミッタの基本構造を試作し、その特性を評価した。半導体内部で発生するテラヘルツ波は大きな放出角への強度が強いが、スネルの法則による臨界角により強度が制限される。金属メッシュは、予測の通り誘電体界面での電磁波に対する境界条件を変化させ、臨界角を超える角度への放射を取り出せることがわかった。さらに構造を最適化することにより、半導体からのテラヘルツ放射を増強でき、高効率の放射が可能となる見込みを得た。テラヘルツ放射源の1つとして期待される量子構造については、実際の使用には表面の不活性化が重要となる。本研究においては、ガリウム砒素系の量子構造について有効な表面不活性化法を最適化し、良好な特性が実現されることも見出した。半導体THz波エミッタの特性を向上...
  文部科学省, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 16560288
• カオス多重による超大容量光通信の研究
  科学研究費補助金(萌芽研究)
  2004年 - 2005年
  佐野 栄一; 赤澤 正道
  本研究は、複数の半導体レーザ(LD)で発現する互いに直交したカオス信号に情報を乗せ、それらを多重化することにより、通信容量を飛躍的に増大させる光通信方式の創出を目的とする。具体的には、複数のLDから構成される結合写像格子(CML:Coupled-Map Lattice)を送信部と受信部に配置し、送信CMLからの複数の「カオスチャネル」を一本の光ファイバ内に多重化し、送信CMLとカオス同期する受信CMLにおいて多重カオス信号を分離する光通信方式である。昨年度は、光電場レート方程式とキャリアレート方程式を数値計算することにより、CMLの振る舞いを詳細に検討し、LDの注入電流と光結合度を選ぶことにより、CMLの各LD出力を直交できること、送信CMLと受信CML問の相関はほぼδ_となると(ただし、iは送信CMLのi番目のLD、jは受信CMLのj番目のLDを示す)を明らかにした。さらに、2チャネル伝送システムをシミュレートし、1Gbit/sの伝送レートでの2チャネル伝送が可能であることを示した。しかしながら、これらの理論解析は伝送距離ゼロのいわゆるback-to-backの条件で行われていた。実際のシステムにおいては光ファイバの波長分散とカー効果により受信波形は送信波形と異なるため、送信CML.と受信CML間のカオス同期は保証されない。これまでの研究では、分散シフトファイバが仮...
  文部科学省, 萌芽研究, 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 16656113
• 窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  2002年 - 2004年
  橋詰 保; 赤澤 正道; 葛西 誠也; 本久 順一
  本研究では、GaN系材料の表面、金属界面、ヘテロ接合界面、保護絶縁膜界面の構造的・化学的特性およびそれらと電気的特性との相関を系統的に評価し、プロセス技術にフィードバックし、絶縁ゲート型およびショットキーゲート型ヘテロ構造電界効果トランジスタ(AlGaN/GaN HFET)の高安定化を実現することを目的とした。主な成果を以下にまとめる。(1)水素プラズマを含むプロセス、高温熱処理プロセス、プラズマドライエッチングプロセスによって、AlGaN表面において顕著な窒素空乏が生じ、伝導帯下端近傍に深いドナー準位が形成されることを明らかにした。また、この深いドナー準位が、トランジスタの電流変動の主因になっていることを指摘した。(2)MBE装置内でのAl薄膜の分子線蒸着とECR励起酸素プラズマ酸化により、3〜4nmの超薄Al_2O_3膜をAlGaN表面に形成するプロセスを開発し、Al_2O_3膜の禁制帯幅が7eV、Al_2O_3/Al_<0.3>Ga_<0.7>Nの伝導帯の不連続量が2.1eVであることを明らかにした。(3)さらにこの超薄Al_2O_3膜をゲート絶縁膜と表面不活性化膜に応用し、新しい絶縁ゲート型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスター(HFET)を試作し、良好なゲート制御特性、大きな飽和ドレイン電流(0.8A/mm)、大きな相互コンダクタンス(130mS/mm)...
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 14350155
• ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路
  科学研究費補助金(基盤研究(A))
  2001年 - 2003年
  長谷川 英機; 赤澤 正道; 橋詰 保; 雨宮 好仁; 葛西 誠也
  本研究は、独自の二分決定グラフ(BDD)論理アーキテクチャを実装する集積回路をナノショットキーゲートで量子ドットを形成制御する単電子節点デバイスを用いて実現することを目的とする。当該研究期間に得られた主な成果を以下に示す。1.BDDアーキテクチャをヘキサゴナルナノ細線ネットワークを用いて高密度に実装する新しい量子論理回路方式「ヘキサゴナルBDD量子回路方式」を提案し、本方式に基づき各種論理サブシステムから算術論理演算ユニット(ALU)まで設計した。2.GaAsエッチングナノ細線をショットキーラップゲート(WPG)で制御する方法でBDD節点デバイスを実現し、低温から室温まで明確なスイッチング動作を確認した。単電子形では電力遅延積(PDP)が10^<-22>Jと極めて小さいことを明らかにするとともに、WPGスイッチがGHz動作可能であることを実験的に示した。3.エッチングヘキサゴナルナノ細線ネットワークをWPGで制御する手法でBDD基本論理回路を試作し、低温において量子輸送のもとで論理動作を実証した。また本回路はPDPとのトレードオフにより室温においても演算が可能であることを示した。さらに、4500万素子/cm^2を実現する高密度集積プロセスを確立するとともに、単電子および量子細線型2ビット加算器を試作評価し正しい論理動作を確認した。そして、8ビット加算器の試作に成功した。4.M...
  文部科学省, 基盤研究(A), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 13305020
• 低誘電率・高絶縁耐力プラズマ堆積C_xF_y膜を用いたSF_6代替絶縁方式の開発
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  2001年 - 2003年
  酒井 洋輔; Bratescu A; 赤澤 正道; 菅原 広剛; 中島 昌俊; 須田 善行
  本研究は地球温暖化ガスの一つとして使用量の削減が迫られているSF_6ガスに替わり窒素や酸素あるいは合成空気と導体部に低誘電率・高絶縁耐力をもつアモルファスC_xF_y(a-C:F)膜を堆積し二次電子放出を抑え、これまで同様あるいはそれ以上の絶縁耐力を得ようとすることである。絶縁膜原料には、C_7F_<16>とC_8F_<18>(常温では液体で、蒸気圧は数〜数十Torr)を用い、RFプラズマCVD法により作成し、これの化学的・電気的特性を評価した。成果は以下のとおりである。1.Siならびにアルミニウム基板上への堆積速度は、100〜200nm/min以上で、在来原料のCF_4やC_2F_6に比べ数十倍以上の高堆積速度が得られた。2.堆積a-C:Fは高密度C-CとC-F結合から成り、誘電率(ε_r【approximately equal】2)の低い熱特性にも優れた絶縁膜であった。絶縁耐力は1μm厚で2.7MV/cm。誘電体損はポリテトラクロロエチレンよりは大きかった。3.本a-C:FをAl電極上に堆積したものを用いてN_2、ArとHeガスのパッセン曲線を測定したが、破壊電圧V_sはAl電極の場合に比べて低pd(気圧x電極間隙)領域で3倍程度上昇した。また、pd<20Torr・cmでは、SF_6のV_sよりも向上することが分かった。4.この縁耐力向上の原因は、二次電子放出係数が、金属...
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 13555077
• 可逆計算デバイスの実現に関する基礎的研究
  科学研究費補助金(奨励研究(A), 若手研究(B))
  2001年 - 2002年
  赤澤 正道
  「可逆計算デバイス」には、熱的な可逆性と論理的な可逆性が要求される。本研究では、単電子デバイスの準静的動作の極限(低周波極限)が、可逆動作となる可能性があることを示した。電子デバイスにおいても、完全な熱的可逆動作は熱力学の第2法則によって否定されるが、準静的動作により極めて可逆に近い動作を実現することは物理的に否定されるものではない。しかし、電子デバイスを準静的に駆動しても、個々のデバイスが閾値をもち、その閾値において急峻なエネルギー変化を伴う限り、消費電力の低減は制限を受ける。これは、たとえ、理想的な特性を持つ量子細線トランジスタを用いたとしても同じことである。ところが、適切に設計された単電子デバイスは、励起準位を介することなく基底状態のみで動作することが可能であり、量子極限近傍で急激なエネルギーの損失が起こらないように動作することができるので、準静的動作により消費電力を任意に小さくできる。したがって、適切に設計された単電子回路の準静的動作の低周波極限は、電源から供給されたエネルギーが電荷の回収とともに完全に電源に戻されるような充放電動作、すなわち可逆動作となる。集積回路用の極微細加工はすでに、寸法的にはメゾスコピック領域に入っており、単電子現象の利用さえも、不可能ではなくなってきている。このような動向の中で、本発見は大きな意義を持つ。すなわち、Fredkin-Toffol...
  文部科学省, 奨励研究(A), 若手研究(B), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 13750294
• ボルテックスを利用した機能回路の開拓
  科学研究費補助金(特定領域研究(A))
  1999年 - 1999年
  赤澤 正道
  ボルテックス輸送の性質を巧みに利用した、新たな回路アーキテクチャを見つけ出すことは、超伝導エレクトロニクスの発展を促進する鍵となる。研究代表者は、新規なデバイスである「ボルテックスBDDデバイス」を用いて高速な理論回路を構成する方法を見出した。BDDは二分決定グラフの略であり、ブール代数によらず、有向グラフを用いてディジタル関数を表現するための1方法であり、論理設計において多くのディジタル関数を完全かつ簡便に表現することができる。本研究では、BDDをそのまま回路化し、BDD回路システムとすることを考えた。BDD回路システム中において、論理出力値は、変数の組み合わせによって活性化されるパスを、情報担体が転送されることにより決められる。BDDノードデバイス(BDDデバイス)に要求される機能は入力変数にしたがって情報担体の転送される方向を切り替える、2分岐スイッチングである。本研究においては、分岐点の2つの枝において、ジョセフソン接合の超伝導―常電導遷移を用いてボルテックスの転送方向を切り替える方式のデバイスを提案した。提案したBDDデバイスを用いて構成される32ビット加算器および32ビット比較器についてシュミレーションを行った結果、両者とも正しく動作することが示され、加算器では高々350psの処理時間、比較器では高々750psの処理時間で計算が可能なことが示された。また、SBDD...
  文部科学省, 特定領域研究(A), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 11129201
• 多数決論理にもとづく単電子集積デバイスの研究
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  1998年 - 1999年
  雨宮 好仁; 〓 南健; 赤澤 正道; 陽 完治; 浅井 哲他
  多数決論理はブール代数と異なる原理でディジタル関数を処理する方法である。ブール代数の基本演算 (ANDやOR)の代わりに、多数決論理では多数決定の原理にもとづいてディジタル関数の演算を行う。多数決論理の処理過程はブール代数よりも巧妙なものであり、そのため多数決論理を使うとブール代数よりも少ない素子数で複雑な演算処理を実現することができる。本研究では、この多数決論理を単電子回路で構成することによる論理システム構築を考えた。単電子回路では、入力が1と0の中間状態であっても(CMOSと異なり)貫通電流が生じないゲート回路をつくることができる。この特長を用いることで、極低消費電力の多数決集積システムを構成することができる。本研究では、はじめにトンネル接合を組み合わせた多数決論理デバイスを提案した。理論解析により、適切なパラメータ範囲で所望動作が得られることを示した。次いで、この単位デバイスを複数組み合わせたディジタル論理サブシステムを設計し、その動作をシミュレーション解析した。その結果、加算器・比較器・パリティ発生器などの基本的なサブシステムの動作が可能なことを示した。以上によって、多数決論理にもとづ<単電子ディジタル集積回路の構築可能性を明らかにした。
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 10450129
• 極微細ボルツマンマシンニューロン素子の試作
  科学研究費補助金(基盤研究(C))
  1997年 - 1998年
  赤澤 正道; 呉 南健; 雨宮 好仁
  本研究においては、ニューラルネットワークを構成するうえで問題となっている事項について、単電子回路特有の性質を利用して解決する方法について検討した。得られた知見を以下に示す。1) ニューロン回路の簡単化:ボルツマンマシンのニューロンは、確率的出力を実現するために、一般には複雑な構成となる。クーロンブロッケード条件を適切に設定した単電子回路を適用すると、コンパクトな回路で、確率的出力特性をもつニューロン回路を構成できる。その回路は、1、0信号の電圧パルス列を確率的なランダムパルスとして出力し、1の出力確率は入力信号により制御される。複数のニューロンを接続して、ネットワークとしても問題なく動作する。印加電圧の制御により、アニーリング駆動も可能である。2) ローカルミニマム問題の解消:単電子回路に特有の「共同トンネル現象」を利用すると、ローカルミニマムの問題のないニューラルネットワークを得ることが出来る。そのネットワークにおいては、複数のニューロンが同時にコヒーレントな組み合わせとして状態を変更することが可能である。したがって、大きなハミング距離の状態遷移も可能となり、ローカルミニマム問題が解消される。結果として、エネルギー最少の状態が必ず実現される。このような性質を利用すれば、ローカルミニマム問題に悩まされることなく組み合わせ最適化問題を解く、新たな計算機を開発することが可能となる。
  文部科学省, 基盤研究(C), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 09650375
• 新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  1997年 - 1998年
  橋詰 保; 関 昇平; 呉 南健; 赤澤 正道; 長谷川 英機; 藤倉 序章
  本研究では、次世代通信用キーデバイスの実現に向けて、新しい電気化学プロセスによるショットキー界面制御技術とシリコン超薄膜制御層を利用したMIS界面制御技術を用いて、「超高速ショットキーゲートInAlAs/InGaAsHEMT」と、「超低消費電力性と大振幅動作性を有する絶縁ゲートInAlAs/InGaAsHEMT」を試作・開発することを目的とした。得られた成果を以下にまとめる。(1) エッチングと金属膜堆積を同一の電解液中で行い、さらにパルス波形電圧を利用する「電気化学プロセス」によって、n-InP,n-InGaAs,n-InAlAsに対して、熱電子放出理論に従った電流輸送特性を有する良好なショットキー接合を形成することが可能となった。(2) スパッタ法により形成したTi/n-InP構造の界面反応を、オージェ電子分光法、X線電子分光法、X線回折法により詳細に評価し、電気的特性との相関よりオーミック電極形成機構の検討を行った。500℃前後の短時間熱処理によってTi-P化合物相が界面に生成することにより良好なオーミック性を示すことが明らかになった。(3) n-InPに対して「シリコン超薄膜界面制御技術」を適用することにより、最小界面準位密度2x10^<10>cm^<-2>eV^<-1>の非常に良好なSiN/n-InP界面構造を形成することに成功した。1)まず、数値計算によってSi界...
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 09555092
• 高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの試作
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  1997年 - 1998年
  呉 南健; 石井 宏辰; 赤沢 正道; 雨宮 好仁; 安永 均
  本研究の目的は、高速スイッチング電源用のパワーショットキ整流ダイオードの最適構造を設計し、InPパワーショットキ整流ダイオードの試作を行うことにある。スイッチング電源を小型化、軽量化していくためには、変換効率と変換周波数を高めることが重要な課題である。そのための整流ダイオードとして現在は数百KHzレベルのSiショットキダイオードが使われ、高周波化の要求には対応が難しくなってきた。化合物半導体のInPは、Siに比べて、1)電子移動度が高い、2)逆方向電流が小さい、3)ブレークダウン電界が高い性質を持っている。高周波電源用の整流ダイオードを実現する可能性がある。本研究では、はじめにスイッチング電源の動作条件に応じて高速スイッチング電源用のInpパワーショットキ整流ダイオードの最適構造を設計した。耐圧40Vを設計基準として、次のダイオードの最適構造を得た。ダイオードのエピタキシャル層の厚さは0.2um、エピタキシャル層のキャリア濃度は3×10^<16>/cm^3,ショットキ障壁値約0.4eVである。ダイオードの整流可能最高周波数は約10MHzであることがわかった。次に実際にnpパワーショットキ整流ダイオードの試作を行った。Au-Ge-Ni合金系を用いて低抵抗のオーミックコンタクトの形成が可能であることがわかった。また、電気化学プロセスの最適化を行い、InPショットキダイオードを作成...
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学->電気通信大学, 競争的資金, 09555105
• 二分決定グラフ論理にもとづく単電子集積デバイスの研究
  科学研究費補助金(基盤研究(B))
  1996年 - 1997年
  雨宮 好仁; 呉 南健; 赤澤 正道
  前年度に提案した単電子形二分決定グラフをカスケード接続して論理システムを設計し、その動作をシミュレーション確認した。全体システムの構成要素をあげると、(1)二分決定グラフデバイスを組み合わせたグラフ回路、(2)グラフ頂点からメッセンジャ電子を送り込む電子注入回路、(3)終点に到達するメッセンジャを検出して0-1の出力信号を出す出力インターフェイス、である。一例として4ビット加算器では、各桁の和と桁上げを5つのグラフ回路で並列計算する。各グラフ回路にメッセンジャ電子を複数個おいてパイプライン演算を行う。すべての入力組み合わせについて正確に動作することをシミュレーション確認した。加算器以外に数種のサブシステム(補数生成器や一致検出回路など)を設計して動作をシミュレーション確認した。
  文部科学省, 基盤研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 08455156
• 微小トンネル接合を利用した量子セルオートマトンデバイスの研究
  科学研究費補助金(基盤研究(C))
  1996年 - 1997年
  呉 南健; 赤澤 正道; 雨宮 好仁
  微小トンネル接合を利用した量子セルオートマトンデバイスの最適構造を設計した。また、実現の可能な量子セルオートマトンデバイスの入出力方法を検討した。さらに、量子セルオートマンデバイスの試作を行った。以下に本研究で得られた成果の概要を記す。1)微小トンネル接合を利用した量子セルオートマトンデバイスの最適構造を設計した。デバイスの単位セルは四つの半導体島と四つの絶縁膜微小トンネル接合から構成される。半導体島は微小トンネル接合により結合される。半導体島の誘電率を絶縁膜トンネル接合の誘電率より10倍以上大きくとる。また、隣接単位セルの局所結合は容量接合によって実現される。2)SET-CAデバイスの信号入出力方法を検討した。デバイスの入力単位セルには容量を介して差動電圧電源をつなぐ。単位セルに差動電圧を加えって、入力単位セルの過剰電子を分極させる。また、差動電圧電源の極性を変えることによって入力単位セルの分極をスイッチングすることができる。最後に、出力端単位セルの分極を検出するために、電位変化に敏感なTucher形単電子インバータ-型の分極検出回路を設計した。半導体島の材料とトンネル接合の材料の候補として誘電率の大きい半導体材料TiO_2、PbTe、Siと誘電率の小さいトンネル接合材料SiOF、SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3、空気ギャブがあることがわかった。4)電気科学プロセ...
  文部科学省, 基盤研究(C), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 08650396
• 超高密度多値メモリ集積回路の実現に関する基礎的研究
  科学研究費補助金(奨励研究(A))
  1996年 - 1996年
  赤澤 正道
  高々数個の電子を情報媒体とする極微細な「多値メモリ素子」を独自の設計思想で世界で初めて実現し、多値論理の情報処理システムに使用できる高速・高密度・低消費電力のメモリLSIに応用するための基礎的研究を行った。その結果、次のことがわかった。1)単電子トランジスタのトンネル接合を、方向性単電子トンネル接合におきかえると、多値メモリを構成できることをモンテカルロシミュレーションにより確認した。2)方向性単電子トンネル接合は、金属と誘電率の大きく異なる2種の絶縁体の組み合わせによって実現可能であることを理論的計算により予測した。3)実際の多値メモリデバイス構造は、TiあるいはTaの金属超薄膜をSTM/AFMにより微細加工することによって作製可能であることを実験により確認した。4)多値メモリセルは200MHzでの駆動が可能であり、また200nsecのデータ保持が可能であることが予測された。このとき、消費電力は1bit当り1pW程度になり、1Tbitの集積度でも1Wの消費電力で済むことになる。5)単電子の有無を電圧の情報に変換する入出力回路や、多値論理サブシステムの単電子回路による構成も可能であることをモンテカルロシミュレーションにより確認した。
  文部科学省, 奨励研究(A), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 08750387
• III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用
  科学研究費補助金(一般研究(B), 基盤研究(B))
  1995年 - 1996年
  長谷川 英機; 赤沢 正道; 本久 順一; 橋詰 保
  III-V族半導体を利用した量子デバイスは、新しい原理にもとづく次世代集積エレクトロニクスを構築できる可能性がある。これまでは、表面準位の多い表面をさけ、深く埋め込まれた量子構造を形成・評価する研究が全世界的に主流で、プレーナー集積化の展望は全く確立していない。本研究は、III-V族化合物半導体の量子構造の閉じ込め量子準位と表面の相互作用の機構を解明し、「シリコン超薄膜界面制御層」を用いる独自の表面・界面制御技術を用いて制御し、プレーナー集積化可能な新光デバイス構築の展望を開こうとするものである。得られた主要な成果を以下にまとめる。1)表面から5nmと極浅い位置にGaAs/AlGaAs量子井戸を形成した場合、半導体内部に形成した場合と比較して、量子井戸からのフォルトミネッサンス(PL)強度は約1/1000に減少することを確認し、この現象が表面準位と量子準位の強い相互作用によるものであることを明らかにした。シリコン超薄膜界面制御層技術を用いて本質的な表面不活性化を行うことで、このPL強度の完全な回復を世界で初めて達成した。(表面科学17巻9号に論文発表)2)光電子分光法による化学分析によって、シリコン界面制御技術を用いた不活性化膜/半導体界面では半導体表面の酸化や窒化が見られず、良好な界面が形成されていることを明らかにした。(表面科学17巻9号に論文発表)3)シリコン超薄膜界面...
  文部科学省, 一般研究(B), 基盤研究(B), 北海道大学, 競争的資金, 07455017
• 高ショットキー障壁MESFETを用いたInP系超高速集積回路の試作
  科学研究費補助金(試験研究(B), 基盤研究(B))
  1995年 - 1996年
  橋詰 保; 関 昇平; 呉 南健; 赤沢 正道; 長谷川 英機
  燐化インジウムショットキーゲート電界効果トランジスタ(InP MESFET)は、マイクロ波分野で実用化されているGaAs MESFETよりも動作周波数の高い超高速集積回路や、光通信システムのキーデバイスとして期待されているが、これまでに実用化された例はない。本研究の目的は、新しい電気化学プロセスを用いて、高障壁を有するInPショットキー障壁を形成し、それを利用したInP MESFETを世界に先駆けて実現し、超高速集積回路および光電子集積回路に応用する素地を作ることである。得られた成果を以下にまとめる。1)Pt/InPショットキーダイオードにおいて、0.86eV以上の障壁高さが再現姓良く得られ、理想因子も1.1程度と極めて良好な値を示した。2)Pt/InP接合界面を、容量-電圧法、ラマン分光法および光電子分光法により詳細に評価した。結果、酸化層が存在せずストレスの極めて小さい界面が形成されていることが明らかとなった。3)電気化学プロセスの選択性を利用することによって、ゲート長が1〜2μm程度の、PtゲートInP MESFETを作製した。MESFETは、すぐれたゲート制御性と完全なピンチオフ特性を示し、相互コンダクタンス23mSが得られた。ゲート漏れ電流もゲート電圧V_G=-5Vで100nA以下と低い値が得られ、-20Vの負ゲート電圧でもブレークダウンは見られなかった。さらに、0...
  文部科学省, 試験研究(B), 基盤研究(B), 北海道大学, 競争的資金, 07555093
• 2次元電子ガスへの直接ショットキー接合を利用した量子構造の研究
  科学研究費補助金(一般研究(C), 基盤研究(C))
  1995年 - 1996年
  橋詰 保; 呉 南健; 赤沢 正道; 長谷川 英機
  本研究の目的は、半導体量子井戸中の2次元電子ガスへ直接ショットキー接合を形成し、その接合特性を理論的・実験的に解明するとともに、この接合をゲートとする電界制御によって、損傷のない新しい量子構造を実現することを目的としている。得られた主要な成果を以下にまとめる。1)In-Situ電気化学プロセスによりAlGaAs/GaAsヘテロ接合における2次元電子ガス(2DEG)端に、直接ショットキー接合を形成する技術を開発し、これにより、インプレーンゲート量子構造を考案した。計算およびEBIC法による空乏層の直接測定やSdH振動の測定により、これらのゲート構造のゲート制御機能解析および構造の最適化を試みた。2)インプレーンゲート形量子細線トランジスタを製作し、100Kまで、コンダクタンスの量子化が観測でき、新しいインプレーンゲート構造では、従来のスプリットゲート構造に比較して、電子の閉じこめポテンシャルが格段に大きいことが示された。3)さらに、トレンチホールを持つAlGaAs/GaAsヘテロ接合2DEGバ-にインプレーンゲートを形成し、ゲート制御形電子波干渉デバイス(アハラノフ-ボ-ムリング)を作製した。ゲート制御によって、明瞭な磁気抵抗振動が3.3Kで観測され、その周期より、この振動がアハラノフ-ボ-ム効果による振動であることが確認された。4)AlGaAs/GaAsヘテロ接合2DEG系に...
  文部科学省, 一般研究(C), 基盤研究(C), 北海道大学, 競争的資金, 07837001
• 自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価
  科学研究費補助金(一般研究(A))
  1994年 - 1995年
  福井 孝志; 赤澤 正道; 本久 順一; 長谷川 英機
  本研究は,半導体立体量子構造を作製するに際して,特定の低指数面(ファセット面)間の表面エネルギーの差を利用することが特徴である。原子の付着確率,原料原子の表面拡散距離を,部分的に絶縁膜で覆われた正方形のマスク基板結晶を用いた選択成長により明らかにした。具体的には,絶縁膜で覆われたGaAs基板を電子ビーム露光法により0.2μmサイズのパターンに加工し,有機金属気相成長法でGaAs立体量子構造の成長を行った。その際,パターン形状及び成長条件を変えながら選択成長結晶の形状を高分解能走査型電子顕微鏡,および原子間力顕微鏡で詳細に観察し,隣接するファセット面間の原子の付着量,拡散量を調べることにより,相対的な成長速度の面方位依存性を定性的に明らかにした。また,この成長速度は結晶成長条件とともに変化し,またピラミッド構造の場合には,成長が進むとともに成長速度が速くなり,更に頂上付近では成長が飽和することを明らかにした。頂上形状の結晶成長条件依存性を明らかにした。この平担な頂上部に成長条件を変えることにより,AlGaAs/GaAs量子井戸を形成し,頂上部にGaAs量子ドットを作製した。ドットの密度は,2×10^9cm^<-2>である。量子ドットからの発光をカソードルミネッセンス法を用いて確認した。
  文部科学省, 一般研究(A), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 06402037
• 表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究
  科学研究費補助金(一般研究(C))
  1994年 - 1995年
  齋藤 俊也; 澤田 孝幸; 赤澤 正道; 陽 完治
  1. InGaAs表面には、高密度の表面準位が存在し、その最小値が10^<12>cm^<-2>eV^<-1>台であることが判明した。太陽光強度に相当する程度の光キャリアを励起した場合、表面再結合速度が10^5am/s程度となり、パッシベーション膜のないInGaAs表面では、再結合速度が極めて大きいことが判明した。2. InAlAsをInGaAs上に連続的に結晶成長することにより、界面準位密度はInGaAs表面に比べ2桁程度減少する。これより、InAlAs薄膜は太陽電池表面の再結合速度を減少させる表面層として極めて有効であることが判明した。3. AIGaAs/GaAs界面に比べて、InAlAs/InGaAs界面は成長中断による界面の劣化が極めて小さいことが明らかになり、この系を用いると太陽電池プロセス中の界面の特性劣化を比較的小さく抑えることが可能となることが判明した。4. GaAs(100)基板上に、約10^<10>cm^<-2>の面密度、水平方向の大きさ約500Å、高さ約50ÅのInAsドットを形成することに成功した。これは、面積比にして約25%のInAs層を形成したことになり、高濃度ドープ層をフォトリソグラフィや化学エッチングを用いることなく部分的に形成することが可能であることが示された。5. GaAs(111)B基板表面を間隔4μmでマトリックス状にエッチピットを形成し...
  文部科学省, 一般研究(C), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 06650345
• InGaAs2次元電子ガスMISFETの試作
  科学研究費補助金(奨励研究(A))
  1994年 - 1994年
  赤澤 正道
  本研究は、新しい構造をもつ2次元電子ガスMISFETを実現するための基礎的研究である。年限内に得られた成果を以下に挙げる。(1)Si超薄膜による絶縁体(Si_3N_4あるいはSiO_2)-InGaAs界面の制御は、非常に薄い(100Å)InGaAs活性層上においても有効であることがわかり、2次元電子ガスの、MISゲートによる駆動にも成功した。(2)MISゲート電極下の逆HEMT構造のMBE成長条件の最適化を計り、低温成長スペ-サ層の挿入により2次元電子の移動度を、77Kにおいて5,000cm/v・secから40,000cm/v・secまで向上させた。(3)一般的にInGaAs系HEMTにおいて問題となっている、メサエッチングした側面でのゲート電極と2次元電子ガスとの接触に起因する、漏れ電流の問題を、弗化水素による表面処理とSi超薄膜形成とを組み合わせて、界面を制御して絶縁体を推積することにより回避することに成功した。年限内に、良好な特性を有する2次元電子ガスMISFETの実現には到達しなかった。これは、ソース・ドレイン電極のオーミック接触の抵抗値を下げる技術を開発できなかったためであるが、今後この点が解決されれば、本研究により得られた成果と合わせて、良好な特性を持つ新しい素子が実現すると考えられる。
  文部科学省, 奨励研究(A), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 06750299
• 化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究
  科学研究費補助金(一般研究(B))
  1993年 - 1994年
  長谷川 英機; 赤澤 正道; 澤田 孝幸
  量子構造は、構造の尺度が電子波長程度に微細であるので、表面や界面の性質が、量子構造の性質に及ぼす影響は極めて大きいと考えられる。本研究では、化合物半導体の量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用を理論的・実験的に解明するとともに、独自の表面・界面制御技術を用いて量子構造の表面・界面を工学的に制御することを試みた。得られた主な研究成果を以下にまとめる。(1)Al_<0.3>Ga_<0.7>As/GaAs量子井戸からのフォトルミネセンス(PL)発光強度が、上部AlGaAsバリア層の厚さが10nm以下となると指数関数的に減少することを観測し、それが量子井戸準位と表面準位の相互作用にもとづくことを明らかにした。(2)量子井戸の界面準位や表面準位が量子井戸のPL効率やその励起光強度依存性に及ぼす影響を理論的・実験的に明らかにした。(3)分子線エピタキシ-(MBE)法による超薄膜シリコンと光化学気相堆積(光CVD)法による超薄膜シリコン窒化膜を界面制御層(ICL)として利用した、独自の表面・界面制御技術を開発した。(4)砒化ガリウムインジウム(InGaAs)に、Si ICLによる界面制御技術を適用することにより、界面準位濃度の最小値(Nssmin)2x10^<10>cm^<-2>eV^<-1>が得られた。この値は、これまでに化合物半導体で報告されている中で最も低い値である。(5)Si...
  文部科学省, 一般研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 05452181
• 固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作
  科学研究費補助金(一般研究(C))
  1992年 - 1993年
  赤澤 正道; 斉藤 俊也; 福井 孝志; 長谷川 英機
  本研究は、マイクロ波集積回路における能動素子には、半導体中のキャリアと電磁波との相互作用である固体進行波モードを、また、受動素子には、磁性体薄膜中の静磁波モードを利用し、さらにこれらの素子をモノリシック化することで機能の集積度の向上を図るための基礎的研究を行うことを目的とした。特に、システムの高機能化のためのキーデバイスである固体増幅素子を、固体進行波モードを積極的に用いて実現することに重点をおいて研究を進めた。得られた成果を以下に示す。(1)InPおよびGaAsを用いてインタディジタル型固体進行波素子を作製しその評価を行った。素子の入力アドミタンスを電子のドリフト速度を変えつつ測定した結果、あるドリフト速度でコンダクタンスの減少およびキャパシタンスの増加といったアドミタンスの変調がみられた。また、このようなアドミタンスの変調が生じるドリフト速度の周波数依存性から、この変調に2つの型があることがわかった。(2)インタディジタル遅波導波路を有する固体進行波相互作用系の解析を行なった。とくに相互作用領域が有限厚であることを踏まえ従来の理論をあらたに拡張した。この拡張した理論を用いて実験結果を定量的に説明し、化合物半導体において固体進行波相互作用が存在することを示した実験結果が妥当であることを示した。(3)インタディジタル遅波導波路を有する固体進行波相互作用に対する界面準位の影響を...
  文部科学省, 一般研究(C), 北海道大学, 研究代表者, 競争的資金, 04805028
• 選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究
  科学研究費補助金(一般研究(B))
  1992年 - 1993年
  福井 孝志; 赤沢 正道; 長谷川 英機; 本久 順一
  量子ドット構造を作製するための基礎実験として、SiO_2マスクパターンを施した(001)GaAs基板上に、結晶学的に4回対称の{001}ファセットに囲まれた量子細線・量子箱の作製を目標とし、有機金属気相成長法を用いてGaAs及びAlGaAsの選択成長を行った。SiO_2膜はウェットケミカルエッチングではく離した。パターンサイズは2ionである。GaAsの成長では良好なピラミッド構造が得られたが、形状は結晶成長条件に強く依存することが明らかとなった。まず成長温度に対しては700℃以上ではSiO_2マスク部に多結晶の析出が見られないが、650℃と比較的低温ではSiO_2上での原料原子の拡散距離が短いため、多結晶が析出することが明らかとなった。また、ファセット形状はV族原料であるAsの分圧にも強く依存し、As圧の低い条件(V/III=10)では、側面に(110)面が現れず、形状が大きくくずれた。またいずれの条件においても上面(001)にくぼみが見られ、量子ドット作製の際には悪影響を及ぼす可能性があり、原因と解決策を検討中である。さらに次のステップとして、AlGaAsの成長を試みた。原料AlはSiO_2膜上では拡散距離が短いため成長条件によらずSiO_2上に多結晶が析出する傾向があることが明らかとなった。最終目標である量子ドットを作製するためには、GaAs/AlGaAsヘテロ構造の選...
  文部科学省, 一般研究(B), 北海道大学, 競争的資金, 04452165
• 半導体自由表面の表面準位分布の非接触測定とそれにもとづく表面の工学的制御
  科学研究費補助金(一般研究(B))
  1991年 - 1992年
  長谷川 英機; 飯塚 浩一; 赤沢 正道
  本研究では、フォトルミネセンス(PL)測定による半導体表面準位密度分布の評価法の確立と表面の工学的制御に関して検討を行い、以下に示す成果を得た。(1)バンド端PL強度の励起光強度依存性の測定と表面・界面準位を介した再結合過程の厳密な計算機シミュレーションの比較から、準位密度分布を非接触・非破壊で定量的に評価することが可能な新しい方法として、フォトルミネセンス表面準位スペクトロスコピー(PLS^3)法を開発した。(2)新しいPLS^3法を用いて、化学エッチング、化学的表面処理、アニーリングが行われた表面など、従来測定が不可能であった半導体「自由表面」やMBE結晶成長、光CVD絶縁膜堆積など超高真空プロセス中の表面・界面の準位密度分布をはじめて明らかにした。また、これにより、本手法の有用性を実証した。(3)MBE GaAs再成長界面およびGaAs系ヘテロ界面のPLS^3測定,CVシミュレーションから、これらの界面には、DIGSモデルの特性エネルギーEHOに極小値を持つU字形の連続準位が形成されること、また、この準位が成長中断界面,ヘテロ界面で観測される種々の異常性の原因であることを明らかにした。(4)GaAs表面に形成したショットキー障壁の構造・組成・結合・電子状態をRHEED,XPS,C-V,I-V法等で評価し、界面層の効果を考慮したショットキー障壁の新しい形成機構を提唱した。...
  文部科学省, 一般研究(B), 北海道大学, 競争的資金, 03452147
• 界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作
  科学研究費補助金(試験研究(B))
  1991年 - 1992年
  長谷川 英機; 飯塚 浩一; 坪内 夏朗; 赤沢 正道
  本研究は、代表者らによる「シリコン超薄膜界面制御層」を用いる新しいMIS界面制御技術を、ユニークな材料物性をもつInGaAsを用いた電荷転送形撮像素子の製作に適用できる実用的な界面制御プロセス技術として確立することを目的として、その学問的理解の確立、それにもとづくプロセスに改良と最適化と基本構造の試作を行なったものであり、成果の概要は次の通りである。(1)「シリコン超薄膜界面制御層」をもつ界面の構造・組成・結合・電子状態を、RHEED、XPS、X線回折、C-V、PL法等で評価・解明した結果、界面制御層が擬似格子整合を保ちつつ化合物半導体をシリコンに変換し、さらにSi-SiO_2界面より、シリコンから絶縁体へのボンド遷移を滑らか行う働きをすることを明らかにするとともに、界面制御層が満たすべき条件を明かとした。(2)この理解にもとづきプロセスの改良と最適化を進め、弗酸処理による表面ストイキオメトリ制御とSi超薄膜の還元作用を組み合わせると、シリコン超薄膜界面制御技術が、半導体表面を大気にさらす通常のデバイス製作プロセスと両立することを見出した。(3)XPS法によるモニタとシリコンの堆積と低温酸化を繰り返すプロセスにより、界面の原子プロフィールの原子層レベルでの精密なモニタと制御・最適化が可能であることを示した。(4)開発された界面制御技術が、電荷転送形撮像素子製作に適用可能である...
  文部科学省, 試験研究(B), 北海道大学, 競争的資金, 03555056
• IIIーV族希薄磁性半導体の成長と評価
  科学研究費補助金(一般研究(B))
  1990年 - 1991年
  大野 英男; 赤沢 正道; 飯塚 浩一; 長谷川 英機
  本研究では、新しいIIIーV族希薄磁性半導体、(In,Mn)Asの分子線エピタキシ成長とその成長層の評価を行った。研究実験は、以下の通りである。分子線エピタキシ 基板温度(200〜300℃)によって、相分離を起こさずに得られるMnの最大濃度が異なり、伝導型も異なる。300℃では相分離しない組成範囲はx〈0.03であり成長層はp形であるが、200℃ではx〈0.25n形である。その組成範囲を越えると、第2相としてMnAsが出現する。エピタキシャル層の評価 (1)磁性n形試料はすべての温度にわたって、常磁性であり、Mn間の相互作用は、反強磁性的でその強さは、最近接Mn間でー1.6Kである。p形試料は、中高温領域で常磁性であり、ある温度以下では、自発磁化が生じる。そのふるまいは、やや複雑で、自発磁化と同時に、磁化には高い磁場に至るまで常磁性的応答する成分も含まれている。(2)電気的性質n形試料は、低温で負の磁気低抗効果を示した。p形試料は、室温から1.4Kの低温までホ-ル係数は正の値(p形)を示し、200K以下では、ホ-ル係数が異常ホ-ル効果に支配されていることが明らかとなった。7.5K以下では、ホ-ル係数のB依存性にヒステリシスがみられ、自発磁化が異常ホ-ル効果を通して観測された。同時に、高磁場まで負の磁気低抗効果が観測された。このp形特有の結果は、正孔とMn間の強磁性的相互作用の...
  文部科学省, 一般研究(B), 北海道大学, 競争的資金, 02452142
• 半導体キャリアの分布定数効果を利用した新しいマイクロ波モノリシック集積回路の製作
  科学研究費補助金(一般研究(B))
  1988年 - 1989年
  長谷川 英機; 大野 英男; 飯塚 浩一; 深井 一郎; 赤澤 正道
  マイクロ波・ミリ波を用いる高度情報通信システムの構築を目指し、半絶縁性GaAsを基板としたマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の研究開発が活発に行われている。しかし、現状ではMMICの基板面積当たりの機能の集積度は、著しく低い。これは半導体能動素子は集中定数素子とみなせるよう小面積に作る一方、高価な基板の面積の大部分は寸法の大きい受動素子を作るのに、絶縁体として使用されるからである。本研究の目的は、半導体のキャリアがもたらす分布定数的効果を積極的に利用し線路波長を短縮するMIS形およびショットキ形のコプレ-ナ伝送線路の基礎的研究を行なうことにある。さらに、これら線路は、その伝送特性が電気的に変化できるので、そのユニ-クな性質を利用して、高性能・高機能化した新しいMMICを実現できる。本研究の成果の概要は以下の通りである。(1)半導体基板上に形成されたMIS形およびショットキ形コプレ-ナ伝送線路構造の理論的検討を行い、伝送モ-ドおよび伝送特性量の幾何学的構造依存性、半導体表面層のパラメ-タ依存性、周波数依存性、バイアス依存性を明らかにした。(2)コプレ-ナ伝送線路試料の作製法を検討した。ことに、GaAsおよびInGaAsエピタキシャル表面半導体層を分子線エピタキシャル法で成長する方法および条件を明らかにした。(3)半絶縁性GaAs基板上に形成されたショットキ形コプレ-ナ線...
  文部科学省, 一般研究(B), 北海道大学, 連携研究者, 競争的資金, 63460115

• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  特許権, 橋詰 保; 赤澤 正道; 廣木 正伸
  特願2011-208741, 2011年09月26日